Download or read book ETUDES STRUCTURALES DU SILICIUM POREUX PAR TECHNIQUES DE RAYONS X written by VIRGINIE.. CHAMARD and published by . This book was released on 2000 with total page 198 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJECTIF DE CETTE THESE EST D'ETUDIER LA STRUCTURE DU SILICIUM POREUX (SP) PAR DES TECHNIQUES DE RAYONS X POUR COMPRENDRE LES MECANISMES DE FORMATION. L'ECHELLE NANOMETRIQUE DE LA STRUCTURE POREUSE NECESSITE DES MOYENS D'INVESTIGATION NON DESTRUCTIFS ET SENSIBLES A CETTE ECHELLE. DE PLUS, LE CARACTERE CRISTALLIN CONNU DANS LE CAS DU TYPE P, CONDUIT NATURELLEMENT A L'UTILISATION DE LA DIFFRACTION DES RAYONS X POUR TOUS TYPES DE SP. AINSI, NOUS AVONS SUIVI IN SITU LES DEFORMATIONS PENDANT LA FORMATION ET LA DISSOLUTION CHIMIQUE DU SP. POUR LE TYPE N, L'ETUDE SYSTEMATIQUE EN FONCTION DU TEMPS DE FORMATION, PAR DIFFRACTION ET REFLECTIVITE DE RAYONS X, COMPLETEE PAR DES MESURES DIRECTES, MONTRE DEUX TYPES DE MATERIAUX : FABRIQUE DANS L'OBSCURITE, LA STRUCTURE DU SP EST CONTINUE MAIS NON HOMOGENE EN PROFONDEUR ET LA FORMATION PRESENTE TROIS PHASES DISTINCTES DANS LE TEMPS. FABRIQUE SOUS ILLUMINATION, LA STRUCTURE, STRATIFIEE, SE COMPOSE D'UN CRATERE AU DESSUS DE COUCHES NANOPOREUSE ET MACROPOREUSE. LA DIFFUSION DES RAYONS X EST ENSUITE UTILISEE POUR LA CARACTERISATION STRUCTURALE DES DIVERS TYPES DE SP. LES REFLECTIVITES SPECULAIRE ET HORS SPECULAIRE PERMETTENT L'ETUDE DES INTERFACES DE LA COUCHE. POUR LE FRONT D'ATTAQUE DU TYPE P, LES MESURES SONT COMPAREES AU PROFIL DE LA SURFACE OBTENU DIRECTEMENT PAR MICROSCOPIE A FORCE ATOMIQUE ET PROFILOMETRIE. DEUX ECHELLES DE STRUCTURE APPARAISSENT : UNE ECHELLE MESOMETRIQUE OU L'INTERFACE N'EVOLUE PAS AVEC LE TEMPS D'ATTAQUE, POUR UNE LONGUEUR DE CORRELATION AUTOUR DE 100 NM ET UNE ECHELLE MACROSCOPIQUE OU DES DEFAUTS APPARAISSENT EN COURS D'ATTAQUE POUR UNE LONGUEUR DE CORRELATION POUVANT ATTEINDRE 600 NM. FINALEMENT, LA DIFFUSION DES RAYONS X EN INCIDENCE RASANTE MESUREE HORS DU PLAN CONDUIT A UNE TAILLE DE PARTICULE DE QUELQUES NANOMETRES DE DIAMETRE, ET UNE FORTE CORRELATION DANS LE PLAN DE LA SURFACE EST SYSTEMATIQUEMENT OBSERVEE. LA TRANSITION ENTRE DIFFUSION DE SURFACE ET DE VOLUME EST EGALEMENT MISE EN EVIDENCE.

Download or read book ETUDE STRUCTURALE DU SILICIUM POREUX DE TYPE P PAR DIFFRACTION HAUTE RESOLUTION DES RAYONS X written by DENIS.. BUTTARD and published by . This book was released on 1997 with total page 193 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA PREMIERE PARTIE DE CE TRAVAIL A ETE CONSACREE A L'ETUDE, PAR DIFFRACTION DES RAYONS X, DES DEFORMATIONS ENGENDREES PAR DES EFFETS DE SURFACE. NOUS AVONS NOTAMMENT MIS EN EVIDENCE, GRACE A DES MESURES IN SITU SOUS ULTRA VIDE, QUE LA DILATATION QUI EXISTE POUR UN ECHANTILLON FRAICHEMENT PREPARE EST DUE AUX LIAISONS SI-H#X PRESENTES A LA SURFACE DES CRISTALLITES DE SILICIUM. NOUS AVONS D'AUTRE PART ETUDIE LA PASSIVATION DU SILICIUM POREUX PAR OXYDATION DES CRISTALLITES DE SILICIUM QUI SE TRADUIT PAR UNE DILATATION SUPPLEMENTAIRE A LA DILATATION ORIGINELLE DU PARAMETRE DE MAILLE CRISTALLIN. LE REMPLISSAGE DES PORES PAR UN DEPOT DE GERMANIUM A ENFIN ETE ETUDIE, MONTRANT UNE EPITAXIE DU GERMANIUM JUSQU'AU FOND DES PORES. LA DEUXIEME PARTIE DE CE TRAVAIL DE THESE PRESENTE LES MESURES DE DIFFUSION DIFFUSE AUX PIEDS DES PICS DE BRAGG, ET LES INFORMATIONS STRUCTURALES QUI EN RESULTENT, POUR DES ECHANTILLONS FRAICHEMENT PREPARES. POURLES COUCHES DE TYPE P#-, LES CRISTALLITES SONT ISOTROPES AVEC UN DIAMETRE DE L'ORDRE DE 3 NM. LES COUCHES DE TYPE P#+ SE PRESENTENT DE MANIERE DIFFERENTE AVEC DES CRISTALLITES ANISOTROPES DE 10 NM DIAMETRE. UNE CONTRIBUTION ISOTROPE PEU INTENSE ANALOGUE AU P#- EST AUSSI PRESENTE, CE QUI SUGGERE LA PRESENCE DE PETITS OBJETS EGALEMENT DANS LE P#+. LA DERNIERE PARTIE DE CE TRAVAIL REGROUPE L'ETUDE DES COUCHES MINCES ET DES SUPER-RESEAUX DE SILICIUM POREUX, PAR DIFFRACTION ET REFLECTIVITE DES RAYONS X. UNE ANALYSE QUANTITATIVE DES DONNEES A ETE REALISEE SYSTEMATIQUEMENT PAR SIMULATION NUMERIQUE. LES COUCHES MINCES SONT DE BONNE QUALITE BIEN CRISTALLINES ET LA RUGOSITE DES INTERFACES RESTE FAIBLE. UN RESULTAT IMPORTANT EST L'EXISTENCE D'UNE COUCHE DE TRANSITION DE 10-20 NM A L'INTERFACE POREUX/MASSIF, AINSI QUE LA PRESENCE D'UN FILM DE SURFACE DE FAIBLE POROSITE DANS LE CAS DU MATERIAU DE TYPE P#+. L'ANALYSE DES SUPER-RESEAUX DEMONTRE LEUR BONNE QUALITE, QUI SE MANIFESTE PAR LA PRESENCE DE PICS SATELLITES TRES FINS ASSOCIE A LA SUPER-STRUCTURE. LE CHANGEMENT DE POROSITE ENTRE LES COUCHES S'ETALE ICI ENCORE SUR UNE ZONE DE TRANSITION DE L'ORDRE DE 14 NM.

Download or read book Etude structurale du silicium poreux de type p par diffraction haute r solution des rayons X written by Denis Buttard (auteur en physique de la matière).) and published by . This book was released on 1997 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La premiere partie de ce travail a ete consacree a l'etude, par diffraction des rayons x, des deformations engendrees par des effets de surface. Nous avons notamment mis en evidence, grace a des mesures in situ sous ultra vide, que la dilatation qui existe pour un echantillon fraichement prepare est due aux liaisons si-h#x presentes a la surface des cristallites de silicium. Nous avons d'autre part etudie la passivation du silicium poreux par oxydation des cristallites de silicium qui se traduit par une dilatation supplementaire a la dilatation originelle du parametre de maille cristallin. Le remplissage des pores par un depot de germanium a enfin ete etudie, montrant une epitaxie du germanium jusqu'au fond des pores. La deuxieme partie de ce travail de these presente les mesures de diffusion diffuse aux pieds des pics de bragg, et les informations structurales qui en resultent, pour des echantillons fraichement prepares. Pourles couches de type p#-, les cristallites sont isotropes avec un diametre de l'ordre de 3 nm. Les couches de type p#+ se presentent de maniere differente avec des cristallites anisotropes de 10 nm diametre. Une contribution isotrope peu intense analogue au p#- est aussi presente, ce qui suggere la presence de petits objets egalement dans le p#+. La derniere partie de ce travail regroupe l'etude des couches minces et des super-reseaux de silicium poreux, par diffraction et reflectivite des rayons x. Une analyse quantitative des donnees a ete realisee systematiquement par simulation numerique. Les couches minces sont de bonne qualite bien cristallines et la rugosite des interfaces reste faible. Un resultat important est l'existence d'une couche de transition de 10-20 nm a l'interface poreux/massif, ainsi que la presence d'un film de surface de faible porosite dans le cas du materiau de type p#+. L'analyse des super-reseaux demontre leur bonne qualite, qui se manifeste par la presence de pics satellites tres fins associe a la super-structure. Le changement de porosite entre les couches s'etale ici encore sur une zone de transition de l'ordre de 14 nm

Download or read book ETUDE DES TRANSITIONS DE PHASES DE FLUIDES CONFINES DANS LE SILICIUM POREUX written by CENDRINE.. FAIVRE and published by . This book was released on 1998 with total page 237 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA PROPRIETE ORIGINALE DU SILICIUM POREUX D'ETRE A LA FOIS NANOPOREUX ET MONOCRISTALLIN NOUS A PERMIS D'OBTENIR DES INFORMATIONS NOUVELLES EN UTILISANT LA DIFFRACTION DES RAYONS X. LES RESULTATS CONCERNENT L'ETUDE STRUCTURALE DES COUCHES DE TYPE P#+ FORMEES SUR UN SUBSTRAT ORIENTE (111), LA MESURE DU COEFFICIENT DE DILATATION THERMIQUE DU SILICIUM POREUX ET LES DEFORMATIONS INDUITES PAR LA PRESENCE DE CDS DANS LES PORES. LA DEUXIEME MOTIVATION DE CETTE THESE CONCERNAIT L'ETUDE PLUS FONDAMENTALE DES CHANGEMENTS DE PHASES DE FLUIDES CONFINES DANS LE SILICIUM POREUX. DU POINT DE VUE DU FLUIDE, LA CALORIMETRIE DIFFERENTIELLE A ETE UTILISEE POUR MESURER LES DECALAGES EN TEMPERATURE DES TRANSITIONS DE PHASES, LIES AUX EFFETS DE CONFINEMENT. UN MODELE DECRIVANT LES MECANISMES THERMODYNAMIQUES DE LA TRANSITION CONFINEE ET TENANT COMPTE DE LA GEOMETRIE DES PORES, A PERMIS DE BIEN DECRIRE LES RESULTATS EXPERIMENTAUX ET DE DEDUIRE LA DISTRIBUTION DE TAILLES DES PORES. CE TRAVAIL A PU ETRE APPLIQUE A DIFFERENTS EFFETS TELS QUE LA DISSOLUTION CHIMIQUE OU L'HOMOGENEITE DES COUCHES. DU POINT DE VUE DE LA MATRICE POREUSE, LES DEFORMATIONS INDUITES PAR LES TRANSITIONS LIQUIDE-VAPEUR ET SOLIDE-LIQUIDE DU FLUIDE CONFINE ONT ETE MESUREES IN SITU PAR DIFFRACTION DES RAYONS X. DANS LE CAS DE L'ADSORPTION, LA VALEUR DE LA PRESSION DE VAPEUR CORRESPONDANT A UNE AMPLITUDE DE DEFORMATION MAXIMALE A ETE MESUREE ET RELIEE A LA TAILLE DES PORES PAR L'EQUATION DE KELVIN. EN CONSIDERANT LES PROPRIETES ELASTIQUES DU SILICIUM POREUX, LES CONTRAINTES CAPILLAIRES INDUITES PAR LA PRESENCE DE MENISQUES DANS LES PORES ONT ETE ESTIMEES LORS DE L'EVAPORATION, ET LES RESULTATS ONT PU ETRE APPLIQUES AU PROBLEME DU SECHAGE DE COUCHES TRES POREUSES. D'AUTRE PART, LA CONSTRUCTION AU COURS DE MA THESE D'UN NOUVEAU DIFFRACTOMETRE A PERMIS DE MESURER IN SITU DES DEFORMATIONS DE LA COUCHE POREUSE LORS DE LA SOLIDIFICATION DU FLUIDE ORGANIQUE AU SEIN DES PORES, LIEES A L'EXISTENCE DE CONTRAINTES CAPILLAIRES.

Download or read book Etudes de couches minces par diffraction et fluorescence des rayons X en incidence tr s rasante written by Abdelmounim Bensaid and published by . This book was released on 1988 with total page 134 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'utilisation d'un faisceau RX en incidence très rasante permet d'éviter les effets dus au support. Application a la caractérisation de couches de si poreux. Au cours de cette étude : détermination de la densité en surface des couches, mise en évidence de la présence de pores et détermination de leur taille, étude de l'influence de ces pores sur le paramètre cristallin. L'étude de l'épitaxie si/corindon a montré la possibilité d'utiliser les RX en incidence rasante pour le trace de profils de densité en profondeur et pour l'étude des variations structurales à l'interface

Download or read book Caract risation par diffusion centrale des rayons x du silicium poreux written by Vincent Vezin and published by . This book was released on 1991 with total page 94 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS AVONS UTILISE LA DIFFUSION CENTRALE DES RAYONS X POUR ETUDIER LA MICROSTRUCTURE DE FILMS DE SILICIUM POREUX OBTENUS PAR ATTAQUE ELECTROCHIMIQUE DE WAFERS DE SILICIUM. EN RAISON DE SES POTENTIALITES DANS LE DOMAINE DE L'ISOLATION DES CIRCUITS INTEGRES, LE SILICIUM POREUX A ETE L'OBJET D'UN NOMBRE APPRECIABLE D'ETUDES DURANT LA DECENNIE 80. CEPENDANT UN CERTAIN NOMBRE DE PARAMETRES STRUCTURAUX RESTAIENT INDETERMINES. NOTRE ETUDE A PORTE SUR DES ECHANTILLONS REALISES SUR DES WAFERS DOPES P, DEGENERES ET NON DEGENERES. LES ECHANTILLONS FORTEMENT DOPES SONT CONSTITUES DE PORES ALLONGES, PERPENDICULAIRES A LA SURFACE DU WAFER. L'EMPLOI D'UN DETECTEUR BIDIMENSIONNEL AU L.U.R.E. NOUS A PERMIS D'OBSERVER L'EVOLUTION DU SPECTRE DE DIFFUSION EN FONCTION DE L'ANGLE D'INCLINAISON DE L'ECHANTILLON PAR RAPPORT AU FAISCEAU X INCIDENT. NOUS AVONS COMPARE LES RESULTATS EXPERIMENTAUX AVEC UN MODELE SIMPLE DE PORES CYLINDRIQUES. LES ECHANTILLONS FAIBLEMENT DOPES ETUDIES ONT DES POROSITES S'ECHELONNANT ENTRE 55 ET 85 POURCENT. NOUS AVONS PU DEGAGER QUELQUES ELEMENTS CONCERNANT LEUR STRUCTURE: CES ECHANTILLONS SONT ISOTROPES, ON OBSERVE UN ARRANGEMENT VIDE-MATIERE RELATIVEMENT ORDONNE ET CE D'AUTANT PLUS QUE LA POROSITE EST FAIBLE, LE MATERIAU CONSIDERE A UNE ECHELLE GRANDE DEVANT LA TAILLE DES PORES N'EST PAS HOMOGENE. DES PROPRIETES DE PHOTOLUMINESCENCE DANS LE DOMAINE DU VISIBLE ONT ETE RECEMMENT DECOUVERTES POUR LES ECHANTILLONS DE POROSITE SUPERIEURE A 80 POUR CENT. UNE ANALYSE EN TERME DE LONGUEURS DE CORDE PERMET D'ACCREDITER LA THESE SELON LAQUELLE CETTE PROPRIETE SERAIT DUE A UN EFFET DE TAILLE DU SQUELETTE DE SILICIUM

Download or read book Silicium poreux written by and published by Presses Academiques Francophones. This book was released on 2021-02-15 with total page 104 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'étude du silicium poreux a connu un regain d'intérêt spectaculaire depuis sa découverte, en 1990, à cause de la possibilité de ce matériau d'émettre efficacement de la lumière visible à température ambiante, cette découverte a relancé l'ensemble des recherches sur ce matériau pourtant connu depuis plus de 70ans. Dans ce livre, on a préparé le silicium poreux par la technique d'électrodéposition et on a pu d'obtenir les différentes morphologies du silicium poreux (macro, méso et nano poreux), le mécanisme de la formation est bien expliqué, tout d'abord on a exposé une étude bibliographique de la fabrication du silicium poreux par la technique d'électrochimie, en décrivant les mécanismes et les paramètres qui gèrent le phénomène de formation des pores et les propriétés des couches poreuses, puis on a décrit les conditions expérimentales et techniques d'électrodéposition utilisées: Voltampérometrie, chronopotentiomertie et chronoamprometrie ainsi que les techniques de caractérisation: DRX, MEB et Spectroscopie (UV- Visible et FTIR). Enfin, on a analysé et interprété les résultats de caractérisation obtenus de nos échantillons pour les différentes morphologies de Si poreux.

Download or read book Caract ristion par diffusion centrale des rayons X du silicium poreux written by Vincent Vezin and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book ETUDE STRUCTURALE DES INTERFACES SILICIURE SILICIUM 111 ET D UNE SURFACE VICINALE DE SILICIUM 001 written by ANN.. WALDHAUER and published by . This book was released on 1993 with total page 133 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA STRUCTURE ATOMIQUE DE SURFACES ET INTERFACES DE SILICIUM A ETE ETUDIEE PAR LA DIFFRACTION DES RAYONS X. ON RAPPELLE LA TECHNIQUE ET LES PRINCIPES DE LA DIFFRACTION SOUS INCIDENCE RASANTE ET AINSI QUE L'APPLICATION DE L'EFFET DE LA DISPERSION ANOMALE. DEUX THEMES ONT ETE EXAMINES: LES INTERFACES DE SILICIURES DE METAUX DE TRANSITION SUR SILICIUM (111), ET LA SURFACE VICINALE DE SILICIUM (001). TOUT D'ABORD, LA FAISABILITE DE L'APPLICATION DE L'EFFET DE DIFFUSION ANOMALE A LA DIFFRACTION DE SURFACE A ETE DEMONTREE PAR L'ETUDE D'UNE DEMI-MONOCOUCHE DE COBALT DEPOSEE SUR DU SILICIUM PROUVANT LA PARTICIPATION DU COBALT A LA RECONSTRUCTION 7X7. LES RESULTATS OBTENUS SUR L'INTERFACE ENTRE LE DISILICIURE DE FER BETA ET LE SILICIUM MONTRENT D'UNE PART SON ANALOGIE AVEC UNE INTERFACE DE TYPE FLUORITE B, ET D'AUTRE PART L'EXISTENCE DE FAUTES D'EMPILEMENT A L'ORIGINE DES DEUX ORIENTATIONS D'EPITAXIE SIMULTANEMENT PRESENTES. DES ECHANTILLONS RECUITS DE DEPOTS ULTRA MINCES DU FER SUR SILICIUM PRESENTENT UNE RECONSTRUCTION 2X2 DONT L'ETUDE PAR DIFFRACTION X CONDUIT A UN MODELE COMPRENANT UNE COUCHE MIXTE DE FER ET SILICIUM ET DES ADATOMES DE SILICIUM, TOUS DEUX AVEC UNE SYMETRIE 2X2. DES COUCHES PLUS EPAISSES PRESENTENT UNE STRUCTURE DERIVEE DE LA PHASE ALPHA DU DISILICIURE DE FER, QUI N'EXISTE NORMALEMENT QU'AU-DESSUS DE 930C. ENFIN LA SURFACE (1 1 21) DU SILICIUM A ETE CARACTERISEE A LA TEMPERATURE AMBIANTE PAR DES MESURES SOUS INCIDENCE RASANTE. AFIN D'EXPLIQUER LES DEDOUBLEMENTS DES RAIES ET LES PICS SATELLITES, UN FORMALISME COMPRENANT DEUX TYPES DE TERRASSES SEPARES PAR DES MARCHES DOUBLES ET SIMPLES A ETE DEVELOPPE. L'EVOLUTION EN TEMPERATURE DE LA PROPORTION DE LA SURFACE RECOUVERTE DU TYPE DE TERRASSE MINORITAIRE EST DISCUTEE. LE SUBSTRAT MONODOMAINE A ETE UTILISE POUR CARACTERISER L'EFFET D'UN DEPOT D'ARSENIC

Download or read book Contribution l tude de structures silicium sur isolant obtenues partir de silicium poreux written by Catherine Oules-Chaton and published by . This book was released on 1991 with total page 128 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES STRUCTURES SILICIUM SUR ISOLANT (SOI) PEUVENT ETRE OBTENUES PAR FORMATION ET OXYDATION DE COUCHES DE SILICIUM POREUX. LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE CONTRIBUE A AMELIORER LA QUALITE DES STRUCTURES OBTENUES PAR LES DEUX VOIES TECHNOLOGIQUES EXISTANTES: L'EPITAXIE DE SILICIUM SUR SILICIUM POREUX ET LA FORMATION DE COUCHES ENTERREES DE SILICIUM POREUX. DES EPITAXIES DE SILICIUM ONT ETE REALISEES PAR UNE TECHNIQUE CVD BASSE TEMPERATURE BASSE PRESSION SUR DES COUCHES DE SILICIUM POREUX FORMEES SUR SUBSTRATS FORTEMENT DOPES (P#+ ET N#+) ET SUR SUBSTRATS FAIBLEMENT DOPES (P ET N). ELLES CONDUISENT A UNE COUCHE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN DONT LA QUALITE CRISTALLOGRAPHIQUE DEPEND DU DOPAGE DU SUBSTRAT D'ORIGINE. CETTE QUALITE EST EXCELLENTE POUR DES COUCHES EPITAXIEES SUR SILICIUM POREUX P#+ ET SE DETERIORE FORTEMENT LORS DE L'EMPLOI DE SUBSTRATS P. TOUTEFOIS, L'UTILISATION D'UNE TECHNIQUE DE RECROISSANCE EPITAXIALE EN PHASE SOLIDE PERMET DE DIMINUER FORTEMENT LA DENSITE DE DEFAUTS DE CES COUCHES. UNE NOUVELLE PROCEDURE D'OXYDATION A ALORS ETE MISE AU POINT AFIN D'OXYDER ET DENSIFIER COMPLETEMENT LA COUCHE ENTERREE DE SILICIUM POREUX. CETTE PROCEDURE QUI COMPREND UNE ETAPE A HAUTE TEMPERATURE (1300C) CONDUIT A UNE COUCHE ENTERREE D'OXYDE PARFAITEMENT DENSE ET N'ENTRAINE PAS DE DIFFUSION DE DOPANT DE LA COUCHE DE SILICIUM POREUX DANS LA COUCHE EPITAXIEE. CETTE MEME PROCEDURE A ETE EMPLOYEE POUR LA REALISATION DE STRUCTURES SOI PAR LA DEUXIEME VOIE TECHNOLOGIQUE. ELLE CONDUIT, APRES OPTIMISATION DES CONDITIONS DE FORMTION DE LA COUCHE ENTERREE DE SILICIUM POREUX, A L'ISOLATION COMPLETE ET PLANAR D'ILOTS DE SILICIUM DE 80 M DE LARGE. DES DISPOSITIFS DE TEST ONT ALORS ETE REALISES SUR CE MATERIAU ET ONT DEMONTRE QU'IL PRESENTE DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES SEMBLABLES A CELLES D'AUTRES MATERIAUX SOI

Download or read book ETUDE DU SILICIUM POREUX DE TYPE N OBTENU PAR VOIE PHOTOELECTROCHIMIQUE written by ABDELGHANI.. LAGOUBI and published by . This book was released on 1993 with total page 188 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE REALISEE AU LABORATOIRE DE PHYSIQUE DES SOLIDES DE BELLEVUE EST CENTREE SUR L'OBTENTION ET LA CARACTERISATION DU SILICIUM POREUX DE TYPE N PAR CORROSION PHOTOELECTROCHIMIQUE DU SILICIUM MONOCRISTALLIN EN PRESENCE D'ACIDE FLUORHYDRIQUE. UN RESULTAT MARQUANT DE CES ETUDES EST LA MISE EN EVIDENCE DE DEUX COUCHES DIFFERENTES DE SILICIUM POREUX. LA COUCHE SUPERFICIELLE DITE SILICIUM NANOPOREUX PRESENTANT DES VIDES (PORES) DE L'ORDRE DU MANOMETRE RECOUVRE UNE COUCHE DE SILICIUM MACROPOREUX PRESENTANT DES GRANDS PORES DONT LE DIAMETRE EST DE L'ORDRE DU MICRON. LA COUCHE DE SILICIUM NANOPOREUX EST AISEMENT DISSOUTE EN MILIEU ALCALIN CE QUI A PERMIS D'ETUDIER SEPAREMENT CERTAINES DES PROPRIETES DES DEUX TYPES DE SILICIUM POREUX. L'INFLUENCE DE DIVERS PARAMETRES EXPERIMENTAUX (TAUX DE DOPAGE, ORIENTATION CRISTALLOGRAPHIQUE, INTENSITE LUMINEUSE, CHARGE TRANSFEREE) SUR LA CORROSION PHOTOELECTROCHIMIQUE DU SILICIUM DE TYPE N, FAIBLEMENT DOPE (N#D=10#1#5 CM##3) OU FORTEMENT DOPE (N#D=10#1#8 CM##3) D'ORIENTATION (100) OU (111) A FAIT L'OBJET D'UNE ETUDE SYSTEMATIQUE. LES PROPRIETES ELECTRONIQUES, PHOTOELECTROCHIMIQUES ET OPTIQUES DES DEUX TYPES DE SILICIUM POREUX ONT ETE CARACTERISEES. L'ETUDE DE LA PHOTOLUMINESCENCE A TEMPERATURE AMBIANTE INDIQUE QUE CELLE-CI EST EXCLUSIVEMENT LIEE A LA COUCHE NANOPOREUSE. LA COUCHE MACROPOREUSE, NOIRE D'ASPECT, APPARAIT COMME UN MATERIAU PRESQUE IDEALEMENT ABSORBANT ET POURRAIT DONNER LIEU A DES APPLICATIONS DANS LE PHOTOVOLTAIQUE

Download or read book Etude et r alisation de structure base de silicium poreux en vue de la d tection de gaz written by Vladimir Polischuk and published by . This book was released on 1999 with total page 122 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de thèse visait à étudier les potentialités du silicium poreux comme support d'un élément sensible pour les capteurs de gaz. Afin de comprendre les mécanismes de formation du silicium poreux nous avons eu recours à l'électrochimie fondamentale de silicium. Ainsi, les mesures I-V de l'interface silicium/solution d'acide fluorhydrique ont mis en évidence deux mécanismes compétitifs : la formation électrochimique de l'oxyde de silicium et sa dissolution par HF. De même, la nature de l'oxyde de silicium est discutée dans le cadre des diagrammes d'équilibres tension-ph du système silicium-eau. Dans le but de développer de nouveaux capteurs de gaz, nous avons élaboré des couches de silicium poreux modifiées ultérieurement par un métal catalytique. Dans le cas des structures de type diode (Pd/Sp/Si), l'épaisseur de la couche de silicium poreux contrôle les processus de transport de courant. La quantité du palladium déposée influe beaucoup sur la sensibilité des structures sous gaz. Ainsi, ce sont les structures avec une couche ultramince de palladium qui présentent les meilleures réponses à l'hydrogène. En s'appuyant sur le modelé d'une hétérojonction métal/silicium poreux/si ayant une couche mince de silicium poreux, nous avons relie ce phénomène a la variation des porteurs libres de la zone de charge d'espace du silicium. La mesure de la différence de potentiel de contact nous a permis d'étudier l'effet de l'adsorption d'hydrogène sur la surface de palladium supporte sur du silicium poreux. Malgré nos attentes, les structures a base du silicium poreux ont montré une faible amélioration de la sensibilité par rapport aux structures traditionnelles Pd/SiO2/Si. Par contre, elles étaient plus performantes en ce qui concerne la cinétique, donc le temps de réponse deux fois plus rapide.

Download or read book CARACTERISATION PAR RAYONS X DES COUCHES MINCES AMORPHES D OXYNITRURES DE SILICIUM SIOXNYHZ PREPAREES PAR PECVD written by LUC.. ORTEGA and published by . This book was released on 1993 with total page 230 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE EST CONSACRE A LA CARACTERISATION DES COUCHES MINCES AMORPHES D'OXYNITRURES DE SILICIUM SIOXNYHZ PREPAREE PAR PECVD. CES MATERIAUX ISOLANTS JOUENT UN ROLE DE PLUS EN PLUS IMPORTANT DANS LE DOMAINE DE LA MICROELECTRONIQUE. ILS ONT DONNE LIEU A UN PROGRAMME EUROPEEN DE RECHERCHE ESPRIT-DESON QUI A IMPLIQUE SIX LABORATOIRES EUROPEENS ET DANS LEQUEL NOUS SOMMES INTERVENUS. NOUS NOUS SOMMES ATTACHES A CARACTERISER LES OXYNITRURES DE SILICIUM A L'AIDE DE PLUSIEURS TECHNIQUES X: REFLECTOMETRIE X, DIFFUSION DES RAYONS X EN INCIDENCE RASANTE, EXAFS, XANES ET XPS. L'EPAISSEUR, LA DENSITE ET LA RUGOSITE DES COUCHES ONT ETE DETERMINEES. IL EST APPARU QUE LES COUCHES SONT PEU DENSES POUR LES COMPOSITIONS PROCHES DU NITRURE DE SILICIUM A CAUSE DE LA PRESENCE D'HYDROGENE. LA DENSITE EVOLUE EN FONCTION DU TAUX D'INCORPORATION D'OXYGENE PAR RAPPORT A L'AZOTE, O/(O+N), DANS LE MATERIAU AVEC UNE TRANSITION CARACTERISTIQUE POUR O/(O+N)=0,4 QUI EST A RELIER AUX PROPRIETES PHYSIQUES DES OXYNITRURES. PAR AILLEURS, NOUS AVONS TROUVE UNE FORTE RUGOSITE POUR LES COUCHES DEPOSEES SUR FLUORURE DE CALCIUM LIEE AU MODE DE CROISSANCE. L'ETUDE STRUCTURALE A CONSTITUE NOTRE PRINCIPAL CENTRE D'INTERET ET A NECESSITE LA MISE EN UVRE DE PLUSIEURS TECHNIQUES EXPERIMENTALES DU FAIT QUE LE MATERIAU EST COMPOSE DE PLUSIEURS ESPECES ATOMIQUES. LES EXPERIENCES DE DIFFUSION DES RAYONS X ONT ETE REALISEE EN INCIDENCE RASANTE AFIN DE MINIMISER LA CONTRIBUTION PARASITE DUE AU SUBSTRAT. IL EST MONTRE QUE LA STRUCTURE DES OXYNITRURES DE SILICIUM ETUDIES N'EST PAS CONSTITUEE D'UN SIMPLE MELANGE DES PHASES BINAIRES: SILICE ET NITRURE DE SILICIUM AMORPHES. UN EFFET SUR LES PREMIERES DISTANCES INTERATOMIQUES SI-O ET SI-N A ETE OBSERVE QUI A ETE INTERPRETE PAR UNE CERTAINE HOMOGENEISATION DES SITES SI-O-SI ET SI-NH-SI POUR LES OXYNITRURES DE COMPOSITION INTERMEDIAIRES. D'AUTRES CARACTERISTIQUES SONT AUSSI RAPPORTEES

Download or read book Etude structurale physique et lectrique de nouveaux mat riaux written by Sofiane Zairi and published by . This book was released on 2001 with total page 178 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail concerne les caractéristiques pour la détection ionique, de structures silicium poreux oxydé/silicium fonctionnalisées par des molécules de calixarènes. Les sensibilités aux ions sodium de structures planes silice/silicium et de silicium poreux oxydé/silicium, fonctionnalisées avec un film mince de molécules de p-tert-butylcalix[4]arène, sont comparées. La variation du potentiel de bande plate des structures planes silice/silicium en fonction de la concentration des ions sodium est environ 56mV/pNa. Quand la porosité du silicium poreux oxydé varie de 57% à 65%, la sensibilité des structures silicium poreux oxydé fonctionnalisé/silicium varie de 180mV/pNa à 233 mV/pNa. Ce sont de très grandes valeurs de sensibilité, comparées à la loi de Nernst. Afin d'expliquer de telles réponses sub-nernstiennes, nous avons étudié l'effet des paramètres de la couche poreuse (porosité, épaisseur de la couche poreuse et surface interne) sur la sensibilité.

Download or read book ETUDE DE LA FORMATION DU SILICIUM POREUX APPLIQUEE A LA TEXTURATION DU SILICIUM MULTICRISTALLIN written by STEPHANE.. BASTIDE and published by . This book was released on 1995 with total page 193 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA DISSOLUTION ELECTROCHIMIQUE ET CHIMIQUE DU SILICIUM EN MILIEU ACIDE FLUORHYDRIQUE, CONDUIT SOUS CERTAINES CONDITIONS A LA FORMATION DE SILICIUM POREUX. L'ETUDE DES MECANISMES DE DISSOLUTION DU SILICIUM DE TYPE P ET N#+, ET L'OBSERVATION DE LA MORPHOLOGIE DE DIMENSIONS NANOMETRIQUES DU SILICIUM POREUX, ONT ETE REALISEES. L'ANALYSE DES PROPRIETES OPTIQUES DE CE MATERIAU ET DES CARACTERISTIQUES ELECTRONIQUES DES JONCTIONS EN SILICIUM P-N#+ AVEC UN EMETTEUR PARTIELLEMENT POREUX, MONTRE QUE LA FORMATION D'UNE COUCHE DE SILICIUM POREUX EN FACE AVANT DES PHOTOPILES EN SILICIUM MULTICRISTALLIN, PEUT CONSTITUER UNE NOUVELLE TECHNIQUE DE DIMINUTION DES PERTES PAR REFLEXION DES PHOTONS

Download or read book Etude par rayons X rasants des effets de l implantation de silicium dans le silicium et de fer dans un grenat written by Bruno Gilles and published by . This book was released on 1986 with total page 107 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: UN FAISCEAU X TOMBANT EN INCIDENCE RASANTE SUR UNE SURFACE POLIE EST TOTALEMENT REFLECHI. UNE ONDE EVANESCENTE SE PROPAGE ALORS DANS LE MATERIAU AVEC UNE FAIBLE PROFONDEUR DE PENETRATION : ON PEUT ENCORE OBSERVER UN RAYONNEMENT DE FLUORESCENCE OU DE DIFFRACTION MAIS L'EPAISSEUR IRRADIEE EST TRES FAIBLE (10NM). MISE EN EVIDENCE DES POSSIBILITES D'UTILISATION DE CETTE TECHNIQUE DE SURFACE POUR CARACTERISER LES MODIFICATIONS PAR IMPLANTATION IONIQUE DES 1000 PREMIERS A D'UN CRISTAL A PARTIR DE L'EXEMPLE DE L'AMORPHISATION DE SI PAR IMPLANTATION DE SI ET DE L'IMPLANTATION DU GRENAT AL-Y PAR FE

Download or read book ETUDE PAR TOPOGRAPHIE AUX RAYONS X DE LA VITESSE DE GLISSEMENT DES DISLOCATIONS DANS LE SILICIUM written by Amand George and published by . This book was released on 1977 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: EXPOSE DES TECHNIQUES EXPERIMENTALES ET MISE EN EVIDENCE DE CONFIGURATIONS DE DISLOCATIONS CARACTERISTIQUES PAR LA METHODE DE LANG. MESURE DES VITESSES DE DISLOCATIONS DANS LE SILICIUM PUR ET DANS LE SILICIUM CONTENANT DIFFERENTES TENEURS EN PHOSPHORE ET EN BORE. DISCUSSION DES MODELES THEORIQUES EXISTANT.