Download or read book MECANISMES D OXYNITRURATION THERMIQUE DU SILICIUM ET DE LA SILICE SOUS MONOXYDE D AZOTE written by LAURENT.. GOSSET and published by . This book was released on 2000 with total page 234 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES MECANISMES D'OXYNITRURATION THERMIQUE DU SILICIUM ET DE LA SILICE SOUS MONOXYDE D'AZOTE (NO) ONT ETE ETUDIES EN COMBINANT PRINCIPALEMENT LES TECHNIQUES D'ANALYSE NUCLEAIRE DE DOSAGE ET DE PROFILAGE ISOTOPIQUE AVEC L'UTILISATION DE GAZ ULTRA-PURS, NATURELS ( 1 4N 1 6O) OU FORTEMENT (99%) ISOTOPIQUEMENT MARQUES ( 1 5N 1 8O). LES DIFFERENTS PARAMETRES DE LA CROISSANCE (TEMPERATURE, PRESSION ET DUREE) AINSI QUE L'INFLUENCE DU MODE DE CHAUFFAGE (FOUR A EFFET JOULE ET FOUR A TRAITEMENTS THERMIQUES RAPIDES) DES ECHANTILLONS ONT ETE ETUDIES. DE PLUS, DES TECHNIQUES COMPLEMENTAIRES D'ANALYSE ONT ETE MISES EN UVRE AFIN DE PRECISER OU COMPLETER LES ANALYSES NUCLEAIRES, COMME LA SPECTROSCOPIE PAR PHOTOEMISSION D'ELECTRONS ET LA RESONANCE PARAMAGNETIQUE ELECTRONIQUE. NOUS AVONS MONTRE QUE LORS DE L'OXYNITRURATION DIRECTE DU SILICIUM OU DE COUCHES DE SILICE, DEUX MECANISMES PRINCIPAUX ONT LIEU EN PARALLELE : I) LA REACTION DE MOLECULES NO A LA SURFACE DES ECHANTILLONS QUI INDUIT LA CREATION D'UN DEFAUT QUI DIFFUSE A TRAVERS LA COUCHE ET EST RESPONSABLE DE L'ECHANGE O O EN SURFACE. II) LA DIFFUSION EN POSITION INTERSTITIELLE D'UNE PARTIE DES MOLECULES NO JUSQU'A L'INTERFACE OU ELLES REAGISSENT. L'OXYNITRURATION DE L'INTERFACE REDUIRAIT LA CONTRAINTE LOCALE DANS L'OXYDE (LA DIMINUTION DE LA QUANTITE TOTALE DE CENTRES PB A ETE OBSERVEE), MODIFIERAIT LA DIFFUSION ET LA REACTION DES MOLECULES NO AU COURS DU TEMPS, ET DIMINUERAIT L'ECHANGE EN SURFACE. ENFIN D'AUTRES MECANISMES COMPLETENT CE MODELE, COMME L'ECHANGE ATOMIQUE (OO ET ON) IMPUTE A L'OXYGENE A L'INTERFACE OU LE MOUVEMENT D'ATOMES D'AZOTE ET D'OXYGENE VERS L'INTERFACE EN FORMATION PENDANT LA CROISSANCE. LES RESULTATS OBTENUS PEUVENT ETRE INTERPRETES PAR UN MODELE DE COUCHE REACTIVE

Download or read book M canismes d oxynitruration thermique du silicium et de la silice sous monoxyde d azote written by Laurent Gosset and published by . This book was released on 2000 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Etude de la nitruration thermique pression atmosph rique de l oxyde de silicium et du silicium written by Allal Serrari and published by . This book was released on 1989 with total page 194 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le silicium et l'oxyde de silicium nitrurés présentent de meilleures propriétés diélectriques que l'oxyde de silicium utilisé dans la technologie M.O.S. (métal-oxyde-silicium), d'où l'intérêt de les étudier.La nitruration a été effectuée à pression atmosphérique sous NH3 à haute température (900°C-1100°C) et pendant une durée variant de quelques secondes à 1 ou 2 heures.Pour comprendre le mécanisme de nitruration, nous avons étudié l'influence de plusieurs paramètres de nitruration sur la composition chimique des couches réalisées.La caractérisation physico-chimique a été effectuée par plusieurs technique d'analyse complémentaires telles que : l'analyse par réaction nucléaire, les spectrométries d'électrons Auger et de photoélectrons, la spectroscopie de masse d'ions secondaires et l'ellipsométrie.Nous avons montré que la nitruration du silicium conduit à des couches contenant de l'oxygène. L'épaisseur de ces dernières augmente avec le temps et la température de nitruration mais saturent après une heure (80 A à 1100°C).L'oxyde de silicium nitruré (oxynitrure) présente une surface riche en azote par rapport au volume avec l'existence d’un pic d'azote près de l'inter- face avec le silicium.Nous avons observé ce pic dès 30 secondes pour un oxyde de 450 A, ce qui signifie un coefficient de diffusion de 3.10-13 cm2/s. Le coefficient de diffusion diminue rapidement, atteint 10-15 cm2/s dès 10 minutes de nitruration. L'incorporation de l'azote dans la couche d'oxyde s'accompagne d'une diminution de la quantité d'oxygène. Le mécanisme de transport atomique de l'oxygène pendant la nitruration a été étudié en utilisant des oxydes isotopiques.Un modèle du mécanisme de nitruration a été proposé.Les mesures capacité-tension à 1 MHZ ont permis de déterminer l'évolution de la tension de bande plate et de la quantité de charges dans la couche.Nous avons mis en évidence les propriétés de barrière à l'oxydation des oxynitrures réalisés.

Download or read book MECANISMES DE CROISSANCE DE DIELECTRIQUES PAR NITRURATION ET PAR OXYDATION THERMIQUE RAPIDE DU SILICIUM written by JEAN-JACQUES.. GANEM and published by . This book was released on 1992 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ETUDE DES MECANISMES DE CROISSANCE DE NITRURE DE SILICIUM PAR TRAITEMENT THERMIQUE RAPIDE A ETABLI L'EXISTENCE D'UN REGIME INITIAL RAPIDE, ASSOCIE A LA NITRURATION DE L'INTERFACE SILICIUM/DIELECTRIQUE, SUIVI D'UN REGIME PLUS LENT LIMITE PAR LE TRANSPORT DES ESPECES NITRURANTES, DANS UNE SEULE DIRECTION, A TRAVERS LE FILM FORME. LA NITRURATION DE L'OXYDE DE SILICIUM EST CARACTERISEE PAR LA DIFFUSION DES ESPECES QUI REAGISSENT AVEC LA SILICE. L'OBSERVATION DE L'OXYDATION THERMIQUE RAPIDE DU SILICIUM, REALISEE SOUS ATMOSPHERE STATIQUE D'OXYGENE ISOTOPIQUEMENT MARQUE, SUGGERE UNE EXPLICATION QUI RENDRAIT COMPTE DU REGIME INITIAL RAPIDE: L'APPARITION, DANS LES PREMIERES SECONDES, DE DEBRIS DE SILICIUM CRISTALLIN DANS L'OXYDE FORME

Download or read book OXYNITRURATION DE SI 100 2X1 A TEMPERATURE MODEREE PAR EXPOSITION AU MONOXYDE D AZOTE ET IRRADIATION D ELECTRONS DE FAIBLE ENERGIE written by PATRICK.. POVEDA and published by . This book was released on 1997 with total page 140 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS ETUDIONS L'OXYNITRURATION DE SI(100) PAR NO STIMULEE PAR UN FAISCEAU D'ELECTRONS DE FAIBLE ENERGIE, A TEMPERATURE MODEREE (AMBIANTE - SIX CENT DEGRES). A L'AIDE DE CINETIQUES DE CROISSANCE REALISEES PAR SPECTROSCOPIE D'ELECTRONS AUGER, NOUS DETERMINONS LES PARAMETRES GOUVERNANT CETTE REACTION. NOUS DETAILLONS LEUR INFLUENCE SUR LA COMPOSITION ET SUR LA VITESSE DE FORMATION DES FILMS D'OXYNITRURE DE SILICIUM. NOUS PRESENTONS UN MODELE DE CROISSANCE, BASE SUR DES TRAVAUX PUBLIES, QUI PERMET DE DECRIRE NOS OBSERVATIONS EXPERIMENTALES. IL REPOSE SUR UN MECANISME DE DIFFUSION D'ESPECES IONISEES SOUS CHAMP ELECTRIQUE. CES ESPECE SONT DES IONS O#- CREES PAR L'IMPACT DES ELECTRONS SECONDAIRES, OU DES IONS NO#- CREES PAR UN TRANSFERT D'ELECTRONS DEPUIS LE SUBSTRAT. QUELLE QUE SOIT LA TEMPERATURE, NOUS CONSTATONS UN ARRET DE LA CROISSANCE DU FILM. NOUS L'ATTRIBUONS A UN BLOCAGE DE LA DIFFUSION DU A UNE ACCUMULATION D'AZOTE A L'INTERFACE, AINSI QU'A UN PHENOMENE DE DESORPTION STIMULEE PAR ELECTRONS. CE DERNIER SEMBLE ETRE IMPORTANT AUX PLUS HAUTES TEMPERATURES. NOUS ANALYSONS ENSUITE LES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE NOS ISOLANTS. NOUS MESURONS LEUR LARGEUR DE BANDE INTERDITE PAR SPECTROSCOPIE DE PERTES D'ENERGIE D'ELECTRONS LENTS. NOUS COMPARONS NOS RESULTATS AVEC DES CALCULS DE DENSITES D'ETATS ELECTRONIQUES AINSI QU'AVEC DES MESURES D'ABSORPTION OPTIQUES EFFECTUEES SUR DES OXYNITRURES PLASMA. ENFIN, NOUS CARACTERISONS ELECTRIQUEMENT NOS FILMS EN REALISANT DES STRUCTURES MIS. LE METAL EST, DANS NOTRE CAS, REMPLACE PAR UN ELECTROLYTE CONDUCTEUR POUR EVITER DES PROBLEMES DE METALLISATION. MALGRE LES FAIBLES EPAISSEURS DE NOS OXYNITRURES, NOUS OBTENONS DES COURBES C(V) TYPIQUES DE STRUCTURES MIS. NOUS EN DEDUISONS DONC DES DENSITES DE CHARGES ET DE PIEGES. LES COURBES I(V) SONT PLUS DIFFICILES A INTERPRETER. LES FAIBLES COURANTS DE FUITE QUE NOUS OBSERVONS NE PEUVENT ETRE ATTRIBUES AVEC CERTITUDE A UN MECANISME SIMPLE.