Download or read book Le diamant dop au bore pour la bio lectronique written by Charles Agnès and published by . This book was released on 2009 with total page 231 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Afin de réaliser des électrodes pour des applications en bioélectroniques, des couches minces polycristallines et homoépitaxiées d'orientations (100) et (111) de diamant dopé bore ont été synthétisées. Celles-ci ont été obtenues par CVD assisté par plasma puis caractérisées par cathodoluminescence, Raman et MEB. Une étude préalable de la biocompatibilité du diamant en fonction de différents paramètres (dopage, rugosité et orientation cristalline) a été réalisée par culture de deux lignées cellulaires : fibroblastes et pré-ostéoblastes. La biotine a été greffée en plusieurs étapes, de manière locale par electrospotting via les sels de diazonium. L'utilisation d'un complexe de ruthénium a permis de démontrer que l'épaisseur du film électrogénéré était maîtrisée par chronopotentiométrie d'après les analyses XPS et électrochimique. Enfin, une nouvelle structure hybride nanotubes de carbone/diamant a été réalisée afin d'utiliser les nanotubes comme bras espaceur pour le greffage de la biotine.

Download or read book Fonctionnalisation Des Surfaces de Diamant Dop Au Bore Et Applications en Biosciences written by Mei Wang and published by . This book was released on 2009 with total page 162 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le diamant présente des caractéristiques physique, chimique et mécanique exceptionnelles : une grande conductivité thermique, une dureté très élevée, une large bande, une transparence optique (de l'UV à l'IR) et une grande stabilité chimique. C'est un semi-conducteur à grand gap (5,45eV) possédant de bonnes propriétés mécaniques et caractérisé par ses propriétés de biocompatibilité. Le dopage de celui-ci lui confère de bonnes propriétés de conduction électrique et donc ouvre des perspectives pour son utilisation en bioélectronique. Pour cette fin, il est devenu urgent de développer une chimie de surface spécifique pour introduire des fonctions chimiques ou biologiques sur la surface. Mon travail de thèse s'inscrit dans cette perspective. D'un point de vue technologique, le diamant cristallin est très cher et donc notre étude a été limitée au diamant polycristallin. Dans cette thèse, on a contribué à la mise au point de nouvelles méthodes de fonctionnalisation de la surface de diamant. Ces méthodes sont basées sur des concepts chimique, photochimique et électrochimique et permettent d'introduire des groupements fonctionnels sur la surface de diamant de façon contrôlée. La première partie de ma thèse concerne la réaction d'oxydation de la surface de diamant hydrogéné en utilisant trois différentes techniques: plasma d'oxygène, voie électrochimique et UV/ozone. Dans la deuxième partie de ma thèse, j'ai utilisé pour la première fois la réaction de couplage par " click ". La troisième partie de ma thèse concerne l'étude de la réactivité des surfaces de diamant oxydé avec un liquide ionique (IL, 1-(Methylcarboxylcacid)-3octylimidazolium-bis (tritluoromethyl sulfonyl) imide). Finalement, nous avons mis au point une nouvelle technique d'halogénation de la surface de diamant hydrogéné.

Download or read book Etude de couches de diamant dop au bore en vue de leur utilisation comme lectrodes pour la r duction des nitrates written by Mathieu Bernard and published by . This book was released on 2002 with total page 169 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: En vue de la réalisation d'électrodes pour la réduction électrochimique des nitrates, nous avons procédé à la croissance et la caractérisation de couches minces mono et polycristallines de diamant dopé bore. Ces couches minces de dopage variable ont été élaborées par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma micro-ondes. Les couches minces polycristallines élaborées ont été étudiées par spectroscopie Raman, et microscopie électronique a balayage. Leur caractéristique électrique a été établie, elles ont été testées comme électrodes, et leurs voltampérogrammes ont pu être réalisés pour différents électrolytes. Les couches minces monocristallines ont été étudiées par spectroscopie Raman et par mesures SIMS. Les interactions entre l'hydrogène et le bore dans le matériau ont été étudiées. Un procédé de gravure du diamant par plasma oxygène ECR a été mis au point afin de structurer la surface du matériau.

Download or read book Propri t s optiques et lectroniques du diamant fortement dop au bore written by Jessica Bousquet and published by . This book was released on 2015 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce manuscrit de thèse présente une étude expérimentale des propriétés optiques, électroniques et structurales du diamant fortement dopé au bore. Ce semi-conducteur à large bande interdite peut être synthétisé par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma micro-onde (MPCVD). Il est intrinsèquement isolant mais devient métallique, voire supraconducteur conventionnel par dopage de type p. Ce travail s'articule autour de trois grands axes :Le premier concerne le développement de l'ellipsométrie spectroscopique pour la caractérisation de couches de diamant monocristallin. Dans un premier temps, des modèles optiques ont été développés afin de déduire les épaisseurs, résistivités et concentrations de porteurs de plusieurs séries d'échantillons mesurés ex situ. Ces valeurs ont été confrontées à celles obtenues par le biais de mesures SIMS (Spectroscopie par Emission d'ion Secondaires) et de transport électronique. Une masse effective optique des porteurs a pu ainsi être évaluée. Dans un second temps, cette technique a été mise en oeuvre in situ sur le réacteur. L'influence de la température et de la géométrie de la chambre de réaction a été évaluée et des suivis de croissance en temps réel sont présentés.Le second axe porte sur la synthèse des échantillons et l'optimisation des paramètres de croissance. Dans cette partie, nous révélons la présence d'un transitoire dans l'incorporation du bore conduisant à une inhomogénéité de dopage des échantillons. Une augmentation de l'incorporation du bore avec le débit a également été observée pour la première fois. Enfin, la détérioration de la qualité cristalline du diamant, au delà d'une concentration critique d'atomes de bore, est identifiée et discutée.Le troisième et dernier axe de ces travaux de recherche, est dédié à l'investigation des propriétés électroniques du diamant fortement dopé par magnéto-transport de 300K à 50 mK. Dans un premier temps, l'importance de la mésa-structuration de croix de Hall lors des mesures de transport est mise en évidence. L'utilisation d'une géométrie « maîtrisée », permet en effet de limiter les courants parasites dus à l'inhomogénéité de dopage des couches. Nous avons ainsi pu construire un diagramme de phase différent de celui qui avait été rapporté dans la littérature. Une phase métallique et non supraconductrice a été mise en évidence pour la première fois. Une étude de la transition métal-isolant est présentée, et les exposants critiques issus de sa modélisation sont discutés. L'étude de l'état supraconducteur enfin, nous a permis d'aboutir à une nouvelle dépendance de la température de transition (Tc) avec le dopage. Cette dernière est comparée aux calculs ab initio de la littérature. Aucune réduction de la Tc avec l'épaisseur n'a en revanche été observée dans la gamme des couches synthétisées à savoir de 10 nm à 2 μm.

Download or read book Nouvelles G n rations de Structures en Diamant Dop Au Bore Par Technique de Delta dopage Pour L lectronique de Puissance written by Alexandre Fiori and published by . This book was released on 2012 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The aim of this PhD thesis was to better understand the boron delta-doping of diamond over building a new Microwave Plasma Chemical Vapour Deposition reactor prototype. We succeed to grow step by step heavy on low, and more original, low on heavy boron-doped layers of (100)-oriented diamond in the same process and without stopping the plasma. We also settled growth parameters for a growth rate slow enough to get nanometre-thick homoepitaxial films with boron doping jumps over several orders of magnitude, called delta-doping. We demonstrated the presence of super-sharp interfaces, after optimized in situ etching, by joint Secondary Ion Mass Spectrometry and Scanning Tunneling Electron Microscopy at High-Angle Annular Dark Field analysis. Finally superlattices with abrupt boron doping levels have been grown; they show satellite peaks of X-ray diffraction representative of a super-period.

Download or read book Elaboration de films pais de diamant monocristallin dop au bore par MPAVCD pour la r alisation de substrats de diamant P written by Riadh Issaoui and published by . This book was released on 2011 with total page 180 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L’objectif principal de ce travail de thèse est la synthèse de films épais (>100 μm) de dia-mant monocristallin fortement dopés au bore permettant la fabrication de substrats de diamant et le développement de composants verticaux pour des applications en électronique de puissance. Dans un premier temps, l’effet des différents paramètres de croissance a été étudié. Il a ainsi été mis en évidence l’existence d’une fenêtre de DPMO (caractérisée par le couple pression/puissance) qui permet d’assurer un bon compromis entre qualité, vitesse de croissance et efficacité de dopage per-mettant la croissance de films de plusieurs centaines de micromètres. Ensuite, afin d’assurer un bon contrôle de la morphologie finale des cristaux, un modèle de croissance géométrique 3D développé au laboratoire, associé à des expériences de croissance dans un plasma H2/CH4/B2H6 a permis de montrer que les conditions déterminées précédemment entrainaient systématiquement l’apparition de faces indésirables (110) conduisant à la rupture du cristal. L’ajout de faibles quantités d’oxygène dans la décharge a permis d’interdire la formation de ces faces indésirables et de conserver l’intégrité du cristal, condition indispensable pour le développement de substrats permettant la réali-sation de composants électroniques verticaux. Enfin, des substrats CVD à différentes concentration ont été fabriqués et caractérisés par SIMS, FTIR, spectroscopie Raman et diffraction des rayons X haute résolution. Cette étude a ainsi montré l’excellente qualité cristalline des films réalisés y com-pris pour les dopages les plus élevés (>1020 cm-3 en bore). Des mesures de résistivité électriques ont par ailleurs montré que les substrats les plus dopés présentent des résistances suffisamment fai-bles pour être utilisés comme substrat pour des composants en électronique de puissance.

Download or read book Films de diamant monocristallin dop s au bore pour des applications en lectronique de puissance written by Cyrille Barbay and published by . This book was released on 2018 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'objectif de cette thèse porte sur la synthèse du diamant monocristallin dopé au bore par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma micro-onde (MPCVD). Ces couches épitaxiées jouent le rôle de couches actives dans des composants pour l'électronique de puissance. Ces travaux s'inscrivent dans le cadre du projet Européen H2020 Greendiamond. Durant cette thèse, un traitement de gravure des défauts surfaciques des substrats de diamant HPHT par plasma Ar/O2 a été mis au point. L'efficacité de ce traitement a été validée par diffraction des rayons X à haute résolution, spectroscopie Raman et cathodoluminescence. Cette étape s'est révélée essentielle pour l'amélioration des propriétés de transport de couches de diamant dopées au bore pour les applications en électronique.L'optimisation des conditions de croissance de couches de diamant faiblement dopées au bore (

Download or read book Etude des surfaces de diamant homo pitaxi dop au bore et de quelques interfaces m tal diamant written by Christophe Saby and published by . This book was released on 2001 with total page 168 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: En vue de la réalisation de diodes Schottky, sur des couches de diamant homoépitaxié par dépôt chimique en phase vapeur et dopé au bore, fonctionnant à haute température(>400ʿC), nous avons étudié les propriétés électroniques des différentes terminaisons de surfaces (100) de nos films de diamants : hydrogénée, sans hydrogène et oxygénée, puis nous avons formé et caractérisé plusieurs types de contact métallique (Er, ErSi 1.7 et Ag/Ti) sur ces différentes surfaces. Les surfaces sont analysées par spectroscopie de photoélectrons (UPS, XPS) et diffraction d'électrons lents. Les contacts sont étudiés durant leur formation par UPS et XPS, puis ils sont carctérisés ex-situ par des mesures électriques et photoélectriques, et pour certains par diffraction de rayons X en incidence rasante, spectroscopie Raman et AFM.

Download or read book FILMS POLYCRISTALLINS DE DIAMANT written by PATRICE.. GONON and published by . This book was released on 1993 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: EN VUE DE LA REALISATION DE DISPOSITIFS ELECTRONIQUES A BASE DE DIAMANT, NOUS AVONS ETUDIE LE DOPAGE AU BORE DES FILMS POLYCRISTALLINS DE DIAMANT ELABORES PAR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR. LES FILMS DOPES AU BORE SONT CARACTERISES A L'AIDE DE MESURES DE DIFFRACTION X, D'ABSORPTION DANS L'INFRAROUGE, DE DIFFUSION RAMAN, DE CATHODOLUMINESCENCE, ET DE RESONANCE PARAMAGNETIQUE ELECTRONIQUE. LES PROPRIETES ELECTRIQUES DES FILMS SONT ETUDIEES A L'AIDE DE MESURES DU COURANT EN FONCTION DE LA TENSION ET DE LA TEMPERATURE, DE LA CAPACITE EN FONCTION DE LA TENSION ET DE LA FREQUENCE, ET A L'AIDE DE MESURES DE PHOTOCONDUCTIVITE.

Download or read book Films polycristallins de diamant written by Patrice Gonon and published by . This book was released on 1993 with total page 127 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: EN VUE DE LA REALISATION DE DISPOSITIFS ELECTRONIQUES A BASE DE DIAMANT, NOUS AVONS ETUDIE LE DOPAGE AU BORE DES FILMS POLYCRISTALLINS DE DIAMANT ELABORES PAR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR. LES FILMS DOPES AU BORE SONT CARACTERISES A L'AIDE DE MESURES DE DIFFRACTION X, D'ABSORPTION DANS L'INFRAROUGE, DE DIFFUSION RAMAN, DE CATHODOLUMINESCENCE, ET DE RESONANCE PARAMAGNETIQUE ELECTRONIQUE. LES PROPRIETES ELECTRIQUES DES FILMS SONT ETUDIEES A L'AIDE DE MESURES DU COURANT EN FONCTION DE LA TENSION ET DE LA TEMPERATURE, DE LA CAPACITE EN FONCTION DE LA TENSION ET DE LA FREQUENCE, ET A L'AIDE DE MESURES DE PHOTOCONDUCTIVITE

Download or read book Contribution a l etude du dopage bore azote et phosphore dans le diamant written by Jean-Pierre Lagrange and published by . This book was released on 1997 with total page 212 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE DIAMANT EST UN SEMI-CONDUCTEUR A LARGE BANDE INTERDITE (5.4 EV) TRES PROMETTEUR EN ELECTRONIQUE A HAUTE TEMPERATURE ET DE FORTE PUISSANCE. CEPENDANT, SON UTILISATION EST LIMITEE PAR L'ABSENCE D'UN DOPAGE DE TYPE N. NOUS AVONS ETUDIE DANS CETTE THESE LE DOPAGE AU BORE DU DIAMANT (TYPE P), ET L'INCORPORATION DE PHOSPHORE ET D'AZOTE DANS LE DIAMANT PAR IMPLANTATION IONIQUE. NOUS AVONS ELABORE DES COUCHES MINCES DE DIAMANT PAR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ASSISTE PAR PLASMA MICRO-ONDE. NOUS AVONS UTILISE DANS NOTRE ETUDE DIVERSES TECHNIQUES DE CARACTERISATION : SPECTROSCOPIE DE DIFFUSION RAMAN, RESONANCE PARAMAGNETIQUE ELECTRONIQUE, RESISTIVITE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE (DE 100K A 1000K), EFFET HALL, COURANTS THERMO-STIMULES, THERMOLUMINESCENCE. LES RESULTATS OBTENUS MONTRENT QUE LE DOPAGE AU BORE EST AUJOURD'HUI BIEN MAITRISE. DES MESURES ELECTRIQUES SUR UNE LARGE GAMME DE CONCENTRATION (DE 5 10#1#6 A 8 10#2#0 B.CM#-#3) MONTRENT TROIS REGIMES DE CONDUCTION DIFFERENTS : CONDUCTION PAR SAUT PAR PLUS PROCHE VOISIN, CONDUCTION PAR LA BANDE DE VALENCE, CONDUCTION METALLIQUE. NOUS AVONS MONTRE POUR LA PREMIERE FOIS UNE SATURATION DE LA CONDUCTIVITE ET UNE ENERGIE D'ACTIVATION A HAUTE TEMPERATURE E#A/2 TYPIQUE D'UN TAUX DE DEFAUTS COMPENSATEURS INFERIEUR A 10%. NOUS AVONS MONTRE QUE L'IMPLANTATION EST LA METHODE LA PLUS EFFICACE POUR INCORPORER DE L'AZOTE EN SITE SUBSTITUTIONNEL DANS LE DIAMANT. NEANMOINS, L'INCORPORATION D'AZOTE SEMBLE INDUIRE INDIRECTEMENT DES DEFAUTS PARAMAGNETIQUES DANS LE DIAMANT. NOUS AVONS AUSSI MONTRE QUE L'INCORPORATION DE PHOSPHORE EN SITE SUBSTITUTIONNEL EST POSSIBLE. NOUS AVONS DEFINI UN SEUIL D'AMORPHISATION COMPRIS ENTRE 3 ET 4 10#1#4 P.CM#-#2. TOUTEFOIS, UN NOUVEAU DEFAUT PARAMAGNETIQUE QUI SEMBLE ETRE INDUIT PAR LE PHOSPHORE APPARAIT APRES RECUIT. LA CONDUCTION EST ENCORE DOMINEE PAR LES DEFAUTS CREES PAR L'IMPLANTATION IONIQUE. CES RESULTATS SONT TRES PROMETTEURS POUR DES APPLICATIONS FUTURES EN MICROELECTRONIQUE.

Download or read book Dopage au bore et d fauts associ s dans des couches homo pitaxi es de diamant written by Céline Baron and published by . This book was released on 2005 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Pour la réalisation de dispositifs de puissance en diamant la maltrise du dopage bore est nécessaire à la fois pour les faibles (1.5x1019 cm-3, tenue en tension) et les fortes ( 3x1020 cm-3, contacts ohmiques) concentrations de bore. Une étude systématique des propriétés électroniques des couches de diamant - synthétisées par CVD assistée plasma - des faibles (4x1016 cm-3) aux fortes puis lourdes (1.7x1021 cm-3) concentrations de bore a été ici menée par cathodoluminescence (CL). De nouvelles transitions excitoniques ont ainsi été observées pour les faibles dopages. Dans la gamme des faibles et fortes concentrations de bore, les mesures de CL permettent désormais de déterminer les concentrations en bore dans les couches. Elles ont aussi permis de proposer un nouveau modèle pour la position de la bande d'impureté des bores dans le diamant lourdement dopé. La CL a de plus été utilisée comme sonde de profondeur ce qui a permis de détecter des couches interfaciales très minces entre le substrat et les couches homoépitaxiées ainsi que des complexes proches de la surface. Enfin des résultats originaux sur la conversion de diamant de type p en diamant de type n par exposition à un plasma de deutérium sont reportés.

Download or read book TEXTURE ET MICROSTRUCTURE DE FILMS DE DIAMANT EFFET DU DOPAGE AU BORE written by Frédéric Brunet and published by . This book was released on 1997 with total page 184 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE DIAMANT PRESENTE DES PROPRIETES PHYSIQUES INTRINSEQUES EXTREMEMENT ATTRACTIVES QUI SONT NOTAMMENT APPROPRIEES POUR DES APPLICATIONS ELECTRONIQUES. CEPENDANT, IL CONVIENT DE RESTER PRUDENT CAR LES CARACTERISTIQUES GLOBALES DES FILMS (PURETE DE LA PHASE DIAMANT, TAILLES DES CRISTALLITES, EPAISSEUR, MORPHOLOGIE, TEXTURE, CONTRAINTES INTERNES ETC...) DEPENDENT FORTEMENT DES CONDITIONS DE CROISSANCE ET CONDITIONNENT LES PROPRIETES DES FILMS. L'ANALYSE QUANTITATIVE DE LA TEXTURE (LOGICIEL D'ANALYSE DE TEXTURE BEARTEX) DE FILMS DE DIAMANT POLYCRISTALLINS DEPOSES SUR SUBSTRAT DE SILICIUM PAR MPCVD A PERMIS D'ESTIMER L'INFLUENCE DES PARAMETRES D'ELABORATION (TEMPERATURE DU SUBSTRAT, 650-880C, TAUX DE METHANE, 0.3%-2%), DE L'EPAISSEUR DES FILMS (JUSQU'A 70 M) ET DU TAUX D'INCORPORATION DE BORE (JUSQU'A 5X10#2#0 B-CM#-#3) SUR LE DEVELOPPEMENT D'UNE ORIENTATION PREFERENTIELLE AU COURS DE LA CROISSANCE. L'ANALYSE DU PROFIL DES RAIES DE DIFFRACTION A PERMIS D'ETUDIER L'INFLUENCE DU DOPAGE AU BORE SUR LA MICROSTRUCTURE DES FILMS POLYCRISTALLINS. LES RESULTATS ISSUS DES METHODES DES LARGEURS INTEGRALES, DE FOURIER ET DE LA VARIANCE INDIQUENT UNE EVOLUTION (AMELIORATION JUSQU'A 10#1#9 B-CM#-#3 PUIS DETERIORATION) DE LA QUALITE CISTALLINE DES FILMS AVEC LE DOPAGE. UNE ETUDE STRUCTURALE CONJOINTEMENT MENEE SUR DES FILMS POLYCRISTALLINS ET MONOCRISTALLINS DEPOSES RESPECTIVEMENT SUR SUBSTRAT DE SILICIUM ET DE DIAMANT MONOCRISTALLINS MONTRE QUE LE PARAMETRE CRISTALLIN DU DIAMANT AUGMENTE AVEC LE DOPAGE AU BORE. LA DILATATION ATTEINT 0.2% POUR UN DOPAGE DE 8X10#2#0 B-CM#-#3 ET DEVIENT SIGNIFICATIVE AU DELA DE LA TRANSITION SEMICONDUCTEUR-METAL.

Download or read book Traitements lectrochimiques contr l s sur diamant written by Hugues Girard and published by . This book was released on 2008 with total page 508 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le diamant présente un grand nombre de propriétés très intéressantes, à la fois dans le domaine de l’électronique, de l’optique, mais aussi en électrochimie. Dopé au bore, c’est un semiconduc¬teur à grande énergie de bande interdite (≈5,5 eV) et il est utilisé en tant que matériau d’électrode en raison de sa forte inertie chimique et de son large domaine d’électroactivité. Cependant, son comportement électrochimique est complexe et fait actuellement l’objet d’une intense activité de recherche. Parmi les facteurs qui influent sur la réponse des électrodes de diamant dopé au bore, la nature des terminaisons de surface (principalement « hydrogénées » ou « oxygénées ») est au centre des préoccupations. Nous nous sommes donc attachés à analyser l’influence de traitements électrochimiques sur la réactivité et la chimie de surface du matériau, afin de mieux comprendre les phénomènes mis en jeu au cours des transferts de charge. L'évolution du comportement des électrodes a été suivie grâce à des mesures électrochimiques (I-V en présence de couples redox et C-V) et les modifications de la chimie superficielle ont été caractérisées par des analyses XPS et des mesures d’angle de contact.

Download or read book Dopage au bore a partir de la phase vapeur etude comparative des couches minces polycristallines et monocristallines de diamant written by Josiane Mambou and published by . This book was released on 1997 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Homoepitaxie et dopage de type n du diamant written by Thierry François Kociniewski and published by . This book was released on 2006 with total page 235 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail a pour objectif d'étudier différentes voies susceptibles de conduire à un dopage reproductible de type n du diamant avec de bonnes propriétés électriques et cristallines. La première fut l’étude de couches homoépitaxiées de diamant dopé phosphore avec la mise en oeuvre d’une ligne de dopage issue de la technologie MOCVD sur notre bâti de croissance MPCVD. Cette ligne utilise un précurseur liquide stocké dans un bulleur. Le précurseur choisi a été la tertiarybutylphosphine, composé organique du phosphore. Une étude concernant l’influence de la température sur la croissance de films homoépitaxiés sur substrats orientés (111) a permis de montrer que, pour notre bâti, il existe un maximum d’incorporation en phosphore à 890°C et que, dans la gamme de températures [850-930°C], nos couches dopées au phosphore possèdent des propriétés électroniques à l’état de l’art sur le plan international : mobilités électroniques de 350 cm2/Vs pour [P]= 6x1017 cm-3. Nous avons établi pour la première fois la relation permettant de quantifier la concentration de phosphore à partir de l’intensité des excitons détectés par cathodoluminescence.Nous avons montré qu’un recuit sous vide à des températures autour de 900-1000°C de couches dopées phosphore fortement compensées entraîne une augmentation de la concentration d’électrons libres. Notre modèle propose la migration de défauts compensateurs X- suivie de la création de complexes inactifs (P,X). En supposant que la cinétique de formation des complexes (P,X) suit une loi du 1er ordre, nous avons conclu que l’énergie de migration de cette espèce compensatrice est de 3.1 eV. Nous avons émis l’hypothèse que ce défaut est l’hydrogène incorporé pendant la croissance.Enfin, nous avons prolongé notre étude sur la conversion en type n de couches dopées bore suite à une deutération. Ce procédé permet d’obtenir des couches de conductivité électrique largement supérieure (facteur 103 à 105) à celle des meilleures couches de diamant de type n dopées au phosphore. Nous avons montré que l’effet de conversion est très probablement un effet de volume et que le mécanisme d’apparition de la conversion se fait en deux étapes : passivation des bore sur toute l’épaisseur de la couche puis création d’un excès de deutérium qui déclenche la conductivité de type n. La conversion n’est pas réalisée de façon homogène. Il sera donc nécessaire dans le futur d’établir quelles sont les caractéristiques des zones qui sont converties.