Download or read book Gravure profonde cryog nique du silicium dans un r acteur ICP utilisant une chimie SF6 O2 written by Mohamed Boufnichel and published by . This book was released on 2002 with total page 260 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse concerne d'une part, l'étude des mécanismes de gravure et de passivation ayant lieu lors de la gravure du silicium (massif et SOI) par un plasma SF6/O2 et d'autre part, la mise au point d'un procédé de gravure profonde optimisé sur un réacteur industriel ICP. L'objectif est de graver des tranchées à fort facteur d'aspect (ouverture: 2 à 4 æm et profondeur ? 60 æm) en un temps compétitif (vitesse de gravure ? 5æm/min) en vue de réaliser des caissons d'isolation par tranchée sur silicium et sur SOI. La technique de gravure choisie est la cryogénie. Très peu utilisée pour l'instant comparé au procédé bosch mais qui semble néanmoins prometteuse pour l'avenir. La première phase de ce travail a consisté à caractériser le plasma électriquement et chimiquement par sonde de Langmuir et Spectroscopie d'Emission Optique. Les évolutions des caractéristiques du plasma en fonction des paramètres de procédé ont été corrélées à celles des profils de gravure. Il a ainsi été possible d'expliquer le comportement de certains mécanismes impliqués dans la gravure du silicium et de les maîtriser afin d'atteindre l'objectif fixé par le cahier des charges. La seconde phase de l'étude concerne la mise au point d'un procédé de gravure optimisé sur substrat silicium et transposable ensuite sur des substrats SOI. Pour cela, il a fallu étudier et trouver la cause de certains effets négatifs comme le bowing et le notching. Finalement, la cryogénie s'avère avantageuse en tous points (pour ces objectifs précis de tranchée) par rapport au procédé à température ambiante et le remplissage des profils par LPCVD se fait sans difficultés. Néanmoins, un très bon contrôle de la température du substrat s'avère indispensable pour garantir une bonne uniformité des profils de gravure. Ce point (facteur limitant) qui concerne le porte-substrat est en cours d'étude par l'équipementier : une fois maîtrisée, la cryogénie deviendra un atout majeur en gravure sèche.

Download or read book Etude de nouvelles voies de passivation non polym risante pour la gravure profonde du silicium written by Corinne Duluard and published by . This book was released on 2009 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La gravure plasma de structures à fort rapport d'aspect dans le silicium est une étape clé dans la fabrication de microsystèmes et de composants de microélectronique de puissance. L'objectif de ce travail est de développer un procédé de gravure profonde du silicium, qui fonctionne à plus haute température de substrat que le procédé cryogénique en chimie plasma SF6/O2 et qui présente une meilleure stabilité en température et en concentration de gaz passivant(s). Dans ce but, de nouvelles voies de passivation non polymérisante ont été explorées. Nous avons évalué les possibilités de passivation par l'apport de SO2 en remplacement de O2. A température cryogénique, les propriétés de gravure sont semblables en plasma SF6/SO2 et SF6/O2 ; elles sont corrélées aux densités de neutres mesurées par spectrométrie de masse et actinométrie. La majeure partie des recherches a été consacrée à l'étude de la molécule SiCl4 comme précurseur de passivation. Nous avons au préalable analysé les interactions entre espèces générées en plasma SF6/SiCl4. Les expériences de caractérisation du plasma montrent que les réactions aux parois entre atomes F et espèces SiClx contrôlent la chimie du plasma et donc les propriétés de gravure du silicium. En mélange SF6/O2/SiCl4, ces réactions influent également sur la vitesse de gravure du substrat, mais l'ajout de SiCl4 à SF6/O2 a surtout pour effet de favoriser l'attaque chimique latérale. Nous avons finalement étudié la possibilité de former une couche de passivation par plasma SiCl4/O2 à température de substrat de -20 °C. Les résultats de cette étude permettent de proposer un nouveau procédé, basé sur l'alternance d'étapes de gravure par plasma SF6 et d'étapes de passivation par plasma SiCl4/O2.

Download or read book AMELIORATION DU TRANSFERT THERMIQUE PAR UN PORTE SUBSTRAT ELECTROSTATIQUE ENTRE LA PLAQUETTE DE SILICIUM ET L ELECTRODE REFROIDIE ETUDE DE LA GRAVURE PROFONDE DE L OXYDE DE SILICIUM DANS UN REACTEUR HAUTE DENSITE MICROONDE DE TYPE PROPAGATIF written by LAURENCE.. MORGENROTH and published by . This book was released on 1994 with total page 180 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS AVONS ETUDIE L'UNE DES ETAPES COURANTES DE LA FABRICATION DES CIRCUITS INTEGRES, C'EST-A-DIRE LA GRAVURE DE L'OXYDE DE SILICIUM. AFIN DE CONTROLER LA TEMPERATURE DU SUBSTRAT SOUS PLASMA, NOUS AVONS INTRODUIT ENTRE LE SUBSTRAT ET L'ELECTRODE REFROIDIE A L'AZOTE LIQUIDE UN SYSTEME DE CLAMPAGE ELECTROSTATIQUE. NOUS AVONS ETUDIE DIFFERENTS MATERIAUX ET EXPERIMENTE LA MANIERE DE LES ASSEMBLER AFIN QUE L'ENSEMBLE RESISTE A DES VARIATIONS DE TEMPERATURE DE L'ORDRE DE 200 DEGRES. LES CONNECTEURS AMENANT LA HAUTE-TENSION AU TRAVERS DE L'ELECTRODE R.F. ONT ETE FIABILISES. L'ENSEMBLE A ETE INTEGRE DANS UN REACTEUR PROTOTYPE SURFAGUIDE, ET SON EFFICACITE COMPAREE A CELLE DU CLAMPAGE MECANIQUE. CE REACTEUR DE HAUTE DENSITE COUPLE UNE DECHARGE MICRO-ONDE A UN PLASMA R.F. QUI PERMET DE SEPARER LA PRODUCTION DES IONS DE LEUR ENERGIE. POUR DES RAISONS DE DISPONIBILITE NOUS AVONS CONSERVE UN SYSTEME DE CLAMPAGE MECANIQUE POUR MENER UNE ETUDE DE PROCEDE DE GRAVURE DE SIO#2, AVEC DIFFERENTS MASQUES, EN RESINE OU METALLIQUES. L'UTILISATION DE CHIMIES C#2F#6, CHF#3/O#2 OU CF#4, ET DE MASQUES DE RESINE MONOCOUCHE, NE PERMET PAS D'OBTENIR UNE SELECTIVITE SUPERIEURE A 1. LE MEILLEUR COMPROMIS VITESSE, SELECTIVITE ET ANISOTROPIE, A ETE OBTENU AVEC UN MASQUE DE TUNGSTENE, SOIT UNE ANISOTROPIE SUPERIEURE A 0,9 POUR UNE PROFONDEUR GRAVEE DE 10 MICRONS. POUR DES EPAISSEURS SUPERIEURES, IL FAUDRA UTILISER DES MASQUES D'ALUMINIUM, ASSURANT UNE SELECTIVITE PRESQUE INFINIE, AVEC UNE CHIMIE NON-POLYMERISANTE ET UNE FAIBLE ENERGIE IONIQUE

Download or read book M canismes physico chimiques dans le proc d de gravure plasma du Silicium written by Xavier Mellhaoui and published by . This book was released on 2006 with total page 18 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans l’industrie de la microtechnologie, la gravure profonde du silicium permet l’obtention de structures à fort rapport d’aspect (MEMS, MOEMS, vias, caissons d’isolation...). La cryogravure est l’une des voies pour réaliser ces structures. L’objet de cette thèse est l’étude des mécanismes de formation de la couche de passivation SiOxFy dans le procédé cryogénique de gravure par plasma SF6/O2 du silicium. Cette couche ne se forme uniquement qu’à basse température (~ -100°C). Elle désorbe lors de la remontée en température à l’ambiant du substrat en libérant des espèces analysables par spectrométrie de masse. La principale espèce détectée est le produit de gravure SiF4. En testant des plasmas de construction de la couche avec le SiF4, nous avons trouvé deux mécanismes possibles de formation de la couche SiOxFy. Afin de compléter l’étude, nous avons installé un ellipsomètre spectroscopique in-situ afin de caractériser l’interaction de différents plasmas (Ar, SF6, O2, SF6/O2, SiF4/O2) avec le silicium montrant ainsi l’effet de la température du substrat et du flux d’ions. En régime de surpassivation, les MicroStructures Colonnaires, défaut du procédé de cryogravure, apparaissent au fond du motif. Une étude paramétrique de ces structures est effectuée en variant les conditions du plasma (température, Vbias, puissance de la source, pression et temps).

Download or read book Simulation num rique par m thode Monte Carlo de la gravure du silicium en plasma fluor written by Grégory Marcos and published by . This book was released on 2002 with total page 200 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le projet de cette thèse porte sur l'étude de la gravure sèche de tranchées fines et profondes dans du silicium. Ce type de procédé est utilisé dans la fabrication des dispositifs de puissance. Le protocole expérimental s'appuie sur un procédé plasma cryogénique au cours duquel une décharge radiofréquence de SF6/O2 est initiée dans un réacteur ICP. A partir des résultats fournis par l'étude empirique, le travail de recherche a consisté en l'élaboration d'un modèle de gravure basé sur la méthode Monte Carlo. Ce simulateur est composé d'un module calculant les fonctions de distribution du flux d'ions incident. Il intègre leur trajectoire dans la gaine plasma en considérant les processus de collisions élastiques et à transfert de charge. Suivant les conditions initiales du procédé, il fournit donc des données cinétiques d'entrée au module de déplacement du substrat. Le modèle de gravure décrit les principaux mécanismes de surface produits par les espèces réactives (atomes de fluor et d'oxygène, dont le flux est supposé isotrope) et le bombardement ionique. Il introduit l'adsorption/désorption, la gravure chimique spontanée, la pulvérisation préférentielle, la réflexion isotrope ou spéculaire des particules, le redépôt des produits de gravure et la croissance de la couche de passivation. Utilisé comme outil d'analyse et de recherche prédictive, ce modèle a permis de montrer l'incidence de certains paramètres dans la croissance de défauts de gravure. Ainsi, la réflexion des ions sur les flancs inclinés du masque constitue l'une des causes de formation du bowing (sur-gravure latérale). L'intensité de l'undercut (gravure sous masque) dépend étroitement des propriétés du flux de neutres et de sa réactivité avec le substrat. Par comparaison avec l'expérience, il apparaît que le redépôt, responsable de la rugosité et du rétrécissement des motifs, est peu important. Enfin, le simulateur révèle une forte corrélation entre le régime de passivation et les cinétiques de gravure.

Download or read book Analyse des processus de d rive lors de la gravure profonde du silicium dans des plasmas SF6 et C4F8 written by Mathieu Fradet and published by . This book was released on 2014 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'objectif de ce mémoire de maîtrise est de développer des outils de diagnostics non-invasifs et de caractériser in-situ les dérives de procédé dans un réacteur industriel utilisé en production pour la gravure profonde du silicium par le procédé Bosch. Ce dernier repose sur l'alternance d'un plasma de SF6 pour la gravure isotrope du Si et d'un plasma de C4F8 pour la passivation des parois dans l'optique d'obtenir des tranchées profondes et étroites. Dans un premier temps, nous avons installé une sonde courant-tension sur la ligne de transmission du signal rf au porte-substrat pour l'étude de son impédance caractéristique et un spectromètre optique pour l'étude de l'émission optique du plasma. Nos travaux ont montré que l'évolution temporelle de l'impédance constitue un excellent moyen pour identifier des changements dans la dynamique du procédé, notamment une gravure complète de la photorésine. De plus, à partir des spectres d'émission, nous avons pu montrer que des produits carbonés sont libérés du substrat et des parois lors de l'alternance passivation/gravure et que ceux-ci modifient considérablement la concentration de fluor atomique dans le plasma. Dans un second temps, nous avons développé un réacteur à « substrat-tournant » pour l'analyse in-situ des interactions plasma-parois dans le procédé Bosch. Nos travaux sur ce réacteur visaient à caractériser par spectrométrie de masse l'évolution temporelle des populations de neutres réactifs et d'ions positifs. Dans les conditions opératoires étudiées, le SF6 se dissocie à près de 45% alors que le degré de dissociation du C4F8 atteint 70%. Le SF6 est avant tout dissocié en F et SF3 et l'ion dominant est le SF3+ alors que le C4F8 est fragmenté en CF, CF3 et CF4 et nous mesurons plusieurs ions significatifs. Dans les deux cas, la chaîne de dissociation demeure loin d'être complète. Nous avons noté une désorption importante des parois de CF4 lors du passage du cycle de passivation au cycle de gravure. Un modèle d'interactions plasmas-parois est proposé pour expliquer cette observation.

Download or read book ETUDE DE LA GRAVURE PROFONDE DU SILICIUM DANS UN REACTEUR HAUTE DENSITE MICRO ONDE DE TYPE PROPAGATIF written by MIREILLE.. FRANCOU and published by . This book was released on 1995 with total page 230 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS LE DOMAINE DES MICROTECHNOLOGIES, LA REALISATION DE MICROCAPTEURS NECESSITE LA MAITRISE DE PROCEDES D'USINAGE EN VOLUME DU SILICIUM. LA GRAVURE HUMIDE, COURAMMENT UTILISEE CONNAIT AUJOURD'HUI DES LIMITATIONS DUES PRINCIPALEMENT A LA DIFFICULTE DE REALISATION DE GEOMETRIES PARTICULIERES. LA GRAVURE PAR PLASMA S'AVERE DONC INTERESSANTE POUR OUTREPASSER CES LIMITATIONS, CAR ELLE DEVRAIT PERMETTRE UNE PLUS GRANDE LIBERTE QUAND AUX GEOMETRIES OBTENUES. LES RECHERCHES ENTREPRISES EN GRAVURE SECHE ONT PORTE ESSENTIELLEMENT SUR L'OPTIMISATION DE PROCEDES POUR DES APPLICATIONS MICRO-ELECTRONIQUES. POUR UNE APPLICATION MICROTECHNOLOGIQUE, CELA SUPPOSE LA MISE AU POINT DE PROCEDE DE GRAVURE PROFONDE SUPERIEURE A 10 MICRONS. LE TRAVAIL PRESENTE ICI PORTE SUR LA MISE AU POINT D'UN PROCEDE DE GRAVURE PROFONDE DU SILICIUM PAR PLASMA, EN ASSOCIANT L'ACTION D'UNE CHIMIE NON POLYMERISANTE (SF#6, AR, O#2) CONDUISANT A LA FORMATION D'UNE COUCHE BLOQUANTE SUR LES FLANCS DES TRANCHEES, A UN REFROIDISSEMENT A BASSE TEMPERATURE DU SUBSTRAT. L'ETUDE A ETE REALISEE DANS UN REACTEUR SURFAGUIDE HAUTE DENSITE PERMETTANT DE DISSOCIER LA FONCTION DE CREATION DE LA DECHARGE DE LA FONCTION D'ACCELERATION DES ESPECES IONISEES. LE SUBSTRAT EST MAINTENU PAR CLAMPAGE MECANIQUE AVEC INJECTION D'HELIUM EN FACE ARRIERE ET REFROIDI PAR AZOTE LIQUIDE. DANS UNE PREMIERE PARTIE, L'ETUDE PARAMETRIQUE A CONDUIT A LA MISE AU POINT D'UN PROCEDE DE GRAVURE ANISOTROPE. ELLE A MIS EN EVIDENCE QUE LES DEUX PARAMETRES DETERMINANTS ETAIENT LA TEMPERATURE DU SUBSTRAT ET LA CONCENTRATION EN OXYGENE. UNE DEUXIEME PARTIE A ETE CONSACREE AU CHOIX D'UN PROCEDE DE GRAVURE RESULTANT DE L'ETUDE PARAMETRIQUE ET DE SON OPTIMISATION A DES PROFONDEURS SUPERIEURES A 20 MICRONS. A TRAVERS CETTE ETUDE, NOUS NOUS SOMMES INTERESSES AUX LIMITES DU PROCEDE TELLES QUE LA PROFONDEUR DE SATURATION, LA DEGRADATION DES MOTIFS ET LES RUGOSITES DE SURFACE

Download or read book Gravure profonde du silicium par le proc d cryog nique written by Thomas Tillocher and published by . This book was released on 2006 with total page 235 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: En microélectronique de puissance, l'intégration des composants peut être optimisée en reportant une partie des fonctions en face arrière du substrat de silicium. Ces dernières sont interconnectées par des vias qui peuvent être réalisés par gravure plasma. L'objectif de ce travail de thèse a consisté à graver, par le procédé cryogénique, des trous de 20 μm traversant de part en part le substrat de silicium sur une épaisseur de 400 μm. Nous avons optimisé les paramètres procédé, tels que les débits de gaz, la puissance source et la tension d'autopolarisation, en nous appuyant sur des diagnostics plasma. Ces expériences ont permis également d'étudier les mécanismes réactionnels dans le plasma de gravure ainsi que l'interaction de ce dernier avec la surface en silicium. Nous avons mis en évidence, par spectrométrie de masse, l'existence d'un seuil d'oxydation en fonction du pourcentage d'oxygène sur des substrats de silicium non masqués. Il est caractéristique d'un régime de passivation et se manifeste par une forte diminution de la vitesse de gravure. Ce résultat permet d'interpréter les mécanismes de gravure de profils anisotropes. Nous avons, par ailleurs, caractérisé le procédé de gravure des trous en fonction de certains paramètres, notamment la température du substrat. Nous avons pu montrer que le point de procédé y était très sensible. Un porte-substrat homogène en température est donc requis requis pour s'affranchir des non-uniformités de gravure. L'uniformité en température a pu être mise en évidence par une nouvelle technique reposant sur les zones d'apparition du silicium noir (microstructures colonnaires). Malgré ses performances attrayantes (vitesse de gravure moyenne de 7 μm.min-1), le procédé souffre d'un manque de robustesse et est à l'origine d'une gravure sous masque et d'un bombage latéral des parois importants. Nous avons mis au point deux nouveaux procédés, qui ont fait l'objet d'un dépôt de brevet. Ils permettent de réduire les défauts de gravure et de rendre le procédé plus robuste en température.

Download or read book Gravure du silicium et du polyimide dans des plasmas base de CF4 SF6 et O2 written by Michel Rapeaux and published by . This book was released on 1982 with total page 134 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book ETUDE DE LA GRAVURE DU CARBURE DE SILICIUM APPLICATION A LA REALISATION DE COMPOSANTS DE PUISSANCE written by FREDERIC.. LANOIS and published by . This book was released on 1997 with total page 223 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: EN ELECTRONIQUE, EN GENERAL, ET EN ELECTRONIQUE DE PUISSANCE, EN PARTICULIER, LES COMPOSANTS A BASE DE SILICIUM COMMENCENT A MONTRER DES LIMITES DIRECTEMENT IMPUTABLES AU MATERIAU. AVEC SES EXCELLENTES PROPRIETES PHYSIQUES, LE CARBURE DE SILICIUM (SIC) EST POTENTIELLEMENT UN CONCURRENT SERIEUX DU SILICIUM. LES RECENTS DEVELOPPEMENTS, EN CE QUI CONCERNE LA CROISSANCE DE CE MATERIAU, FONT DE LA FABRICATION DE DISPOSITIFS DE PUISSANCE EN SIC UN OBJECTIF A MOYEN TERME. DANS CE CADRE, LA MISE AU POINT D'UN PROCEDE DE GRAVURE EST IMPORTANTE PUISQU'ELLE INTERVIENT DANS LA REALISATION DE PROTECTIONS PERIPHERIQUES (MESA) ET DE CERTAINS COMPOSANTS (MOSFET EN TRANCHEE). LA GRAVURE A ETE REALISEE DANS UN REACTEUR DECR DANS UN MELANGE GAZEUX A BASE DE SF#6 ET D'O#2. UNE ETUDE PARAMETRIQUE A D'ABORD PERMIS LA DETERMINATION DES GRANDEURS PLASMA PERTINENTES : LA CONCENTRATION EN FLUOR ET LE BOMBARDEMENT IONIQUE. LE DEVELOPPEMENT D'UN MODELE PROPOSE DANS LA LITTERATURE A PERMIS D'ABOUTIR A UNE EXPRESSION MATHEMATIQUE DE LA VITESSE DE GRAVURE. LES PREDICTIONS DE CE MODELE ONT ETE CONFRONTEES AVEC LES RESULTATS EXPERIMENTAUX. LES SURFACES DE GRAVURE ONT ENSUITE ETE ETUDIEES D'UN POINT DE VUE MORPHOLOGIQUE, CHIMIQUE, ET ELECTRIQUE. LA RUGOSITE DES SURFACES AVANT ET APRES GRAVURE ONT ETE COMPAREES . UN PROCEDE DE CONTROLE DE LA PENTE DE LA GRAVURE A ETE MIS AU POINT. DES ANALYSES XPS ONT PERMIS DE COMPARER LES COMPOSITIONS CHIMIQUES DE LA SURFACE, AVANT ET APRES GRAVURE, POUR DEUX TYPES DE PLASMA (SF#6 PUR ET SF#6/O#2). ENFIN, DES CONDENSATEURS MOS ONT PERMIS DE CARACTERISER ELECTRIQUEMENT L'EFFET DE LA GRAVURE SUR LES SURFACES PLANES ET SUR LES FLANCS. LA SIMULATION ET LA REALISATION DE DIODES BIPOLAIRES PROTEGEES PAR MESA FONT L'OBJET DU DERNIER CHAPITRE. LES SIMULATIONS ELECTRIQUES DES COMPOSANTS ONT ETE REALISEES AVEC LES LOGICIELS TSUPREM4 ET MEDICI DE LA SOCIETE TMA. LA PROFONDEUR ET L'ANGLE DE LA GRAVURE ONT AINSI PU ETRE OPTIMISES. LES TENUES EN TENSION OBSERVEES SUR LES DIODES AINSI REALISEES ET LES SIMULATIONS ONT ETE COMPAREES. L'ORIGINE DES ECARTS A ETE DISCUTE AU MOYEN D'OBSERVATIONS AU MEB ET DE MESURES ELECTRIQUES.

Download or read book Simulation multi chelle de la gravure profonde du silicium par proc d Bosch written by Amand Pateau and published by . This book was released on 2015 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette étude porte sur le développement d'une approche multi-échelle pour la simulation de la gravure profonde du silicium par procédé Bosch. Ce travail a été effectué dans le cadre d'un contrat CIFRE entre l'Institut des Matériaux Jean Rouxel et STMicroelectronics Tours. Cette approche multi-échelle est composée de trois modules permettant d'étudier l'évolution spatio-temporelle du profil gravé. Le premier module comporte le modèle cinétique de la décharge plasma. Il permet le calcul des densités et flux d'espèces prises en compte dans le schéma réactionnel. Ce modèle a été appliqué séparément aux mélanges SF6/O2/Ar et C4F8. Le deuxième module basé sur la technique Monte-Carlo permet le calcul des fonctions de distribution angulaires et énergétiques des ions traversant la gaine. Les différents flux d'espèces chimiquement actives et les fonctions de distribution calculés par ces deux modules sont ensuite injectés, comme paramètres d'entrée, dans le module de gravure. Ce dernier est basé sur une approche Monte-Carlo cellulaire qui permet de décrire l'évolution spatio-temporelle des profils gravés, leur composition chimique à la surface ainsi que la vitesse de gravure. Une telle approche est bien adaptée à la prédiction des profils de gravure profonde du silicium sous un procédé Bosch en fonction des paramètres " machine ". L'influence des paramètres " machine " sur le comportement cinétique du plasma, la dynamique de la gaine et l'évolution des profils a été étudiée. Les comparaisons des résultats issus du modèle cinétique et ceux de l'expérience montrent un accord satisfaisant. D'autre part, les profils simulés sont prometteurs avant la calibration du modèle de gravure.

Download or read book CVD of Compound Semiconductors written by Anthony C. Jones and published by John Wiley & Sons. This book was released on 2008-11-20 with total page 352 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Chemical growth methods of electronic materials are the keystone of microelectronic device processing. This book discusses the applications of metalorganic chemistry for the vapor phase deposition of compound semiconductors. Vapor phase methods used for semiconductor deposition and the materials properties that make the organometallic precursors useful in the electronics industry are discussed for a variety of materials. Topics included: * techniques for compound semiconductor growth * metalorganic precursors for III-V MOVPE * metalorganic precursors for II-VI MOVPE * single-source precursors * chemical beam epitaxy * atomic layer epitaxy Several useful appendixes and a critically selected, up-to-date list of references round off this practical handbook for materials scientists, solid-state and organometallic chemists, and engineers.