Download or read book Mise en oeuvre d un banc de caracterisation non lineaire de transistors de puissance a partir de reflectometres six portes application aux mesures Source Pull written by Gerald Berghoff and published by . This book was released on 1997 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Mise en oeuvre d un banc de caract risation non lin aire de transistors de puissance partir de r flectom tres six portes written by Gerald Berghoff and published by . This book was released on 1998 with total page 220 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book MISE EN UVRE D UN BANC DE CARACTERISATION NON LINEAIRE DE TRANSISTORS DE PUISSANCE A PARTIR DE REFLECTOMETRES SIX PORTES written by GERARD.. BERGHOFF and published by . This book was released on 1997 with total page 220 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE MARCHE DES SYSTEMES DES COMMUNICATIONS, NOTAMMENT LE SECTEUR GRAND PUBLIC, EST CARACTERISE PAR UNE FORTE CROISSANCE. DANS TOUS LES SYSTEMES, L'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE HYPERFREQUENCE EST UN ELEMENT ESSENTIEL. LES APPAREILS PORTABLES NECESSITENT DES CIRCUITS RADIOFREQUENCES FONCTIONNANT AVEC DES TENSIONS DE POLARISATION TRES BASSES (INFERIEURE OU EGALE A 3 V) ET AYANT UN RENDEMENT ELEVE AFIN DE RENDRE POSSIBLE UN MAXIMUM D'AUTONOMIE. DANS CE CONTEXTE, L'OPTIMISATION DU FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR EN TERMES DE PUISSANCE DE SORTIE ET DE RENDEMENT EN PUISSANCE AJOUTEE EST D'UNE GRANDE IMPORTANCE. LE SUJET DE CETTE THESE EST LE DEVELOPPEMENT D'UN BANC DE CARACTERISATION, CAPABLE D'EFFECTUER UNE VARIATION DE LA CHARGE EN SORTIE A LA FREQUENCE FONDAMENTALE ET AU DEUXIEME HARMONIQUE (LOAD-PULL MULTIHARMONIQUE), ETANT DONNE QUA LA CHARGE AU DEUXIEME HARMONIQUE JOUE EGALEMENT UN ROLE IMPORTANT SUR LE COMPORTEMENT DU TRANSISTOR. DE PLUS, L'EFFET DE L'IMPEDANCE DE SOURCE, PRESENTEE AU TRANSISTOR EST PRIS EN COMPTE (SOURCE-PULL). LE BANC SE DISTINGUE PAR SA TOPOLOGIE ORIGINALE EN UTILISANT DEUX VOIES COMPLETEMENT INDEPENDANTES EN SORTIE AU FONDAMENTALE ET AU DEUXIEME HARMONIQUE, CHACUNE ETANT MUNIE D'UN REFLECTOMETRE SIX-PORTES POUR MESURER LES FACTEURS DE REFLEXION ET LES PUISSANCES DE SORTIE AUX DEUX FREQUENCES. LE FAIBLE COUT DES REFLECTOMETRES SIX-PORTES, NOTAMMENT DANS LE CAS D'UNE REALISATION EN TECHNOLOGIE MICRO-RUBAN, FAVORISE CETTE APPROCHE. UNE NOUVELLE METHODE DE CALIBRAGE REND POSSIBLE L'UTILISATION DU BANC DE CARACTERISATION POUR DES MESURES SUR TRANCHES. UN ELEMENT-CLE DE CHAQUE SYSTEME DE MESURE EST SON ERGONOMIE. L'AUTOMATISATION POUR CE BANC A ETE POUSSEE A UN HAUT NIVEAU AFIN DE FACILITER SON UTILISATION. DES ROUTINES POUR SYNTHETISER DES FACTEURS DE REFLEXION DONNES, OPTIMISER LES CHARGES EN SORTIE ET TRACER LES CONTOURS LOAD-PULL ONT ETE PROGRAMMEES.

Download or read book Mise en oeuvre d un banc de caract risation non lin aire dans le domaine fr quentiel pour l analyse de transistors HBT Si SiGe C written by Rezki Ouhachi and published by . This book was released on 2012 with total page 252 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L’émergence des technologies de communication satellite et radar toujours en pleine essor nécessite des composants de puissance hyperfréquence de plus en plus compacts permettant d’intégrer sur une seule puce des fonctions analogiques/numériques, tout en réduisant le coût de fabrication. Dans ce contexte, le transistor bipolaire à hétérojonction HBT constitue un composant de choix afin d'améliorer les performances des transistors de puissance sur silicium pour les applications hyperfréquences en association avec la technologie CMOS. Ainsi, cette étude est dédiée à la caractérisation et la modélisation non linéaire de ces dispositifs actifs. Dans ce but, un banc de mesures non linéaires et un modèle prédictif grand signal ont été développés jusqu’à 50 GHz. Dans un premier temps, le banc de mesures non linéaires a été mis en œuvre autour du NVNA en configuration load-pull mesurant dans le domaine fréquentiel vis à vis du LSNA mesurant dans le domaine temporel. Cette configuration instrumentale associée à la dynamique du NVNA met en avant ses avantages et inconvénients. Par la suite, une procédure d’extraction pour l’élaboration d’un modèle électrique grand signal a été validée en régimes statique et dynamique. L’originalité de ce modèle prédictif est la procédure d’extraction ainsi que la mise en œuvre rapide s’appuyant sur les formules analytiques physiques des semiconducteurs. Les étapes d’extraction se sont avérées très efficaces lors des confrontations avec les données expérimentales du dispositif sous test dans les mêmes conditions de polarisation et d’impédances de charge. Nous avons alors mis en évidence l’impact des courants thermiques sur les performances en puissance hyperfréquence des transistors bipolaires dans les domaines temporel et fréquentiel.

Download or read book Etude et mise en uvre d un banc de caract risation fort signal de transistors en ondes millim triques written by Ismail Yattoun and published by . This book was released on 2006 with total page 159 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La conception maîtrisée d'amplificateurs de puissance à l'état solide nécessite des moyens de caractérisation performants permettant d'obtenir par l'expérimentation les conditions optimales de fonctionnement en puissance des transistors - ces résultats étant directement utilisables par le concepteur. Par ailleurs, ces moyens permettent également de valider les modèles de composants élaborés pour la C.A.O des circuits non-linéaires. La caractérisation en puissance des transistors est réalisée au moyen de la technique de la charge active (« load-pull » actif) dont une nouvelle configuration est proposée. Cette technique permet la synthèse électronique d'une impédance de charge quelconque pour laquelle les performances en puissance du transistor - pour une fréquence et un point de polarisation donnés - sont mesurées. L'application maieure visée par ce banc expérimental est donc la caractérisation fort signal de transistors, en vue de concevoir des amplificateurs de puissance destinés aux systèmes de télécommunication en ondes millimétriques en particulier aux fréquences 28/30 ou 41 GHz.