Download or read book M thodes d analyse de la variabilit et de conception robuste des circuits analogiques dans les technologies CMOS avanc es written by Hubert Filiol and published by . This book was released on 2010 with total page 187 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Avec la miniaturisation toujours plus poussée des technologies CMOS, il devient de plus en plus difficile de maîtriser les variations des paramètres technologiques lors de la fabrication des circuits intégrés. A cause de ces variations, les performances des circuits peuvent varier de façon considérable. Par conséquent, des méthodes d’analyse de la variabilité et de conception robuste sont plus que jamais nécessaires pour garantir un rendement de fabrication des circuits élevé.Les techniques classiques d’analyse de la variabilité se révèlent soit pessimistes conduisant alors à un surdimensionnement (analyse « pire-cas »), soit très couteuses en temps de calcul (analyse Monte Carlo). Quant aux méthodes de conception automatisée robuste, elles sont généralement basées sur des algorithmes d’optimisation locaux qui améliorent la robustesse des circuits localement, mais risquent de ne pas converger vers le dimensionnement globalement robuste. Dans ce travail de thèse, une nouvelle méthode d’analyse de la variabilité ainsi qu’une nouvelle approche pour concevoir des circuits analogiques robustes ont été développées. La méthode d’analyse de la variabilité consiste à approximer les performances des circuits par des modèles polynomiaux à partir des plans d’expériences, puis à estimer les variations extrêmes grâce au développement limité de Cornish-Fisher. Cette méthode s’avère aussi précise que l’analyse de Monte Carlo, mais présente un coût calculatoire bien plus faible. Enfin, l’approche de conception robuste met en oeuvre la méthode précédente d’analyse de la variabilité dans un algorithme d’optimisation par intervallesafin d’assurer un dimensionnement globalement robuste.

Download or read book M thodologie de conception de circuits analogiques pour des applications radiofr quence faible consommation de puissance written by François Fadhuile-Crepy and published by . This book was released on 2015 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les travaux de thèse présentés se situent dans le contexte de la conception de circuits intégrés en technologie CMOS avancée pour des applications radiofréquence à très faible consommation de puissance. Les circuits sont conçus à travers deux concepts. Le premier est l'utilisation du coefficient d'inversion qui permet de normaliser le transistor en fonction de sa taille et de sa technologie, ceci permet une analyse rapide pour différentes performances visées ou différentes technologies. La deuxième approche est d'utiliser un facteur de mérite pour trouver la polarisation la plus adéquate d'un circuit en fonction de ses performances. Ces deux principes ont été utilisés pour définir des méthodes de conception efficaces pour deux blocs radiofréquence : l'amplificateur faible bruit et l'oscillateur.

Download or read book Contribution la conception de circuits int gr s analogiques en technologie CMOS basse tension pour application aux instruments d observation de la Terre written by Denis Standarovski and published by . This book was released on 2005 with total page 239 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le présent mémoire de thèse s'inscrit dans la problématique d'intégration de chaînes vidéo spatiales CCD dédiées aux instruments d'observation de la Terre. La solution présentée à travers cette étude consiste à concevoir des circuits intégrés spécifiques (ASIC) analogiques avec des technologies CMOS sub-microniques basse-tension, principalement développées pour les circuits numériques complexes. A partir de l'étude des chaînes vidéo, une étude approfondie est consacrée au circuit E/B car cette fonction est limitante des performances des chaînes vidéo CCD. L'étude approfondie des architectures de circuits E/B combinée à des études de conception de circuits rail-to-rail nous permet de démontrer la faisabilité de la chaîne vidéo dans ces technologies : deux démonstrateurs sont ainsi réalisés en technologie CMOS 0.6{mu]m et BiCMOS 0.35[mu]m permettant d'envisager la réalisation d'une chaîne vidéo complète 20Mechs/s - 12bits.

Download or read book Stochastic Process Variation in Deep Submicron CMOS written by Amir Zjajo and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2013-11-19 with total page 207 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: One of the most notable features of nanometer scale CMOS technology is the increasing magnitude of variability of the key device parameters affecting performance of integrated circuits. The growth of variability can be attributed to multiple factors, including the difficulty of manufacturing control, the emergence of new systematic variation-generating mechanisms, and most importantly, the increase in atomic-scale randomness, where device operation must be described as a stochastic process. In addition to wide-sense stationary stochastic device variability and temperature variation, existence of non-stationary stochastic electrical noise associated with fundamental processes in integrated-circuit devices represents an elementary limit on the performance of electronic circuits. In an attempt to address these issues, Stochastic Process Variation in Deep-Submicron CMOS: Circuits and Algorithms offers unique combination of mathematical treatment of random process variation, electrical noise and temperature and necessary circuit realizations for on-chip monitoring and performance calibration. The associated problems are addressed at various abstraction levels, i.e. circuit level, architecture level and system level. It therefore provides a broad view on the various solutions that have to be used and their possible combination in very effective complementary techniques for both analog/mixed-signal and digital circuits. The feasibility of the described algorithms and built-in circuitry has been verified by measurements from the silicon prototypes fabricated in standard 90 nm and 65 nm CMOS technology.

Download or read book ETUDE ET REALISATION EN TECHNOLOGIE CMOS DE CIRCUITS D ACQUISITION DE SIGNAUX ANALOGIQUES written by GEOFFROY.. KLISNICK and published by . This book was released on 1995 with total page 275 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES TECHNOLOGIES D'INTEGRATION DES CIRCUITS ANALOGIQUES RAPIDES NE SE LIMITENT PLUS AUX FAMILLES BIPOLAIRES. LES CIRCUITS INTEGRES CMOS, ORIGINELLEMENT PREVUS POUR DES APPLICATIONS NUMERIQUES, PRESENTENT UNE FAIBLE CONSOMMATION ELECTRIQUE, UN HAUT TAUX D'INTEGRATION ET UN FAIBLE COUT DE REVIENT. CES AVANTAGES BIEN CONNUS ASSOCIES AUX AMELIORATIONS APPORTEES AUX NOUVELLES TECHNOLOGIES CMOS EN FONT DORENAVANT DES ELEMENTS DE CHOIX POUR LES FONCTIONS ANALOGIQUES, DANS LA MESURE OU CES TECHNOLOGIES PERMETTENT EN OUTRE DE REALISER DES CIRCUITS MIXTES MELANT SUR LA MEME PUCE DES FONCTIONS ANALOGIQUES RAPIDES ET DES FONCTIONS NUMERIQUES VLSI. MEME SI DES PERFORMANCES (TELLES QUE LA REPONSE FREQUENTIELLE, L'AMPLITUDE DE GAIN, LES TENSIONS DE DECALAGE) DES CIRCUITS ANALOGIQUES CMOS SONT ENCORE MOINDRES QUE CELLES DE LEURS CONFRERES BIPOLAIRES SUR SILICIUM OU MESFET SUR ASGA, D'EXCELLENTS RESULTATS PEUVENT ETRE OBTENUS EN PARTICULIER PAR OPTIMISATION DES SCHEMAS EXISTANTS, GRACE A UNE ETUDE APPROFONDIE, ET A LA PROPOSITION DE STRUCTURES ELECTRIQUES ORIGINALES. C'EST DANS CET ESPRIT QUE CETTE THESE PRESENTE L'ETUDE ET LA CONCEPTION EN ASIC CMOS DE STRUCTURES ANALOGIQUES ELEMENTAIRES (SOURCE DE COURANT, TRANSISTOR CASCODE) ET DE STRUCTURES ANALOGIQUES PLUS COMPLEXES (AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS, COMPARATEURS, CONVERTISSEURS ANALOGIQUE-NUMERIQUE)

Download or read book CMOS Sigma Delta Converters written by Jose M. de la Rosa and published by John Wiley & Sons. This book was released on 2013-03-13 with total page 463 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: A comprehensive overview of Sigma-Delta Analog-to-Digital Converters (ADCs) and a practical guide to their design in nano-scale CMOS for optimal performance. This book presents a systematic and comprehensive compilation of sigma-delta converter operating principles, the new advances in architectures and circuits, design methodologies and practical considerations − going from system-level specifications to silicon integration, packaging and measurements, with emphasis on nanometer CMOS implementation. The book emphasizes practical design issues – from high-level behavioural modelling in MATLAB/SIMULINK, to circuit-level implementation in Cadence Design FrameWork II. As well as being a comprehensive reference to the theory, the book is also unique in that it gives special importance on practical issues, giving a detailed description of the different steps that constitute the whole design flow of sigma-delta ADCs. The book begins with an introductory survey of sigma-delta modulators, their fundamentals architectures and synthesis methods covered in Chapter 1. In Chapter 2, the effect of main circuit error mechanisms is analysed, providing the necessary understanding of the main practical issues affecting the performance of sigma-delta modulators. The knowledge derived from the first two chapters is presented in the book as an essential part of the systematic top-down/bottom-up synthesis methodology of sigma-delta modulators described in Chapter 3, where a time-domain behavioural simulator named SIMSIDES is described and applied to the high-level design and verification of sigma-delta ADCs. Chapter 4 moves farther down from system-level to the circuit and physical level, providing a number of design recommendations and practical recipes to complete the design flow of sigma-delta modulators. To conclude the book, Chapter 5 gives an overview of the state-of-the-art sigma-delta ADCs, which are exhaustively analysed in order to extract practical design guidelines and to identify the incoming trends, design challenges as well as practical solutions proposed by cutting-edge designs. Offers a complete survey of sigma-delta modulator architectures from fundamentals to state-of-the art topologies, considering both switched-capacitor and continuous-time circuit implementations Gives a systematic analysis and practical design guide of sigma-delta modulators, from a top-down/bottom-up perspective, including mathematical models and analytical procedures, behavioural modeling in MATLAB/SIMULINK, macromodeling, and circuit-level implementation in Cadence Design FrameWork II, chip prototyping, and experimental characterization. Systematic compilation of cutting-edge sigma-delta modulators Complete description of SIMSIDES, a time-domain behavioural simulator implemented in MATLAB/SIMULINK Plenty of examples, case studies, and simulation test benches, covering the different stages of the design flow of sigma-delta modulators A number of electronic resources, including SIMSIDES, the statistical data used in the state-of-the-art survey, as well as many design examples and test benches are hosted on a companion website Essential reading for Researchers and electronics engineering practitioners interested in the design of high-performance data converters integrated in nanometer CMOS technologies; mixed-signal designers.

Download or read book Nano scale CMOS Analog Circuits written by Soumya Pandit and published by CRC Press. This book was released on 2018-09-03 with total page 410 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Reliability concerns and the limitations of process technology can sometimes restrict the innovation process involved in designing nano-scale analog circuits. The success of nano-scale analog circuit design requires repeat experimentation, correct analysis of the device physics, process technology, and adequate use of the knowledge database. Starting with the basics, Nano-Scale CMOS Analog Circuits: Models and CAD Techniques for High-Level Design introduces the essential fundamental concepts for designing analog circuits with optimal performances. This book explains the links between the physics and technology of scaled MOS transistors and the design and simulation of nano-scale analog circuits. It also explores the development of structured computer-aided design (CAD) techniques for architecture-level and circuit-level design of analog circuits. The book outlines the general trends of technology scaling with respect to device geometry, process parameters, and supply voltage. It describes models and optimization techniques, as well as the compact modeling of scaled MOS transistors for VLSI circuit simulation. • Includes two learning-based methods: the artificial neural network (ANN) and the least-squares support vector machine (LS-SVM) method • Provides case studies demonstrating the practical use of these two methods • Explores circuit sizing and specification translation tasks • Introduces the particle swarm optimization technique and provides examples of sizing analog circuits • Discusses the advanced effects of scaled MOS transistors like narrow width effects, and vertical and lateral channel engineering Nano-Scale CMOS Analog Circuits: Models and CAD Techniques for High-Level Design describes the models and CAD techniques, explores the physics of MOS transistors, and considers the design challenges involving statistical variations of process technology parameters and reliability constraints related to circuit design.

Download or read book ETUDE ET CONCEPTION D UN COMPOSANT ANALOGIQUE PROGRAMMABLE EN TECHNOLOGIE CMOS STANDARD written by Christophe Premont and published by . This book was released on 1998 with total page 195 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJET DE CE MEMOIRE DE THESE EST L'ETUDE ET LA CONCEPTION D'UN COMPOSANT ANALOGIQUE PROGRAMMABLE EN TECHNOLOGIE CMOS STANDARD. CE COMPOSANT QUE L'ON APPELLE INDIFFEREMMENT, RESEAU ANALOGIQUE PROGRAMMABLE OU COMPOSANT ANALOGIQUE PROGRAMMABLE, EST CONSTITUE D'UN RESEAU DE CELLULES ANALOGIQUES. CHAQUE CELLULE DOIT ETRE CONFIGURABLE POUR REMPLIR DIFFERENTES FONCTIONNALITES AVEC DES SPECIFICATIONS PARTICULIERES. D'AUTRE PART, LES INTERCONNEXIONS ENTRE CES DIFFERENTES CELLULES DOIVENT ETRE ELLES AUSSI CONFIGURABLES. LA CONFIGURATION DU RESEAU, POUR PERMETTRE L'IMPLEMENTATION D'UNE FONCTION ANALOGIQUE DONNEE SE FAIT PAR UNE INTERFACE (ANALOGIQUE OU NUMERIQUE) QUI PERMET LA REPROGRAMMATION ET LA SAUVEGARDE DES INFORMATIONS DE CONFIGURATION. UNE NOUVELLE APPROCHE BASEE SUR DES AMPLIFICATEURS A TRANSRESISTANCE UTILISANT DES CONVOYEURS DE COURANTS MET EN UVRE DES TRANSCONDUCTANCES DIFFERENTIELLES OFFRANT DE LARGES GAMMES DE PROGRAMMATION AVEC DES PERFORMANCES ELECTRIQUES INTERESSANTES. CE MEMOIRE DECRIT L'ETUDE ET LA CONCEPTION DE CE COMPOSANT ET S'ARTICULE PRINCIPALEMENT AUTOUR DE SIX CHAPITRES. LE PREMIER CHAPITRE DEVELOPPE TOUT D'ABORD LE CONCEPT DU RESEAU ANALOGIQUE PROGRAMMABLE. LE SECOND CHAPITRE PROPOSE UNE METHODOLOGIE DE CONCEPTION DES CIRCUITS ANALOGIQUES. ON Y DEFINIT L'ARCHITECTURE DU RESEAU, EN TERME D'ARCS ET D'INTERCONNEXIONS, AINSI QUE L'ELEMENT DE BASE UTILISE POUR CONSTRUIRE DES APPLICATIONS ANALOGIQUES, LA CELLULE ANALOGIQUE RECONFIGURABLE. L'OBJET DU TROISIEME CHAPITRE EST D'UNE PART, DE METTRE EN EVIDENCE LES ENJEUX LIES A LA CONCEPTION DE CIRCUITS ANALOGIQUES UTILISANT LE COURANT COMME PORTEUR DE L'INFORMATION UTILE, ET D'AUTRE PART, DE PRESENTER UN CIRCUIT PARTICULIER LE CONVOYEUR DE COURANT. LE QUATRIEME CHAPITRE PRESENTE LA CELLULE ANALOGIQUE RECONFIGURABLE QUI EST UTILISEE COMME BRIQUE ELEMENTAIRE POUR BATIR LES DIFFERENTES APPLICATIONS ANALOGIQUES A INTEGRER DANS LE COMPOSANT PROGRAMMABLE. L'OBJET DU CINQUIEME CHAPITRE EST DE PRESENTER LA STRUCTURE DU COMPOSANT ET LES DIFFERENTES SOLUTIONS RETENUES. LE BUT DU DERNIER CHAPITRE EST DOUBLE. IL S'AGIT DANS UN PREMIER TEMPS DE DEVELOPPER QUELQUES EXEMPLES D'APPLICATIONS PUIS DE DEVELOPPER DES PERSPECTIVES D'AVENIR POUR CE COMPOSANT ANALOGIQUE PROGRAMMABLE.

Download or read book Design of Analog CMOS Integrated Circuits written by Behzad Razavi and published by McGraw-Hill Higher Education. This book was released on 2016-01-22 with total page 801 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The CMOS technology are has quickly grown calling for a new text---and here it is covering the analysis and design of CMOS integrated circuits that practicing engineers need to master to succeed. Filled with many examples and chapter-ending problems the book not only describes the thought process behind each circuit topology but also considers the rationale behind each modification. The analysis and design techniques focus on CMOS circuits but also apply to other IC technologies.Design of Analog CMOS Integrated Circuits deals with the analysis and design of analog CMOS integrated circuits emphasizing recent technological developments and design paradigms that students and practicing engineers need to master to succeed in today's industry. Based on the author's teaching and research experience in the past ten years the text follows three general principles: (1) Motivate the reader by describing the significance and application of each idea with real-world problems; (2) Force the reader to look at concepts from an intuitive point of view preparing him/her for more complex problems; (3) Complement the intuition by rigorous analysis confirming the results obtained by the intuitive yet rough approach.

Download or read book CMOS Analog Integrated Circuits written by Tertulien Ndjountche and published by CRC Press. This book was released on 2017-12-19 with total page 926 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: High-speed, power-efficient analog integrated circuits can be used as standalone devices or to interface modern digital signal processors and micro-controllers in various applications, including multimedia, communication, instrumentation, and control systems. New architectures and low device geometry of complementary metaloxidesemiconductor (CMOS) technologies have accelerated the movement toward system on a chip design, which merges analog circuits with digital, and radio-frequency components. CMOS: Analog Integrated Circuits: High-Speed and Power-Efficient Design describes the important trends in designing these analog circuits and provides a complete, in-depth examination of design techniques and circuit architectures, emphasizing practical aspects of integrated circuit implementation. Focusing on designing and verifying analog integrated circuits, the author reviews design techniques for more complex components such as amplifiers, comparators, and multipliers. The book details all aspects, from specification to the final chip, of the development and implementation process of filters, analog-to-digital converters (ADCs), digital-to-analog converters (DACs), phase-locked loops (PLLs), and delay-locked loops (DLLs). It also describes different equivalent transistor models, design and fabrication considerations for high-density integrated circuits in deep-submicrometer process, circuit structures for the design of current mirrors and voltage references, topologies of suitable amplifiers, continuous-time and switched-capacitor circuits, modulator architectures, and approaches to improve linearity of Nyquist converters. The text addresses the architectures and performance limitation issues affecting circuit operation and provides conceptual and practical solutions to problems that can arise in the design process. This reference provides balanced coverage of theoretical and practical issues that will allow the reader to design CMOS analog integrated circuits with improved electrical performance. The chapters contain easy-to-follow mathematical derivations of all equations and formulas, graphical plots, and open-ended design problems to help determine most suitable architecture for a given set of performance specifications. This comprehensive and illustrative text for the design and analysis of CMOS analog integrated circuits serves as a valuable resource for analog circuit designers and graduate students in electrical engineering.

Download or read book Etude de points m moires non volatiles haute densit pour les technologies CMOS avanc es 45nm et 32nm written by Élodie Ebrard and published by . This book was released on 2009 with total page 155 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: De très nombreuses applications industrielles nécessitent de la mémoire non volatile programmable électriquement une seule fois et noneffaçable (OTP: One Time Programmable). Cette mémoire est indispensable à l'ensemble des circuits sur technologie CMOS avancée pour effectuer les opérations de réparation, d'ajustement de fonctions digitales ou analogiques, de traçabilité et de sécurité. La mémoire OTP doit être compatible avec la technologie CMOS standard pour des raisons de coût. De plus, les conditions de programmation de cette mémoire doivent répondre à des exigences de consommation et de rapidité. Le cahier des charges qui regroupe toutes ces exigences est donc contraignant et l'étude de la littérature montrera aucune solution de points mémoires n'y répond de manière satisfaisante. Le travail de cette thèse se base sur une structure composée d'un condensateur en série avec un transistor de sélection. La solution de la structure du point mémoire finalement retenue est tout d'abord comparée avec l'état de l'art et discutée. Le transistor de sélection y est ainsi notamment remplacé par un montage dit \textit{cascode}. Ce type de mémoire OTP emploie une tension de programmation élevée que les études de fiabilité fournies par la littérature ne couvrent pas. Une analyse de sensibilité de tous les paramètres du point mémoire est donc ensuite menée, afin d'aboutir à son optimisation ver un meilleur compromis densité/performances/fiabilité. Elle s'appuie sur la caractérisation de nombreuses structures de tests réalisées en technologie CMOS 45nm et 32nm et en particulier sur leur étude statistique. L'analyse de la fiabilité du point mémoire permet enfin de dégager une méthode de conception de mémoire. Ce travail de thèse permet donc l'analyse exhaustive d'une cellule mémoire adaptée aux technologies standard CMOS avancées. Il fournit un cahier de recettes vérifié expérimentalement et permettant la conception efficace de mémoires fiables

Download or read book Etude des m thodes de conception et des outils de C A O pour la synth se des circuits int gr s analogiques written by Faouzi Chaahoub and published by . This book was released on 1999 with total page 181 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA REALISATION DES CIRCUITS INTEGRES ANALOGIQUES A HAUTES PERFORMANCES SOUFFRE DE DIFFICULTES PRINCIPALEMENT DUES A LA REDUCTION DE LA TENSION D'ALIMENTATION ET A LA REDUCTION DE LA CONSOMMATION, QUI SONT CONDUITES PAR LA PROLIFERATION DES SYSTEMES PORTABLES ALIMENTES PAR DES BATTERIES, MAIS PATIT AUSSI DU MANQUE D'OUTILS DE C.A.O PERMETTANT D'AUTOMATISER LA PHASE DE LAYOUT QUI EST ASSEZ LABORIEUSE ET PREND BEAUCOUP DE TEMPS. CETTE THESE SE SITUE DANS CE CONTEXTE. ELLE TRAITE DE DEUX DOMAINES ASSEZ DISTINCTS MAIS COMPLEMENTAIRES, A SAVOIR LA CONCEPTION DE CIRCUITS INTEGRES ANALOGIQUES A FAIBLE TENSION D'ALIMENTATION, ET LA GENERATION AUTOMATIQUE (OU ASSISTEE) DU LAYOUT DE CES CIRCUITS A L'AIDE D'ALGORITHMES ET DE LOGICIELS APPROPRIES. L'ABOUTISSEMENT DE CETTE THESE EST, PREMIEREMENT, LA CREATION D'UNE NOUVELLE METHODE DE CONCEPTION DES CIRCUITS INTEGRES ANALOGIQUES, PLUS PRECISEMENT LA GENERATION D'UNE TECHNIQUE DE CONCEPTION DE NOUVELLE STRUCTURE, PLUS ADAPTEE AUX BASSES TENSIONS D'ALIMENTATION ET AUX FAIBLES CONSOMMATIONS, DEUXIEMEMENT, NOTRE CONTRIBUTION A L'AUTOMATISATION DE LA PHASE DU LAYOUT DES CIRCUITS INTEGRES ANALOGIQUES, A SAVOIR L'ETUDE DETAILLEE DES CONTRAINTES ANALOGIQUES A PRENDRE EN COMPTE DANS TOUT OUTIL D'AUTOMATISATION DU LAYOUT (GENERATEUR, PLACEUR, ROUTEUR, COMPACTEUR), AINSI QUE NOTRE PARTICIPATION AU DEVELOPPEMENT DE CHRVAN (OUTILS D'AUTOMATISATION DES MASQUES DES CIRCUITS INTEGRES ANALOGIQUES ET MIXTES, DEVELOPPES AU CNET GRENOBLE) EN AIDANT A SA MISE AU POINT, EN L'UTILISANT, EN PROPOSANT DES AMELIORATIONS, ET SURTOUT EN CONSACRANT TOUS NOS EFFORTS A DEVELOPPE UN ALGORITHME DE PLACEMENT DES CELLULES ANALOGIQUES QUI PREND EN COMPTE TOUTES CES CONTRAINTES ANALOGIQUES.

Download or read book Analysis and Design of Analog Integrated Circuits written by Paul R. Gray and published by Wiley. This book was released on 2001-03-27 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The fourth edition features coverage of cutting edge topics--more advanced CMOS device electronics to include short-channel effects, weak inversion and impact ionization. In this resourceful book find: * Coverage of state-of-the-art IC processes shows how modern integrated circuits are fabricated, including recent issues like heterojunction bipolar transistors, copper interconnect and low permittivity dielectric materials * Comprehensive and unified treatment of bipolar and CMOS circuits helps readers design real-world amplifiers in silicon.

Download or read book Conception de circuits int gr s analogiques mode courant applicable aux syst mes de t l communications written by Stéphane Meillère and published by . This book was released on 2004 with total page 119 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les circuits intégrés analogiques CMOS dédiés au traitement de l'information sont de plus en plus soumis à de fortes contraintes technologiques et doivent répondre à des critères de performances accrues, en terme de rapidité et de puissance consommée. L'intégration des circuits analogiques soulève une difficulté supplémentaire qui se traduit par la densité d'intégration. L'ensemble des travaux présentés dans ce mémoire s'inscrit dans l'étude des architectures basées sur les techniques 'mode courant', qui permettent de répondre aux contraintes technologiques actuelles. Ainsi, une première approche consiste à rappeler les structures CMOS homologues aux structures bipolaires généralement introduites par la théorie des circuits translinéaires. Une deuxième approche consiste à proposer une équivalence entre les circuits translinéaires et les circuits CMOS.L'ensemble de l'étude des techniques 'mode courant' a permis la mise en œuvre d'un lecteur émetteur de cartes sans contact. Le système de lecture consiste à démoduler et à traiter un signal radio-fréquence à 13.56 MHz. Ce lecteur a été réalisé et testé à l'aide de la technologie CMOS 0.5 millimètre dans le cadre d'une collaboration entre la société INSIDE TECHNOLOGIES et le laboratoire L2MP.

Download or read book Circuits d di s l tude des m canismes de vieillissement dans les technologies CMOS avanc es written by Marine Saliva and published by . This book was released on 2015 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans la chaine de développement des circuits, une attention particulière doit être portée sur le comportement en fiabilité des dispositifs MOS comme briques de base des circuits avancés CMOS lors du développement d'une technologie. Au niveau du dispositif, les comportements des différents mécanismes de dégradation sont caractérisés. A l'opposé dans le prototype final, le produit est caractérisé dans des conditions accélérées de vieillissement, mais seuls des paramètres macroscopiques peuvent être extraits. Un des objectifs de cette thèse a été de faire le lien entre le comportement en fiabilité d'un circuit ou système et ses briques élémentaires. Le second point important a consisté à développer des solutions de tests dites 'intelligentes' afin d'améliorer la testabilité et le gain de place des structures, pour mettre en évidence le suivi du vieillissement des circuits et la compensation des dégradations. Une autre famille de solutions a consisté à reproduire directement dans la structure l'excitation ou la configuration réelle vue par les dispositifs ou circuits élémentaires lors de leur vie d'utilisation (lab in situ).

Download or read book Contribution la simulation en conception des effets des porteurs chauds sur la fiabilit des circuits analogiques CMOS written by Bernard Bordonado and published by . This book was released on 1996 with total page 56 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE EST CONSACREE AU DEVELOPPEMENT D'UN NOUVEAU FLUX DE SIMULATION POUR AMELIORER DES LA PHASE DE CONCEPTION LA FIABILITE AUX EFFETS DES PORTEURS CHAUDS DES CIRCUITS ANALOGIQUES CMOS, ET CE INDEPENDAMMENT DES SPECIFICITES DE LA TECHNOLOGIE UTILISEE. LA METHODE PROPOSEE D'AMELIORATION QUALITATIVE AVANT FONDERIE DE LA FIABILITE AUX PORTEURS CHAUDS REPOSE SUR LA POSSIBILITE DE SIMULER LA DUREE DE VIE D'UN CIRCUIT FONCTIONNEL COMPLEXE A PARTIR DE DONNEES DE VIEILLISSEMENT EXTRAITES SUR DES STRUCTURES DE TEST FONDAMENTALES. CETTE NOUVELLE METHODOLOGIE ENGLOBE ET ETEND LES CONNAISSANCES DEJA ACQUISES SUR LE SUJET DANS LE DOMAINE DES CIRCUITS NUMERIQUES. UNE ETUDE THEORIQUE ET EXPERIMENTALE APPROFONDIE A ETE MENEE SUR DES OSCILLATEURS EN ANNEAUX ET DES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS, CIRCUITS ELEMENTAIRES DE L'ELECTRONIQUE ANALOGIQUE. PLUSIEURS PROTOTYPES DE COMPLEXITES ET DE FONCTIONNALITES DIVERSES ONT ETE CONCUS, REALISES, TESTES, VIEILLIS ELECTRIQUEMENT ET SIMULES POUR LE DEVELOPPEMENT ET LA VALIDATION DE CE FLUX

Download or read book Etude de la fiabilit des technologies CMOS avanc es written by Chittoor Ranganathan Parthasarathy and published by . This book was released on 2006 with total page 254 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans ce travail, nous examinons les aspects de la dégradation des dispositifs MOSFETs dus aux porteurs chauds du canal(CHC) et aux instabilités à haute température sous polarisation négative (NBTI), du point de vue de la caractérisation et de la modélisation, dans l'objectif de développer des solutions largement utilisables pour simuler ces conditions de dégradation dans les circuits analogiques et numériques. De telles solutions représentent un besoin pressant dans le contexte de la miniaturisation extrême des dispositifs CMOS et devant la complexité croissante des produits utilisant ces dispositifs, nécessitant l'évaluation de leur fiabilité lors des étapes de conception des circuits. Ce travail s'adresse aux technologies CMOS actuelles des nœuds 65nm et 90nm présentant des transistors NMOS et PMOS avec des épaisseurs d'oxyde de grille de 1.3nm à 6.5nm. Nous avons proposé une méthodologie robuste pour extraire la dégradation des paramètres des transistors soumis à la dégradation NBTI et caractérisée par une nouvelle technique à la volée dite "On-The-Fly"(OTF), avec laquelle les mesures sont effectuées sans interrompre le stress. Nous avons étudié le phénomène de guérison partielle de la dégradation ou "recovery", qui est une des caractéristiques clés du NBTI comme au cours de certaines conditions de dégradations CHC. Nous avons proposé une nouvelle méthode de caractérisation de la dégradation en combinant des trains de polarisations de stress ou patterns" avec la technique OTF. Nous avons soumis les dispositifs à de multiples combinaisons de polarisations NBTI, NBTI et CHC, CHC et nous avons utilisé cette technique sur les transistors PMOS et NMOS à canal court et canal long. Cette méthode permet l'observation et la modélisation des caractéristiques de la dégradation NBTI et CHC dans une perspective unifiée qui éclaire la compréhension des mécanismes de dégradation dans les dispositifs impliquant le recovery. Nous avons proposé un modèle complet pour la dégradation NBTI. Ce modèle inclut précisément la dégradation NBTI et les dynamiques du recovery aussi bien que les différents constituants des composantes de la dégradation. L'effet de la commutation des signaux caractérisés par la fréquence, le rapport cyclique en phase NBTI et l'amplitude du signal ont été analysés et inclus dans le modèle. Le modèle est complété en formulant les paramètres en modèle SPICE (BSIM4) nécessaires à la représentation des dispositifs dégradés par le NBTI. La caractérisation et la modélisation de la dégradation CHC suivent le modèle standard des électrons chanceux ou Lucky-Electron Model où l'évaluation de la dégradation est associée au courant substrat. Nous proposons une amélioration de ce modèle en courant substrat pour pouvoir ajuster les résultats sur un grand intervalle en Vds et Vgs, pour différentes familles de dispositifs NMOS. Nous avons également incorporé à la modélisation et à la simulation des dégradations anormales observées sous dégradation CHC dans des familles de dispositifs à oxyde de grille épais. Nous décrivons le développement d'une méthodologie de simulation, mettant en lumière ses différents aspects fondamentaux. Nous incorporons dans les modèles du simulateur les différents modes de dégradation décrits ci-dessus et montrons les bons accords entre les simulations et les mesures sur silicium. Par la suite, nous étendons l'analyse aux circuits digitaux et analogiques. De nombreuses classes de circuits de plus en plus complexes ont été analysées de l'inverseur à la PLL et au convertisseur ADC, utilisant les modèles et la méthodologie de simulation développée. Cette méthodologie tout au long de ce travail forme la première pierre pour traiter les phénomènes de dégradation dans les dispositifs des générations technologiques actuelles, autant que les bases nécessaires à l'évaluation de la fiabilité des circuits en fonctionnement réel qui sont soumis à l interaction entre les diverses polarisations de stress.