Download or read book Films de diamant monocristallin dop s au bore pour des applications en lectronique de puissance written by Cyrille Barbay and published by . This book was released on 2018 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'objectif de cette thèse porte sur la synthèse du diamant monocristallin dopé au bore par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma micro-onde (MPCVD). Ces couches épitaxiées jouent le rôle de couches actives dans des composants pour l'électronique de puissance. Ces travaux s'inscrivent dans le cadre du projet Européen H2020 Greendiamond. Durant cette thèse, un traitement de gravure des défauts surfaciques des substrats de diamant HPHT par plasma Ar/O2 a été mis au point. L'efficacité de ce traitement a été validée par diffraction des rayons X à haute résolution, spectroscopie Raman et cathodoluminescence. Cette étape s'est révélée essentielle pour l'amélioration des propriétés de transport de couches de diamant dopées au bore pour les applications en électronique.L'optimisation des conditions de croissance de couches de diamant faiblement dopées au bore (

Download or read book Elaboration de films pais de diamant monocristallin dop au bore par MPAVCD pour la r alisation de substrats de diamant P written by Riadh Issaoui and published by . This book was released on 2011 with total page 180 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L’objectif principal de ce travail de thèse est la synthèse de films épais (>100 μm) de dia-mant monocristallin fortement dopés au bore permettant la fabrication de substrats de diamant et le développement de composants verticaux pour des applications en électronique de puissance. Dans un premier temps, l’effet des différents paramètres de croissance a été étudié. Il a ainsi été mis en évidence l’existence d’une fenêtre de DPMO (caractérisée par le couple pression/puissance) qui permet d’assurer un bon compromis entre qualité, vitesse de croissance et efficacité de dopage per-mettant la croissance de films de plusieurs centaines de micromètres. Ensuite, afin d’assurer un bon contrôle de la morphologie finale des cristaux, un modèle de croissance géométrique 3D développé au laboratoire, associé à des expériences de croissance dans un plasma H2/CH4/B2H6 a permis de montrer que les conditions déterminées précédemment entrainaient systématiquement l’apparition de faces indésirables (110) conduisant à la rupture du cristal. L’ajout de faibles quantités d’oxygène dans la décharge a permis d’interdire la formation de ces faces indésirables et de conserver l’intégrité du cristal, condition indispensable pour le développement de substrats permettant la réali-sation de composants électroniques verticaux. Enfin, des substrats CVD à différentes concentration ont été fabriqués et caractérisés par SIMS, FTIR, spectroscopie Raman et diffraction des rayons X haute résolution. Cette étude a ainsi montré l’excellente qualité cristalline des films réalisés y com-pris pour les dopages les plus élevés (>1020 cm-3 en bore). Des mesures de résistivité électriques ont par ailleurs montré que les substrats les plus dopés présentent des résistances suffisamment fai-bles pour être utilisés comme substrat pour des composants en électronique de puissance.