Download or read book ETUDE THERMODYNAMIQUE ET STRUCTURALE DE LA FORMATION DES DEPOTS MINCES ISOLANTS SUR SILICIUM POUR LA MICROELECTRONIQUE APPLICATION AU SYSTEME NH 3 SILICIUM MONOCRISTALLIN written by KHALID.. CHAFIK and published by . This book was released on 1994 with total page 188 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES DEPOTS MINCES ISOLANTS SUR SILICIUM OCCUPENT UNE PLACE ESSENTIELLE DANS LA MISE AU POINT DES STRUCTURES (EN PARTICULIER DES MEMOIRES) UTILISEES EN MICRO-ELECTRONIQUE SUR SILICIUM. DEPUIS LE TOUT DEBUT DE L'ETUDE DES COUCHES MINCES ISOLANTES SUR SILICIUM, PLUSIEURS AUTEURS ONT PORTE LEUR ATTENTION SUR LES REACTIONS CHIMIQUES QUI POUVAIENT SE PRODUIRE PENDANT LA FORMATION DE L'ISOLANT. GENERALEMENT, CES ETUDES ONT UTILISE DES MODELES ASSEZ ELOIGNES DE LA REALITE CHIMIQUE, ET LES PHENOMENES DE CROISSANCE DE CES COUCHES ISOLANTES RESTENT ENCORE MAL EXPLIQUES. NOUS AVONS DONC DECIDE D'ABORDER LA FORMATION DE FILMS MINCES ISOLANTS DU POINT DE VUE DE LA REACTION CHIMIQUE ET NOUS AVONS DEVELOPPE UNE APPROCHE THERMODYNAMIQUE ET STRUCTURALE DU PROBLEME. ETANT DONNE LE GRAND NOMBRE DE REACTIFS CHIMIQUES POUVANT ETRE UTILISES POUR DEPOSER DES COUCHES MINCES ISOLANTES SUR SILICIUM, NOUS AVONS INITIALEMENT LIMITE NOTRE ETUDE A LA FORMATION DE NITRURE(S) DE SILICIUM SUR DU SILICIUM MONOCRISTALLIN (100)-(21) EN UTILISANT L'AMMONIAC NH#3 COMME GAZ NITRURANT. NOUS AVONS DEVELOPPE UN MODELE DE SURFACE TENANT COMPTE A LA FOIS DE CONSIDERATIONS CRISTALLOGRAPHIQUES ET DE CALCULS DE THERMODYNAMIQUE CLASSIQUE. LE MODELE MONTRE QUE LA SURFACE DE SILICIUM EST FORTEMENT MODIFIEE, NON SEULEMENT SUR LE PREMIER PLAN, MAIS AUSSI EN PROFONDEUR: DEUX PLANS DE SILICIUM CONTIENNENT DE L'AZOTE. LE MODELE EST EN TRES BON ACCORD AVEC CE QUI A ETE OBSERVE EXPERIMENTALEMENT DANS LA LITTERATURE. IL MONTRE AUSSI QUE LA CROISSANCE DU NITRURE NE PEUT PAS ETRE HOMOGENE ET QU'AINSI, LE MODELE DE PRIGOGINE NE PEUT PAS S'APPLIQUER. NOUS AVONS REPRIS ET AMELIORER LE MODELE EN UTILISANT DES PROGRAMMES DE CALCULS D'EVENTUALITE DE REACTIONS CHIMIQUES PAR MINIMISATION DE L'ENTHALPIE LIBRE. CES CALCULS CONFIRMENT LES RESULTATS INITIAUX. ILS APPORTENT DES PRECISIONS QUANT AUX ESPECES FORMEES A HAUTES TEMPERATURES. LA VALIDITE DES MODELES ALLIANT ETUDES STRUCTURALES ET THERMODYNAMIQUES CLASSIQUES EST DISCUTEE

Download or read book ETUDE DES MECANISMES DE CREATION DE DEFAUTS LORS DE LA REALISATION DE STRUCTURES MINCES SILICIUM SUR ISOLANT PAR LES PROCEDES SIMOX FAIBLE DOSE ET SMART CUT written by CAROLINE.. GUILHALMENC and published by . This book was released on 1997 with total page 149 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES MATERIAUX SILICIUM-SUR-ISOLANT (SOI) PRESENTENT DE NOMBREUX AVANTAGES POUR LA PRODUCTION DE NOUVELLES GENERATIONS DE CIRCUITS INTEGRES FONCTIONNANT A TRES BASSES TENSIONS. ILS CONSTITUENT DESORMAIS L'UNE DES VOIES PRINCIPALES DE RECHERCHE DANS LE DOMAINE DE LA MICROELECTRONIQUE A TRES GRANDE DENSITE D'INTEGRATION. POUR CELA, IL EST NECESSAIRE DE METTRE AU POINT DES TECHNIQUES PERMETTANT D'OBTENIR DES MATERIAUX SOI DE BONNE QUALITE, CAPABLES DE RIVALISER AVEC LE SILICIUM MASSIF. LES MECANISMES DE CREATIONS DE DEFAUTS LORS DE LA REALISATION DE DEUX TYPES DE SUBSTRATS SOI, SIMOX FAIBLE DOSE ET UNIBOND# (OBTENUS RESPECTIVEMENT PAR LES TECHNIQUES SIMOX ET SMART-CUT), ONT ETE ETUDIES. APRES IMPLANTATION DE FAIBLES DOSES D'OXYGENE (TECHNIQUE SIMOX), LA FORMATION DE COUCHES ENTERREES D'OXYDE AU COURS DU RECUIT A HAUTE TEMPERATURE A ETE APPREHENDEE. L'ETUDE DES MECANISMES DE CROISSANCE ET DE COALESCENCE DES PRECIPITES D'OXYDE A HAUTE TEMPERATURE A PERMIS D'AMELIORER LA QUALITE DIELECTRIQUE DES COUCHES ENTERREES DE SILICE. ENFIN, UNE ETUDE SYSTEMATIQUE DES DEFAUTS (DISLOCATIONS, FAUTES D'EMPILEMENT) ET DES PROPRIETES ELECTRIQUES DES FILMS DE SILICIUM DE CES DEUX MATERIAUX, A ETE MENEE PAR DIFFERENTES TECHNIQUES DE CARACTERISATION. ELLE CONSTITUE LA PREMIERE SYNTHESE COMPARATIVE DES QUALITES DE CES MATERIAUX SOI, QUI PRESENTENT ACTUELLEMENT UN FORT POTENTIEL POUR LA REALISATION DE CIRCUITS INTEGRES TRES PERFORMANTS.

Download or read book Contribution l tude des propri t s isolantes de monocouches d alkyltrichlorosilanes auto assembl es sur substrat de silicium written by Christophe Boulas and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le but de ce travail est d'étudier les propriétés isolantes de monocouches d'alkyltrichlorosilanes auto-assemblées sur un substrat de silicium. Nous avons tout d'abord greffé des monocouches d'alkyltrichlorosilanes (dodécyltrichlorosilane, hexadécyltrichlorosilane, octadécyltrichlorosilane) sur un substrat de silicium. La qualité structurale des monocouches est contrôlée par la température du bain de réaction. Pour nos mesures électriques, nous avons complété la structure métal-isolant-semiconducteur en déposant une contre-électrode en métal (al ;au ;ti ;pt). Nous avons montré que la conductivité à l'origine est indépendante de la longueur de la monocouche et proche de la conductivité du polyéthylène massif. Nous démontrons que les énergies de barrières aux interfaces métal-isolant-semiconducteur sont très importantes (4.5ev) pour supprimer tout effet tunnel à bas champ électrique, même à travers des films aussi minces que 1.9 nm. A plus haut champ électrique, l'augmentation du courant peut être modélisée par un courant de type tunnel assisté par le champ. Par la mise en oeuvre d'une technique de photoconductivité, la bande interdite des monocouches de dodécyltrichlorosilane, hexadécyltrichlorosilane, octadécyltrichlorosilane a été estimée à 10,1ev, 9,8ev et 9,3ev respectivement. Nous avons étudié la corrélation entre les propriétés électroniques et la qualité structurale des monocouches et nous avons montré que la bande interdite des monocouches diminuait en même temps que la qualité structurale, ce qui entraîne une augmentation des courants de fuites au travers de la monocouche. Nous avons donc montré qu'une monocouche, même extrêmement mince (de l'ordre de 2 nm) peut constituer un film isolant de très bonne qualité électrique pourvu que l'on parvienne à contrôler son architecture à l'échelle moléculaire. Ces résultats peuvent avoir des applications dans les composants ultimes de la microélectronique et en électronique moléculaire.

Download or read book ICREEC 2019 written by Ahmed Belasri and published by Springer Nature. This book was released on 2020-06-10 with total page 659 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.

Download or read book Contribution l tude de structures silicium sur isolant obtenues partir de silicium poreux written by Catherine Oules-Chaton and published by . This book was released on 1991 with total page 128 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES STRUCTURES SILICIUM SUR ISOLANT (SOI) PEUVENT ETRE OBTENUES PAR FORMATION ET OXYDATION DE COUCHES DE SILICIUM POREUX. LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE CONTRIBUE A AMELIORER LA QUALITE DES STRUCTURES OBTENUES PAR LES DEUX VOIES TECHNOLOGIQUES EXISTANTES: L'EPITAXIE DE SILICIUM SUR SILICIUM POREUX ET LA FORMATION DE COUCHES ENTERREES DE SILICIUM POREUX. DES EPITAXIES DE SILICIUM ONT ETE REALISEES PAR UNE TECHNIQUE CVD BASSE TEMPERATURE BASSE PRESSION SUR DES COUCHES DE SILICIUM POREUX FORMEES SUR SUBSTRATS FORTEMENT DOPES (P#+ ET N#+) ET SUR SUBSTRATS FAIBLEMENT DOPES (P ET N). ELLES CONDUISENT A UNE COUCHE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN DONT LA QUALITE CRISTALLOGRAPHIQUE DEPEND DU DOPAGE DU SUBSTRAT D'ORIGINE. CETTE QUALITE EST EXCELLENTE POUR DES COUCHES EPITAXIEES SUR SILICIUM POREUX P#+ ET SE DETERIORE FORTEMENT LORS DE L'EMPLOI DE SUBSTRATS P. TOUTEFOIS, L'UTILISATION D'UNE TECHNIQUE DE RECROISSANCE EPITAXIALE EN PHASE SOLIDE PERMET DE DIMINUER FORTEMENT LA DENSITE DE DEFAUTS DE CES COUCHES. UNE NOUVELLE PROCEDURE D'OXYDATION A ALORS ETE MISE AU POINT AFIN D'OXYDER ET DENSIFIER COMPLETEMENT LA COUCHE ENTERREE DE SILICIUM POREUX. CETTE PROCEDURE QUI COMPREND UNE ETAPE A HAUTE TEMPERATURE (1300C) CONDUIT A UNE COUCHE ENTERREE D'OXYDE PARFAITEMENT DENSE ET N'ENTRAINE PAS DE DIFFUSION DE DOPANT DE LA COUCHE DE SILICIUM POREUX DANS LA COUCHE EPITAXIEE. CETTE MEME PROCEDURE A ETE EMPLOYEE POUR LA REALISATION DE STRUCTURES SOI PAR LA DEUXIEME VOIE TECHNOLOGIQUE. ELLE CONDUIT, APRES OPTIMISATION DES CONDITIONS DE FORMTION DE LA COUCHE ENTERREE DE SILICIUM POREUX, A L'ISOLATION COMPLETE ET PLANAR D'ILOTS DE SILICIUM DE 80 M DE LARGE. DES DISPOSITIFS DE TEST ONT ALORS ETE REALISES SUR CE MATERIAU ET ONT DEMONTRE QU'IL PRESENTE DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES SEMBLABLES A CELLES D'AUTRES MATERIAUX SOI

Download or read book CARACTERISATION PAR RAYONS X DES COUCHES MINCES AMORPHES D OXYNITRURES DE SILICIUM SIOXNYHZ PREPAREES PAR PECVD written by LUC.. ORTEGA and published by . This book was released on 1993 with total page 230 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE EST CONSACRE A LA CARACTERISATION DES COUCHES MINCES AMORPHES D'OXYNITRURES DE SILICIUM SIOXNYHZ PREPAREE PAR PECVD. CES MATERIAUX ISOLANTS JOUENT UN ROLE DE PLUS EN PLUS IMPORTANT DANS LE DOMAINE DE LA MICROELECTRONIQUE. ILS ONT DONNE LIEU A UN PROGRAMME EUROPEEN DE RECHERCHE ESPRIT-DESON QUI A IMPLIQUE SIX LABORATOIRES EUROPEENS ET DANS LEQUEL NOUS SOMMES INTERVENUS. NOUS NOUS SOMMES ATTACHES A CARACTERISER LES OXYNITRURES DE SILICIUM A L'AIDE DE PLUSIEURS TECHNIQUES X: REFLECTOMETRIE X, DIFFUSION DES RAYONS X EN INCIDENCE RASANTE, EXAFS, XANES ET XPS. L'EPAISSEUR, LA DENSITE ET LA RUGOSITE DES COUCHES ONT ETE DETERMINEES. IL EST APPARU QUE LES COUCHES SONT PEU DENSES POUR LES COMPOSITIONS PROCHES DU NITRURE DE SILICIUM A CAUSE DE LA PRESENCE D'HYDROGENE. LA DENSITE EVOLUE EN FONCTION DU TAUX D'INCORPORATION D'OXYGENE PAR RAPPORT A L'AZOTE, O/(O+N), DANS LE MATERIAU AVEC UNE TRANSITION CARACTERISTIQUE POUR O/(O+N)=0,4 QUI EST A RELIER AUX PROPRIETES PHYSIQUES DES OXYNITRURES. PAR AILLEURS, NOUS AVONS TROUVE UNE FORTE RUGOSITE POUR LES COUCHES DEPOSEES SUR FLUORURE DE CALCIUM LIEE AU MODE DE CROISSANCE. L'ETUDE STRUCTURALE A CONSTITUE NOTRE PRINCIPAL CENTRE D'INTERET ET A NECESSITE LA MISE EN UVRE DE PLUSIEURS TECHNIQUES EXPERIMENTALES DU FAIT QUE LE MATERIAU EST COMPOSE DE PLUSIEURS ESPECES ATOMIQUES. LES EXPERIENCES DE DIFFUSION DES RAYONS X ONT ETE REALISEE EN INCIDENCE RASANTE AFIN DE MINIMISER LA CONTRIBUTION PARASITE DUE AU SUBSTRAT. IL EST MONTRE QUE LA STRUCTURE DES OXYNITRURES DE SILICIUM ETUDIES N'EST PAS CONSTITUEE D'UN SIMPLE MELANGE DES PHASES BINAIRES: SILICE ET NITRURE DE SILICIUM AMORPHES. UN EFFET SUR LES PREMIERES DISTANCES INTERATOMIQUES SI-O ET SI-N A ETE OBSERVE QUI A ETE INTERPRETE PAR UNE CERTAINE HOMOGENEISATION DES SITES SI-O-SI ET SI-NH-SI POUR LES OXYNITRURES DE COMPOSITION INTERMEDIAIRES. D'AUTRES CARACTERISTIQUES SONT AUSSI RAPPORTEES

Download or read book D p t chimique en phase vapeur de siliciures pour la micro lectronique written by Elisabeth Blanquet and published by . This book was released on 1990 with total page 134 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES DISILICIURES DE METAUX REFRACTAIRES SONT D'EXCELLENTS CANDIDATS A UNE UTILISATION COMME MATERIAUX D'INTERCONNEXIONS ET DE CONTACT EN TECHNOLOGIE SILICIUM A TRES HAUT NIVEAU D'INTEGRATION. DANS LE CADRE DES RECHERCHES DE PROCEDES POUR ELABORER DES COUCHES MINCES DE CES MATERIAUX, NOUS NOUS SOMMES INTERESSES A LA TECHNIQUE DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR (CVD). CETTE ETUDE A PORTE ESSENTIELLEMENT SUR LES DISILICIURES DE TANTALE, TASI#2 ET DE TUNGSTENE, WSI#2. UNE ANALYSE THERMODYNAMIQUE PREALABLE DES SYSTEMES CHIMIQUES TA-SI-H-O-CL ET W-SI-H-O-CL- OU F A PERMIS DE DETERMINER LES VALEURS DES PARAMETRES EXPERIMENTAUX (TEMPERATURE DE DEPOT, PRESSION TOTALE, PRESSIONS PARTIELLES INITIALES DES GAZ ACTIFS) THEORIQUEMENT FAVORABLES A LA FORMATION DES DISILICIURES. A PARTIR DE CES RESULTATS, UN REACTEUR CVD, A MURS FROIDS, FONCTIONNANT A PRESSION ATMOSPHERIQUE A ETE CONCU. L'ORIGINALITE DE CELUI-CI RESIDE DANS L'ELABORATION ET LE TRANSPORT DU PRECURSEUR METALLIQUE (CHLORURE DE TA ET W) QUI S'EFFECTUENT DANS LA CHAMBRE DE CHLORURATION IN SITU. DES DEPOTS DE SILICIURES DE TANTALE ET DE TUNGSTENE ONT ETE REALISES. LA CONFRONTATION DES RESULTATS THERMODYNAMIQUES ET EXPERIMENTAUX REVELE UN ACCORD TRES SATISFAISANT ENTRE PREVISIONS ET EXPERIENCES

Download or read book PREPARATION CARACTERISATION PHYSICO CHIMIQUE ET ETUDE DES DEFAUTS PARAMAGNETIQUES DANS LES OXYNITRURES DE SILICIUM A FAIBLE TAUX D HYDROGENE written by JIRI.. KRAUTWURM and published by . This book was released on 1994 with total page 200 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ETUDE PORTE SUR LA PREPARATION ET LA CARACTERISATION DE MATERIAUX ISOLANTS: LES OYNITRURES DE SILICIUM AMORPHES A FAIBLE CONTENU EN HYDROGENE. NOUS DEPOSONS CES MATERIAUX A BASSE TEMPERATURE (380C) PAR LA TECHNIQUE PECVD ET OBTENONS DES COUCHES MINCES D'ENVIRON 300 NM. TROIS GAZ REACTIFS SIH#4, N#2O ET N#2 SONT UTILISES EN DILUTION AVEC DE L'HELIUM. NOUS CHOISISSONS NOS CONDITIONS EXPERIMENTALES POUR QUE LES MATERIAUX AIENT UNE COMPOSITION QUI VARIE DU NITRURE JUSQU'A L'OXYDE DE SILICIUM ET POUR QU'ILS CONTIENNENT PEU DE LIAISONS SI-SI ET PEU D'HYDROGENE. UNE ETUDE SPECIALE EST CONSACREE AUX EFFETS DU TAUX DE DILUTION HE/SIH#4 PAR L'HELIUM. LE TAUX D'INCORPORATION DE L'HYDROGENE, MESURE PAR SPECTROSCOPIE INFRA-ROUGE, EST INFERIEUR A 10%. IL S'EFFECTUE SOUS FORME DE LIAISONS N-H ET DANS UNE MOINDRE MESURE SI-H. LA VITESSE DE GRAVURE EST FORTEMENT INFLUENCEE PAR LA COMPOSITION. COTE NITRURE, ELLES EST TRES FAIBLE ET COMPARABLE A CELLE MESUREE DANS LE NITRURE LPCVD ; COTE OXYDE ELLE AUGMENTE FORTEMENT ET SE SITUE A 30% AU DESSUS DE LA VITESSE DE GRAVURE DE SIO#2 THERMIQUE SEC. L'ACCROISSEMENT DE LA DILUTION A L'HELIUM FAIT DECROITRE LA DENSITE SI-H ; FAIT DECROITRE LA DENSITE N-H JUSQU'A LA DILUTION 25 ET LA FAIT CROITRE AU DELA ; FAIT DECROITRE LA VITESSE DE GRAVURE. LES DEFAUTS PONCTUELS SONT ETUDIES PAR LA RESONANCE PARAMAGNETIQUE ELECTRONIQUE (RPE) A BASSE TEMPERATURE. LES DENSITES DE CENTRES PARAMAGNETIQUES DANS LES COUCHES SONT ESTIMEES A 5 10#1#7CM#-#3. LE PHOTO-ACCROISSEMENT DU SIGNAL RPE, APRES ILLUMINATION JUSQU'A SATURATION A L'AIDE D'UN SPECTRE VUV, EST TROUVE A ENVIRON 7 10#1#8CM#-#3. UN MODELE NUMERIQUE DE SIMULATION DES SIGNAUX RPE DE CENTRES A SYMETRIE AXIALE EST DEVELOPPE POUR AJUSTER LES COURBES EXPERIMENTALES ET POUR TROUVER LES VALEURS DES TENSEURS G ET A. DEUX TYPES DE DEFAUTS PONCTUELS SONT IDENTIFIES: L'UN SUR L'ATOME DE SILICIUM (SIDB) ET L'AUTRE SUR L'ATOME D'AZOTE (N#X). CE DERNIER PRESENTANT UNE LOCALISATION A 60% DE LA DENSITE ELECTRONIQUE SUR L'AZOTE. L'IDENTIFICATION D'UN NOUVEAU DEFAUT N#X ET SON ASSIMILATION AU RADICAL NITROXIDE CONSTITUE L'ORIGINALITE DE CE TRAVAIL

Download or read book Etude des proprietes de siliciures semiconducteurs en couches minces written by Lyad Ali and published by . This book was released on 1996 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Forest Fire Research written by Universidade de Coimbra and published by . This book was released on 2010 with total page 355 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: