Download or read book ETUDE PAR TRACAGE ISOTOPIQUE A L OXYGENE 18 DES MECANISMES DE TRANSPORT ATOMIQUE DANS LES COUCHES MINCES D OXYDE DE SILICIUM ET D OXYDE DE TANTALE SUR SILICIUM written by FRANCOIS.. ROCHET and published by . This book was released on 1981 with total page 176 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book The Physics and Chemistry of SiO2 and the Si SiO2 Interface 2 written by B.E. Deal and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2013-11-09 with total page 505 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The first international symposium on the subject "The Physics and Chemistry of Si02 and the Si-Si02 Interface," organized in association with the Electrochemical Society, Inc. , was held in Atlanta, Georgia on May 15- 20, 1988. This symposium contained sixty papers and was so successful that the sponsoring divisions decided to schedule it on a regular basis every four years. Thus, the second symposium on "The Physics and Chemistry of Si02 and the Si02 Interface was held May 18-21, 1992 in St. Louis, Missouri, again sponsored by the Electronics and Dielectrics Science and Technology Divisions of The Electrochemical Society. This volume contains manuscripts of most of the fifty nine papers presented at the 1992 symposium, and is divided into eight chapters - approximating the organization of the symposium. Each chapter is preceded with an introduction by the session organizers. It is appropriate to provide a general assessment of the current status and understanding of the physics and chemistry of Si02 and the Si02 interface before proceeding with a brief overview of the individual chapters. Semiconductor devices have continued to scale down in both horizontal and vertical dimensions. This has resulted in thinner gate and field oxides as well as much closer spacing of individual device features. As a result, surface condition, native oxide composition, and cleaning and impurity effects now provide a much more significant contribution to the properties of oxides and their interfaces.

Download or read book Silicon Technologies written by Annie Baudrant and published by John Wiley & Sons. This book was released on 2013-05-10 with total page 378 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The main purpose of this book is to remind new engineers in silicon foundry, the fundamental physical and chemical rules in major Front end treatments: oxidation, epitaxy, ion implantation and impurities diffusion.

Download or read book APPLICATION DU TRACAGE ISOTOPIQUE A L OXYGENE 18 A L ETUDE DES MECANISMES DE TRANSPORT ATOMIQUE IMPLIQUES DANS L OXYDATION THERMIQUE DU SILICIUM SOUS OXYGENE SEC written by ISABELLE.. TRIMAILLE and published by . This book was released on 1994 with total page 115 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE BUT DE CETTE THESE EST D'AMELIORER NOTRE CONNAISSANCE DE L'OXYDATION DU SILICIUM SOUS OXYGENE SEC. POUR CELA NOUS AVONS UTILISE LE TRACAGE ISOTOPIQUE A L'OXYGENE 18 ET LA MICROANALYSE NUCLEAIRE. IL AVAIT ETE PRECEDEMMENT ETABLI QU'APRES DES OXYDATIONS D'ABORD EN OXYGENE NATUREL, PUIS EN OXYGENE FORTEMENT ENRICHI EN OXYGENE 18, ON TROUVE DANS LA COUCHE D'OXYDE FORMEE, L'OXYGENE LOURD AUX DEUX INTERFACES: PRINCIPALEMENT A L'INTERFACE AVEC LE SILICIUM MAIS AUSSI A LA SURFACE EXTERNE DE L'OXYDE. LA FIXATION A LA SURFACE RESULTE D'UN PHENOMENE DE TRANSPORT DES ATOMES D'OXYGENE DU RESEAU, INDUIT PAR LA PRESENCE DE DEFAUTS. GRACE A LA RESONANCE A 151 KEV DE LA REACTION NUCLEAIRE #1#8O(P,)#1#5N, NOUS AVONS PU MONTER QUE LE PROFIL D'OXYGENE LOURD PRES DE LA SURFACE EST TRES PROCHE D'UNE FONCTION ERREUR COMPLEMENTAIRE. LA QUANTITE DE L'ISOTOPE LOURD FIXE EN SURFACE AUGMENTE LORSQUE L'EPAISSEUR DU FILM DIMINUE. PLUS LES FILMS SONT MINCES, PLUS GRANDE EST LA VITESSE D'OXYDATION INTERFACIALE. PAR IMPLANTATION D'AZOTE, NOUS AVONS INHIBE L'OXYDATION INTERFACIALE. L'ANALYSE NUCLEAIRE NOUS A PERMIS DE MONTER QUE LA FIXATION D'OXYGENE EN SURFACE NE DEPENDAIT PAS DE LA VITESSE D'OXYDATION. GRACE A UNE ETUDE EN FONCTION DE LA PRESSION D'OXYDATION, NOUS AVONS PU PROPOSER COMME DEFAUT RESPONSABLE DU MOUVEMENT DES ATOMES D'OXYGENE, LE PONT PEROXYL (LIAISON O-O). NOUS AVONS EVALUE LA PROPORTION DE CROISSANCE DU A CE MECANISME. NOUS AVONS ETUDIE L'OXYDATION THERMIQUE RAPIDE DU SILICIUM POUR DEUX NETTOYAGES CHIMIQUES DU SILICIUM. LE NETTOYAGE ACIDE FLUORHYDRIQUE SUIVI D'UN RINCAGE A L'ETHANOL CONDUIT A UNE PLUS GRANDE QUANTITE D'ATOMES DE SILICIUM SOUS FORME DE FRAGMENTS DANS L'OXYDE QUE LE NETTOYAGE ACIDE FLUORHYDRIQUE/ETHANOL. NOUS NOUS SOMMES INTERESSES A L'OXYDATION D'ALLIAGES SILICIUM-GERMANIUM: UNE COUCHE PURE SE SILICE SE FORME PAR DES MECANISMES IDENTIQUES A CEUX DE L'OXYDATION DU SILICIUM

Download or read book Etude de la nitruration thermique pression atmosph rique de l oxyde de silicium et du silicium written by Allal Serrari and published by . This book was released on 1989 with total page 194 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le silicium et l'oxyde de silicium nitrurés présentent de meilleures propriétés diélectriques que l'oxyde de silicium utilisé dans la technologie M.O.S. (métal-oxyde-silicium), d'où l'intérêt de les étudier.La nitruration a été effectuée à pression atmosphérique sous NH3 à haute température (900°C-1100°C) et pendant une durée variant de quelques secondes à 1 ou 2 heures.Pour comprendre le mécanisme de nitruration, nous avons étudié l'influence de plusieurs paramètres de nitruration sur la composition chimique des couches réalisées.La caractérisation physico-chimique a été effectuée par plusieurs technique d'analyse complémentaires telles que : l'analyse par réaction nucléaire, les spectrométries d'électrons Auger et de photoélectrons, la spectroscopie de masse d'ions secondaires et l'ellipsométrie.Nous avons montré que la nitruration du silicium conduit à des couches contenant de l'oxygène. L'épaisseur de ces dernières augmente avec le temps et la température de nitruration mais saturent après une heure (80 A à 1100°C).L'oxyde de silicium nitruré (oxynitrure) présente une surface riche en azote par rapport au volume avec l'existence d’un pic d'azote près de l'inter- face avec le silicium.Nous avons observé ce pic dès 30 secondes pour un oxyde de 450 A, ce qui signifie un coefficient de diffusion de 3.10-13 cm2/s. Le coefficient de diffusion diminue rapidement, atteint 10-15 cm2/s dès 10 minutes de nitruration. L'incorporation de l'azote dans la couche d'oxyde s'accompagne d'une diminution de la quantité d'oxygène. Le mécanisme de transport atomique de l'oxygène pendant la nitruration a été étudié en utilisant des oxydes isotopiques.Un modèle du mécanisme de nitruration a été proposé.Les mesures capacité-tension à 1 MHZ ont permis de déterminer l'évolution de la tension de bande plate et de la quantité de charges dans la couche.Nous avons mis en évidence les propriétés de barrière à l'oxydation des oxynitrures réalisés.

Download or read book ETUDE DES COUCHES ULTRA MINCES DE SIO 2 SUR SILICIUM PAR SIMULATION A L ECHELLE ATOMIQUE written by ADAMA.. TANDIA and published by . This book was released on 1998 with total page 128 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE CONCERNE L'ETUDE DE LA STRUCTURE DES COUCHES ULTRA MINCES DE DIOXYDE DE SILICIUM SUR SILICIUM PAR LA SIMULATION A L'ECHELLE ATOMIQUE. DANS CE BUT, IL EST PRESENTE UNE SYNTHESE DES MODELES D'OXYDATION DU SILICIUM. IL EST MIS EN EVIDENCE LES LIMITES ET FAIBLESSES DE LA MODELISATION CONTINUE, ET LA NECESSITE D'INTRODUIRE LA SIMULATION A L'ECHELLE ATOMIQUE POUR AIDER A MIEUX COMPRENDRE LE MECANISME DE FORMATION DES COUCHES ULTRA MINCES. DIFFERENTS MODELES ONT A CET EFFET ETE INTRODUITS. LE MODELE DES POTENTIELS MULTICORPS, CHOISI POUR FAIRE CETTE ETUDE, EST AINSI DECRIT, PUIS VALIDE SUR LA BASE DES CARACTERISTIQUES PHYSIQUES ET GEOMETRIQUES DU SILICIUM ET DE L'OXYDE DE SILICIUM. UNE AUTRE APPROCHE DE VALIDATION A CONCERNE LA COMPARAISON DES SITES PREFERENTIELS D'ENERGIE MINIMALE DE L'OXYGENE SUR UNE SURFACE SI(001) TROUVES PAR LA METHODE AB INITIO, VIA LES EQUATION DE KONH-SHAM, ET LA METHODE DES POTENTIELS MULTICORPS. CETTE DERNIERE S'EST AVEREE ETRE UNE BONNE APPROXIMATION DE LA METHODE AB INITIO, VUE PAR LA THEORIE DE LA FONCTIONNELLE DE DENSITE. IL A ALORS ETE DISCUTE DE L'OPPORTUNITE ET DE L'INTERET DE COUPLER LES DEUX APPROCHES. LA METHODE DES POTENTIELS MULTICORPS EST PAR LA SUITE APPLIQUEE A L'INVESTIGATION SUR LA STRUCTURE CRISTALLINE DE L'OXYDE NATIF SUR SILICIUM, LES RUGOSITE ET DISTRIBUTION DES CONTRAINTES A L'INTERFACE SI/SIO#2, ET FINALEMENT A L'ETUDE DE L'INFLUENCE DE LA DENSITE DES LACUNES SUR LA CONTRAINTE ET LA RUGOSITE DANS LA REGION D'INTERFACE.

Download or read book INTERDEPENDANCE ENTRE LA COMPOSITION EN OXYGENE LES PROPRIETES PHYSIQUES ET LES MECANISMES DE CROISSANCE DES COUCHES MINCES D YBACUO written by JUAN CARLOS.. CHEANG WONG and published by . This book was released on 1994 with total page 158 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES PROPRIETES PHYSIQUES ET STRUCTURALES DES OXYDES SUPRACONDUCTEURS A HAUTE TEMPERATURE CRITIQUE T#C DEPENDENT FORTEMENT DE LA STCHIOMETRIE EN OXYGENE. DE PLUS, LA FORMATION IN SITU DES COUCHES MINCES EST GOUVERNEE PAR DES MECANISMES DE CROISSANCE DE STRUCTURES HETEROEPITAXIALES. AINSI, NOUS AVONS ETUDIE L'INTERDEPENDANCE ENTRE LES PROPRIETES PHYSIQUES DES COUCHES MINCES D'YBACUO ET LES MECANISMES DE CROISSANCE MIS EN JEU LORS DE LEUR FORMATION. NOUS AVONS DEVELOPPE DE NOUVELLES METHODES DE MESURE DE LA STCHIOMETRIE, EN PARTICULIER CELLE EN OXYGENE, PAR MICROANALYSE NUCLEAIRE. CES METHODES NOUS PERMETTENT DE DISTINGUER DEUX FILMS DONT LA DIFFERENCE EN COMPOSITION EN OXYGENE EST O#0#.#1#-#0#.#2. IL EST GENERALEMENT ADMIS QUE LA CROISSANCE DES COUCHES MINCES D'YBACUO S'EFFECTUE SELON LA PHASE QUADRATIQUE ET PRES DE LA LIMITE DE STABILITE THERMODYNAMIQUE DU COMPOSE Y#1BA#2CU#3O#6 (ISOLANT FERROMAGNETIQUE). PUIS, L'OXYGENATION ASSOCIEE A LA TRANSITION QUADRATIQUE-ORTHORHOMBIQUE (ISOLANT-METAL) SE FAIT LORS DU REFROIDISSEMENT DES COUCHES DANS UNE ATMOSPHERE D'OXYGENE MOLECULAIRE (0.2-1 BAR) OU EN PRESENCE D'OXYGENE ATOMIQUE. LES RESULTATS PRESENTES DANS CETTE THESE SONT EN CONTRADICTION AVEC CE MODELE. EN EFFET, NOUS MONTRONS QUE: 1) LORS DE LA CROISSANCE, L'OXYGENATION DES COUCHES D'YBACUO EST AU VOISINAGE DE O#7 ET DE PLUS LEUR STRUCTURE EST QUADRATIQUE ; 2) LA COMPOSITION EN OXYGENE ET LA STRUCTURE QUADRATIQUE PEUVENT ETRE PRESERVEES A TEMPERATURE AMBIANTE GRACE A UN REFROIDISSEMENT RAPIDE (TREMPE). DES ETUDES SUR LE SOUS-RESEAU D'OXYGENE A L'AIDE DU TRACAGE ISOTOPIQUE A L'#1#8O, LA SPECTROSCOPIE RAMAN ET DE LA MICROANALYSE NUCLEAIRE NOUS ONT PERMIS D'ETABLIR QUE: 1) LE COEFFICIENT DE DIFFUSION ISOTOPIQUE DANS LE CAS DES COUCHES MINCES EST 2-3 ORDRES DE GRANDEUR PLUS FAIBLE QUE CELUI MESURE SUR DES MONOCRISTAUX ; 2) POUR DES COUCHES MINCES LE DESORDRE DANS LE SOUS-RESEAU D'OXYGENE EST 2-3 FOIS PLUS GRAND QUE DANS LE CAS DE MONOCRISTAUX. LES IMPLICATIONS DE CES OBSERVATIONS SONT ANALYSEES DANS LE CADRE DES MODELES THEORIQUES EXISTANTS

Download or read book Etude du transport dans les couches minces de silicium sur isolant et dans les couches d inversion des TMOS written by Gérard Ghibaudo and published by . This book was released on 1984 with total page 177 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: 1. ETUDE DES PHENOMENES DE TRANSPORT DANS LES COUCHES MINCES DE SILICIUM SUR ISOLANT (SOS) ET DANS LES COUCHES D'INVERSION A L'INTERFACE SI-SIO::(2) DES TRANSISTORS MOS. L'UTILISATION DU FORMALISME GENERALISE DE TRANSPORT DE KUBO-GREENWOOD AUTORISE UNE DESCRIPTION GLOBALE DES VARIATIONS AVEC LA TEMPERATURE OU LA CONCENTRATION DES PORTEURS DES COEFFICIENTS DE TRANSPORT DANS LES TMOS. REVUE DES PROPRIETES PHYSICOCHIMIQUES ET ELECTRIQUES DU SILICIUM SUR SAPHIR FABRIQUE EN FRANCE DEPUIS 15 ANS. 2. ETUDE DE LA CINETIQUE D'OXYDATION THERMIQUE DU SILICIUM EN OXYGENE SEC. MODELE GENERAL D'OXYDATION TENANT COMPTE DES CONTRAINTES MECANIQUES ET DE LEUR RELAXATION PAR FLUAGE VISQUEUX PENDANT LA CROISSANCE DE L'OXYDE. CE MODELE PERMET LA DESCRIPTION QUANTITATIVE DU REGIME INITIAL D'OXYDATION ANORMALEMENT RAPIDE A FAIBLE EPAISSEUR D'OXYDE, ET DES VARIATIONS DE LA CONSTANTE CINETIQUE PARABOLIQUE AVEC LA TEMPERATURE D'OXYDATION

Download or read book DEPOT BASSE TEMPERATURE DE COUCHES MINCES D OXYDE DE SILICIUM ELABOREES EN PLASMA OXYGENE ORGANOSILICIE DANS UN REACTEUR HELICON written by Christophe Vallée and published by . This book was released on 1999 with total page 247 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES COUCHES MINCES SONT DEPOSEES A TEMPERATURE AMBIANTE SUR DES SUBSTRATS DE SILICIUM A PARTIR D'UN PLASMA DE MELANGE O#2/ORGANOSILICIE DANS UN REACTEUR RADIOFREQUENCE HELICON FONCTIONNANT A BASSE PRESSION. LORSQUE LE MELANGE EST RICHE EN OXYGENE, LES FILMS OBTENUS SONT INORGANIQUES ET DE TYPE SIO#2. CES COUCHES SONT DURES ET TRANSPARENTES DANS LE DOMAINE DU VISIBLE. A PARTIR DE MELANGES RICHES EN ORGANOSILICIE, LES FILMS OBTENUS SONT ORGANIQUES, DE TYPE SIO#XC#YH#Z. DES ANALYSES IN SITU SIMULTANEES, DU FILM, PAR ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE, ET DU PLASMA, PAR SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE, SONT MISES EN UVRE DURANT LE DEPOT. CECI PERMET DE MIEUX COMPRENDRE LES MECANISMES GOUVERNANT LA CROISSANCE DES FILMS ET D'OBTENIR DES OUTILS DE CONTROLE IN SITU DE LA QUALITE DES COUCHES. AINSI, NOUS AVONS MONTRE L'EXISTENCE D'UNE CORRELATION ENTRE L'EMISSION DE CH* DANS LE PLASMA ET L'INCORPORATION DE CARBONE DANS LES COUCHES. LES PROPRIETES ET LES COMPOSITIONS DES FILMS SONT OBTENUES PAR DES ANALYSES EX SITU TELLES QUE LA SPECTROSCOPIE INFRAROUGE EN TRANSMISSION (FTIR), LA SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS X (XPS), LA REFLECTIVITE SOUS FAISCEAU DE RAYONS X RASANTS, DES CARACTERISATIONS ELECTRIQUES DE TYPE C(V) POUR CETTE ETUDE NOUS AVONS UTILISE DEUX ORGANOSILICIES : LE TETRAETHOXYSILANE (TEOS) ET L'HEXAMETHYLDISILOXANE (HMDSO). L'ETUDE COMPARATIVE DES DIFFERENTS FILMS ORGANIQUES AINSI ELABORES MET EN EVIDENCE UNE TRES FORTE ANALOGIE ENTRE LA STRUCTURE DU FILM ET CELLE DU MONOMERE PRECURSEUR. NOUS AVONS AUSSI MONTRE QUE CERTAINS OXYDES ETAIENT POREUX ET SE MODIFIAIENT AU CONTACT DE L'AIR. EN EFFET, L'UTILISATION DE L'ELLIPSOMETRIE PERMET DE VISUALISER, EN TEMPS REEL, L'INCORPORATION D'EAU DANS CES FILMS. NOUS AVONS AUSSI ETUDIE LA NATURE DES INTERACTIONS ENTRE LES ATOMES D'OXYGENE ET LA SURFACE DU FILM EN COURS D'ELABORATION, AINSI QUE L'EFFET D'UN BOMBARDEMENT IONIQUE (PAR POLARISATION DU SUBSTRAT), SUR LA QUALITE ET LA VITESSE DE CROISSANCE DES COUCHES.

Download or read book ETUDE PAR MICROANALYSE NUCLEAIRE ET TRACAGE ISOTOPIQUE DES MOUVEMENTS ATOMIQUES INDUITS DANS LES COUCHES MINCES DE SILICIUM PAR BOMBARDEMENT IONIQUE DE BASSE ET MOYENNE ENERGIE written by Pablo Vilato and published by . This book was released on 1986 with total page 193 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DE L'INFLUENCE DE L'IRRADIATION DE CIBLES SI PAR DES IONS OXYGENE SUR LA PULVERISATION, L'OXYDATION ET LE DESORDRE DANS LE CRISTAL ET L'ETUDE DU BOMBARDEMENT DE SI PAR SI (AUTOPULVERISATION, RECUITS APRES IMPLANTATION)

Download or read book Tra age isotopique 29Si et 18 O des m canismes de l alt ration du verre de confinement des d chets nucl aires written by Nathalie Valle and published by . This book was released on 2000 with total page 260 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette étude se propose de compléter la compréhension des mécanismes de corrosion en phase aqueuse des verres de confinement des déchets radioactifs par traçage isotopique de la solution altérante. Des verres « type SON68 », chacun dopé avec une terre rare différente (La, Ce ou Nd), ont été altérés simultanément par une solution enrichie en 29Si et 18 O sur une période de 20 mois. Un tel traçage isotopique permet (i) de suivre les échanges réels entre verre et solution altérante et (ii) de comprendre les réactions mettant en jeu l’oxygène et le silicium au cours de l’altération. Pour ce faire, les solutions ont été analysées par ICP-MS et –AES et des profils en profondeur ont été réalisés sur les verres altérés par microsonde ionique. L’analyse élémentaire des pellicules d’altération a permis d’établir la distribution des éléments dans les deux couches constitutives du verre altéré : phyllosilicates et gel et, démontrent que celles-ci retiennent différemment les éléments. L’analyse isotopique des pellicules d’altération, couplée à celle des lixiviats, permet de distinguer par leurs signatures isotopiques différentes, les phyllosilicates et le gel, et, de mettre en évidence deux mécanismes de formation distincts. Les phyllosilicates croissent à la surface des verres par précipitation. Le gel, quant à lui, se formerait par une succesion de réactions d’hydrolyse/condensation se produisant préférentiellement à l’interface réactionnelle. Il serait produit par réarrangement in-situ d’espèces hydratées sans équilibre avec la solution entière. De plus, le développement d’un protocole expérimental a permis de suivre le transfert de silicium de la solution dans des gels d’altération sous gradient isotopique. La modélisation des profils de diffusion, obtenus à la sonde ionique, a permis d’accéer aux coefficients de diffusion apparents du silicium (Dsi) dans les gels. Nos expériences ont ainsi permis de quantifier l’influence du mode d’altération (dynamique ou statique) et celle de la composition de la solution altérante sur les Dsi

Download or read book MECANISMES D OXYNITRURATION THERMIQUE DU SILICIUM ET DE LA SILICE SOUS MONOXYDE D AZOTE written by LAURENT.. GOSSET and published by . This book was released on 2000 with total page 234 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES MECANISMES D'OXYNITRURATION THERMIQUE DU SILICIUM ET DE LA SILICE SOUS MONOXYDE D'AZOTE (NO) ONT ETE ETUDIES EN COMBINANT PRINCIPALEMENT LES TECHNIQUES D'ANALYSE NUCLEAIRE DE DOSAGE ET DE PROFILAGE ISOTOPIQUE AVEC L'UTILISATION DE GAZ ULTRA-PURS, NATURELS ( 1 4N 1 6O) OU FORTEMENT (99%) ISOTOPIQUEMENT MARQUES ( 1 5N 1 8O). LES DIFFERENTS PARAMETRES DE LA CROISSANCE (TEMPERATURE, PRESSION ET DUREE) AINSI QUE L'INFLUENCE DU MODE DE CHAUFFAGE (FOUR A EFFET JOULE ET FOUR A TRAITEMENTS THERMIQUES RAPIDES) DES ECHANTILLONS ONT ETE ETUDIES. DE PLUS, DES TECHNIQUES COMPLEMENTAIRES D'ANALYSE ONT ETE MISES EN UVRE AFIN DE PRECISER OU COMPLETER LES ANALYSES NUCLEAIRES, COMME LA SPECTROSCOPIE PAR PHOTOEMISSION D'ELECTRONS ET LA RESONANCE PARAMAGNETIQUE ELECTRONIQUE. NOUS AVONS MONTRE QUE LORS DE L'OXYNITRURATION DIRECTE DU SILICIUM OU DE COUCHES DE SILICE, DEUX MECANISMES PRINCIPAUX ONT LIEU EN PARALLELE : I) LA REACTION DE MOLECULES NO A LA SURFACE DES ECHANTILLONS QUI INDUIT LA CREATION D'UN DEFAUT QUI DIFFUSE A TRAVERS LA COUCHE ET EST RESPONSABLE DE L'ECHANGE O O EN SURFACE. II) LA DIFFUSION EN POSITION INTERSTITIELLE D'UNE PARTIE DES MOLECULES NO JUSQU'A L'INTERFACE OU ELLES REAGISSENT. L'OXYNITRURATION DE L'INTERFACE REDUIRAIT LA CONTRAINTE LOCALE DANS L'OXYDE (LA DIMINUTION DE LA QUANTITE TOTALE DE CENTRES PB A ETE OBSERVEE), MODIFIERAIT LA DIFFUSION ET LA REACTION DES MOLECULES NO AU COURS DU TEMPS, ET DIMINUERAIT L'ECHANGE EN SURFACE. ENFIN D'AUTRES MECANISMES COMPLETENT CE MODELE, COMME L'ECHANGE ATOMIQUE (OO ET ON) IMPUTE A L'OXYGENE A L'INTERFACE OU LE MOUVEMENT D'ATOMES D'AZOTE ET D'OXYGENE VERS L'INTERFACE EN FORMATION PENDANT LA CROISSANCE. LES RESULTATS OBTENUS PEUVENT ETRE INTERPRETES PAR UN MODELE DE COUCHE REACTIVE

Download or read book Etude des m canismes de photoluminescence dans les nitrures et oxydes de silicium dop s aux terres rares Er Nd written by Émilie Steveler and published by . This book was released on 2012 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de thèse est dédié à l'étude des transitions radiatives dans les matériaux de nitrure et d'oxyde de silicium dopés aux ions de terres rares (Er3+, Nd3+). La caractérisation optique des films minces élaborés par évaporation thermique est basée sur la spectroscopie de photoluminescence. Les études menées s'inscrivent dans la recherche de processus d'excitation indirecte des ions Er3+ et Nd3+ dans des matrices à base de silicium. Dans les nitrures et oxynitrures de silicium, un processus de transfert d'énergie permettant l'excitation indirecte des ions Er3+ est mis en évidence. Pour les couches minces amorphes, le couplage est attribué à des états électroniques localisés dans la bande interdite de la matrice. Pour les films recuits à haute température, les nanocristaux de silicium (nc-Si) jouent un rôle majeur dans l'excitation indirecte de l'erbium. Dans les matrices d'oxyde de silicium, l'existence de processus d'excitations directe et indirecte des ions Nd3+ est démontrée. Pour les films amorphes, l'excitation indirecte du Nd se fait via des états électroniques localisés dans la bande interdite de la matrice. Pour les films recuits au-delà de 1000 °C, les nc-Si jouent le rôle de sensibilisateurs pour les ions Nd3+. Les résultats suggèrent que l'excitation indirecte des ions Nd3+ grâce aux états localisés dans la bande interdite de la matrice pourrait être plus efficace que l'excitation via les nc-Si.

Download or read book Oxydation du silicium par plasma d oxygene written by Christine Martinet and published by . This book was released on 2017 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail est consacre a l'etude de l'oxyde de silicium realise par oxydation plasma a basse temperature dans un reacteur a resonance cyclotronique electronique repartie. Nous nous sommes interesses aux cinetiques de croissance en anodisation plasma (tension appliquee au substrat superieure au potentiel plasma) a courant constant qui decrivent bien un modele de diffusion d'ions o#- assistee champ. Mais, nous avons mis en evidence l'existence d'un premier regime, ou la tension reste constante, qui correspondrait a la formation d'une couche conductrice d'epaisseur 10-15 nm due aux photons u.v. Energetiques du plasma d'oxygene. Nous avons caracterisé physiquement nos oxydes plasmas. La methode d'absorption infrarouge s'est revelee tres adaptee a l'etude des couches minces de silice, en tenant compte des effets geometriques, mis en evidence par calcul et experimentalement, provoquant un deplacement fictif du pic du mode principal optique transverse (to) avec l'epaisseur d'oxyde, tandis que la position du pic du mode optique longitudinal (lo) reste invariante. La position des pics des modes lo et to nous permet de determiner l'angle moyen si-o-si et la densite de la silice. Les oxydes plamas montrent une position de ces deux pics tres deplacee par rapport aux oxydes thermiques laissant presager des oxydes denses. La reflectometrie x s'est revelee tres sensible a la rugosite de surface de l'oxyde tandis qu'il est difficile d'obtenir des valeurs precises pour les autres parametres (rugosite d'interface sio#2/si, densite). Les resultats des mesures sur les oxydes anodiques en absorption infrarouge et en reflectometrie x montrent une inhomogeneite en epaisseur. Enfin, des mesures c(v) montrent une caracteristique convenable bien que ces oxydes soient contamines par les metaux constituant le reacteur.

Download or read book NITRURATION DES COUCHES MINCES D OXYDE DE SILICIUM PAR ACTIVATION THERMIQUE ET PAR STIMULATION ELECTRONIQUE written by AHMAD.. BENAMAR and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA NITRURATION SUPERFICIELLE DES COUCHES TRES MINCES (130 A) DE SIO#2 EST EFFECTUEE PAR DIFFERENTES TECHNIQUES (BT, HT, RTN). LA NITRURATION A BASSE PRESSION (BT OU HT) PERMET DE SITUER LA REACTION DE NITRURATION A LA SURFACE DE LA SILICE, EMPECHANT AINSI LA DIFFUSION DES ESPECES NITRURANTES. DE MEME, LA RTN EVITE LA MIGRATION DE L'AZOTE DANS LA MASSE DE LA SILICE ET LA REDISTRIBUTION DES DOPANTS. L'ANALYSE PHYSICO-CHIMIQUE (SIMS, AES, IRS, RS) A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE LA NITRURATION DE LA SURFACE DE LA SILICE ET DE CONTROLER LES PHENOMENES DE MIGRATION D'AZOTE A L'INTERFACE SI-SIO2 ET A REVELE LES DIFFERENTES LIAISONS CHIMIQUES (SI-N,SI-H,O-H,N-H) SUSCEPTIBLE D'ETRE A L'ORIGINE D'UN PIEGEAGE-DEPIEGEAGE DES PORTEURS. L'ANALYSE A PERMIS DE SUIVRE L'EVOLUTION DE VFB DE LA RIGIDITE DIELECTRIQUE ET DES HAUTEURS DE BARRIERE INTERFACIALES EN FONCTION DE LA NITRURATION. DIFFERENTS TYPES DE PIEGES CREES LORS DE LA NITRURATION ONT ETE DETECTES ET CARACTERISES (CONCENTRATION, SECTION EFFICACE, BARYCENTRE). LA QUALITE DE L'INTERFACE (DENSITE D'ETATS) DEPEND DES CONDITIONS ET PARAMETRES DE LA NITRURATION, DE LA QUALITE DE L'OXYDE: SI LE DESORDRE INTERFACIAL EST INITIALEMENT ELEVE, IL EST AUGMENTE APRES NITRURATION, L'AMPLITUDE DE CETTE VARIATION DEPEND DU MODE DE NITRURATION (CONTINU, SEQUENTIEL). EN RTN LA DENSITE N#I#T DIMINUE QUAND LE TEMPS DE NITRURATION AUGMENTE. GLOBALEMENT, LA NITRURATION PERMET D'AVOIR DES ISOLANTS DE BONNES QUALITES ET PEUT ETRE UN PROCEDE DE PASSIVATION EFFICACE. SI LES CONDITIONS DE NITRURATION SONT OPTIMISEES LES ISOLANTS PEUVENT DEVENIR MEILLEURS QUE LES OXYDES

Download or read book OXYDATION DU SILICIUM PAR PLASMA D OXYGENE written by CHRISTINE.. MARTINET and published by . This book was released on 1995 with total page 171 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE DE L'OXYDE DE SILICIUM REALISE PAR OXYDATION PLASMA A BASSE TEMPERATURE DANS UN REACTEUR A RESONANCE CYCLOTRONIQUE ELECTRONIQUE REPARTIE. NOUS NOUS SOMMES INTERESSES AUX CINETIQUES DE CROISSANCE EN ANODISATION PLASMA (TENSION APPLIQUEE AU SUBSTRAT SUPERIEURE AU POTENTIEL PLASMA) A COURANT CONSTANT QUI DECRIVENT BIEN UN MODELE DE DIFFUSION D'IONS O#- ASSISTEE CHAMP. MAIS, NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE L'EXISTENCE D'UN PREMIER REGIME, OU LA TENSION RESTE CONSTANTE, QUI CORRESPONDRAIT A LA FORMATION D'UNE COUCHE CONDUCTRICE D'EPAISSEUR 10-15 NM DUE AUX PHOTONS U.V. ENERGETIQUES DU PLASMA D'OXYGENE. NOUS AVONS CARACTERIS E PHYSIQUEMENT NOS OXYDES PLASMAS. LA METHODE D'ABSORPTION INFRAROUGE S'EST REVELEE TRES ADAPTEE A L'ETUDE DES COUCHES MINCES DE SILICE, EN TENANT COMPTE DES EFFETS GEOMETRIQUES, MIS EN EVIDENCE PAR CALCUL ET EXPERIMENTALEMENT, PROVOQUANT UN DEPLACEMENT FICTIF DU PIC DU MODE PRINCIPAL OPTIQUE TRANSVERSE (TO) AVEC L'EPAISSEUR D'OXYDE, TANDIS QUE LA POSITION DU PIC DU MODE OPTIQUE LONGITUDINAL (LO) RESTE INVARIANTE. LA POSITION DES PICS DES MODES LO ET TO NOUS PERMET DE DETERMINER L'ANGLE MOYEN SI-O-SI ET LA DENSITE DE LA SILICE. LES OXYDES PLAMAS MONTRENT UNE POSITION DE CES DEUX PICS TRES DEPLACEE PAR RAPPORT AUX OXYDES THERMIQUES LAISSANT PRESAGER DES OXYDES DENSES. LA REFLECTOMETRIE X S'EST REVELEE TRES SENSIBLE A LA RUGOSITE DE SURFACE DE L'OXYDE TANDIS QU'IL EST DIFFICILE D'OBTENIR DES VALEURS PRECISES POUR LES AUTRES PARAMETRES (RUGOSITE D'INTERFACE SIO#2/SI, DENSITE). LES RESULTATS DES MESURES SUR LES OXYDES ANODIQUES EN ABSORPTION INFRAROUGE ET EN REFLECTOMETRIE X MONTRENT UNE INHOMOGENEITE EN EPAISSEUR. ENFIN, DES MESURES C(V) MONTRENT UNE CARACTERISTIQUE CONVENABLE BIEN QUE CES OXYDES SOIENT CONTAMINES PAR LES METAUX CONSTITUANT LE REACTEUR

Download or read book ETUDE DES OXYNITRURES DE SILICIUM EN COUCHES MINCES DEPOSES PAR PULVERISATION EN VUE D APPLICATIONS OPTIQUES written by Laurent Pinard and published by . This book was released on 1993 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail repose sur l'etude des couches minces d'oxynitrures de silicium obtenues par pulverisation radio-frequence magnetron reactive en vue de realiser des multicouches optiques ayant de faibles pertes (absorption, diffusion). Tout d'abord, nous avons analyse les variations des proprietes optiques et physicochimiques des monocouches d'oxynitrures liees aux differents parametres du bati de depot: les pressions partielles des gaz, la puissance rf, la nature de la cible et des gaz. Ainsi, lorsque l'on decrit toute la gamme des oxynitrures de l'oxyde de nitrure, nous avons en particulier mis en evidence l'evolution quasi lineaire de l'indice sur un domaine relativement important ainsi que la substitution rigoureuse des atomes d'oxygene par les atomes d'azote: ceci est la preuve d'un mecanisme simple de formation. De plus, grace a des analyses par spectrophotometrie ir, un modele de la structure amorphe des oxynitrures a ete propose (pseudo-binaire oxyde-nitrure) et verifie par deux methodes d'approximation. Enfin, une etude plus particuliere de l'absorption (photothermie) et de la diffusion (diffusometre casi) a ete menee sur les monocouches et sur les multicouches synthetises a partir des oxynitrures (antireflets, miroirs). Une comparaison avec les performances des empilements classiques d'oxydes realises par pulverisation par faisceaux d'ions a pu etre faite et nous avons ainsi propose des solutions pour optimiser les deux sources de pertes