EBookClubs

Read Books & Download eBooks Full Online

EBookClubs

Read Books & Download eBooks Full Online

Book ETUDE EXPERIMENTALE DE LA DENSITE D IMPULSION ELECTRONIQUE DANS L ALUMINIUM MONOCRISTALLIN PAR DIFFUSION COMPTON DU RAYONNEMENT SYNCHROTRON DANS LE DOMAINE X

Download or read book ETUDE EXPERIMENTALE DE LA DENSITE D IMPULSION ELECTRONIQUE DANS L ALUMINIUM MONOCRISTALLIN PAR DIFFUSION COMPTON DU RAYONNEMENT SYNCHROTRON DANS LE DOMAINE X written by Johannes Schneider and published by . This book was released on 1981 with total page 152 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CONTRIBUTION A L'ETUDE DES ANISOTROPIES DE LA SURFACE DE FERMI DE L'ALUMINIUM, MISE EN EVIDENCE D'UNE DEVIATION DE LA VALIDITE DE L'APPROXIMATION D'IMPULSION POUR LES ELECTRONS L. CES RESULTATS SONT OBTENUS A PARTIR D'UNE MESURE NOUVELLE DES PROFILS COMPTON (100) ET (110) AVEC DE NOUVEAUX MOYENS: UN SPECTROMETRE COMPTON FOCALISANT ET UNE SOURCE SYNCHROTRON. UN TEL DISPOSITIF EXPERIMENTAL PERMET DE DISPOSER D'UN FAISCEAU MONOCHROMATIQUE DE LONGUEUR D'ONDE AJUSTABLE. L'UTILISATION D'UN CRISTAL COURBE POUR L'ANALYSE SPECTRALE PERMET UNE TRES BONNE RESOLUTION INSTRUMENTALE

Book DENSITES ELECTRONIQUES DE METAUX ET D ALLIAGE  ETUDIEES PAR DIFFUSION COMPTON DU RAYONNEMENT SYNCHROTRON

Download or read book DENSITES ELECTRONIQUES DE METAUX ET D ALLIAGE ETUDIEES PAR DIFFUSION COMPTON DU RAYONNEMENT SYNCHROTRON written by KAI-JI.. CHEN and published by . This book was released on 1997 with total page 122 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA DIFFUSION COMPTON PERMET UNE ETUDE DETAILLEE DE LA DENSITE ELECTRONIQUE DES MATERIAUX. LES MESURES ETANT MENEES DANS L'ESPACE DES IMPULSIONS, CETTE METHODE CONSTITUE UN TEST PRECIS DES FONCTIONS D'ONDE CALCULEES DANS L'ETAT ELECTRONIQUE FONDAMENTAL. AINSI EST-ELLE TOUT A FAIT ADAPTEE A L'ETUDE DES CORRELATIONS ELECTRONIQUES DANS LES METAUX. EN EFFET, LES PROFILS COMPTON MESURES MONTRENT UN EFFACEMENT DE LA DISCONTINUITE DE FERMI, LEQUEL EFFACEMENT EST ATTRIBUE AUX CORRELATIONS ELECTRONIQUES. NOTRE ETUDE S'EST AXEES EN PREMIER LIEU SUR DES MATERIAUX COMME LE SODIUM ET DE L'ALUMINIUM, REMARQUABLEMENT DU FAIT DE LEUR SURFACE DE FERMI SPHERIQUE ET PAR UN COMPORTEMENT ELECTRONIQUE SEMBLABLE A CELUI DES ELECTRONS LIBRES. AINSI LA COMPARAISON EST-ELLE PLUS AISEE AVEC LE MODELE DE GAZ D'ELECTRONS LIBRES ET LES CALCULS DE BANDE. LES EXPERIENCES ONT ETE MENEES SUR SYNCHROTRON AU LURE (ORSAY, FRANCE) POUR AL ET NA, PUIS A L'ESRF (GRENOBLE, FRANCE) POUR AL SUR UNE LIGNE A TRES HAUTE RESOLUTION (ID 16) PERMETTANT UNE ETUDE PLUS FINE DE SA SURFACE DE FERMI. NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE EXPERIMENTALEMENT LA PRESENCE DE CORRELATIONS ELECTRONIQUES DANS L'ETAT FONDAMENTAL, TELLES QUE DECRITES PAR LE MODELE DE DANIEL ET VOSKO. UN ACCORD ENTRE LA THEORIE, COMBINAISON DU MODELE DE DANIEL ET VOSKO ET D'UN CALCUL LMTO, ET L'EXPERIENCE A ETE TROUVE MEILLEUR QUE POUR UN CALCUL DE BANDE N'INCLUANT PAS LES CORRELATIONS ELECTRONIQUES. CEPENDANT, UNE CONSTRUCTION DE FONCTIONS D'ONDE MULTIELECTRONIQUES AMELIORERAIT ENCORE LA DESCRIPTION DE LA DENSITE ELECTRONIQUE DANS L'ESPACE DES IMPULSIONS. EN SECONDE LIEU, NOTRE ATTENTION S'EST PORTEE SUR LE CHROME, PUIS LE CHROME DOPE AU VANADIUM, DANS LE BUT D'UNE ETUDE DE LA TOPOLOGIE DE LA SURFACE DE FERMI LIEE A LA PROPRIETE ANTIFERROMAGNETIQUE DE CR. UNE RECONSTRUCTION DE LA SURFACE DE FERMI A DEUX DIMENSIONS DANS LES PLANS (100) ET (110) A ETE REALISEE A PARTIR D'UN JEU DE 12 PROFILS COMPTON DIRECTIONNELS OBTENUS SUR LA LIGNE HIGH ENERGY, OU ID 15B, DE L'ESRF. LA RECONSTRUCTION A ETE MENEE SELON DEUX METHODES, EN COLLABORATION AVEC UN GROUPE JAPONAIS ET UN GROUPE ANGLAIS ; CELLE UTILISEE PAR LES ANGLAIS EST LA METHODE DE CORMACK, ET CELLE UTILISEE PAR LES JAPONAIS EST LA METHODE DE TRANSFORMATION DE FOURRIER DIRECTE. CES RESULTATS, COMPARES AUX MESURES OBTENUES PAR LES MEMES ECHANTILLONS PAR ANNIHILATION DE POSITONS, REVELENT LA COMPLEMENTARITE DE CES DEUX METHODES POUR UNE DESCRIPTION FINE DE LA DENSITE ELECTRONIQUE DANS LA TOTALITE DE L'ESPACE DES IMPULSIONS. CEPENDANT, NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE UNE STRUCTURE ESSENTIELLE DE LA SURFACE DE FERMI QUI AVAIT ECHAPPEE A L'ANNIHILATION DE POSITIONS. C'EST A PARTIR DE CETTE STRUCTURE QU'IL EST POSSIBLE DE SUIVRE L'EVOLUTION DE LA DENSITE ELECTRONIQUE DU CHROME LORS DE LA SUBSTITUTION D'ATOMES DE CHROME PAR DES ATOMES DE VANADIUM. L'ETUDE DE L'ALLIAGE AU VANADIUM (CR70V30) PERMET DE COMPRENDRE LES MODIFICATIONS DES PROPRIETES MAGNETIQUES INTERVENANT DES L'AJOUT D'UNE QUANTITE MEME FAIBLE DE VANADIUM.

Book ETUDE DE LA DENSITE ELECTRONIQUE DU C 6 0 ET DE SES COMPOSES INTERCALES PAR DIFFUSION COMPTON DU RAYONNEMENT SYNCHROTRON

Download or read book ETUDE DE LA DENSITE ELECTRONIQUE DU C 6 0 ET DE SES COMPOSES INTERCALES PAR DIFFUSION COMPTON DU RAYONNEMENT SYNCHROTRON written by MASSIMILIANO.. MARANGOLO and published by . This book was released on 1998 with total page 228 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS PRESENTONS UN TRAVAIL EXPERIMENTAL SUR LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DE C#6#0 ET DE SES COMPOSES INTERCALES PAR DES IONS LOURDS (K, RB ET CS). NOUS AVONS ENTREPRIS CETTE ETUDE, EN UTILISANT LA DIFFUSION INELASTIQUE DES RAYONS X, OU SPECTROMETRIE COMPTON. LA DIFFUSION COMPTON PERMET D'ATTEINDRE LA DENSITE ELECTRONIQUE DANS L'ESPACE DES IMPULSIONS, ELLE EST PARTICULIEREMENT SENSIBLE AUX ELECTRONS LES PLUS DELOCALISES DU SOLIDE. AUSSI EST-ELLE BIEN ADAPTEE A L'ETUDE, APRES L'INTERCALATION, DU COMPORTEMENT DES ELECTRONS TRANSFERES A L'HOTE C#6#0 ET DU CHANGEMENT DE SES ETATS DE VALENCE. DES MESURES ONT ETE REALISEES POUR LE C#6#0 ET LES COMPOSES DEFINIS K#NC#6#0, AVEC N = 3, 4 ET 6 (LURE) ET K#1C#6#0, RB#1C#6#0, RB#4C#6#0 ET RB#2CSC#6#0 (ESRF). LES ECHANTILLONS ETUDIES ONT ETE DEGAZES SOUS VIDE DYNAMIQUE, DURANT DES SEMAINES. NOUS AVONS UTILISE UNE APPROCHE NOUVELLE POUR OBTENIR LA DENSITE RADIALE DANS L'ESPACE DES IMPULSIONS DU C#6#0. A PARTIR DES DENSITES RADIALES MESURES, NOUS AVONS CALCULE L'ENERGIE CINETIQUE DU C#6#0 DANS SON ETAT ELECTRONIQUE FONDAMENTAL. DANS LE CAS DU SOLIDE K#6C#6#0, LES CALCULS AB INITIO TOUS ELECTRONS NOUS ONT PERMIS DE BIEN DECRIRE A LA FOIS LA DENSITE DES ELECTRONS APRES LEUR TRANSFERT DE L'ALCALIN VERS LA MOLECULE ET LA DISTORSION DE LA DENSITE ELECTRONIQUE DE CETTE MOLECULE, EN PRESENCE DES IONS ALCALINS. POUR LES COMPOSES A#3C#6#0 ET A#4C#6#0, NOUS AVONS OBTENU UN BON ACCORD GENERAL ENTRE LES DENSITES ELECTRONIQUES EXPERIMENTALE ET THEORIQUE. PAR CONTRE, NOUS AVONS PU METTRE EN LUMIERE LE DESACCORD QUI EXISTE ENTRE LES LARGEURS DES PROFILS-DISTORSION MESURE ET CALCULE DANS LES CAS DES A#4C#6#0 (A=K, RB). QUANT AU COMPOSE POLYMERISE A#1C#6#0, UN DESACCORD ENTRE LA LARGEUR DES PROFILS DE DISTORSION, EXPERIMENTAUX ET THEORIQUES, A ETE MIS EN LUMIERE ET PEUT S'EXPLIQUER PAR UNE SUREVALUATION DE LA DISTORSION MOLECULAIRE DANS L'HYPOTHESE DU CALCUL. DANS CES 2 DERNIERS CAS NOUS SUGGERONS QUE DE NOVEAUX CALCULS SONT A MENER EN LAISSANT LES ATOMES RELAXER SUR LA MOLECULE DU C#6#0.

Book ETUDE DE LA DENSITE ELECTRONIQUE DU SILICIUM ET DU DISILICIURE DE COBALT PAR DIFFUSION COMPTON DU RAYONNEMENT SYNCHROTRON   EFFET DE LA DIFFUSION MULTIPLE

Download or read book ETUDE DE LA DENSITE ELECTRONIQUE DU SILICIUM ET DU DISILICIURE DE COBALT PAR DIFFUSION COMPTON DU RAYONNEMENT SYNCHROTRON EFFET DE LA DIFFUSION MULTIPLE written by HANI.. KOUBA and published by . This book was released on 1998 with total page 226 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA SPECTROMETRIE COMPTON DES RAYONS X EST UNE TECHNIQUE TRES PUISSANTE POUR L'ETUDE DE LA DENSITE ELECTRONIQUE DES MATERIAUX DANS L'ESPACE DES MOMENTS. CETTE METHODE, PARTICULIEREMENT ADAPTEE A L'ETUDE DES ELECTRONS EXTERNES (VALENCE OU CONDUCTION) DANS UN SOLIDE, CONSTITUE UN TEST PRECIS DES FONCTIONS D'ONDE CALCULEES DANS L'ETAT FONDAMENTAL. L'OUVERTURE DE LA LIGNE ID15B A L'ESRF (GRENOBLE, FRANCE) NOUS A PERMIS D'EFFECTUER DES MESURES COMPTON A HAUTE ENERGIE (60 KEV). LA GEOMETRIE D'ANALYSE (PAR REFLEXION, DANS LE PLAN HORIZONTAL) DIFFERENTE DE CELLE DU LURE (ORSAY, FRANCE) (PAR TRANSMISSION, DANS LE PLAN VERTICAL) NOUS A AMENE A EVALUER LA CONTRIBUTION INDESIRABLE DE LA DIFFUSION MULTIPLE DANS LES SPECTRES MESURES A L'ESRF. LES EXPERIENCES ONT ETE MENEES SUR DES ECHANTILLONS D'EPAISSEURS DIFFERENTES DE SILICIUM ET DE GERMANIUM. NOUS AVONS PU VERIFIER LA VALIDITE DE LA SIMULATION MONTE-CARLO POUR CORRIGER LES PROFILS EXPERIMENTAUX DE LA DIFFUSION MULTIPLE. DE PLUS, POUR LES ELEMENTS LOURDS, TENIR COMPTE DE LA CONTRIBUTION DE LA DIFFUSION DOUBLE ELASTIQUE-INELASTIQUE AMELIORE LA CORRECTION EFFECTUEE. DANS LE CADRE D'UN PROJET INTERNATIONAL SUR LE SILICIUM, NOUS AVONS MENE DES MESURES SUR LE SPECTROMETRE DU LURE (16.38 KEV). LES RESULTATS OBTENUS MONTRENT UN EXCELLENT ACCORD AVEC CEUX DES MESURES EFFECTUEES A L'ESRF. IL APPARAIT DONC QUE LES CORRECTIONS APPORTEES AUX PROFILS MESURES AU LURE ET A L'ESRF PERMETTENT UNE PARFAITE REPRODUCTIBILITE DES EXPERIENCES MALGRE LA DIFFERENCE DANS LA PHILOSOPHIE DE CONSTRUCTION DES DEUX SPECTROMETRES. DE PLUS, LE BON ACCORD ENTRE LES ANISOTROPIES EXPERIMENTALES ET THEORIQUES DES PROFILS A CONFIRME LA VALIDITE DU MODELE DE CALCUL PSEUDO-POTENTIEL CHOISI PAR S.RABII POUR DECRIRE LA STRUCTURE

Book Etude exp  rimentale et th  orique de la structure   lectronique de l aluminium en conditions extr  mes par spectroscopie d absorption X

Download or read book Etude exp rimentale et th orique de la structure lectronique de l aluminium en conditions extr mes par spectroscopie d absorption X written by Floriane Festa and published by . This book was released on 2013 with total page 201 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La matière en conditions extrêmes appartient au régime de la Warm Dense Matter qui se situe à la frontière entre le régime plasma dense et le régime de la matière condensée. Son comportement est encore mal connu et mal décrit. En effet, sa description théorique est très complexe et il est difficile de générer cet état de matière en laboratoire pour obtenir des données expérimentales pouvant valider les modèles. Ce travail de thèse a pour objectif d'étudier la structure électronique de l'aluminium en conditions extrêmes par le diagnostic de la spectroscopie d'absorption X. Expérimentalement l'aluminium a été porté dans des conditions de fortes densités et fortes températures jusque-là inexplorées. Par ailleurs, une source X capable de sonder l'aluminium sous choc a été générée. Deux spectromètres X ont permis l'acquisition des spectres d'absorption de l'aluminium dans ces conditions et des diagnostics optiques ont permis de déduire les conditions de densité et de température de l'aluminium de façon indépendante. En parallèle, des calculs ab initio ont été réalisés pour obtenir des spectres d'absorption dans les mêmes conditions afin de les comparer aux spectres expérimentaux. Du point de vue théorique, l'objectif était de valider les méthodes de calcul des spectres d'absorption X dans ce régime de fortes densités et fortes températures en analysant les modifications du flanc d'absorption. Le diagnostic de l'absorption X a également été utilisé pour étudier le phénomène physique de la transition métal-non métal qui a lieu à basse densité (densité

Book Contribution    l   tude de la densit     lectronique des compos  s ioniques par diffusion in  lastique des rayons X

Download or read book Contribution l tude de la densit lectronique des compos s ioniques par diffusion in lastique des rayons X written by Christophe Fluteaux and published by . This book was released on 1999 with total page 161 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les travaux de J.M. Gillet et P. Becker ont montré qu'il était possible d'affiner des profils Compton directionnels d'isolants sur des paramètres tels que la forme des orbitales atomiques et les coefficients de couplage entre sites. Cette méthode testée sur LiH a permis de mettre en évidence la sensibilité des anisotropies Compton vis-à-vis du degré de covalence effective du matériau. Afin de généraliser la procédure d'affinement des profils directionnels d'isolants, plus particulièrement des oxydes et parce que ce compose trouve un intérêt particulier dans l'industrie du verre, nous nous sommes intéressés a l'oxyde de magnésium. Nous avons donc effectue une série de mesures de profils Compton directionnels de MgO sur la ligne ID15B a l'ESRF. Apres des tests de reproductibilité, nous avons pu mettre en évidence un écart isotrope significatif entre des profils expérimentaux de bonne qualité et des profils théoriques issus d'un calcul Hartree-Fock sur crystal92. Cette différence se retrouve également lors de l'étude des mesures d'Aikala effectuées aux sur MgO. Il serait donc intéressant d'étudier ce phénomène, ce qui met sans doute en jeu des effets au-delà de l'approximation a électrons indépendants. Les paramètres relatifs au matériau s'obtiennent par l'affinement d'un modèle de fonction d'onde sur la densité d'impulsion. Nous avons mis au point une méthode de reconstruction analytique de la densité a partir des profils directionnels. Cette méthode permet de minimiser les artefacts de calculs présents dans les méthodes existantes. Il est possible d'étendre cette méthode a des composes d'autres natures en utilisant par exemple d'autres fonctions que les fonctions gaussiennes. Nous avons également mené une expérience de diffusion X sur un composé dans un état excité. Cette expérience a pour but de tester la théorie développée par J.M. Gillet et P. Becker. L'échantillon est soumis simultanément a une excitation laser résonnante et au rayonnement X. L'objectif est de remonter à la densité électronique de transition entre les deux états résonnants. Ce dispositif a été testé sur des échantillons de K2NaCrF 6. Les propriétés physiques de ce composé n'ont pas permis une acquisition systématique du signal. Nous envisageons des composés a durée de vie de l'état excité plus longue.

Book ETUDE DE LA MODIFICATION DE LA DENSITE ELECTRONIQUE DANS LES COMPOSES AU SILICIUM ET DE LA LIAISON HYDROGENE PAR DIFFUSION COMPTON

Download or read book ETUDE DE LA MODIFICATION DE LA DENSITE ELECTRONIQUE DANS LES COMPOSES AU SILICIUM ET DE LA LIAISON HYDROGENE PAR DIFFUSION COMPTON written by CHRISTOPHE.. BELLIN and published by . This book was released on 1994 with total page 130 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA DIFFUSION COMPTON CONSTITUE UN OUTIL DE CHOIX POUR L'ETUDE DES DENSITES ELECTRONIQUES DANS L'ESPACE DES IMPULSIONS. L'UTILISATION DE CETTE METHODE A PERMIS D'AXER NOS TRAVAUX AUTOUR DE DEUX THEMES MAJEURS: - LES COMPOSES DU SILICIUM, AVEC LE SILICIUM, LE SILICIUM AMORPHE, ET ENFIN, LE DISILICIURE DE COBALT ; - LA LIAISON HYDROGENE DANS KHCO#3, ET DANS LE SILICIUM AMORPHE. CE MEMOIRE A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE, UNE FOIS DE PLUS, L'INTERET DES MESURES DE DIFFUSION COMPTON COMME TEST DE FONCTIONS D'ONDE. DE PLUS, IL A ETE DEMONTRE POUR LA PREMIERE FOIS, PAR COMPARAISON, A QUEL POINT LA DIFFUSION COMPTON ET L'ANNIHILATION DE POSITONS SONT DEUX METHODES D'INVESTIGATION COMPLEMENTAIRES DANS LA CONNAISSANCE DES DENSITES ELECTRONIQUES

Book Structure   lectronique des mat  riaux    partir de la densit   de charge et d impulsion

Download or read book Structure lectronique des mat riaux partir de la densit de charge et d impulsion written by Oliver Beckers and published by . This book was released on 1997 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les experiences de diffraction et de diffusion des photons apportent des informations importantes sur l'etat fondamental d'un systeme chimique. Elles permettent d'en determiner les densites electroniques de charge et d'impulsion. Nous nous interessons a leur complementarite afin de voir dans quelle mesure la connaissance de ces deux fonctions permet d'acceder a la matrice densite du premier ordre. Un modele simple pour la fonction d'onde de la molecule de l'hydrure de lithium est propose, ses parametres sont affines sur differents jeux de donnees theoriques. Nous avons montre que le modele permet de bien decrire la densite d'impulsion et les profils compton et d'obtenir en meme temps une representation valable de la densite de charge dans l'espace interatomique. Il est donc possible de tirer des conclusions d'un affinement de la densite d'impulsion ou de ses projections sur l'etat des liaisons chimiques. Nous nous attachons egalement a l'interpretation quantitative de la diffusion inelastique compton : nous le faisons par une etude theorique de la deviation du modele de liaison ionique pour l'oxyde de magnesium cristalline dans l'espace des impulsions. Nous avons estime les parametres essentiels d'un modele de structure de bande a interaction covalente locale par un affinement. Le passage du modele atomique au modele ionique, donc la cohesion cristalline, peut etre apercu clairement dans la densite d'impulsion. L'effet de l'interaction covalente est faiblement antiliant mais perceptible. Nous parvenons a reproduire l'essentiel de la densite d'impulsion a l'aide de trois parametres seulement. Nous obtenons un modele de cohesion tres simple qui ameliore considerablement la description ionique.

Book DENSITE ELECTRONIQUE DE SILICIURES METALLIQUES ET DE COMPOSES D INSERTION DU GRAPHITE AU CESIUM ETUDIEE PAR SPECTROMETRIE D ABSORPTION X EN RAYONNEMENT SYNCHROTRON

Download or read book DENSITE ELECTRONIQUE DE SILICIURES METALLIQUES ET DE COMPOSES D INSERTION DU GRAPHITE AU CESIUM ETUDIEE PAR SPECTROMETRIE D ABSORPTION X EN RAYONNEMENT SYNCHROTRON written by VERONIQUE.. CODAZZI and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS AVONS CHOISI D'UTILISER L'ABSORPTION X QUI EST UN OUTIL PUISSANT POUR ETUDIER LES PREMIERS ETATS VIDES. C'EST UNE SONDE LOCALE DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE AU SITE DE L'ATOME ABSORBANT. AUSSI, UNE ETUDE COMPLETE DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DES ETATS VIDES PEUT ETRE OBTENUE A PARTIR DES DIFFERENTS SEUILS D'ABSORPTION DES ELEMENTS CONSTITUTIFS D'UN MATERIAU. UNE DESCRIPTION DE CETTE TECHNIQUE EXPERIMENTALE EST PRESENTEE AU CHAPITRE 2. LES MATERIAUX QUE NOUS AVONS ETUDIES SONT DECRITS AU CHAPITRE 1. IL S'AGIT DE MATERIAUX SYNTHETISES PAR L'INSERTION D'ATOMES DE METAL DANS UNE MATRICE SOIT SEMI-METALLIQUE (GRAPHITE) SOIT SEMI-CONDUCTRICE (SILICIUM). LES COMPOSES D'INSERTION DU GRAPHITE AU CESIUM SONT DES COMPOSES LAMELLAIRES TRES ANISOTROPES. AUSSI AVONS NOUS PU BENEFICIER DE LA POLARISATION DU RAYONNEMENT SYNCHROTRON POUR IDENTIFIER LA SYMETRIE DES ETATS VIDES. POUR CE FAIRE NOUS AVONS UTILISE LES RESULTATS DE CALCULS DE STRUCTURES DE BANDES, OBTENUS A PARTIR DE PSEUDO-POTENTIELS TRES BIEN ADAPTES A UNE DESCRIPTION PRECISE DES ELECTRONS DE CONDUTION ET LES ETATS VIDES AU VOISINAGE DU NIVEAU DE FERMI. MAIS L'INFORMATION OBTENUE N'EST QUE QUALITATIVE. LES RESULTATS SONT PRESENTES AU CHAPITRE 3. L'AUTRE CATEGORIE DE MATERIAUX ETUDIES SONT DES SILICIURES METALLIQUES DE LA PREMIERE SERIE DE TRANSITION. NOUS NOUS SOMMES PARTICULIEREMENT INTERESSES AU DISILICIURE DE COBALT ET DE NICKEL. DEUX TYPES DE CALCULS ONT ETE MENES POUR INTERPRETER LES RESULTATS. UN CALCUL DE STRUCTURE DE BANDES LMTO A FOURNI LES DENSITES D'ETATS PROJETEES POUR CHAQUE SITE ET CHAQUE SYMETRIE. LES CALCULS LMTO NE S'ETENDENT QUE SUR 20 EV AU-DESSUS DU SEUIL D'ABSORPTION. LES SEUILS D'ABSORPTION MESURES CONSTITUENT UN TEST DES FONCTIONS D'ONDE DES ETATS VIDES DE SYMETRIE P AU SITE DU SILICIUM ET DU METAL, ET DE SYMETRIE D AU SITE DU METAL. LES FONCTIONS D'ONDE ELECTRONIQUES DANS L'ETAT FONDAMENTAL ONT PAR AILLEURS ETE TESTEES AVEC SUCCES EN ANNIHILATION DE POSITONS. LES SPECTRES CALCULES PRESENTENT TOUTES LES STRUCTURES OBSERVEES, AUSSI BIEN DANS LES DISILICIURES DE COBALT ET DE NICKEL. LA RELAXATION ELECTRONIQUE DANS L'ION CREE LORS DE L'EJECTION DU PHOTOELECTRON A ETE PRISE EN COMPTE. ELLE A CONDUIT A UNE BONNE EVALUATION DES ENERGIES DE SEUIL, MAIS DES DIFFERENCES NOTABLES QUANT A LA POSITION DES STRUCTURES ENTRE LES SPECTRES CALCULES ET MESURES SUBSISTENT. LES RESULTATS DE DIFFUSION MULTIPLE PERMETTENT DE DECRIRE LE SEUIL D'ABSORPTION POUR UNE REGION S'ETENDANT SUR 45 EV APRES LE SEUIL. NOUS AVONS OBTENU UNE BONNE REPRODUCTION DES STRUCTURES DANS LE CAS DU DISILICIURE DE NICKEL. CEPENDANT, POUR LE DISILICIURE DE COBALT, DE MEME STRUCTURE CRISTALLOGRAPHIQUE, LE SEUIL CALCULE NE FAIT PAS APPARAITRE LA PREMIERE STRUCTURE DU SPECTRE EXPERIMENTAL. DANS LA CONCLUSION DU CHAPITRE 4, NOUS AVONS ATTRIBUE CE DESACCORD A UNE DESCRIPTION PLUS DELICATE DES ELECTRONS DELOCALISES

Book CONTRIBUTION A L ETUDE  PAR SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS  DES SURFACES D AL 111   DE FILM MINCE D ALUMINIUM ET D INP 100

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE PAR SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS DES SURFACES D AL 111 DE FILM MINCE D ALUMINIUM ET D INP 100 written by YVES.. HUTTEL and published by . This book was released on 1995 with total page 314 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ON ETUDIE LES MECANISMES D'OXYDATION DE L'ALUMINIUM EN PRESENCE DE SODIUM SUIVIE DE RECUITS. ILS COMPRENNENT PLUSIEURS ETAPES: 1) LA FORMATION D'UN ALLIAGE DE SURFACE ALNA PAR ADSORPTION DE SODIUM, 2) L'ADSORPTION D'OXYGENE ENTRE LES ATOMES D'ALUMINIUM ET DE SODIUM AVEC DESTRUCTION DES LIAISONS ALUMINIUM-SODIUM ET FORMATION D'UN ALUMINATE, 3) LA SATURATION EN OXYGENE DE L'ALUMINATE DE SODIUM, 4) L'OXYDATION DU SUBSTRAT D'ALUMINIUM EN VOLUME, 5) LA DESTRUCTION DE L'ALUMINATE PAR RECUITS AVEC DESORPTION DU SODIUM AVEC TRANSFERT DE L'OXYGENE AU SUBSTRAT ET FORMATION D'UN OXYDE AL#2O#3#+#X(X>O). LE TAUX D'OXYDATION EST AUGMENTE D'UN FACTEUR 10#3 ET 10#4 ENVIRON POUR AL(111) ET LES FILMS MINCES POLYCRISTALLINS D'ALUMINIUM RESPECTIVEMENT. LE MECANISME D'OXYDATION CATALYTIQUE EST DE NATURE LOCALE ET LES DEFAUTS DE SURFACE AUGMENTENT DE MANIERE SIGNIFICATIVE LA DENSITE DE SITES D'ADSORPTION, MODIFIANT PAR CONSEQUENT LES CINETIQUES D'ADSORPTION DU SODIUM ET D'OXYDATION DIRECTE. LE RUBIDIUM, QUI EST PLUS LIE A LA SURFACE QUE LE SODIUM, CATALYSE LA REACTION D'OXYDATION DE L'ALUMINIUM D'UN FACTEUR PROCHE DE 200 AVEC EXISTENCE D'UN SEUIL D'OXYDATION CATALYTIQUE, SITUE VERS 1/2 MONOCOUCHE DE RUBIDIUM. LA PRESENCE D'ANTIMOINE PASSIVE CHIMIQUEMENT LES SUBSTRATS POLYCRISTALLIN (FILM MINCE D'ALUMINIUM) ET MONOCRISTALLIN D'AL(111). POUR LES DEUX TYPES DE SURFACES, L'ALUMINIUM REAGIT AVEC L'ANTIMOINE ET FORME UN ALLIAGE D'ALSB EN SURFACE. NOUS AVONS MONTRE QUE LA PRESENCE D'ALSB, MEME EN FAIBLE QUANTITE (ADSORPTION DE 2 A 3 MONOCOUCHES D'ANTIMOINE), REDUIT CONSIDERABLEMENT L'OXYDATION DU SUBSTRAT D'ALUMINIUM (REDUCTION DE L'OXYDATION PAR DEUX ORDRES DE GRANDEUR ENVIRON). NOUS PRESENTONS AUSSI UNE ETUDE COMPARABLE POUR UN SEMICONDUCTEUR, L'INP(100). L'ADSORPTION D'ANTIMOINE SUR UNE TELLE SURFACE INDUIT LA FORMATION D'INSB ET AUGMENTE CONSIDERABLEMENT SA STABILITE THERMIQUE AU-DELA DE 500C CONTRE 300C ENVIRON POUR UNE SURFACE NON RECOUVERTE D'ANTIMOINE