Download or read book ETUDE PAR SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS DE SURFACES ET INTERFACES DE SEMI CONDUCTEURS III V PREPAREES PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES written by MARC.. LARIVE and published by . This book was released on 1993 with total page 223 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS CETTE THESE, NOUS PRESENTONS QUELQUES ETUDES DE CARACTERISATION IN SITU AVEC UNE METHODE D'ANALYSE DE SURFACE (SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS AU LABORATOIRE ET AVEC LE RAYONNEMENT SYNCHROTRON) REALISEES AU COURS DE LA CROISSANCE D'INTERFACES SEMI-CONDUCTEUR/SEMI-CONDUCTEUR OU SEMI-CONDUCTEUR/METAL. TOUT D'ABORD, UNE ETUDE SUR LES SURFACES PROPRES DE GAAS OBTENUES PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES POUR DIFFERENTES ORIENTATIONS ET RECONSTRUCTIONS EST EFFECTUEE. LES COMPOSANTES DE SURFACE SONT MISES EN EVIDENCE SUR LES SPECTRES DE NIVEAUX DE COEUR ET, A PARTIR D'UN MODELE SIMPLE DE REPARTITION DE CHARGES ELECTRONIQUES, RELIEES AUX DIFFERENTES RECONSTRUCTIONS ATOMIQUES DE SURFACE. NOUS PRESENTONS ENSUITE UNE ETUDE SUR LES INTERFACES NI/GAAS (100) REALISEES IN SITU. LA METALLURGIE SEMBLE LA MEME QUE POUR NI/GAAS (110) ET L'ANALYSE DES SPECTRES DE BANDE DE VALENCE ET DE NIVEAUX DE COEUR MONTRE QUE LA STOECHIOMETRIE DU COMPOSE DE REACTION VARIE AU COURS D'UN RECUIT. LA HAUTEUR DE LA BARRIERE DE SCHOTTKY FORMEE EST LA MEME SUR LES DEUX ORIENTATIONS (0,54 EV POUR UN SUBSTRAT DE TYPE P EN ACCORD AVEC LES PREDICTIONS BASEES SUR LA DIFFERENCE D'ELECTRONEGATIVITE). ENFIN, L'ANALYSE IN-SITU PAR SPECTROSCOPIE DES NIVEAUX DE COEUR GA-3D ET IN-4D, ASSOCIEE A UN MODELE D'EQUILIBRE LOCAL EN SURFACE, A PERMIS DE QUANTIFIER LE PHENOMENE DE SEGREGATION D'INDIUM AUX INTERFACE GA#1#-#XIN#XAS/GAAS (100) ET (111). UNE ENERGIE DE SEGREGATION PHENOMENOLOGIQUE PEUT ETRE DETERMINEE EXPERIMENTALEMENT A PARTIR DE NOS MESURES ET UTILISEE POUR LA PREDICTION DES PROPRIETES OPTIQUES DE PUITS QUANTIQUES GAAS/GAINAS/GAAS (100). L'INFLUENCE DE LA DIFFUSION DES ATOMES EN SURFACE COMME FACTEUR LIMITANT CINETIQUEMENT L'IMPORTANCE DE LA SEGREGATION EST DEMONTREE. ENFIN, NOUS AVONS AUSSI ETUDIE LA DISCONTINUITE DE BANDE DE VALENCE ASSOCIEE A CES HETEROJONCTIONS

Download or read book Epitaxie d h t rostructures combinant oxydes fonctionnels et semiconducteurs III V pour la r alisation de nouvelles fonctions photoniques written by Benjamin Meunier and published by . This book was released on 2016 with total page 173 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La diversification des fonctionnalités intégrées dans les systèmes micro-optoélectroniques est l'un point clé du développement de ces filières. Combiner sur une même puce des matériaux ayant des propriétés différentes doit permettre de faire émerger de nouveaux concepts de composants basés sur de nouveaux effets physiques ou sur la combinaison des propriétés physiques des matériaux intégrés. Parmi les matériaux d'intérêt, les semi-conducteurs III-V présentent des propriétés optiques exceptionnelles et sont couramment utilisés pour réaliser des composants photoniques. Les oxydes fonctionnels, quant à eux, offrent une grande variété de propriétés physiques qui en font des matériaux très prometteurs pour de nombreuses applications. Dans ce contexte, l'objectif global de cette thèse est de démontrer la possibilité d'intégrer des oxydes fonctionnels cristallins sur des hétérostructures à base de GaAs par épitaxie, et de montrer que de telles structures peuvent présenter des propriétés nouvelles pour la photonique. Plus précisément, nous avons focalisé nos efforts sur l'intégration de couches minces de PZT sur des structures à puits quantiques InGaAs/GaAs via des couches tampons de SrTiO3 (STO). Nous avons étudié et développé la croissance par épitaxie par jets moléculaires (MBE) des templates de STO sur GaAs. La forte hétérogénéité entre ces deux types de matériaux nécessite d'avoir recours à des stratégies d'ingénierie d'interface spécifiques et à un excellent contrôle des paramètres de croissance. Nous avons mis en évidence les effets bénéfiques sur la qualité structurale du STO d'une préparation de la surface de GaAs au Ti. Pour ces études, nous avons utilisé la spectroscopie de photoélectrons (XPS, in-situ ou en collaboration avec la ligne TEMPO du synchrotron SOLEIL) et microscopie électronique en transmission (TEM, en collaboration avec le LPN). Ces expériences nous ont permis de sonder structure et chimie de l'interface semi-conducteur/oxyde. Nous avons également étudié les mécanismes de croissance et de cristallisation du STO sur GaAs, en mettant notamment en œuvre des expériences d'XPS in-situ au synchrotron SOLEIL. La compréhension de ces mécanismes spécifiques nous a permis d'adapter les conditions de croissance du STO et d'obtenir des couches tampons d'excellente qualité. Nous avons étudié la croissance de couches minces de PZT sur des structures à puits quantique d'In- GaAs/GaAs via des templates de STO. Nous avons tout d'abord montré que les procédés standards de croissance de PZT (sol-gel ou ablation laser (collaboration avec l'IEF)) conduisaient à de fortes dégradations des puits quantiques du fait des réactions chimiques entre l'oxyde et le matériau III-V. Nous avons étudié les mécanismes de ces dégradations et mis en évidence une forte affinité chimique entre l'As, le Pb et le Sr. Pour pallier cette difficulté, nous avons modifié le procédé de croissance du PZT ainsi que l'hétérostructure III-V (enfouissement du puits, ajout d'AlAs ...). Ces actions combinées nous ont permis de réaliser des couches minces de PZT ferroélectriques sur des structures à puits quantiques d'InGaAs/GaAs. Nous avons ensuite défini un design d'émetteur accordable basé sur une hétérostructure PZT/GaAs/InGaAs. De tels émetteurs ont été réalisés en collaboration avec l'IEF) et mesurés leurs propriétés mécaniques et optiques en effectuant des expériences sous champ. Enfin, nous avons effectué un certain nombre d'études préliminaires visant à démontrer la possibilité d'intégrer des hétérostructures à base de GaAs sur des substrats de Si recouverts de couches tampons de STO. Nous avons pour cela envisagé et étudié la possibilité d'utiliser des composés Zintl-Klemm d'interface susceptibles de minimiser l'énergie d'interface entre le GaAs et le STO.

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE PAR SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS EXCITES PAR RAYONS X DES SURFACES DE SEMI CONDUCTEURS III V written by Driss Agliz and published by . This book was released on 1987 with total page 162 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CALCUL DES DENSITES D'ETATS; CONFIRMATION DE L'ORIGINE D'UNE BANDE OBSERVEE EXPERIMENTALEMENT, DUE AU DEVELOPPEMENT DU RESEAU COVALENT LE LONG DE LA SERIE DES COMPOSES ETUDIES. L'ETUDE DES NIVEAUX DE COEUR DU COMPOSE DU PHOSPHORE OXYDE PERMET DE CARACTERISER LA STRUCTURE DE L'AZOTE ET CELLE DE L'OXYGENE

Download or read book ETUDE D INTERFACES METAUX SEMI CONDUCTEURS PAR DIFFERENTES TECHNIQUES D ANALYSE written by Pierre Claverie and published by . This book was released on 1986 with total page 148 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: APPROCHE PAR PHOTOEMISSION ANGULAIRE DU DEBUT DE CROISSANCE HETEROGENE DU PLATINE DEPOSE SUR UNE SURFACE (110) CLIVEE "IN SITU" DE L'INP. ETUDE PAR DIFFRACTION DE RAYONS X EN INCIDENCE RASANTE DE LA STRUCTURE DE SURFACE DE GAAB RECONSTRUITE PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES, OU EN INTERACTION AVEC DE L'ARGENT EPITAXIE

Download or read book L ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE A HAUTE RESOLUTION LATERALE written by Marko Erman and published by . This book was released on 1986 with total page 352 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE THEORIQUE ET EXPERIMENTALE DE L'APPLICATION DE LA METHODE AUX SEMICONDUCTEURS III-V ET EN PARTICULIER A L'ANALYSE DES INTERFACES. ETUDE DES SYSTEMES GAAIAS / GAAS ET GAINAS /INP. DETERMINATION SIMULTANEE DE L'EPAISSEUR DES COUCHES ET DE L'ENERGIE DE LOCALISATION POUR LES DIFFERENTES TRANSITIONS OPTIQUES, DANS LE CAS DE PUITS QUANTIQUES ET DE SUPER-RESEAUX; EFFETS DUS AU COUPLAGE ENTRE LES PUITS QUANTIQUES. OBTENTION DE CARTOGRAPHIES AVEC UNE RESOLUTION OPTIQUE DE 10MU M. LE TRAITEMENT THEORIQUE DES IMAGES ELLIPSOMETRIQUES EST BASE SUR LE CONCEPT DE TRAJECTOIRES

Download or read book Epitaxie par jets mol culaires d organom talliques written by Nicolas Viguier and published by . This book was released on 1997 with total page 190 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS CE TRAVAIL, NOUS AVONS TOUT D'ABORD ETUDIE LES POSSIBILITES OFFERTES PAR LA TECHNIQUE D'EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES D'ORGANOMETALLIQUES (MOMBE) DANS LE DOMAINE DE L'HETEROEPITAXIE DE FILMS METALLIQUES SUR GAAS. APRES AVOIR JUSTIFIE LE CHOIX DE LA PHASE INTERMETALLIQUE COGA, NOUS AVONS DETERMINE LES CONDITIONS D'ELABORATION OPTIMALES SUIVANTES : T = 360C, CPCO(CO)#2 : GAET#3 5:1, SURFACE (100)GAAS SATUREE GA. DANS CES CONDITIONS, DES FILMS COGA MONOPHASES SONT EPITAXIES SUR (100)GAAS DE FACON REPRODUCTIBLE. CES FILMS SONT EXEMPTS DE CARBONE ET D'OXYGENE ET SONT THERMIQUEMENT STABLES SUR GAAS JUSQU'A 500C EN ACCORD AVEC LA PREVISION THERMODYNAMIQUE. LES HETEROSTRUCTURES COGA/GAAS ONT UN COMPORTEMENT DE DIODE SCHOTTKY. CES RESULTATS FONT DE LA MOMBE UNE TECHNIQUE PARTICULIEREMENT INTERESSANTE POUR LA METALLISATION DES SEMI-CONDUCTEURS III-V. PARALLELEMENT A CES TRAVAUX SUR L'HETEROEPITAXIE, NOUS AVONS DEVELOPPE UNE TECHNIQUE DE SUIVI IN SITU DE CES PROCESSUS HETEROGENES BASEE SUR LA PHOTOEMISSION AU NIVEAU DU SEUIL. APRES AVOIR MONTRE LES POTENTIALITES DE CETTE TECHNIQUE POUR L'ANALYSE IN SITU ET EN TEMPS REEL DE LA CROISSANCE DES FILMS HOMOEPITAXIES GAAS/GAAS, NOUS L'AVONS UTILISEE POUR L'ETUDE DES PROCESSUS D'ADSORPTION ET DE DECOMPOSITION THERMIQUE HETEROGENE DES SOURCES DE GALLIUM (GAET#3 ET GAME#3) SUR UNE SURFACE (100)GAAS. NOUS AVONS AUSSI DETERMINE EXPERIMENTALEMENT PAR PHOTOEMISSION DE SEUIL UN MODE D'ADSORPTION EN COUCHE MONOMOLECULAIRE (LANGMUIR), UNE TEMPERATURE DE DEBUT DE DECOMPOSITION, AINSI QUE LES PARAMETRES D'ARRHENIUS ASSOCIES A LA CINETIQUE DE DECOMPOSITION THERMIQUE HETEROGENE DE CES ORGANOMETALLIQUES SUR (100)GAAS. LES DONNEES EXPERIMENTALES TRES PRELIMINAIRES SUR L'INTERACTION DE GAZ SUR DES SUBSTRATS POLYCRISTALLINS DU TYPE SNO#2 MONTRENT QUE LE PROCEDE PEUT ETRE UTILISE EGALEMENT POUR ETUDIER LA CINETIQUE DES PHENOMENES DE SURFACE DANS LES CONDITIONS DE FONCTIONNEMENT DE CAPTEURS PLUS CONVENTIONNELS ET SURTOUT POUR ANALYSER LES PROCESSUS DE LEUR DEGRADATION.

Download or read book Epitaxie par jets mol culaires d h t rostructures de semiconducteurs II VI written by Geneviève Lentz and published by . This book was released on 1989 with total page 179 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS AVONS, AU COURS DE CETTE ETUDE, ETUDIE LA CROISSANCE DES COUCHES MINCES ET DES HETEROSTRUCTURES A BASE DE CDTE, CDZNTE ET CDHGTE, REALISEES PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES (EJM). L'OBSERVATION DES OSCILLATIONS DE L'INTENSITE DU DIAGRAMME DE DIFFRACTION D'ELECTRONS, PENDANT LE DEPOT DE CES STRUCTURES, NOUS A PERMIS D'OBTENIR DES INFORMATIONS SUR LES DYNAMIQUES DE CROISSANCE POUR LES ORIENTATIONS (001) ET (111) ET DE MESURER AVEC UNE PREECISION D'UNE MONOCOUCHE, L'EPAISSEUR DE CHAQUE COUCHE. NOUS AVONS UTILISE DES TECHNIQUES DE DIFFRACTION X, POUR ETUDIER LA QUALITE DES COUCHES, POUR DETECTER DES DEFAUTS TELS QUE LES MACLES ET LES DISLOCATIONS ET POUR MESURER LEUT ETAT DE DEFORMATION. EN EFFET, DES MESURES DE L'ETAT DE DEFORMATION, FAITES EN DOUBLE DIFFRACTION X SUR DES COUCHES DE CDTE (111) ET (111) DESORIENTES, ONT MONTRE LE ROLE DES MACLES SUR LES MECANISMES DE RELAXATION. DANS CES CONDITIONS, DES COUCHES ORIENTEES (001) ET (111) DE BONNE QUALITE ONT ETE REALISEES: EN PARTICULIER, NOUS AVONS MONTRE QUE DES COUCHES DE CDTE ET DE CD#XHG#1##XTE(X=60 A 80%) SANS MACLE, PEUVENT ETRE REALISEES EN EJM, SUR DES SUBSTRATS CDZNTE (111)B. TOUS CES RESULTATS: CONTROLE DES EPAISSEURS ET OPTIMISATION DES CONDITIONS DE CROISSANCE, ONT PERMIS DE REALISER DES HETEROSTRUCTURES (PUITS QUANTIQUES ET SUPERRESEAUX) CDTE/CDZNTE ET CDTE/CDHGTE PRESENTANT DE TRES BONNES PROPRIETES STRUCTURALES ET OPTIQUES

Download or read book APPLICATION DE LA TECHNIQUE DE PHOTOREFLECTIVITE A LA CARACTERISATION DE MICROCAVITES SEMICONDUCTRICES written by PIERRE-DAMIEN.. BERGER and published by . This book was released on 1997 with total page 141 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE BUT DE CE TRAVAIL A ETE DE CARACTERISER OPTIQUEMENT DES STRUCTURES DE MICROCAVITE REALISEES PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES A BASE DE MATERIAUX SEMICONDUCTEURS III-V. NOUS UTILISONS LA PHOTOREFLECTIVITE, METHODE DE SPECTROMETRIE DE MODULATION OPTIQUE, POUR CARACTERISER CES STRUCTURES. CETTE TECHNIQUE PERMET DE MESURER LA POSITION DU MODE DE LA CAVITE FABRY-PEROT PAR RAPPORT AU NIVEAU FONDAMENTAL DES PUITS QUANTIQUES, MEME LORSQUE CETTE TRANSITION SE TROUVE MASQUEE PAR LE FORT COEFFICIENT DE REFLECTIVITE. DE PLUS, LES SPECTRES DE PHOTOREFLECTIVITE PERMETTENT D'OBTENIR LA COMPOSITION DE L'ALLIAGE TERNAIRE DE LA CAVITE, LA VALEUR DU CHAMP ELECTRIQUE INTERNE, L'EPAISSEUR DES PUITS QUANTIQUES. CES RESULTATS OFFRENT AINSI LA POSSIBILITE DE CALIBRER LES PARAMETRES DE CROISSANCE. DANS LE CADRE D'UN PROJET AVEC LE CEA/LETI, NOUS AVONS COMPLETE UN PROGRAMME DE SIMULATION CONCERNANT L'INFLUENCE DE LA COUCHE ACTIVE DES STRUCTURES SUR LA REFLECTIVITE. NOUS AVONS MODELISE L'INDICE COMPLEXE DES PUITS QUANTIQUES EN NE TENANT COMPTE QUE DE LA CONTRIBUTION EXCITONIQUE POUR LAQUELLE NOUS AVONS APPROXIME LA FONCTION D'ONDE AU NIVEAU DES PUITS QUANTIQUES PAR UNE FONCTION LORENTZIENNE. NOUS INCLUONS AUSSI L'EFFET DU CHAMP ELECTRIQUE QUI MODIFIE L'ENERGIE DE LA TRANSITION QUANTIQUE PAR EFFET STARK. EN FAISANT EVOLUER LES TRANSITIONS L'UNE PAR RAPPORT A L'AUTRE, NOUS METTONS EN EVIDENCE UN PHENOMENE D'ANTICROISEMENT ENTRE LES ETATS EXCITONIQUES ET PHOTONIQUES, CARACTERISTIQUE DU REGIME DE COUPLAGE. A LA RESONANCE, LE SYSTEME OSCILLE ENTRE CHACUN DE CES ETATS. NOUS AVONS ETUDIE UNE STRUCTURE VCSEL (GAAS/ALGAAS) PRESENTANT UN REGIME DE COUPLAGE FAIBLE AVEC UNE ENERGIE DE SEPARATION DE 3.2MEV EN ACCORD AVEC LES RESULTATS DE SIMULATION. NOUS AVONS EGALEMENT OBSERVE UN REGIME DE COUPLAGE FORT SUR UNE STRUCTURE DE MICROCAVITE (INGAAS/ALGAAS/GAAS) AVEC = 8.2MEV.

Download or read book EPITAXIE PAR JETS CHIMIQUES D HETEROSTRUCTURES INP GA 0 4 7IN 0 5 3AS written by LALLA FATIHA.. ALOUI and published by . This book was released on 1990 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'EPITAXIE PAR JETS CHIMIQUES (EJC), NOUVELLE METHODE DE CROISSANCE, COMBINE LA MAJORITE DES AVANTAGES DES DEUX TECHNIQUES MERES. L'EPITAXIE PAR ORGANOMETALLIQUES (EOM) ET L'EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES (EJM). LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MANUSCRIT DECRIT ET DEMONTRE EXPERIMENTALEMENT CERTAINS AVANTAGES OFFERTS PAR CETTE TECHNIQUE D'EPITAXIE. DE PLUS, CETTE ETUDE CONSTITUE UNE PREMIERE VALIDATION DE CETTE METHODE DE CROISSANCE PAR L'OBTENTION, DANS LE SYSTEME DE SEMICONDUCTEURS INP/GAINAS, DE COUCHES PURES, DE STRUCTURES A PUITS QUANTIQUES ET DE COMPOSANTS D'EMISSION LASER. L'EQUIPEMENT EXPERIMENTAL MIS AU POINT ET SON OPTIMISATION, NOTAMMENT DE LA PARTIE D'INTRODUCTION DES SOURCES GAZEUSES, SONT D'ABORD PRESENTES. L'ETUDE PORTE ESSENTIELLEMENT SUR L'OPTIMISATION DES CONDITIONS DE CROISSANCE DES COMPOSES GAAS, GAINAS ET INP, POUR SURTOUT MINIMISER L'INCORPORATION DU CARBONE QUI APPARAIT ETRE L'IMPURETE RESIDUELLE MAJORITAIRE. DES COUCHES INP AVEC UN DOPAGE INTRINSEQUE AUSSI FAIBLE QUE 2 10#1#4 CM##3 ET UNE MOBILITE DE 112000 A 77 K ONT AUSSI ETE OBTENUES. UN MODELE POUR EXPLIQUER L'INCORPORATION OBSERVE AU CARBONE ET SON ACTIVITE ELECTRIQUE DANS CES DIFFERENTS SEMICONDUCTEURS EN FONCTION DE LA TEMPERATURE DE CROISSANCE ET DU RAPPORT V/III EST AUSSI DISCUTE. L'INCORPORATION VOLONTAIRE D'IMPURETES DOPANTES DE TYPE N (SI) ET P (BE) EVAPORES A PARTIR DE SOURCES SOLIDES EST AUSSI ETUDIE. LES POTENTIALITES DE LA TECHNIQUE SONT ENFIN DEMONTREES PAR L'EPITAXIE SANS INTERRUPTION DE CROISSANCE AUX HETERO-INTERFACES DE STRUCTURES INP/GAINAS AUSSI MINCES QUE 12 A ET CELLE DES DOUBLES HETEROSTRUCTURES LASER AVEC UN COURANT DE SEUIL DE 1,3 KA/CM#2

Download or read book INTEGRATION PHOTONIQUE SUR INP PAR EPITAXIE LOCALISEE PAR JETS CHIMIQUES written by DENIS.. JAHAN and published by . This book was released on 1998 with total page 264 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJET DE CETTE THESE EST L'ETUDE DE LA CROISSANCE LOCALISEE DES SEMI-CONDUCTEURS III-V INGAAS(P)/INP PAR LA TECHNIQUE D'EPITAXIE PAR JETS CHIMIQUES (CHEMICAL BEAM EPITAXY : CBE) ET L'APPLICATION DE CETTE METHODE A L'INTEGRATION MONOLITHIQUE PAR COUPLAGE BOUT A BOUT DE COMPOSANTS DEDIES AUX RESEAUX DE TELECOMMUNICATION PAR FIBRE OPTIQUE. LE PRINCIPE DE LA METHODE D'INTEGRATION UTILISEE CONSISTE A MASQUER ET GRAVER PARTIELLEMENT UNE STRUCTURE EPITAXIALE D'UN COMPOSANT PHOTONIQUE INITIAL PUIS A FAIRE CROITRE LOCALEMENT DANS LES CAISSONS AINSI REALISES UNE SECONDE STRUCTURE DE COMPOSANT. LE MODULE FINAL OBTENU PAR CETTE TECHNIQUE EST PLAN. LES SPECIFICITES DE LA CBE PERMETTENT DE REALISER L'EPITAXIE DE COUCHES UNIFORMES EN EPAISSEUR ET EN COMPOSITION QUELQUE SOIT LE TAUX DE MASQUAGE. CETTE TECHNIQUE EST, DE PLUS, COMPATIBLE AVEC DE GRANDES PROFONDEURS DE CAISSONS EQUIVALENTES A L'EPAISSEUR TYPIQUE DES COMPOSANTS PHOTONIQUES ( 3 M). D'AUTRE PART, LA NATURE ORGANOMETALLIQUE DES PRECURSEURS D'ELEMENTS III PERMET D'INHIBER LE DEPOT DE MATERIAU SUR LES MASQUES DIELECTRIQUES. ENFIN, LES FAIBLES TEMPERATURES DE CROISSANCE ( 500C) MINIMISENT LES DEGRADATIONS THERMIQUES DE LA STRUCTURE INITIALE. L'INTEGRATION DE GUIDES D'ONDE FAIBLES PERTES EPITAXIES PAR CBE AVEC DES COMPOSANTS ACTIFS A PERMIS DE FABRIQUER LES CIRCUITS PHOTONIQUES SUIVANTS : UN MODULATEUR ELECTROABSORBANT (EA) A GRANDE BANDE PASSANTE DE 42 GHZ, UN TANDEM DE MODULATEURS EA AYANT UN TAUX D'EXTINCTION RECORD DE 55 DB ET UTILISE POUR LA GENERATION D'IMPULSIONS DE TYPE SOLITON, UN INTERFEROMETRE DE MACH-ZEHNDER SERVANT A LA CONVERSION DE LONGUEUR D'ONDE ET, POUR LA PREMIERE FOIS, UNE SOURCE A BANDE LATERALE UNIQUE MONOLITHIQUE UTILISEE POUR LA TRANSMISSION D'UN SIGNAL RADIO MILLIMETRIQUE PAR FIBRE OPTIQUE.

Download or read book EPITAXIE LOCALISEE PAR JETS CHIMIQUES SUR SUBSTRATS GAAS ET INP written by PHILIPPE.. LEGAY and published by . This book was released on 1995 with total page 230 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE THESE RAPPORTE UN TRAVAIL SUR L'OPTIMISATION DE LA LOCALISATION DE L'EPITAXIE DANS LE PLAN DU SUBSTRAT PAR LA TECHNIQUE D'EPITAXIE PAR JETS CHIMIQUES (EJC). CETTE ETUDE EST MENEE POUR LES SYSTEMES DE SEMI-CONDUCTEURS III-V ASSOCIES AUX SUBSTRATS GAAS ET INP. L'EPITAXIE PAR JETS CHIMIQUES EST UNE TECHNIQUE DE CROISSANCE EFFECTUEE SOUS VIDE A PARTIR DE PRECURSEURS GAZEUX D'ORGANOMETALLIQUES POUR LES ELEMENTS III ET D'HYDRURES POUR LES ELEMENTS V. L'ETUDE DES MECANISMES DE CROISSANCE SPECIFIQUES A CETTE TECHNIQUE A PERMIS DE DEFINIR LES CONDITIONS OPTIMALES DE TEMPERATURE DE CROISSANCE POUR LES DIFFERENTS SEMI-CONDUCTEURS GAAS, GAINP, INP, GAINAS ET GAINASP. LA TECHNIQUE D'EPITAXIE LOCALISEE ETUDIEE EST CELLE BASEE SUR LA SELECTIVITE DE CROISSANCE SELON LA NATURE DE LA SURFACE DU SUBSTRAT. AINSI LE MASQUAGE PARTIEL DU SUBSTRAT PAR UN FILM DE DIELECTRIQUE A PERMIS POUR CERTAINES CONDITIONS OPERATOIRES DE LOCALISER LA CROISSANCE UNIQUEMENT DANS LES FENETRES DU SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR. LA TEMPERATURE DE CROISSANCE APPARAIT ETRE LE PARAMETRE PRIMORDIAL QUI EMPECHE AU DELA D'UN CERTAIN SEUIL TOUTE NUCLEATION SUR LE MASQUE. POUR LES DIFFERENTS MATERIAUX ETUDIES, ET EN OPTIMISANT LES AUTRES PARAMETRES DE DEPENDANCE (VITESSE DE CROISSANCE, NATURE DU MASQUE, DU SEMI-CONDUCTEUR ET DES PRECURSEURS D'EPITAXIE), CETTE TEMPERATURE CRITIQUE A PU ETRE ABAISSEE DANS LES FENETRES DE TEMPERATURES DE CROISSANCE OPTIMALES, PREALABLEMENT DEFINIES. LA CARACTERISATION DE CES EPITAXIES LOCALISEES MONTRE QU'ELLES SONT UNIFORMES EN EPAISSEUR, EN COMPOSITION (POUR LES ALLIAGES) QUELLE QUE SOIT LA SUPERFICIE ET LA GEOMETRIE DU MASQUE DEPOSE. L'OPTIMISATION DES PROFILS DE CROISSANCE LOCALISES POUR GAAS ET INP MET EN EVIDENCE DES DIFFERENCES DE COMPORTEMENT ENTRE CES DEUX MATERIAUX QUI SONT DISCUTES. ENFIN, CE TRAVAIL EST APPLIQUE A DEUX DEMONSTRATIONS POUR COMPOSANTS. LE PREMIER, EN MICROELECTRONIQUE SUR GAAS, CONSISTE A AMELIORER LA TECHNOLOGIE, LES PERFORMANCES ET LA FIABILITE D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION. PAR REPRISE D'EPITAXIE LOCALISEE DE LA BASE ET DU COLLECTEUR, LES TROIS CONTACTS DU COMPOSANT SONT AMENES A UN MEME NIVEAU ET SONT AMELIORES PAR LA CROISSANCE DE MATERIAUX TRES DOPES ET A FAIBLE BARRIERE SCHOTTKY DE SURFACE. LA SECONDE APPLICATION CONCERNE L'INTEGRATION MONOLITHIQUE D'UN GUIDE OPTIQUE AVEC UN COMPOSANT PHOTONIQUE. DANS CE CAS LA STRUCTURE ENTIERE DU GUIDE OPTIQUE EST EPITAXIEE LOCALEMENT DANS UN CAISSON GRAVE DANS LA STRUCTURE DU COMPOSANT INITIAL ET LE PROFIL DE CROISSANCE OBTENU EST FAVORABLE POUR UN BON COUPLAGE BOUT A BOUT AVEC LE COMPOSANT PHOTONIQUE. IL A ETE MESURE A 85%

Download or read book CROISSANCE PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES ET ETUDE OPTIQUE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DES HETEROSTRUCTURES TRES CONTRAINTES INAS GAAS written by JEAN-MICHEL.. GERARD and published by . This book was released on 1990 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS PRESENTONS QUELQUES PROPRIETES DES STRUCTURES SEMICONDUCTRICES TRES CONTRAINTES INAS/GAAS. DE PAR LE FORT DESACCORD RELATIF DE PARAMETRE DE MAILLE CRISTALLINE ENTRE INAS ET GAAS (7%) CES STRUCTURES TENDENT NATURELLEMENT A ADOPTER UN MODE DE CROISSANCE TRIDIMENSIONNEL DANS DES CONDITIONS USUELLES DE CROISSANCE PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRE. LA DEPOSITION ALTERNEE DES COUCHES ATOMIQUES DES ELEMENTS III ET DE L'ARSENIC A BASSE TEMPERATURE (350C) FORCE UN MODE DE CROISSANCE BIDIMENSIONNEL DE CES COUCHES CONTRAINTES. CETTE TECHNIQUE D'EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES MODULES PERMET AINSI D'OBTENIR DES SUPER-RESEAUX INAS/AS STABLES ET DE BONNE QUALITE STRUCTURALE ET OPTIQUE. UNE ETUDE OPTIQUE (LUMINESCENCE, SPECTROSCOPIE D'EXCITATION, ABSORPTION) DE PUITS MINCES D'INAS DANS GAAS, ET DE SUPERRESEAUX DE COURTE PERIODE INAS/GAAS APPROXIMATIVEMENT ACCORDES A INP NOUS PERMET DE DETERMINER LA CONFIGURATION DE BANDES A L'INTERFACE INAS/GAAS POUR CES DEUX ETATS DE CONTRAINTE, ET L'AMPLITUDE DE L'EFFET DE SEGREGATION D'INDIUM EN SURFACE, RESPONSABLE D'ECARTS AUX PROFILS DE COMPOSITION NOMINAUX. NOUS MONTRONS AUSSI QUE L'ALLIAGE ORDONNE (INAS)#2(GAAS)#2 ET L'ALLIAGE (INGA)AS DE MEME COMPOSITION MOYENNE ONT DES STRUCTURES DE BANDES TRES SIMILAIRES AU VOISINAGE DU CENTRE DE ZONE DE BRILLOUIN DANS LA DIRECTION DE CROISSANCE. L'ANALYSE DES RESULTATS EXPERIMENTAUX S'APPUIE SUR UN MODELE DE FONCTIONS ENVELOPPES ORIGINAL PRENANT CORRECTEMENT EN COMPTE LE FORT COUPLAGE ENTRE BANDES LEGERES DE VALENCE DU AUX CONTRAINTES INTERNES. LA SUBSTITUTION ISOELECTRONIQUE D'UNE COUCHE MINCE ET L'ETUDE OPTIQUE DE L'EFFET DE CETTE PERTURBATION LOCALISEE PERMETTENT D'ETUDIER LES PROPRIETES ELECTRONIQUES D'UNE HETEROSTRUCTURE SOUS UN ANGLE LOCAL: LA DEPENDANCE SPATIALE DES DENSITES DE PROBABILITE DES ETATS ELECTRONIQUES CONFINES ET CELLE DE LA DENSITE DE CENTRES RECOMBINANTS NON RADIATIFS SONT ETUDIEES POUR UN PUITS QUANTIQUE GAAS/GAALAS. CETTE TECHNIQUE PERMET EGALEMENT UNE IDENTIFICATION DIRECTE ET SURE DE LA CONFIGURATION DE BANDES DES SUPERRESEAUX

Download or read book Epitaxie de semiconducteurs II VI ZnTe ZnSe et CdTe Se written by Rita Najjar and published by . This book was released on 2009 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail repose sur le développement de la croissance, par épitaxie par jets moléculaires, d'hétérostructures présentant une alliance de deux familles de matériaux semi-conducteurs: les tellurures et les séléniures. Il tend à montrer l'originalité des propriétés physique spécifiques de cette association en développant deux cas: les puits et les boîtes quantiques de type-II ZnTe/ZnSe et les centres isoélectroniques CdTe:Se. Pour ZnTe fortement contraint sur ZnSe, une transition morphologique de type Stranski-Krastanow non-standard a été observée. La formation d'îlots nanométriques a pu être obtenue grâce à un traitement de surface à base de Te amorphe. Lors de leur encapsulation, nous avons été confrontés à une disparition totale de ces îlots. Nous proposons de nouvelles conditions de croissance qui limitent les phénomènes de ségrégation, ou d'échange Se/Te, et préservent en partie les îlots. Cependant les nanostructures obtenues ne contiennent pas ZnTe sous forme binaire pure mais sous forme d'alliage ordonné ZnSeTe. Les propriétés de photoluminescence d'un plan de boîtes quantiques et celles d'un puits quantique ZnTe/ZnSe sont analysées et comparées. Nous proposons un modèle capable de décrire parfaitement les différents résultats optiques spécifiques d'un système où l'alignement de bande est de type-II. Ce modèle est basé sur des arguments statistiques et électrostatiques. La dernière partie traite de l'insertion d'atomes de sélénium dans CdTe sous forme d'un dopage planaire. Des centres isoélectroniques sélénium ont pu être isolés. Une mesure du dégroupement des photons émis montre que ces objets individuels se comportent comme des émetteurs de photons uniques.

Download or read book Epitaxie de semiconducteurs II VI ZnTe ZnSe et CdTe Se written by Rita Najjar and published by . This book was released on 2008 with total page 169 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail repose sur le développement de la croissance, par épitaxie par jets moléculaires, d'hétérostructures présentant une alliance de deux familles de matériaux semi-conducteurs: les tellurures et les séléniures. Il tend à montrer l'originalité des propriétés physique spécifiques de cette association en développant deux cas: les puits et les boîtes quantiques de type-II ZnTe/ZnSe et les centres isoélectroniques CdTe:Se. Pour ZnTe fortement contraint sur ZnSe, une transition morphologique de type Stranski-Krastanow non-standard a été observée. La formation d'îlots nanométriques a pu être obtenue grâce à un traitement de surface à base de Te amorphe. Lors de leur encapsulation, nous avons été confrontés à une disparition totale de ces îlots. Nous proposons de nouvelles conditions de croissance qui limitent les phénomènes de ségrégation, ou d'échange Se/Te, et préservent en partie les îlots. Cependant les nanostructures obtenues ne contiennent pas ZnTe sous forme binaire pure mais sous forme d'alliage ordonné ZnSeTe. Les propriétés de photoluminescence d'un plan de boîtes quantiques et celles d'un puits quantique ZnTe/ZnSe sont analysées et comparées. Nous proposons un modèle capable de décrire parfaitement les différents résultats optiques spécifiques d'un système où l'alignement de bande est de type-II. Ce modèle est basé sur des arguments statistiques et électrostatiques. La dernière partie traite de l'insertion d'atomes de sélénium dans CdTe sous forme d'un dopage planaire. Des centres isoélectroniques sélénium ont pu être isolés. Une mesure du dégroupement des photons émis montre que ces objets individuels se comportent comme des émetteurs de photons uniques.

Download or read book ZnO Thin Films written by Paolo Mele and published by . This book was released on 2019 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Zinc oxide (ZnO) is an n-type semiconductor with versatile applications such as optical devices in ultraviolet region, piezoelectric transducers, transparent electrode for solar cells and gas sensors. This book "ZnO Thin Films: Properties, Performance and Applications" gives a deep insight in the intriguing science of zinc oxide thin films. It is devoted to cover the most recent advances and reviews the state of the art of ZnO thin films applications involving energy harvesting, microelectronics, magnetic devices, photocatalysis, photovoltaics, optics, thermoelectricity, piezoelectricity, electrochemistry, temperature sensing. It serves as a fundamental information source on the techniques and methodologies involved in zinc oxide thin films growth, characterization, post-deposition plasma treatments and device processing. This book will be invaluable to the experts to consolidate their knowledge and provide insight and inspiration to beginners wishing to learn about zinc oxide thin films.

Download or read book III Nitride Semiconductors written by M.O. Manasreh and published by Elsevier. This book was released on 2000-12-06 with total page 463 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Research advances in III-nitride semiconductor materials and device have led to an exponential increase in activity directed towards electronic and optoelectronic applications. There is also great scientific interest in this class of materials because they appear to form the first semiconductor system in which extended defects do not severely affect the optical properties of devices. The volume consists of chapters written by a number of leading researchers in nitride materials and device technology with the emphasis on the dopants incorporations, impurities identifications, defects engineering, defects characterization, ion implantation, irradiation-induced defects, residual stress, structural defects and phonon confinement. This unique volume provides a comprehensive review and introduction of defects and structural properties of GaN and related compounds for newcomers to the field and stimulus to further advances for experienced researchers. Given the current level of interest and research activity directed towards nitride materials and devices, the publication of the volume is particularly timely. Early pioneering work by Pankove and co-workers in the 1970s yielded a metal-insulator-semiconductor GaN light-emitting diode (LED), but the difficulty of producing p-type GaN precluded much further effort. The current level of activity in nitride semiconductors was inspired largely by the results of Akasaki and co-workers and of Nakamura and co-workers in the late 1980s and early 1990s in the development of p-type doping in GaN and the demonstration of nitride-based LEDs at visible wavelengths. These advances were followed by the successful fabrication and commercialization of nitride blue laser diodes by Nakamura et al at Nichia. The chapters contained in this volume constitutes a mere sampling of the broad range of research on nitride semiconductor materials and defect issues currently being pursued in academic, government, and industrial laboratories worldwide.

Download or read book Physical Properties of Amorphous Materials written by David Adler and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2013-06-29 with total page 448 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The Institute for Amorphous Studies was founded in 1982 as the international center for the investigation of amorphous mate rials. It has since played an important role in promoting the und er standing of disordered matter in general. An Institute lecture series on "Fundamentals of Amorphous Materials and Devices" was held during 1982-83 with distinguished speakers from universities and industry. These events were free and open to the public ,and were attended by many representatives of the scientific community. The lectures themselves were highly successful inasmuch as they provided not only formal instruction but also an opportunity for vigorous and stimulating debate. That last element could not be captured within the pages of a book I but the lectures concentrated on the latest advances in the field I which is why their essential contents are he re reproduced in collective form. Together they constitute an interdisciplinary status report of the field. The speakers brought many different viewpoints and a variety of back ground experiences io bear on the problems involved I but though language and conventions vary I the essential unity of the concerns is very clear I as indeed are the ultimate benefits of the many-sided approach.