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Book MISE EN PHASE DE RESEAUX DE LASERS A SEMI CONDUCTEUR

Download or read book MISE EN PHASE DE RESEAUX DE LASERS A SEMI CONDUCTEUR written by JEAN-MARC.. VERDIELL and published by . This book was released on 1990 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: AFIN D'AUGMENTER LA PUISSANCE EMISE PAR LES LASERS A SEMI-CONDUCTEUR, IL EST AVANTAGEUX DE LES ASSEMBLER EN RESEAUX. SI UNE RELATION DE PHASE FIXE EST ETABLIE ENTRE LES DIFFERENTS EMETTEURS DU RESEAU ON OBTIENT EN SORTIE UN FAISCEAU PUISSANT ET LIMITE PAR DIFFRACTION. CE TRAVAIL PRESENTE L'ETUDE EXPERIMENTALE ET THEORIQUE DE TROIS TECHNIQUES DE MISE EN PHASE. TOUT D'ABORD, NOUS ETUDIONS LES MECANISMES DU VERROUILLAGE EN PHASE DANS LES RESEAUX COUPLES PAR ONDES EVANESCENTES. NOUS MONTRONS EXPERIMENTALEMENT QUE LA THEORIE HABITUELLE DES SUPERMODES N'EST PAS VALABLE DANS LE CAS D'UN RESEAU GUIDE PAR LE GAIN. NOUS PROPOSONS PAR CONTRE UN NOUVEAU MODELE PERTURBATIF QUI DECRIT CORRECTEMENT LE COMPORTEMENT MODAL DU RESEAU. DEUXIEMEMENT, NOUS ETUDIONS LA MISE EN PHASE A L'AIDE DU VERROUILLAGE PAR INJECTION SUR DES RESEAUX GUIDES PAR LE GAIN ET L'INDICE. EN INJECTANT SUR UN OU PLUSIEURS RUBANS, NOUS VERIFIONS QUE LE RESEAU EMET UN FAISCEAU LIMITE PAR DIFFRACTION JUSQU'A UNE PUISSANCE DE 200 MW. LES RESULTATS EXPERIMENTAUX SONT EN BON ACCORD AVEC UN MODELE THEORIQUE QUI STIPULE QUE LA DIODE VERROUILLEE PAR INJECTION OSCILLE SUR UNE COMBINAISON COHERENTE DE MODES DE RUBAN LARGE PERTURBES. ENFIN, NOUS ETUDIONS DES TECHNIQUES DE COMBINAISON DE FAISCEAUX PAR MELANGE D'ONDES DANS DES MATERIAUX NON LINEAIRES. EN UTILISANT LE MELANGE A DEUX ONDES DANS UN CRISTAL PHOTOREFRACTIF DE TITANATE DE BARYUM, NOUS ATTEIGNONS UN TAUX DE TRANSFERT D'ENERGIE DE PLUS DE 50% DU FAISCEAU ESCLAVE D'UN RESEAU INJECTE VERS LE FAISCEAU MAITRE, SANS AFFECTER LA PHASE DE CE DERNIER. NOUS PROPOSONS DES MONTAGNES POUR ETENDRE CE PROCEDE A LA COMBINAISON DE NOMBREUX FAISCEAUX ESCLAVES, AFIN D'OBTENIR DES SOURCES LASERS PUISSANTES ET LIMITEES PAR DIFFRACTION

Book Contribution    l   tude de la mise en phase de lasers    solide et    semiconducteur

Download or read book Contribution l tude de la mise en phase de lasers solide et semiconducteur written by Hervé Tronche and published by . This book was released on 1996 with total page 406 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse porte sur l'étude de la mise en phase de réseaux linéaires de lasers faiblement couplés, appliquée aux réseaux de lasers à semiconducteur et de microlasers à solide. La mise en phase d'un réseau de lasers constitue unmoyen de dépasser les limitations actuelles des sources laser unitaires et de créer un faisceau de forte intensité lumineuse, à la fois cohérent spatialement (faible divergence) et spectralement (synchronisation de l'émission du réseau sur une seule fréquence). Après une rapide présentation de la définition de mise en phase et des différents modèles développés à cet effet, le premier chapitre est consacré à l'établissement d'une méthodologie générale d'analyse des effets temporels de la mise en phase d'un réseau de lasers faiblement couplés. cette méthodologie repose sur les équations d'évolution couplées qui sont démontrées à partir des équations de Maxwell et de la théorie semiclassique appliquée au couplage faible de lasers. Puis ces considérations théoriques sont appliquées à l'étude de deux cas particuliers : la mise en phase d'un réseau de lasers à semiconducteur par cavité externe dans le deuxième chapitre et la mise en phase d'un réseau de microlasers à solide par champ évanescent dans le troisième chapitre.

Book ETUDE DE LA MISE EN PHASE DE LASERS A SEMI CONDUCTEUR

Download or read book ETUDE DE LA MISE EN PHASE DE LASERS A SEMI CONDUCTEUR written by FREDERIC.. NAUDAN and published by . This book was released on 1995 with total page 238 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES LASERS A SEMI-CONDUCTEUR ONT CONNU UN DEVELOPPEMENT SPECTACULAIRE AU COURS DES CINQ DERNIERES ANNEES. UNE TECHNOLOGIE EST PARTICULIEREMENT DEVELOPPEE: ASGAAL A LA LONGUEUR D'ONDE 800NM POUR LE POMPAGE OPTIQUE DES LASERS SOLIDES. CETTE APPLICATION A MOTIVE LE DEVELOPPEMENT DES LASERS SEMI-CONDUCTEUR A CAVITE LARGE (RUBAN LARGE ET MULTI-RUBAN) DELIVRANT DE FORTES PUISSANCES (LE WATT CW). LES TECHNIQUES DE FABRICATION PERMETTANT D'ACCROITRE LA PUISSANCE DE CES SOURCES SACRIFIENT NEANMOINS LEUR PURETE SPATIALE ET SPECTRALE. EN EFFET, UN INCONVENIENT DES LASERS A CAVITE LARGE EST LEUR FAIBLE COHERENCE SPATIALE SE TRADUISANT NOTAMMENT PAR UNE EMISSION MULTIMODE DE DIVERGENCE ANGULAIRE IMPORTANTE. IL EST DONC NECESSAIRE D'ENVISAGER DES METHODES DE MISE EN FORME SPATIALE DES FAISCEAUX LASERS. PLUS GENERALEMENT, POUR LES SOURCES MULTI-LASER, LE CONCEPT DE MISE EN PHASE DE DIODES LASERS A VU LE JOUR POUR GARANTIR UNE EMISSION LASER DE PUISSANCE ELEVEE, UNE GRANDE QUALITE DE FAISCEAU AINSI QU'UN CONTROLE ANGULAIRE EVENTUEL. DANS CE CONTEXTE, L'OBJET DU TRAVAIL EXPERIMENTAL EST LA MISE EN UVRE DE TECHNIQUES ORIGINALES POUR REDUIRE LA DIVERGENCE ET LA LARGEUR SPECTRALE DES DIODES LASER. LA PREMIERE PARTIE DE L'ETUDE EST CONSACREE A L'ANALYSE SPATIALE ET SPECTRALE DES LASERS A SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE. LE FACTEUR M#2 EST INTRODUIT COMME CRITERE QUANTITATIF DE QUALITE D'UN FAISCEAU LASER MULTIMODE. L'ANALYSE FINE EXPERIMENTALE ET THEORIQUE DES MODES LATERAUX DES LASERS A CAVITE LARGE EST PROPOSEE. LA SECONDE PARTIE PRESENTE L'UTILISATION D'UNE CAVITE EXTERNE FERMEE PAR UN MIROIR PLAN OU UN RESEAU DE DIFFRACTION PERMETTANT DE FORCER L'OSCILLATION LASER SUR UN MODE LATERAL UNIQUE. NOUS ETENDONS CETTE TECHNIQUE A UNE MATRICE BIDIMENSIONNELLE DE LASERS, AFIN D'OBSERVER L'AUGMENTATION DE LA COHERENCE GLOBALE DE CETTE SOURCE. LA DERNIERE PARTIE PRESENTE UNE METHODE ORIGINALE DE FILTRAGE MODAL EN CAVITE EXTERNE FERMEE PAR UN MIROIR A CONJUGAISON DE PHASE REALISE DANS UN CRISTAL PHOTOREFRACTIF DE TITANATE DE BARYUM. CE DISPOSITIF AUTO-ADAPTATIF CONDUIT EGALEMENT A UNE EMISSION UNIMODALE POUR LE LASER A CAVITE LARGE ET A UN ACCROISSEMENT DE SA LUMINANCE D'UN FACTEUR 4,5. FINALEMENT, IL EST POSSIBLE DE REALISER DES SOURCES LASER A SEMI-CONDUCTEUR DE TYPE MOPA AVEC DOUBLE PASSAGE DANS LE MILIEU AMPLIFICATEUR ET REFLEXION SUR LE MIROIR A CONJUGAISON DE PHASE. CES SOURCES SONT A LA FOIS PUISSANTES, COHERENTES ET LIMITEES PAR DIFFRACTION

Book   tude de lasers    verrouillage de modes    semiconducteur pour les r  seaux de t  l  communications    tr  s haut d  bit

Download or read book tude de lasers verrouillage de modes semiconducteur pour les r seaux de t l communications tr s haut d bit written by Kamel Merghem and published by . This book was released on 2011 with total page 151 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de thèse porte sur l'étude des performances des lasers à base de bâtonnets quantiques en régime de verrouillage de modes passif dans différentes configurations: laser à deux sections (une section de gaine et une section à absorbant saturable) et laser autopulsant constitué d'une seule section de gain. Nous nous intéresserons tout particulièrement au bruit de phase et à la gigue temporelle des impulsions, caractéristiques limitantes pour les applications faible gigue telles que la récupération d'horloge tout-optique ou la génération de porteuses optiques micro-ondes et millimétriques. Une technique de stabilisation optique permettant de réduire cette gigue temporelle est mise en oeuvre dans ces travaux. Nous présentons également la génération d'impulsions sub-picosecondes à des fréquences de répétition supérieures à 300 GHz à l'aide de lasers autopulsants.

Book RESEAUX COHERENTS DE LASERS CO2 A GUIDE D ONDE

Download or read book RESEAUX COHERENTS DE LASERS CO2 A GUIDE D ONDE written by GUILLAUME.. LESCROART and published by . This book was released on 1996 with total page 262 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PORTE SUR L'ETUDE DE LA MISE EN PHASE DE RESEAUX DE LASERS ET TOUT PARTICULIEREMENT SUR L'ETUDE DES TECHNIQUES METTANT EN JEU UNE CAVITE DIFFRACTIVE ET DES RESEAUX LINEAIRES DE LASERS CO2 A GUIDE D'ONDE. DE TELS RESEAUX SONT CAPABLES DE DELIVRER DES FAISCEAUX DE FORTES PUISSANCES LUMINEUSES COHERENTES ASSOCIEES A DES DIVERGENCES FAIBLES. LES INTENSITES ALORS DISPONIBLES AU CENTRE DE LA FIGURE DE DIFFRACTION EN CHAMP LOINTAIN PEUVENT ETRE TRES ELEVEES PAR RAPPORT A CELLES OBTENUES AVEC UN MEME RESEAU EMETTANT DE FACON INCOHERENTE. DANS UN PREMIER TEMPS NOUS ANALYSONS LES PRINCIPALES CARACTERISTIQUES D'UN RESEAU DE LASERS COUPLES ET ETUDIONS LES DIFFERENTS MODES D'EMISSION SOUTENUS PAR CES SOURCES. CECI NOUS PERMET D'EN DEFINIR LA FIGURE DE DIFFRACTION EN CHAMP LOINTAIN. UNE REVUE DES DIFFERENTES METHODES GENERALEMENT UTILISEES POUR REALISER DE TELS RESEAUX NOUS PERMET DE PRESENTER LES DEUX TECHNIQUES QUE NOUS UTILISERONS PAR LA SUITE POUR METTRE EN PHASE UN RESEAU LINEAIRE DE 9 LASERS A CO2 A GUIDE D'ONDE EXCITES PAR UNE DECHARGE RADIOFREQUENCE. PUIS, NOUS DECRIRONS ET EXPERIMENTERONS LA TECHNIQUE DE FILTRAGE SPATIAL INTRACAVITE ET L'EFFET TALBOT. DANS CES DEUX CONFIGURATIONS, NOUS REALISONS A L'AIDE D'UNE CAVITE DIFFRACTIVE UNE SELECTION DU MODE D'OSCILLATION DU RESEAU EN CREANT A L'INTERIEUR DE LA CAVITE DES PERTES SUR LE MODE INCOHERENT ET SUR LES MODES COHERENTS NON DESIRES. CETTE SELECTION PAR LES PERTES EST REALISEE SOIT DANS LE PLAN DE FOURIER DES LASERS (TECHNIQUE DE FILTRAGE SPATIAL), SOIT PAR LA DIFFRACTION SUR UNE LONGUEUR APPROPRIEE (EFFET TALBOT). NOUS PRESENTONS LA QUALITE SELECTIVE DE CES DEUX METHODES AINSI QUE L'EFFICACITE EN TERME DE PUISSANCE COHERENTE POUVANT ETRE ALORS EMISE PAR LE RESEAU. UNE ETUDE EXPERIMENTALE REALISEE A L'AIDE D'UN RESEAU LINEAIRE DE 9 LASERS CO2 A GUIDE D'ONDE NOUS A PERMIS DE VALIDER LES MODELES THEORIQUES MIS AU POINT POUR CETTE ETUDE. POUR CES TECHNIQUES NOUS MONTRONS QU'UNE NETTE AUGMENTATION DE L'EFFICACITE DE COUPLAGE EST OBTENUE A L'AIDE D'UNE CAVITE A TROIS MIROIRS. L'ETUDE DE LA CORRECTION PAR UN FILTRE DE PHASE DE LA FIGURE DE DIFFRACTION EN CHAMP LOINTAIN DE CES RESEAUX EST ENSUITE DEVELOPPEE. L'ANALYSE DE CETTE FIGURE DE DIFFRACTION MONTRE QUE SI LA SURFACE EMETTRICE TOTALE DU RESEAU PEUT ETRE CONSIDEREE COMME UNE SEULE SOURCE, LA PUISSANCE DEPOSEE AU CENTRE DE LA FIGURE DE DIFFRACTION N'ENGLOBE PAS LA PUISSANCE TOTALE EMISE PAR LE RESEAU. NOUS MONTRONS COMMENT, AVEC UN FILTRE DE PHASE ET UN MIROIR SPHERIQUE CORRECTEMENT POSITIONNES, ON PEUT AUGMENTER DE FACON CONSIDERABLE CETTE PUISSANCE. ENFIN, UNE ETUDE NUMERIQUE NOUS A PERMIS DE DEFINIR, POUR LES DIFFERENTES METHODES DE COUPLAGE ETUDIEES, LA LARGEUR DU DOMAINE DE STABILITE DE L'EMISSION COHERENTE

Book RELATION PHASE AMPLITUDE DANS UN LASER SEMICONDUCTEUR

Download or read book RELATION PHASE AMPLITUDE DANS UN LASER SEMICONDUCTEUR written by OWEN.. DOYLE and published by . This book was released on 1987 with total page 140 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE COUPLAGE ENTRE LA PHASE ET L'AMPLITUDE DU CHAMP DANS UN LASER SEMI-CONDUCTEUR EST ETUDIE THEORIQUEMENT ET EXPERIMENTALEMENT. CETTE ETUDE PORTE PLUS PARTICULIEREMENT SUR L'INFLUENCE DE LA STRUCTURE ET CONDUIT A LA DEFINITION D'UN PARAMETRE MODAL GENERALISANT LE PARAMETRE CONSTITUTIF DU COUPLAGE APPELE FACTEUR D'ELARGISSEMENT SPECTRAL. CE NOUVEAU PARAMETRE EST EXPRIME PAR DES RELATIONS INTEGRALES PERMETTANT DE DEDUIRE L'INFLUENCE DES CONFINEMENTS OPTIQUE ET ELECTRONIQUE. EN PARTICULIER LE ROLE DES VARIATIONS SPATIALES DU FACTEUR D'ELARGISSEMENT EST MIS EN EVIDENCE. LA DEPENDANCE TEMPORELLE DU COUPLAGE JOUE UN ROLE IMPORTANT BIEN QU'ELLE N'APPARAISSE PAS DANS LES MECANISMES DE BRUIT DETERMINANT LA LARGEUR SPECTRALE. ELLE APPARAIT PAR CONTRE, LORS D'UNE MODULATION SINUSOIDALE DU COURANT INJECTE, DANS LE RAPPORT DES EXCURSIONS SIMULTANEES EN FREQUENCE OPTIQUE ET EN PUISSANCE, APPELE CPR. UNE METHODE ORIGINALE PERMETTANT LA DETERMINATION DE LA PHASE ET DU MODULE DU CPR EST UTILISEE POUR L'ETUDE DYNAMIQUE DE LASERS DE DIFFERENTES STRUCTURES: HITACHI HLP1400 (0,85 MICRON) ET CNET DFB (1,5 MICRON). DANS LES DEUX CAS, LA PHASE DIFFERE DE CELLE PREVUE PAR UN MODELE SPATIALEMENT HOMOGENE.

Book M  trologie laser pour la m  canique des fluides    Granulom  trie et techniques spectroscopiques    Trait   MIM  s  rie G  om  canique

Download or read book M trologie laser pour la m canique des fluides Granulom trie et techniques spectroscopiques Trait MIM s rie G om canique written by BOUTIER Alain and published by Lavoisier. This book was released on 2012-07-01 with total page 370 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: En mécanique des fluides, les mesures non intrusives sont fondamentales pour améliorer la connaissance du comportement des écoulements. Les cartes de vitesse, de température et de concentration, ainsi que la granulométrie des particules dans les écoulements diphasiques, permettent de mieux appréhender les phénomènes physiques, pour ensuite valider les codes de calculs. Les mesures de vitesse (ainsi que de températures et de concentrations de différentes espèces) par des techniques spectroscopiques reposant sur la diffusion des molécules sont bien adaptées à la caractérisation des écoulements rapides et réactifs , elles reposent sur la fluorescence induite par laser, la diffusion Raman Anti-Stokes cohérente ou l'emploi de diodes laser accordables. Dans les écoulements diphasiques, la détermination de la granulométrie des particules par des moyens optiques, ainsi que les principes de diffusion de la lumière sont détaillés. Pour chaque technique, les principes de base sont décrits, ainsi que les dispositifs optiques et de traitements des signaux. Les principales mesures de sécurité pour utiliser des sources laser intenses sont rappelées.

Book Proceedings of an ESA Workshop on SPLAT  Space Laser Applications and Technology  Les Diablerets  Switzerland  25 30 March 1984

Download or read book Proceedings of an ESA Workshop on SPLAT Space Laser Applications and Technology Les Diablerets Switzerland 25 30 March 1984 written by B. Battrick and published by . This book was released on 1984 with total page 328 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Book Routledge Dictionnaire Technique Anglais

Download or read book Routledge Dictionnaire Technique Anglais written by Yves Arden and published by Psychology Press. This book was released on 1994 with total page 866 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The French-English volume of this highly acclaimed set consists of some 100,000 keywords in both French and English, drawn from the whole range of modern applied science and technical terminology. Covers over 70 subject areas, from engineering and chemistry to packaging, transportation, data processing and much more.

Book Electrical Communication

Download or read book Electrical Communication written by and published by . This book was released on 1994 with total page 458 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Book Routledge French Technical Dictionary Dictionnaire technique anglais

Download or read book Routledge French Technical Dictionary Dictionnaire technique anglais written by Yves Arden and published by Routledge. This book was released on 2013-01-11 with total page 866 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The French-English volume of this highly acclaimed set consists of some 100,000 keywords in both French and English, drawn from the whole range of modern applied science and technical terminology. Covers over 70 subject areas, from engineering and chemistry to packaging, transportation, data processing and much more.

Book Thesaurus of Information Sciences and Technologies

Download or read book Thesaurus of Information Sciences and Technologies written by Denis Beauchemin and published by Laval : Canadian Workplace Automation Research Centre. This book was released on 1992 with total page 336 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: In 1987, the Integrated Service of Information Resources (ISIR) of the Canadian Workplace Automation Research Centre began to set up a bibliographic data base to manage and make usable its documentation collection. To successfully process the information relevant to the various subject fields, the ISIR had to develop a controlled documentation language that eventually became this thesaurus. Terms are arranged alphabetically in English and French with equivalents in the other language and relationships to other terms in the thesaurus. A hierarchical list is also included. Subject fields include computer science, telecommunications, optics, acoustics and graphics and their specific information-processing applications (production, conversion, storage, distribution and access).

Book Crystal Growth and Evaluation of Silicon for VLSI and ULSI

Download or read book Crystal Growth and Evaluation of Silicon for VLSI and ULSI written by Golla Eranna and published by CRC Press. This book was released on 2014-12-08 with total page 432 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Silicon, as a single-crystal semiconductor, has sparked a revolution in the field of electronics and touched nearly every field of science and technology. Though available abundantly as silica and in various other forms in nature, silicon is difficult to separate from its chemical compounds because of its reactivity. As a solid, silicon is chemically inert and stable, but growing it as a single crystal creates many technological challenges. Crystal Growth and Evaluation of Silicon for VLSI and ULSI is one of the first books to cover the systematic growth of silicon single crystals and the complete evaluation of silicon, from sand to useful wafers for device fabrication. Written for engineers and researchers working in semiconductor fabrication industries, this practical text: Describes different techniques used to grow silicon single crystals Explains how grown single-crystal ingots become a complete silicon wafer for integrated-circuit fabrication Reviews different methods to evaluate silicon wafers to determine suitability for device applications Analyzes silicon wafers in terms of resistivity and impurity concentration mapping Examines the effect of intentional and unintentional impurities Explores the defects found in regular silicon-crystal lattice Discusses silicon wafer preparation for VLSI and ULSI processing Crystal Growth and Evaluation of Silicon for VLSI and ULSI is an essential reference for different approaches to the selection of the basic silicon-containing compound, separation of silicon as metallurgical-grade pure silicon, subsequent purification, single-crystal growth, and defects and evaluation of the deviations within the grown crystals.

Book Innovate Bristol

    Book Details:
  • Author : Sven Boermeester
  • Publisher :
  • Release : 2019-12
  • ISBN : 9781949677072
  • Pages : pages

Download or read book Innovate Bristol written by Sven Boermeester and published by . This book was released on 2019-12 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Innovate Bristol highlights and celebrates those companies and individuals that are actively working at building a better tomorrow for all. Innovation Ecosystems thrive through the involvement and support of companies and individuals from all industries, which is why the Innovate series not only focuses on the innovators but also those people whom the Innovation Ecosystem, would not be able to thrive without.

Book Gazette Du Bureau Des Brevets

Download or read book Gazette Du Bureau Des Brevets written by Canadian Intellectual Property Office. Patent Office and published by . This book was released on 1998 with total page 1220 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Book GLOSSARY of telecommunications terms

Download or read book GLOSSARY of telecommunications terms written by Arab Telecommunication Union and published by . This book was released on 1987 with total page 1026 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Fachwörterbuch, Terminologiewörterbuch ; Fernmeldetechnik, elektrische Nachrichtentechnik, Informationstechnik ; Wörterbuch ; Fernmeldewesen, Fernmeldeverkehr, Telekommunikationsdienst ; elektronische Datenverarbeitung, EDV, Computer, Informatik.

Book Molecular Beam Epitaxy

Download or read book Molecular Beam Epitaxy written by John Wilfred Orton and published by . This book was released on 2015 with total page 529 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The book is a history of Molecular Beam Epitaxy (MBE) as applied to the growth of semiconductor thin films (note that it does not cover the subject of metal thin films). It begins by examining the origins of MBE, first of all looking at the nature of molecular beams and considering their application to fundamental physics, to the development of nuclear magnetic resonance and to the invention of the microwave MASER. It shows how molecular beams of silane (SiH4) were used to study the nucleation of silicon films on a silicon substrate and how such studies were extended to compound semiconductors such as GaAs. From such surface studies in ultra-high vacuum the technique developed into a method of growing high quality single crystal films of a wide range of semiconductors. Comparing this with earlier evaporation methods of deposition and with other epitaxial deposition methods such as liquid phase and vapour phase epitaxy (LPE and VPE). The text describes the development of MBE machines from the early 'home-made' variety to that of commercial equipment and show how MBE was gradually refined to produce high quality films with atomic dimensions. This was much aided by the use of various in-situ surface analysis techniques, such as reflection high energy electron diffraction (RHEED) and mass spectrometry, a feature unique to MBE. It looks at various modified versions of the basic MBE process, then proceed to describe their application to the growth of so-called 'low-dimensional structures' (LDS) based on ultra-thin heterostructure films with thickness of order a few molecular monolayers. Further chapters cover the growth of a wide range of different compounds and describe their application to fundamental physics and to the fabrication of electronic and opto-electronic devices. The authors study the historical development of all these aspects and emphasise both the (often unexpected) manner of their discovery and development and the unique features which MBE brings to the growth of extremely complex structures with monolayer accuracy.