Download or read book ETUDE THEORIQUE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DES HETEROSTRUCTURES DE SEMICONDUCTEURS written by José Antonio Brum and published by . This book was released on 1987 with total page 153 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: RELATIONS DE DISPERSION DES PORTEURS DANS LE PLAN DES COUCHES, AVEC ATTENTION PARTICULIERE AUX SOUS-BANDES DE VALENCE ISSUES DES EXTREMA GAMMA ::(8) DES MATERIAUX HOTES; ETUDE DES PROBLEMES COULOMBIENS AVEC RESOLUTION DU PROBLEME DE L'EXCITON ET ETUDE DE LA RAIE D'EMISSION ASSOCIEE AUX RECOMBINAISONS ELECTRON-TROU PIEGE DANS LES PUITS QUANTIQUES GAAS/ALGAAS. EFFETS D'UN CHAMP ELECTRIQUE LONGITUDINAL SUR LES NIVEAUX D'ENERGIE A UNE ET DEUX PARTICULES; INTERPRETATIONS DE LA STABILITE DE L'EXCITON ET ETUDE DES NIVEAUX D'ENERGIE D'IMPURETE ET DES SUPER RESEAUX "DENTS DE SCIE". ETUDE DE LA CAPTURE DES PORTEURS DEPUIS LE CONTINUUM VERS LES ETATS LIES DU PUITS QUANTIQUE (EMISSION DE PHONON OU NIVEAU-RELAIS QUASIDISCRET). NIVEAUX D'ENERGIE DANS LES FILS QUANTIQUES

Download or read book Contribution l tude th orique de la structure lectronique de quelques semi conducteurs organiques lin aires antiferromagn tiques written by Michel Dugay and published by . This book was released on 1974 with total page 146 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: FONCTIONS D'ONDE. PROPRIETES MAGNETIQUES: ENERGIE DE RENVERSEMENT D'UN SPIN. PROPRIETES ELECTRIQUES; LARGEUR DE BANDE INTERDITE; STRUCTURE DE BANDE, CONDUCTIVITE ELECTRIQUE. EFFETS ANISOTROPES; FORME DES SIGNAUX DE RPE; EVOLUTION VERS L'ETAT METALLIQUE

Download or read book Etude th orique des tats d lectrons et de donneurs dans les boites quantiques de semi conducteurs written by Bartlomiej Szafran and published by . This book was released on 2000 with total page 102 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La thèse présentée contient une description théorique des propriétés électroniques les plus intéressantes des points quantiques. Différents types de points quantiques ont été étudiés : les nanocristaux de semi-conducteurs, les points quantiques auto-organisés, les points quantiques contrôlés par une électrode de grille. L'utilisation d'un modèle réaliste pour le potentiel de potentiel a permis de déterminer la capacité quantique des points sphériques et cylindriques et de prédire les propriétés des états excités liés du centre D confiné. L'influence du champ magnétique ainsi que de la géométrie de la nanostructure sur la symétrie de l'état fondamental des systèmes à plusieurs électrons a été discutée. La description théorique a été vérifiée par comparaison des résultats numériques avec les données expérimentales. La théorie présentée a fourni la première interprétation réaliste et quantitative des résultats de spectroscopie de capacité de points quantiques auto-organisés InAs/GaAs dans un champ magnétique externe. Un modèle complet du dispositif de point quantique contrôlé par une électrode de grille et une solution auto-cohérente des équations de Poisson et de Schrodinger a permis de décrire théoriquement de facon quantitative toutes les propriétés électroniques observées

Download or read book Etude des propri t s optiques d h t rostructures bas es sur les semiconducteurs ZnSe ZnSSe ZnMgSSe labor s par MOVPE written by Claude Boemare and published by . This book was released on 1996 with total page 276 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS PRESENTONS UNE ANALYSE DETAILLEE DES PROPRIETES OPTIQUES D'HETEROSTRUCTURES REALISEE EN EPITAXIE PAR DEPOT D'ORGANOMETALLIQUE. LES ARCHITECTURES DE CES HETEROSTRUCTURES REALISEES A BASE DE MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS A GRANDS GAP VONT DE LA SIMPLE HETERO-EPITAXIE AUX SUPER RESEAUX EN PASSANT PAR LES PUITS QUANTIQUES. LE CONTROLE DE L'HOMOGENEITE DES DEPOTS EST MIS EN EVIDENCE A TRAVERS UNE APPROCHE ORIGINALE UTILISANT LA PHYSIQUE DES EXCITATIONS ELEMENTAIRES: NOUS METTONS EN EVIDENCE APRES UNE MODELISATION SEMICLASSIQUE DE LA REFLECTANCE AU VOISINAGE DES RESONANCES EXCITONIQUES, LA QUANTIFICATION DES MODES PHOTONS DU POLARITON. DANS LE CAS DES STRUCTURES A CONFINEMENT SPATIAL DES PORTEURS DE CHARGE, UN MODELE COMPLET FAISANT APPEL AUX MECANISMES THERMO-INDUIT DE PIEGEAGE ET D'ECHAPPEMENT DES PORTEURS DE CHARGES NOUS PERMET DE RENDRE COMPTE QUANTITATIVEMENT DES MECANISMES PHYSIQUE REGISSANT L'EMISSION DE LUMIERE DANS CES MATERIAUX

Download or read book Contribution l tude de l pitaxie d h t rostructures base de semi conducteurs III V phosphor s written by Xavier Wallart and published by . This book was released on 2005 with total page 83 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La fabrication d'hétérostructures de semi-conducteurs III-V de qualité repose sur la connaissance des surfaces, l'optimisation de la formation des interfaces et la maîtrise de la relaxation des couches contraintes. Nous montrons d'abord par une étude en diffraction et spectroscopie d'électrons que la reconstruction de surface des semi-conducteurs III-V phosphorés est différente des reconstructions couramment observées sur les arséniés. Nous abordons ensuite le problème des interfaces à anion commun pour lequel nous proposons un modèle cinétique prenant en compte l'effet de la température de croissance sur les mécanismes d'échange et de ségrégation en surface Pour les interfaces différant par leurs anions, la corrélation des résultats de diverses techniques nous conduit à une description précise de la composition chimique de ces interfaces en fonction des conditions de croissance et de son influence sur les propriétés électroniques de l'hétérostmcture. L'obtention d'interfaces les plus abruptes possible nous amène à étudier la réactivité de surface des arséniures sous flux de phosphore pour laquelle nous déterminons les facteurs essentiels : dimères d'anions en surface et énergie de liaison des binaires impliqués. L'effet de la contrainte sur la morphologie des couches de semi-conducteurs phosphorés présente des similitudes et des différences avec le cas des arséniés. Nous proposons une interprétation de ces différences soulignant le rôle des reconstructions de surface spécifiques aux phosphorés. Nous envisageons ensuite l'utilisation de ces hétérostructures dans des transistors à effet de champ à modulation de dopage. Nous optimisons la croissance de structures à double plan de dopage, à canaux composites et étudions les limites des approches pseudomorphique et métamorphique pour les canaux en InGaAs à fort taux d'indium. Nous discutons enfin de l'intérêt des semi-conducteurs antimoniés pour améliorer les résultats obtenus avec les arséniés et phosphorés.

Download or read book Deux aspects th oriques de la physique des semi conducteurs written by Pierre-Emmanuel Lippens and published by . This book was released on 1985 with total page 408 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Étude théorique de deux aspects des propriétés physiques liées aux surfaces. Calcul de la tension acoustoélectrique transversale, dûe au couplage non linéaire entre un champ électrique se propageant à la surface du semiconducteur et la charge d'espace qu'il crée ; analyse de l'influence de différents paramètres électriques et électroniques ; comparaison des différentes théories entre elles et à l'expérience. Application de l'approximation de liaisons fortes et de la théorie de la masse effective à l'étude des niveaux d'énergie des agrégats, d'une chaîne unidimensionnelle et d'un cristal tridimensionnel ; mise en évidence de l'effet dimensionnel quantique de la taille des agrégats et interprétation des spectres d'absorption optique.

Download or read book tude th orique et exp rimentale de la capture non radiative de porteurs libres dans les semi conducteurs written by Didier Goguenheim and published by . This book was released on 1992 with total page 312 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail réalise une étude théorique et expérimentale d'un paramètre physique caractéristique des défauts dans les semi-conducteurs : la section de capture. L'approche fondamentale du phénomène de capture non-radiative des porteurs libres par les défauts est menée dans une optique originale (formalisme statique) permettant un calcul analytique et aboutissant à une formule compacte de la probabilité de transition. Ce calcul plus complet précise les limites de validité des modèles simplifiés (barrière énergétique unique) et explique la dépendance en température de la section de capture observée expérimentalement. Appliqué au cas de la liaison pendant à l'interface Si/SiO2 (Centre Pb) à l'aide d'une modèle microscopique moléculaire, il fournit des valeurs théoriques de la section de capture de ce défaut. L'étude expérimentale porte sur les défauts d'interface dans les structures MOS (Métal-Oxyde-Semiconducteur). L'interprétation des techniques électriques utilisées (caractéristique Capacité-Tension C(V), Spectroscopie de Transitoire de Niveau Profond DLTS, cinétique de remplissage) fut améliorée par une modélisation précise de la dynamique d'échange de charges à l'interface, afin de remonter à des valeurs correctes de sections de capture. Les propriétés spécifiques des différents centres Pb présents sur la face Si(100), et par comparaison des propriétés électriques la nature des défauts induits par injection de porteurs dans l'oxyde sous haut champ électrique

Download or read book Etude de Propri t s Magn to optiques Des H t rostructures de Semiconducteurs III V Par Spectroscopie Submillim trique written by Khaled Karrai͏̈ and published by . This book was released on 1987 with total page 151 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: INTERPRETATION DES RESULTATS EXPERIMENTAUX PAR UN MODELE DE TRANSMISSION OPTIQUE EN PRESENCE DE CHAMP MAGNETIQUE EXTERNE, DEVELOPPE DANS LE FORMALISME DE LA FONCTION REPONSE; MISE EN EVIDENCE DE L'ABSENCE D'INTERACTION ELECTRON-PHONON TO ETRANGE ET D'UNE INTERPRETATION SATISFAISANTE SANS RECOURS A L'INTERACTION ELECTRON-PHONON LO, INDIQUANT L'IMPORTANCE DE L'EFFET ECRAN DANS LA THEORIE DE L'EFFET POLARON RESONNANT. ETUDE DE L'INTERACTION SPIN-ORBITE INDUITE PAR LE CHAMP ELECTRIQUE EXISTANT A L'INTERFACE; CALCUL DES REGLES DE SELECTION DES TRANSITIONS ENTRE NIVEAUX DE LANDAU DANS LES DIFFERENTES CONFIGURATIONS MAGNETOOPTIQUES, DIFFERENCES PAR RAPPORT AUX SEMICONDUCTEURS MASSIFS

Download or read book Propri t s lectroniques et optiques des trions excitoniques dans les semi conducteurs bidimensionnels written by Abdelmajid Aïnane and published by . This book was released on 1991 with total page 270 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le travail présenté dans ce mémoire de thèse est consacré à l'étude des trions excitoniques dans les semi-conducteurs bidimensionnels. Ces quasi-particules peuvent résulter, dans certains conditions, de la liaison d'un exciton (paire électron-trou liée) avec un électron ou un trou dans les semi-conducteurs. Ils se distinguent des autres complexes excitoniques par leur mobilité et leur charge. Ces deux caractéristiques sont susceptibles de donner lieu à des propriétés originales, notamment dans les semi-conducteurs quasi bidimensionnels (super-réseaux semi-conducteurs, puis quantiques). L'étude des trions excitoniques présente un très grand intérêt, tant du point de vue pratique que théorique. Elle permet de comprendre les mécanismes des recombinaisons radiatives contrôlant le fonctionnement de certains dispositifs utilisés en optoélectronique et dans le domaine des télécommunications. Elle fournit également à la physique fondamentale des nouveaux modèles de systèmes formés de quasi-particules en interaction mutuelle, susceptibles d'une analyse expérimentale et théorique très précise. Notre étude a permis de montrer, qu'en l'absence de champ magnétique, des quasi-particles étaient beaucoup plus stables dans les semi-conducteurs bidimensionnels que dans les semi-conducteurs massifs. Par conséquent, leur observation devrait être beaucoup plus favorable dans les milieux 2D. Nous envisageons même une possible observation à température ambiante. Nous avons montré que la forme des raies d'absorption est différente de celle des excitons et autres complexes excitoniques localisés. Ceci devrait faciliter leur identification. Nous avons montré que l'action d'un champ magnétique sur les trions conduit à un renforcement et une quantification supplémentaire des énergies. De plus, nous avons mis en évidence l'influence déterminante de l'orientation du champ magnétique par rapport à la surface du semi-conducteur sur le de quantification. Cette dernière est totale pour un champ perpendiculaire au plan est minimale pour un champ parallèle au plan. Pour des champs magnétiques non nuls, mais suffisamment faibles, les trions se comportent comme des quasi-particules libres et chargées. Dans ces conditions, le champ magnétique donne lieu à des niveaux de Landau comme le cas 3D. Pour un champ magnétique perpendiculaire, la magnéto-absorption se réduit à une série de pics de Dirac. Par contre, dans le cas d'un champ parallèle, elle donne lieu à une série de raies décroissantes vers les basses énergies, à partir d'un bord d'absorption principal. Nos résultats sont originaux et spécifiques aux trions excitoniques. Ils peuvent contribuer à la mise en évidence et à l'identification de ces quasi-particules dans les milieux quasi-bidimensionnels (super-réseaux et puits quantiques semiconducteurs)

Download or read book Contribution l tude de l inversion des bandes de valence et de conduction des semi conducteurs Pbb1s xSnxSe written by Gérard Martinez (docteur en physique)) and published by . This book was released on 1972 with total page 96 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: APRES UNE REVUE DES PROPRIETES GENERALES DE CES SEMICONDUCTEURS, ON ENTREPREND UNE ETUDE THEORIQUE DE LA STRUCTURE DE BANDE AU VOISINAGE DU POINT L. INTERPRETATION DES MESURES GALVANOMAGNETIQUES A PARTIR DES RESULTATS ACQUIS. ETUDE THEORIQUE DE LA CTE DIELECTRIQUE ET DES PROPRIETES EMISSIVES POUR UNE ENERGIE DE L'ORDRE DE E::(G). RESULTATS CONCERNANT L'EFFET LASER ET DISCUSSION

Download or read book tude des propri t s lectroniques des semi conducteurs tr s dop s par une m thode de fonctions de Green written by Huynh Van Công and published by . This book was released on 1972 with total page 148 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Caract risations lectriques d h t rostructures de semi conducteurs written by Xavier Letartre and published by . This book was released on 1992 with total page 155 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'objectif de ce travail est de démontrer que l'utilisation de techniques de caractérisation électrique permet de déterminer, avec une bonne précision, la discontinuité de bande d'une hétérojonction. En premier lieu, une étude détaillée de la technique c(v) permet de sélectionner les hétérostructures les mieux adaptées à la détermination de la discontinuité de bande par cette technique. Pour ces dernières, une méthode systématique est présentée, permettant une mesure précise de ce paramètre. D'autre part, l'interprétation de la spectroscopie d'admittance sur un multipuits quantique est améliorée et la précision de cette technique en est notablement augmentée. Enfin, un modèle original du comportement d'un puits quantique en d.l.t.s. est élaboré. Celui-ci démontre la pertinence de cette technique d'une part pour mettre en évidence les phénomènes de conduction dans une hétérostructure (effets thermo-ionique et tunnel) et, d'autre part, pour mesurer la discontinuité de bande. L'application de ces trois techniques aux systèmes GaAs/GaAlAs et GaAs/GaInAs permet la mesure de leur discontinuité de bande respective

Download or read book Proprietes electroniques et optiques des heterostructures metal semiconducteur written by Jean-Yves Duboz and published by . This book was released on 1990 with total page 173 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES FILMS DE SILICIURE D'EXCELLENTE QUALITE MORPHOLOGIQUE ET ELECTRIQUE PEUVENT ETRE OBTENUS PAR LA METHODE DE CODEPOT, CE QUI AUTORISE LA REPRISE DE CROISSANCE DE SILICIUM. LES PREMIERS RESULTATS SUR DES MULTICOUCHES METAL/SEMICONDUCTEUR SEMBLENT MONTRER L'EXISTENCE D'UNE PHOTOEMISSION D'ELECTRONS PAR-DESSUS LA BARRIERE ET DE TROUS PAR-DESSOUS LA BARRIERE ULTRAMINCE DE SILICIUM. L'OPTIMISATION DES EPAISSEURS DE CHAQUE COUCHE METALLIQUE S'APPUIE SUR LA CONNAISSANCE DE DEUX LONGUEURS CARACTERISTIQUES: LA LONGUEUR D'ABSORPTION OPTIQUE ET LE LIBRE PARCOURS MOYEN BALISTIQUE. LA PREMIERE A ETE DETERMINEE PAR DES MESURES DE REFLEXION ET DE TRANSMISSION OPTIQUE SUR DES FILMS METALLIQUES EPITAXIES SUR SILICIUM. LA SECONDE A ETE DEDUITE DE L'EVOLUTION DU PHOTOCOURANT AVEC L'EPAISSEUR DE METAL DANS DES DIODES SCHOTTKY. DANS LE CAS DE COSI#2, LA LONGUEUR D'ABSORPTION OPTIQUE DE 180 A ET LE LIBRE PARCOURS BALISTIQUE DE 80 A (A UNE ENERGIE DE 1 EV) CONDUISENT A UN RENDEMENT QUANTIQUE EXTERNE MAXIMAL POUR UNE EPAISSEUR DE L'ORDRE DE 75 A. L'ETUDE DU LIBRE PARCOURS BALISTIQUE ET DES CONSTANTES OPTIQUES DE COSI#2 EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET DE L'ENERGIE DES PHOTONS A PERMIS DE MONTRER QUE LA RELAXATION DES ELECTRONS CHAUDS DANS LES METAUX EST CAUSEE PRINCIPALEMENT PAR LES COLLISIONS ELECTRON-ELECTRON. ENFIN, LA DETERMINATION DES HAUTEURS DE BARRIERE SCHOTTKY PAR PHOTOEMISSION INTERNE A PERMIS UNE APPROCHE EXPERIMENTALE DU PROBLEME DE L'ETABLISSEMENT DE CETTE BARRIERE. NOUS AVONS MONTRE QUE LA CONTRIBUTION DU SILICIUM AUX ETATS D'INTERFACES SE LIMITE A LA BANDE LA PLUS PROCHE

Download or read book EFFET DE LA STRUCTURE SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES ET OPTIQUES D OLIGOMERES CONJUGUES SEMI CONDUCTEURS APPLICATION A LA REALISATION DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP ET DE DIODE ELECTROLUMINESCENTES written by RIADH.. HAJLAOUI and published by . This book was released on 1995 with total page 139 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ETUDE STRUCTURALE DES POLYMERES CONJUGUES MONTRE QUE LEUR DESORDRE MOLECULAIRE ET STRUCTURAL LIMITE LA QUALITE DE LEUR PROPRIETES ELECTRONIQUES, ET RESTREINT DONC LEUR EVENTUELLE APPLICATION A DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES. L'UTILISATION DE SYSTEMES MOLECULAIRES STRUCTURALEMENT BIEN DEFINIS DEVRAIT PAR CONTRE PERMETTRE DE S'AFFRANCHIR DE CES DEFAUTS CHIMIQUES ET PHYSIQUES, ET D'AMELIORER AINSI L'EFFICACITE DU TRANSPORT DE CHARGES DANS CES MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS. CETTE DEMARCHE EST ILLUSTREE ICI PAR L'ETUDE DU SEXITHIOPHENE (6T) ET DE SES DERIVES SUBSTITUES. LA PREMIERE PARTIE EST CONSACREE A LA DESCRIPTION DES TECHNIQUES EXPERIMENTALES DE PREPARATION DES FILMS MINCES, PUIS DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES REALISES A PARTIR DE CES SEMI-CONDUCTEURS ORGANIQUES, TELS QUE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP EN COUCHE MINCE ET DIODES ELECTROLUMINESCENTES. L'ETUDE DES PROPRIETES STRUCTURALES ET OPTIQUES A MIS EN EVIDENCE QUE CES FILMS SONT POLYCRISTALLINS, ET QUE L'ORIENTATION DES CHAINES MOLECULAIRES SUR LE SUBSTRAT EST CONTROLEE PAR LA NATURE DU SUBSTRAT, PAR LA TEMPERATURE DE DEPOT ET PAR LA POSITION DE SUBSTITUTION DE GROUPES ALKYLES SUR CETTE MOLECULE (6T). LES MESURES DE CONDUCTIVITE ET DE MOBILITE D'EFFET DE CHAMP DU SEXITHIOPHENE ET DE SES DERIVES MONTRENT QUE POUR LE , -DIHEXYL-SEXITHIOPHENE, LA CONDUCTIVITE PRESENTE UNE ANISOTROPIE IMPORTANTE, ALORS QUE B,B'-DIHEXYL-SEXITHIOPHENE SE COMPORTE COMME UN ISOLANT. LA TEMPERATURE DU SUBSTRAT UTILISEE LORS DU DEPOT DU FILM INFLUE SUR LA CONDUCTIVITE ET SUR LA MOBILITE DU SEXITHIOPHENE. LA MOBILITE PLUS FAIBLE DE 6T A TEMPERATURE AMBIANTE EST ATTRIBUEE A UNE PLUS GRANDE CONCENTRATION DE DEFAUTS TELS QUE JOINTS DE GRAINS. LES CARACTERISTIQUES STATIQUES DES DIODES ELECTROLUMINESCENTES, DONT LES COUCHES ACTIVES SONT CONSTITUEES DE SEXITHIOPHENE OU DE L'UN DE SES DERIVES, MONTRENT UN EFFET REDRESSEUR (SEMI-CONDUCTEUR DE TYPE-P). LES CARACTERISTIQUES TRANSITOIRES MONTRENT UN COURANT CAPACITIF BREF, SUIVI D'UN COURANT PERMANENT DONNANT LIEU A EMISSION LUMINEUSE. DANS UNE STRUCTURE BICOUCHE, ON REMARQUE UNE AUGMENTATION DE L'EMISSION LUMINEUSE ET UNE AUGMENTATION DU RENDEMENT D'ELECTROLUMINESCENCE PAR RAPPORT A LA STRUCTURE MONOCOUCHE. L'INTENSITE DU SPECTRE D'ELECTROLUMINESCENCE ENREGISTRE POUR LA STRUCTURE BICOUCHE DANS LA GAMME 500-700 NM MONTRE QU'EN BAISSANT LA TEMPERATURE L'EMISSION AUGMENTE, CECI EST ATTRIBUE A UNE DIMINUTION DU RENDEMENT DES TRANSITIONS NON RADIATIVES

Download or read book Propri t s lectroniques des h t rostructures semiconductrices contraintes direction d pitaxie et profils de potentiel quelconques written by Alain Simon (auteur d'une thèse sur les milieux denses et matériaux).) and published by . This book was released on 1991 with total page 190 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA THESE DE A. SIMON PRESENTE UNE ETUDE THEORIQUE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DES HETEROSTRUCTURES SEMICONDUCTRICES. LE PREMIER CHAPITRE EST UN RAPPEL DE LA METHODE K.P ET DE L'APPROXIMATION DE LA FONCTION ENVELOPPE DANS LE MATERIAU MASSIF ET L'HETEROSTRUCTURE, ET LE SECOND CHAPITRE TRAITE DES PROBLEMES LIES A LA CONTRAINTE. L'ACCENT EST PLACE SUR LES EFFETS MULTIBANDE. DANS LE TROISIEME CHAPITRE, DEUX METHODES DE CALCUL DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE SONT DEVELOPPEES. LE CHAPITRE 4 EST CONSACRE AU CALCUL DES PROPRIETES OPTIQUES DU PUITS QUANTIQUE GASB-ALSB. DANS LE CINQUIEME CHAPITRE, L'AUTEUR DISCUTE DES EFFETS DE L'ORIENTATION DU SUBSTRAT DANS UNE DIRECTION DE FAIBLE SYMETRIE ET MONTRE LA FORTE INFLUENCE DE L'ANISOTROPIE DU CRISTAL SUR LES PROPRIETES ELECTRONIQUES ET SUR LA REPARTITION DES CONTRAINTES ET DEFORMATIONS DANS L'HETEROSTRUCTURE. LE DERNIER CHAPITRE A TRAIT A L'ETUDE DES POTENTIELS VARIABLES DANS LA DIRECTION DE CROISSANCE ET DEUX MECANISMES SONT ENVISAGES: LE DOPAGE PLANAIRE DU MATERIAU GAAS POUR LEQUEL IL MONTRE LA FAIBLE INCIDENCE DE LA PERIODE SUR LES VARIATIONS DE LEURS PROPRIETES ET L'INTERDIFFUSION DANSLE SUPERRESEAU HGTE-CDTE QUI CONDUIT A LA DISPARITION DE SES ETATS D'INTERFACES ET A L'AUGMENTATION DE LEUR BANDE INTERDITE

Download or read book Etude et caract risations des written by Nathanae͏̈l Moreaud and published by . This book was released on 2000 with total page 221 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL DE RECHERCHE S'ARTICULE AUTOUR DE DEUX THEMES. LE PREMIER PORTE SUR L'ETUDE DE SEMI-CONDUCTEURS A LARGE BANDE INTERDITE. LES MATERIAUX ETUDIES SONT LE SIC, LE GAN, LE GAALN AINSI QUE DES HETEROSTRUCTURES GAALN/GAN/GAALN. LE DEUXIEME PORTE SUR DES MATERIAUX HYBRIDES ORGANIQUES-INORGANIQUES. LES INVESTIGATIONS MENEES SUR LES COUCHES MINCES DE CARBURE DE SILICIUM (POLYTYPE 3C) DEPOSEES SUR SUBSTRATS SILICIUM PAR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ONT MONTRE LA QUALITE MONOCRISTALLINE DES ECHANTILLONS, AINSI QUE LA FAIBLE DENSITE DE DISLOCATIONS DES COUCHES TRES PEU CONTRAINTES. L'ANALYSE PAR SPECTROSCOPIE DE PHOTOLUMINESCENCE DES MATERIAUX CONSTITUANT LES PUITS QUANTIQUES A MIS EN EVIDENCE L'EXCELLENTE QUALITE DES ECHANTILLONS DE GAN ET DE GAALN ELABORES PAR MOCVD SUR SUBSTRAT D'ALUMINE. L'ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DES HETEROSTRUCTURES DE GAALN/GAN/GAALN A CONDUIT A LA VERIFICATION DE LA PRESENCE DE FORTS CHAMPS ELECTRIQUES DANS LES PUITS QUANTIQUES ENGENDRES PAR LES EFFETS DE POLARISATION SPONTANEE ET PIEZOELECTRIQUE. IL A ETE MONTRE QUE CES PHENOMENES ONT POUR CONSEQUENCES DE DECALER VERS LE ROUGE LA TRANSITION DE LUMINESCENCE CORRESPONDANT AUX PUITS QUANTIQUES POUR LES EPAISSEURS SUPERIEURES A 40 ANGSTROMS. LA DERNIERE PARTIE DE CE TRAVAIL PORTE SUR LES RESULTATS COLLECTES LORS DE L'ETUDE DE MATERIAUX HYBRIDES ORGANIQUES-INORGANIQUES. LE PROCEDE SOL-GEL PERMET L'OBTENTION EN UNE SEULE ETAPE CHIMIQUE, A TEMPERATURE AMBIANTE, D'UN SOLIDE COMPOSE D'UN LIGAND ORGANIQUE COMPLEXE A UN ION LANTHANIDE PERMETTANT AINSI, PAR TRANSFERT D'ENERGIE DU LIGAND VERS L'ION METALLIQUE, D'EXALTER LES PROPRIETES DE LUMINESCENCE DE CES MATERIAUX.

Download or read book Contribution l tude des semi conducteurs organiques Evolution de propri t s structurales et lectriques d un sel de l ion radical TCNQ en fonction de la temp rature written by Didier Castagne and published by . This book was released on 1975 with total page 222 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: