Download or read book Microstructures en silicium polycristallin d pos sur verre Application la r alisation et la caract risation de transistors en couche mince grille suspendue written by Hicham El-Din Mahfouz Kotb and published by . This book was released on 2004 with total page 199 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail est consacré à la réalisation, par micro-usinage de surface sur substrat de verre, de transistors en couches minces à grille suspendue (TFTs à air-gap). L'ensemble grille suspendue - couche active est réalisé en couches minces de polysilicium. La première partie de ce travail traite l'optimisation du procédé de fabrication des micro-ponts en polysilicium. La clé de voûte du procédé est un recuit de cristallisation du silicium structurel vers 570 ʿC - 600 ʿC, associé à l'utilisation de germanium comme couche sacrificielle. Dans la deuxième partie, des transistors à air-gap ont été réalisés en utilisant une couche sacrificielle de 500 nm d'épaisseur. Après libération, les transistors ont présenté de bonnes performances avec une pente sous le seuil et une tension de seuil de l'ordre de 0,7 V/dec et 6 V respectivement. L'effet de l'ambiance sur les caractéristiques de ces transistors à air-gap, a été étudié en troisième partie. Enfin, un modèle est proposé afin d'expliquer le comportement électrique du transistor sous l'effet de différentes ambiances.

Download or read book CRISTALLISATION ET DOPAGE LASER DU SILICIUM AMORPHE APPLICATION A LA FABRICATION DE TRANSISTORS MOS EN COUCHES MINCES EN SILICIUM POLYCRISTALLIN written by MOHAMMED.. ELLIQ and published by . This book was released on 1994 with total page 260 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS CE TRAVAIL, J'AI DEMONTRE LES POSSIBILITES OFFERTES PAR LES LASERS DE PUISSANCE DANS LES PROCESSUS INTERVENANT DANS LA FABRICATION DE TRANSISTORS MOS EN COUCHES MINCES EN SILICIUM POLYCRISTALLIN (TFT EN POLY-SI) REALISES SUR DES SUBSTRATS DE VERRE ASSOCIANT A LA FOIS : - LA REALISATION DU CANAL PAR CRISTALLISATION D'UNE COUCHE MINCE DE SILICIUM AMORPHE OU PAR DEPOT DIRECT D'UN FILM DE POLYSILICIUM PAR PHOTO-CVD DU SILANE OU DU DISILANE - ET LE DOPAGE DE LA SOURCE ET DU DRAIN A PARTIR D'UN FILM DE SILICE DOPEE PREALABLEMENT DEPOSE A LA SURFACE DU SILICIUM. DEUX TYPES DE LASERS ONT ETE UTILISES DANS CE TRAVAIL : LE LASER PULSE A EXCIMERES ARF A LARGE FAISCEAU (S = 1 CM 2) ET LE LASER PULSE ET BALAYE ND : YAG DOUBLE EN FREQUENCE A MICROFAISCEAU ( = 100 ). APRES AVOIR ETUDIE LES MECANISMES DE CRISTALLISATION LASER D'UN FILM DE SILICIUM AMORPHE DEPOSE SUR UN SUBSTRAT DE VERRE ET LEURS EFFETS SUR LA MICROSTRUCTURE ET LA MORPHOLOGIE DES COUCHES DE POLYSILICIUM OBTENUES, J'AI DEMONTRE QUE LA COUCHE CRISTALLISEE PRESENTE UNE STRUCTURE NON HOMOGENE : UNE COUCHE A GROS GRAIN EN SURFACE ET UNE COUCHE A GRAINS FINS SOUS-JACENTE. LES TFT EN POLY-SI DONT LE CANAL A ETE REALISE PAR CRISTALLISATION LASER D'UN FILM DE SILICIUM AMORPHE NON HYDROGENE DEPOSE SUR UN SUBSTRAT DE VERRE PRESENTENT LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES SUIVANTES : LASER ARF : = 141 CM 2/V.S V T = 1,5 V I O N = 4 10 - 4 A I O F F

Download or read book REALISATION ET CARACTERISATION DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN written by ABDALLAH.. SAKRI and published by . This book was released on 1989 with total page 185 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: AFIN D'IDENTIFIER L'ORIGINE DU COURANT DE FUITE QUI SE MANIFESTE A L'ETAT BLOQUANT DANS LES STRUCTURES MOS EN COUCHES MINCES (TFT) REALISEES DANS DU SILICIUM POLYCRISTALLIN, DEUX SERIES DE STRUCTURES N+NN+ ONT ETE FABRIQUEES AVEC CE MATERIAU. LES COUCHES DEPOSEES EN PHASE VAPEUR A BASSE PRESSION (LPCVD) ONT ETE DIVERSEMENT DOPEES PAR IMPLANTATION IONIQUE. L'ANALYSE DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS ET DE CELLES DE SIMPLES COUCHES-TEMOINS AYANT SUBI LES MEMES TRAITEMENTS THERMIQUES QUE CEUX-CI, A PERMIS DE MONTRER LE ROLE JOUE DANS LA TRANSMISSION DU COURANT DE FUITE PAR LA ZONE FORTEMENT PERTURBEE A PARTIR DE LAQUELLE CROISSENT LES GRAINS COLUMNAIRES, QUI FORMENT LA COUCHE ACTIVE DES TRANSISTORS. CES RESULTATS MONTRENT QUE LE COURANT DE FUITE: RESTE INDEPENDANT DE LA POLARISATION DE LA GRILLE TANT QUE LE NIVEAU DE CELLE-CI RESTE FAIBLE, DEPEND EN REVANCHE DU DOPAGE ET DES CONDITIONS DE DEPOT, NE DEPEND PAS DE FACON SIGNIFICATIVE DE L'EPAISSEUR (90 A 300 NM) DU FILM SIPOLY