Download or read book Etude par photoluminescence de d fauts li s la pr cipitation de l oxyg ne dans le silicium written by Philippe Vendange (auteur en microélectronique).) and published by . This book was released on 1987 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Mise en evidence d'un nouvel ensemble de raies dans le spectre de photoluminescence du silicium recuit a 600**(o)c pendant une centaine d'heures. Observation d'energie de localisation faible et d'une raie a zero phonon. Proposition d'un modele prenant en compte les variations de potentiel aux interfaces entre les precipites d'oxygene generes par le recuit et le substrat

Download or read book Etude par photoluminescence de d fauts li s la pr cipitation de l oxyg ne dans le silicium written by Philippe Vendange and published by . This book was released on 1987 with total page 220 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: MISE EN EVIDENCE D'UN NOUVEL ENSEMBLE DE RAIES DANS LE SPECTRE DE PHOTOLUMINESCENCE DU SILICIUM RECUIT A 600**(O)C PENDANT UNE CENTAINE D'HEURES. OBSERVATION D'ENERGIE DE LOCALISATION FAIBLE ET D'UNE RAIE A ZERO PHONON. PROPOSITION D'UN MODELE PRENANT EN COMPTE LES VARIATIONS DE POTENTIEL AUX INTERFACES ENTRE LES PRECIPITES D'OXYGENE GENERES PAR LE RECUIT ET LE SUBSTRAT

Download or read book Etude par photoluminescence des centres associ s l oxyg ne et au carbone dans le silicium written by Azzedine Lazrak and published by . This book was released on 1984 with total page 98 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES DEFAUTS ASSOCIES A LA PRECIPITATION DU CARBONE ET DE L'OXYGENE QUI S'INCORPORENT LORS DE LA CROISSANCE DU SILICIUM PAR LA METHODE DE CZOCHRALSKIJ ONT EGALEMENT ETE ETUDIES. LES EFFETS DES TRAITEMENTS THERMIQUES ET DE L'IRRADIATION ELECTRONIQUE ONT ETE EGALEMENT ETUDIES

Download or read book tudes sur les d fauts tendus dans le silicium written by Bernard Leroy (auteur d'une thèse de sciences.) and published by . This book was released on 1983 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Etude des d fauts induits par recuit laser excim re dans le silicium written by Richard Monflier and published by . This book was released on 2019 with total page 139 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La micro-électronique est un domaine exigeant, en constante évolution, motivé par le secteur applicatif et les besoins des utilisateurs. La réalisation de jonctions ultra-minces et fortement dopées est un enjeu majeur pour la poursuite de son évolution, et notamment pour son composant de base, le transistor MOS. Dans ce contexte, de nouvelles techniques de dopage permettant d'obtenir des jonctions ultra-minces ont été développées. Le recuit par laser nanoseconde (LTA) en mode " melt " est une de ces techniques. En effet, il permet une très forte activation locale (en surface et en profondeur) et une distribution uniforme des dopants. Ce procédé utilisé en laboratoire depuis les années 1980 dans la fabrication des cellules solaires offre également de nouvelles possibilités technologiques comme le développement d'architectures 3D. Néanmoins, des dégradations électriques de paramètres sensibles aux défauts tels que la mobilité et le courant inverse d'un transistor MOS ou la durée de vie des porteurs dans le cas de cellule photovoltaïque ont été observées. Dans ce contexte, cette thèse propose une étude rigoureuse des défauts générés par recuit laser en deux volets. Le premier volet traite de l'impact du recuit laser sur les propriétés physiques du silicium et repose essentiellement sur des caractérisations approfondies par spectroscopie infrarouge et photoluminescence d'échantillons silicium non intentionnellement dopés soumis à diverses conditions de recuits par impulsions laser à excimère. L'étude met en évidence la formation de défauts suite au procédé de recuit laser. Leur identification a permis d'affirmer l'introduction d'impuretés d'oxygène et de carbone durant le recuit. A partir de cette identification, le suivi en profondeur par spectroscopie de masse à ionisation secondaire de chacune des impuretés a été effectué révélant une augmentation de la concentration et de la diffusion des impuretés avec l'augmentation de la densité d'énergie du laser et/ou du nombre de tirs. A haute énergie laser, les profils de concentration d'oxygène montrent la présence d'un pic immobile (en concordance avec la solubilité limite de l'oxygène dans le silicium liquide) associé à des cavités de silicium observées par microscopie électronique en transmission (MET). L'origine de ces impuretés est discutée ; la caractérisation de véhicules tests dédiés a permis de définir l'oxyde natif comme étant leurs sources. Le second volet permet de répondre au second objectif qui consiste à évaluer l'impact du recuit laser sur les propriétés électriques de composants à base de silicium et s'appuie sur la caractérisation de diodes Schottky et PN préalablement fabriquées. Les résultats obtenus constituent un moyen supplémentaire pour, non seulement localiser les défauts électriquement actifs, mais également les identifier. Les caractéristiques courant-tension des diodes montrent systématiquement l'impact du recuit sur le courant de fuite, paramètre sensible aux défauts. Plus spécifiquement, le courant de fuite se dégrade avec l'augmentation de la densité d'énergie. Ces mesures électriques ont permis également de mettre en évidence la présence de défauts localisés à l'interface liquide/solide, défauts ayant un fort impact sur les propriétés électriques des diodes. Les résultats sont en accord avec la littérature qui suggère la présence de lacunes à cette interface. Pour aller plus loin, des mesures de DLTS ont été effectuées et dévoilent, selon la localisation (zone fondue ou interface), des signatures singulières laissant présager plusieurs types de défauts.

Download or read book Etude des m canismes de photoluminescence dans les nitrures et oxydes de silicium dop s aux terres rares Er Nd written by Émilie Steveler and published by . This book was released on 2012 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de thèse est dédié à l'étude des transitions radiatives dans les matériaux de nitrure et d'oxyde de silicium dopés aux ions de terres rares (Er3+, Nd3+). La caractérisation optique des films minces élaborés par évaporation thermique est basée sur la spectroscopie de photoluminescence. Les études menées s'inscrivent dans la recherche de processus d'excitation indirecte des ions Er3+ et Nd3+ dans des matrices à base de silicium. Dans les nitrures et oxynitrures de silicium, un processus de transfert d'énergie permettant l'excitation indirecte des ions Er3+ est mis en évidence. Pour les couches minces amorphes, le couplage est attribué à des états électroniques localisés dans la bande interdite de la matrice. Pour les films recuits à haute température, les nanocristaux de silicium (nc-Si) jouent un rôle majeur dans l'excitation indirecte de l'erbium. Dans les matrices d'oxyde de silicium, l'existence de processus d'excitations directe et indirecte des ions Nd3+ est démontrée. Pour les films amorphes, l'excitation indirecte du Nd se fait via des états électroniques localisés dans la bande interdite de la matrice. Pour les films recuits au-delà de 1000 °C, les nc-Si jouent le rôle de sensibilisateurs pour les ions Nd3+. Les résultats suggèrent que l'excitation indirecte des ions Nd3+ grâce aux états localisés dans la bande interdite de la matrice pourrait être plus efficace que l'excitation via les nc-Si.

Download or read book Etude des d fauts cristallins dans le silicium par diffusion de la lumi re written by Vanessa Monier and published by . This book was released on 2010 with total page 136 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'étude des précipités d'oxygène et des dislocations dans le silicium représente un enjeu important pour l'amélioration de la qualité des substrats SOI ou silicium. La technique LST (« Laser Scattering Tomography »), particulièrement adaptée à la densité ou la taille relativement faibles des défauts recherchés, est basée sur la diffusion de la lumière infrarouge. Ces travaux présentent les développements nécessaires de cette technique pour la mesure puis l'étude du comportement et de l'évolution des défauts. La taille des précipités d'oxygène individuels, à présent accessible, permet d'étudier leur croissance au cours du temps pour différentes températures et morphologies. L'étude des défauts étendus en fonction de la polarisation de la lumière incidente est ensuite détaillée. Le développement de la théorie de la diffusion de la lumière par les dislocations combinée aux différents développements de la technique LST permet la détermination complète du système de glissement d'une boucle de dislocation non décorée. Enfin, les mesures LST permettent de discriminer les dislocations décorées des non décorées.

Download or read book tude des d fauts li s l oxyg ne dans le silicium Czochralski destin aux cellules solaires photovolta ques Influence des impuret s isovalentes written by Florent Tanay and published by . This book was released on 2013 with total page 228 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail a pour but de comprendre les effets de deux principaux défauts liés à l’oxygène, les complexes bore-oxygène et les donneurs thermiques, sur les propriétés électriques et photovoltaïques du silicium. Plus particulièrement, les interactions des impuretés isovalentes, connues pour modifier la distribution spatiale de l’oxygène, avec ces défauts ont été étudiées. Deux protocoles expérimentaux ont d’abord été développés pour évaluer la dégradation de la durée de vie des porteurs de charge sous éclairement dans le silicium riche en fer. Ensuite, il a été mis en évidence que l’introduction de germanium et d’étain en très grande quantité dans le silicium n’influence pas de façon significative le rendement de conversion des cellules. Cependant, contrairement à ce qui a été récemment avancé dans la littérature, aucune limitation due au co-dopage au germanium ou à l’étain de la dégradation sous éclairement des performances photovoltaïques n’a été observée. Par contre, il a été montré que le carbone entraîne un ralentissement de la dégradation due aux complexes bore-oxygène. Egalement, contrairement à l’étain qui n’influence pas la génération des donneurs thermiques, le germanium conduit à un ralentissement de la formation de ces défauts. Une expression empirique a été proposée pour rendre compte de cet effet, et ce pour une large gamme de teneurs en germanium. Enfin, dans le silicium très dopé et très compensé, la génération des donneurs thermiques est identique au cas du silicium standard. Ceci constitue un résultat marquant puisqu’il permet de valider par l’expérience le fait que la formation des donneurs thermiques est limitée par la teneur en électrons.

Download or read book ETUDE DES DEFAUTS APRES IMPLANTATION IONIQUE DE L OXYGENE DANS LE SILICIUM written by DANIEL.. BERTRAND and published by . This book was released on 1981 with total page 86 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DU COMPORTEMENT DE L'OXYGENE IMPLANTE DIRECTEMENT DANS LE SILICIUM PAR DIFFRACTION D'ELECTRONS ET MICROSCOPIE ELECTRONIQUE. SUIVI DE LA CONCENTRATION D'OXYGENE DANS LE SILICIUM IMPLANTE A DE FORTES DOSES PAR SONDE IONIQUE. IMPLANTATIONS D'ARSENIC SEUL OU A TRAVERS SIO::(2) AFIN DE DEGAGER LA SIMILITUDE QUI EXISTE ENTRE LES IMPLANTATIONS DIRECTES EN OXYGENE ET LE RECUL DE L'OXYGENE

Download or read book Etude de l influence du recul de l oxyg ne sur le silicium implant travers oxyde written by Béatrice Biasse and published by . This book was released on 1981 with total page 116 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE RENDEMENT DE RECUL DE L'OXYGENE EST DE L'ORDRE DE 1 POUR DES IMPLANTATIONS DE DOPANTS CLASSIQUES. L'INTRODUCTION D'OXYGENE SE TRADUIT DURANT LE RECUIT THERMIQUE PAR UN PHENOMENE DE PRECIPITATION ENTRAINANT UNE STABILITE THERMIQUE ACCRUE DES DEFAUTS RESIDUELS ET UN PIEGEAGE DES ATOMES DE DOPANTS. L'INTRODUCTION D'OXYGENE INDUIT AUSSI DES MODIFICATIONS DES PROPRIETES ELECTRIQUES DES COUCHES IMPLANTEES. L'INFLUENCE DU RECUL DE L'OXYGENE DEVRAIT SE MONTRER PARTICULIEREMENT CRITIQUE DANS L'AVENIR AVEC L'EVOLUTION VERS LA HAUTE INTEGRATION DES CIRCUITS

Download or read book Etude de d fauts de structure apparaissant dans le silicium apr s recuit et li s la pr sence d oxyg ne written by Colonel Chomard and published by . This book was released on 1975 with total page 132 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book ETUDE DE LA CROISSANCE DE FILMS MINCES OBTENUS PAR OXYDATION ET NITRURATION THERMIQUES DU SILICIUM POREUX written by VALERIE.. MORAZZANI and published by . This book was released on 1996 with total page 185 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE PRESENTE UNE ETUDE EXPERIMENTALE DETAILLEE DE L'OXYDATION ET DE LA NITRURATION THERMIQUE SOUS OXYGENE SEC AINSI QUE DE LA NITRURATION SOUS AMMONIAC A HAUTE TEMPERATURE DE COUCHES DE SILICIUM POREUX, PREALABLEMENT OXYDEES A BASSE TEMPERATURE. CES TRAVAUX ONT ETE REALISES DANS LE BUT TECHNOLOGIQUE D'AMELIORER LES RENDEMENTS DE LUMINESCENCE. D'UN POINT DE VUE FONDAMENTAL, ILS SERVENT AUSSI POUR TESTER LA VALIDITE DES MODELES PROPOSES RELIANT LA POSITION DES SPECTRES DE LUMINESCENCE AVEC LA TAILLE DES CRITALLITES. PAR AILLEURS, LA TRES GRANDE SURFACE INTERNE DEVELOPPEE DANS CES COUCHES A PERMIS D'ETUDIER AVEC UNE GRANDE SENSIBILITE DES COUCHES DE SILICE ET D'OXYNITRURE TRES MINCES, D'EPAISSEUR INFERIEURE A 5 NANOMETRES, ET DE DETERMINER LEUR COMPOSITION, LA NATURE DES LIAISONS CHIMIQUES D'INTERFACE, AINSI QUE LES DEFAUTS D'INTERFACE ET DE VOLUME CONTENUS DANS CES STRUCTURES

Download or read book ETUDE DES PROPRIETES PARTICULIERES DU SILICIUM POREUX written by ANNIE.. GROSMAN and published by . This book was released on 1995 with total page 173 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES TRAVAUX PRESENTES DANS CE MANUSCRIPT CONCERNENT L'ETUDE DE DEUX PROPRIETES PARTICULIERES DU SILICIUM POREUX: LA PHOTOLUMINESCENCE VISIBLE ET LA RESISTIVITE ELECTRIQUE QUI EST DE PLUSIEURS ORDRES DE GRANDEUR PLUS GRANDE QUE CELLE DU SUBSTRAT A PARTIR DUQUEL LES COUCHES SONT FORMEES (PAR DISSOLUTION ANODIQUE). NOUS AVONS MONTRE, PAR MICROANALYSE NUCLEAIRE, QUE LA PHOTOLUMINESCENCE VISIBLE DES COUCHES DE SILICIUM POREUX N'EST PAS DUE AUX ESPECES CHIMIQUES ADSORBEES A LA SURFACE DES PORES. DE PLUS, LES ETUDES DE MORPHOLOGIE ET DE STRUCTURE REALISEES PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A TRANSMISSION ET RESONANCE PARAMAGNETIQUE ELECTRONIQUE (RPE) MONTRENT QUE LE CARACTERE MONOCRISTALLIN DU SUBSTRAT EST PARFAITEMENT CONSERVE AVEC UNE LEGERE MOSAICITE POUR LES COUCHES TRES POREUSES. CES RESULTATS REJETENT L'ATTRIBUTION DE LA PHOTOLUMINESCENCE A LA PRESENCE DE SILICIUM AMORPHE (HYDROGENE) ET VONT DANS LE SENS D'UN MODELE DE CONFINEMENT QUANTIQUE DANS DES NANOCRISTALLITES SITUEES A LA PERIPHERIE DES PAROIS DE SILICIUM. IL EST MONTRE, PAR DES MESURES EN MICROANALYSE NUCLEAIRE ET ABSORPTION INFRA-ROUGE, QUE LA FORTE RESISTIVITE DES COUCHES DE SILICIUM POREUX N'EST PAS DUE A L'ABSENCE DE DOPANTS NI A LEUR PASSIVATION PAR L'HYDROGENE. LES ETUDES RPE MONTRENT QUE LES COUCHES POREUSES (P#+ OU N#+) SONT DESERTEES PAR LES PORTEURS LIBRES CE QUI PEUT S'EXPLIQUER, COMPTE-TENU DE LA TRES GRANDE SURFACE SPECIFIQUE, PAR LE PIEGEAGE DE CES PORTEURS LIBRES DANS DES ETATS DE SURFACE. UNE ETUDE PRELIMINAIRE DE L'OXYDATION ANODIQUE DES COUCHES POREUSES MET EN EVIDENCE L'INTERET DE CE MATERIAU POUR L'ETUDE DES DEFAUTS DES OXYDES

Download or read book Etude de d fauts de structure apparaissant dans le silicium apr s recuit et li s la pr sence d oxyg ne written by Colonel Chomard (manager des Forbans).) and published by . This book was released on 1976 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book UNE NOUVELLE GENERATION D ETUDE SPECTROSCOPIQUE A HAUTE RESOLUTION DES DEFAUTS ELECTRONIQUES DANS LE SILICIUM written by Rubaldo and published by . This book was released on 2001 with total page 254 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS NOUS INTERESSONS A L'ETUDE DE DEFAUTS PROFONDS DANS LE CRISTAL DE SILICIUM EN UTILISANT UNE NOUVELLE TECHNIQUE ISOTHERME DE DLTS, APPELEE LAPLACE DLTS (LDLTS). LA LDLTS, BASEE SUR LA METHODE DE REGULARISATION DE TIKHONOV, PERMET D'AMELIORER LA RESOLUTION ENERGETIQUE D'AU MOINS UN ORDRE DE GRANDEUR PAR RAPPORT A LA DLTS CLASSIQUE. TOUT D'ABORD, NOTRE ETUDE EXPERIMENTALE A PORTE SUR LE CENTRE A CREE PAR DES IRRADIATIONS DE PROTONS OU D'ELECTRONS. EN COMBINANT LA LDLTS AVEC L'APPLICATION DE CONTRAINTES UNIAXES DANS LES DIRECTIONS CRISTALLOGRAPHIQUES 100, 110 ET 111, NOUS AVONS CONFIRME SA SYMETRIE ORTHORHOMBIQUE AU SEIN DU CRISTAL DE SILICIUM. NOUS AVONS MONTRE QUE LA VARIATION DU NIVEAU ELECTRONIQUE DU CENTRE A NE POUVAIT PAS ETRE QUANTIFIEE UNIQUEMENT PAR LES DEFORMATIONS LE LONG DE LA LIAISON DISTORDUE SI-SI. DANS SON ETAT DE CHARGE NEUTRE, LE CENTRE A SE REORIENTE SOUS PRESSION DE FACON A REDUIRE LES CONTRAINTES LE LONG DE SON AXE C 2 V ET QUE DURANT CETTE REORIENTATION L'ATOME D'OXYGENE S'ALIGNE LE LONG DE LA DIRECTION 111 POUR LA CONFIGURATION ATOMIQUE AU POINT SELLE. DANS L'ETAT DE CHARGE NEGATIF, UNE BARRIERE DE REORIENTATION SUPERIEURE A CELLE DE L'ETAT NEUTRE A ETE OBTENUE, SUGGERANT UNE REPULSION COULOMBIENNE ENTRE L'ATOME D'OXYGENE ET LA LIAISON DISTORDUE SI-SI. NOUS AVONS POURSUIVI NOTRE ETUDE PAR LDLTS SUR LES DEFAUTS OR ET OR-HYDROGENE, INTRODUITS DANS LE SILICIUM APRES DIFFUSION D'OR ET TRAITEMENT CHIMIQUE. DANS DU SILICIUM DE TYPE N, NOUS AVONS DISSOCIE POUR LA PREMIERE FOIS LES DEFAUTS AU-/0 ET AUH -/ 0 POSSEDANT DES VITESSES D'EMISSION TROP PROCHES POUR ETRE DECELEES PAR LA DLTS CLASSIQUE. POUR DES CONCENTRATIONS EN OR ET HYDROGENE SUPERIEURES, NOUS AVONS MONTRE L'EXISTENCE D'UN DEFAUT SUPPLEMENTAIRE QUE NOUS AVONS ASSOCIE A UN COMPLEXE AUH 2-/0. EN COMBINANT LA LDLTS AVEC DES CONTRAINTES UNIAXES, NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE LA PROPRIETE DE REORIENTATION INSTANTANEE POUR LES DEFAUTS AU ET AUH DANS DU SILICIUM DE TYPE P ET N.

Download or read book Etude d pitaxies et de substrats SiC par imagerie de photoluminescence written by Lilian Masarotto and published by . This book was released on 2001 with total page 173 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur qui possède une largeur de bande interdite élevée (de 2.3 eV à 3.3 eV selon le polytype), un fort champ de claquage (4MV/cm), une vitesse de saturation des électrons deux fois supérieure à celle du silicium et une conductivité thermique voisine de celle du cuivre. Ces propriétés physiques remarquables font du SiC un matériau prometteur pour le développement d'une électronique spécifique dans les domaines de la haute température, de la puissance et des hyperfréquences. Toutefois, malgré les efforts considérables menés ces dernières années, la qualité du matériau n'a pas atteint un stade de maturité suffisant pour que les potentialités du SiC soient pleinement exploitées au niveau de la réalisation de dispositifs. Il est donc nécessaire que les efforts faits en croissance soient accompagnés d'une caractérisation fine, rapide et non destructive. Dans cet objectif, ce travail de thèse a consisté à développer un banc de mesure cartographique de la photoluminescence du SiC. Le faible rendement de luminescence du SiC du à sa bande interdite indirecte et la nécessité d'exciter le matériau dans l'UV ont nécessité un important travail expérimental afin d'optimiser le rapport signal sur bruit tout en s'affranchissant des raies parasites dues à l'excitation UV. Dans un deuxième temps nous avons pu exploiter l'équipement développé et démontrer son intérêt pour la caractérisation d'un certains nombres de défauts microscopiques dans le SiC. Ainsi nous avons montré qu'il était possible, sans avoir recours à une attaque chimique, de révéler les dislocations vis et les micropipes. Nous avons également montré que l'homogénéité du prolytype peut être cartographiée par cette technique. Enfin, dans un troisième temps, grâce au soin porté à l'étalonnage de l ‘équipement, nous avons pu déduire, par une modélisation, la durée de vie des porteurs minoritaires à partir de l'intensité du signal de photoluminescence.

Download or read book Etude de la photoluminescence du silicium nanocristallin written by Gilles Ledoux and published by . This book was released on 1999 with total page 153 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Depuis bientôt vingt ans, les astronomes cherchent à expliquer une signature spectrale située à la limite entre le visible et l'infrarouge, et détectée dans les nuages de poussières interstellaires et circumstellaires. Cette bande appelée Emission Rouge Etendue ou ERE est attribuée à la photoluminescence (PL) d'une composante du milieu interstellaire. Encore faut-il trouver un matériau compatible avec les abondances universelles et présentant cette photoluminescence. Pour ce faire nous avons monté une expérience destinée à mesurer les spectres de photoluminescence et surtout les rendements externes absolus et le comportement temporel de cette PL. Grâce à celle-ci nous avons pu caractériser un grand nombre de matériau à base de carbone et de silicium et un candidat très prometteur est apparu : des nanocristaux de silicium. Ces nanocristaux sont fabriqués par pyrolyse laser de Silane dans un réacteur en flux puis déposés à basse énergie après une sélection mécanique de leurs vitesses. Différents paramètres influençant la PL ont été étudiés comme par exemple la taille moyenne des particules, (sur la gamme ~2.5-7nm), la dispersion de leurs distributions de taille, la température et la quantité d'énergie incidente. Ces mesures montrent que la PL de tels nanocristaux suit très bien le modèle du confinement quantique. Leurs rendements de PL externe sont très élevés (jusqu'à 18%). De plus grâce à une étude poussée, par microscopie à force atomique (AFM), de la distribution de taille nous avons pu montrer que les rendements intrinsèques de ces nanocristaux peuvent atteindre près de 100%. Tous ces résultats ont permis de développer un modèle théorique simple de la PL des nanocristaux de silicium. Ces résultats ont été appliqués à l'interprétation physico-chimique de la spectroscopie de l'ERE. Nous avons pu démontrer que toutes les caractéristiques observées de l'ERE (position du pic, largeur et intensité) ainsi que leurs variations d'un objet à l'autre ou dans un même objet peuvent être bien reproduites par le comportement de la PL de ces nanocristaux. Pour finir, il est montré que seulement 2% du volume des grains de poussière interstellaire doit être sous forme de nanocristaux de silicium afin d'expliquer l'Emission Rouge Etendue Ceci démontre que les effets de taille jouent un rôle essentiel pour la compréhension de ce phénomène astrophysique.