Download or read book Etude et conception de syst mes de caract risation fonctionnelle dans le domaine temporel des transistors de puissance radiofr quences et microondes written by Denis Barataud and published by . This book was released on 1998 with total page 286 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ETUDE ET LA CONCEPTION DE SYSTEMES INNOVANTS DE CARACTERISATION FONCTIONNELLE MULTIHARMONIQUE, DANS LE DOMAINE TEMPOREL, DE COMPOSANTS DE PUISSANCE AUX FREQUENCES MICROONDES CONSTITUENT LE THEME ESSENTIEL DE CETTE THESE. L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL CONSISTE A POUVOIR VISUALISER, EN TEMPS REEL, LES FORMES D'ONDES DES TENSIONS ET DES COURANTS PRESENTS AUX ACCES D'UN COMPOSANT EN FONCTION DES EXCITATIONS ET DES IMPEDANCES DE CHARGE OU DE SOURCE PRESENTEES AUX TROIS PREMIERES FREQUENCES HARMONIQUES. POUR Y PARVENIR, DEUX NOUVEAUX SYSTEMES DE MESURE, UN ANALYSEUR DE RESEAU VECTORIEL CONVENTIONNEL MODIFIE ET UN ANALYSEUR DE RESEAUX NON LINEAIRES, ONT ETE ASSOCIES A UN BANC LOAD-PULL ET SOURCE-PULL MULTIHARMONIQUE UTILISANT LA TECHNIQUE DE LA BOUCLE ACTIVE AUX TROIS PREMIERES FREQUENCES HARMONIQUES. DES EXCITATIONS SIMPLES (MONOPORTEUSE) OU PLUS COMPLEXES (BIPORTEUSE) ONT ETE APPLIQUEES AUX TRANSISTORS AFIN DE : - MESURER ET OPTIMISER LES PERFORMANCES EN PUISSANCE, EN RENDEMENT ET EN LINEARITE DES TRANSISTORS PAR LE CONTROLE DES FORMES D'ONDES DES TENSIONS ET COURANTS, - VALIDER DES METHODES DE CONCEPTION UTILISEES EN CAO, - VALIDER TRES FINEMENT LES MODELES NON LINEAIRES DES COMPOSANTS RADIOFREQUENCES ET MICROONDES.

Download or read book Etude et conception d un syst me de caract risation fonctionnelle multiharmonique des transistors de puissance RF et microondes Application la mise en oeuvre exp rimentale de classes de fonctionnement haut rendement written by Fabrice Blache and published by . This book was released on 1995 with total page 279 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ETUDE ET LA CONCEPTION D'UN SYSTEME DE CARACTERISATION EXPERIMENTALE FONCTIONNELLE MULTIHARMONIQUE DES TRANSISTORS DE PUISSANCE CONSTITUENT LE THEME ESSENTIEL DE CE MEMOIRE. LE SYSTEME DEVELOPPE REPOSE SUR L'UTILISATION DE LA TECHNIQUE DE LA BOUCLE ACTIVE ETENDUE AUX TROIS PREMIERES FREQUENCES HARMONIQUES. L'ORIGINALITE DU SYSTEME RESIDE DANS LE FAIT QU'A LA FREQUENCE FONDAMENTALE, IL COMBINE LA TECHNIQUE DE LA BOUCLE ACTIVE AVEC LA TECHNIQUE DE LA DESADAPTATION PASSIVE RESIDUELLE. LA REPARTITION DES IMPEDANCES DE CHARGE A FO EST ALORS NATURELLEMENT FOCALISEE DANS LA ZONE ACTIVE DU COMPOSANT SOUS TEST, LIMITANT AINSI CONSIDERABLEMENT LES RISQUES DE DETERIORATION DE CELUI-CI. CETTE TECHNIQUE PERMET LA MISE EN UVRE D'UNE METHODOLOGIE EFFICACE D'OPTIMISATION EXPERIMENTALE DES CLASSES DE FONCTIONNEMENT A HAUT RENDEMENT DES TRANSISTORS RF ET MICROONDES

Download or read book Caract risation non lin aire et analyse de transistors effet de champ pour applications hyperfr quences dans le domaine temporel written by Damien Ducatteau and published by . This book was released on 2008 with total page 246 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: De nos jours, les systèmes de télécommunications deviennent de plus en plus complexes et sophistiqués. Les perfonnances électriques des transistors hyperfréquences qui les constituent, doivent être améliorées en tenne de fréquence, de puissance, de rendement et de linéarité. Dans le cas des transistors de puissance la caractérisation non linéaire est une étape indispensable afin de mieux comprendre et appréhender les effets limitatifs et d'optimiser leur conception. Dans ce cadre, l'objectif de cette thèse a été de mettre en œuvre un analyseur de réseaux non linéaire, de valider les mesures provenant de cet équipement et de développer des outils de mesures et d'analyse dans le domaine temporel afin de mieux appréhender les effets limitatifs des transistors à effet de champ aux fréquences micro-ondes. Dans un premier temps, nous avons montré l'importance de la caractérisation non linéaire hyperfréquence lors de la conception de circuits actifs. Nous avons effectué ensuite une étude bibliographique des principaux systèmes de caractérisation non linéaires existants et qui ont été précurseurs dans ce domaine.

Download or read book Caract risation et mod lisation des transistors microondes application l tude de la lin arit des amplificateurs fort rendement written by Stéphane Augaudy and published by . This book was released on 2002 with total page 223 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les transistors hyperfréquences à effet de champ ou bipolaires sont les composants essentiels des circuits de télécommunication. Leur comportement est fondamentalement non-linéaire, de nombreux phénomènes régissent leur fonctionnement. Après une déscription de différents effets les caractérisant, notamment les effets à dynamique lente de la température et des pièges, nous proposons un ensemble de moyens de mesure et d'outils de modélisation pour concevoir des représentations mathématiques des transistors intégrant différents effets non-linéaires. Nous utilisons ces modèles de transistors dans la CAO des circuits microondes. Les signaux porteurs d'informations des systèmes de télécommunications résultent de modulations complexes; nous simulons la réponse des non-linéarités des transistors intégrés dans les amplificateurs microondes soumis à ces signaux. Les différentes constantes de temps des non-linéarités rapides et lentes des transistors et les réponses basse fréquence des circuits de polarisation interagissent dynamiquement et génèrent des signaux de mélanges et d'intermodulations. Les résultats des simulations sont confirmés par différentes mesures de linéarité: C/I, ACLR. Dans le cadre de la téléphonie mobile de 3ème génération, nous analysons les compromis pour concilier la linéarité et le rendement de l'amplificateur microonde de puissance. L'impact du choix des signaux de test est analysé, certains choix favorisent ou masquent particulièrement un effet non-linéaire. Nous quantifions un à un les effets de différents phénomènes non-linéaires ou réglages du circuit sur les paramètres finaux de rendement et de linéarité de l'amplificateur. Les interactions non-linéaires dynamiques entre différents phénomènes sont ainsi mises en évidence.

Download or read book Dedicated design of experiments and experimental diagnostic tools for accurate reliability investigations on AlGaN GaN high electron mobility transistors HEMTs written by Serge Karboyan and published by . This book was released on 2018 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le développement intensif et rapide des dispositifs HEMT à base de nitrure de gallium a été largement favorisé par les qualités intrinsèques du matériau pour proposer des performances élevées (haute puissance, haute fréquence...) et pour autoriser un fonctionnement en environnement extrêmement sévère (fluctuations thermiques, brouillage, tenues aux radiations ionisantes...) par rapport aux technologies concurrentes plus traditionnelles (Si, GaAs...). À ce jour, les dispositifs HEMTs AlGaN/GaN sont considérés comme une alternative prometteuse pour remplacer la technologie GaAs, et se positionnent comme d'excellents candidats pour des applications d'électronique de puissance, pour les applications TVSAT, des stations de base terrestres et des systèmes radar à large bande de fréquence (bande L à W), et pour les applications civiles et militaires. Cependant, il reste à lever certains verrous concernant des problèmes de fiabilité de ces dispositifs, qui affectent la durée de vie élevée attendue ; l'amélioration de la robustesse de ces technologies reste une phase critique à étudier malgré les progrès déjà réalisés. Plusieurs paramètres de fabrication affectent la fiabilité, tels que la passivation de la surface, le plateau de champ, le procédé de dépôt de la grille. Il est bien connu que l'étude de la fiabilité est complexe et ne pourra jamais être totalement accomplie, cependant les limites escomptées pour une exploitation raisonnable des filières GaN laissent entrevoir la possibilité de réels progrès dans ce domaine pour assoir le positionnement de ces technologies vis à vis des solutions concurrentes. Ce manuscrit de thèse présente les outils de diagnostic et les procédures de mesures associées développés pour mieux comprendre les mécanismes de dégradation sous-jacents de ces dispositifs. Les mesures électriques DC et pulsées à différentes températures sont présentées en premier lieu. Pour obtenir des informations au niveau microscopique sur la fluctuation des porteurs et des défauts dans les zones actives et passives du dispositif, des mesures de bruit basse fréquence sont effectuées sur les courant de grille et de drain sous différentes configurations : la diode seule (drain en l'air) et le transistor en régime saturé. Une technique électro-optique, l'OBIRCh (Optical Beam Induced Resistance Change technique), est aussi appliquée sur les mêmes composants : cette technique apporte d'autres informations quant à l'intégrité du composant (fluctuations de courant), et vient corroborer nos hypothèses sur l'activation de mécanismes piezoélectriques dans les zones fortement polarisées du composant. Toutes ces techniques non-destructives permettent des analyses croisées. Un modèle original de la diode Schottky a été établi pour tenir compte de certains défauts d'homogénéité à l'intérieur du contact de grille à l'interface entre la diode Schottky et la couche semi-conductrice supérieure. D'autres résultats originaux ont été trouvés à partir des mesures de bruit basse fréquence concernant la localisation des défauts actifs et leur évolution suite à l'application d'un stress électrique et thermique (HTRB, HTOL, ...). Les analyses électriques (pulsées et transitoires) des phénomènes de retard à la commande (grille ou drain) sont partiellement corrélées aux analyses du bruit basse fréquences des courant de grille et de drain pour identifier les mécanismes sous-jacents de dégradations. Dernièrement, une ébauche de plan d'expérience (DOE) est proposée dans le cadre de notre travail, qui complètera celui mis en œuvre dans le cadre du projet ANR REAGAN impliquant tous les partenaires : des règles et des procédures expérimentales sont identifiées pour s'assurer que les données expérimentales sont fiables (i.e. reflètent statistiquement le comportement réel du dispositif).

Download or read book D veloppement et validation d un banc de caract risation de transistors de puissance en mode temporel impulsionnel written by Jad Faraj and published by . This book was released on 2010 with total page 175 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ces travaux traitent de la mesure de formes d’ondes temporelles en mode continu et en impulsions, avec comme application la caractérisation des transistors de puissance aux fréquences micro-ondes. Un banc de mesure a été développé autour du Nonlinear Vector Network Analyzer. La validation d’une méthode d’étalonnage absolue a été effectuée, l’originalité étant l’absence d’étalon de phase. Dans un deuxième temps, ce banc a été étendu par l’ajout de modes d’impulsions conservant toute la dynamique de mesure, même pour des rapports cycliques pouvant aller jusqu’à 0,01%. Des mesures de trains d’impulsions et des profils d’impulsions ont aussi été rendu possibles. Dans une dernière partie, l’intérêt de mesurer les formes d’ondes temporelles des transistors de puissance est démontré à l’aide d’exemples mettant en lumière les capacités du banc à supporter de très fortes puissances RF en mode d’impulsion, notamment pour des transistors HEMT AlGaN/GaN. Ce banc s’est aussi avéré très efficace pour séparer les effets de pièges des effets thermiques de différentes manières.

Download or read book Plate forme de caract risation fonctionnelle de transistors de puissance micro ondes incluant la pr distorsion num rique en bande de base written by Ghalid Idir Abib and published by . This book was released on 2007 with total page 159 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L’objectif de cette thèse consiste, d’une part, à tester une technique de linéarisation par prédistorsion numérique des signaux en bande de base sans effets mémoire afin de réduire les distorsions générées par un transistor de puissance et d’autre part, à étudier les performances des transistors en fonction de l’impédance de source et des impédances de charge basse fréquence. Les paramètres de la fonction de prédistorsion sont déterminés après inversion des conversions AM/AM et AM/PM du transistor. Le transistor utilisé est un MESFET polarisé en classe AB à 1,575 GHz. Dans la première partie de ce travail, le transistor est adapté en entrée, la mesure de la conversion AM/AM instantanée a permis d’améliorer le C/I3 de 15 dB pour un signal 2-tons (largeur de bande de 1 MHz), sans dégrader le C/I5. En présence de signaux QPSK ou 16-QAM (1 Msps), l’ACPR est amélioré de 5 dB. Dans la deuxième partie de ce travail, les contours source-pull d’ACPR et d’EVM en présence d’un signal QPSK ont mis en évidence une variation de 3 dB pour l’ACPR et 0,8 point pour l’EVM. Par la suite, l’impédance de source a été fixée sur une impédance de compromis, sans trop dégrader les pertes par désadaptation en entrée ni la linéarité. Des variations de 1 dB et de 7 points ont été observées respectivement pour la puissance de sortie et le rendement dans la zone de compression du transistor en étudiant l’influence des impédances de charge basse fréquence. La variation maximale de l’ACPR est de 15 dB et est de 6 points pour l’EVM. L’impédance de charge basse fréquence optimale est très proche d’un court-circuit. Enfin, la prédistorsion numérique a permis de réduire l’ACPR de 5 dB et l’EVM de 1 point.

Download or read book D veloppement d un Banc de Caract risation Fonctionnelle Large Bande Porteuses et Enveloppes dans le Domaine Temporel de Dispositifs non lin aires microondes written by Mouhamad Abou Chahine and published by . This book was released on 2009 with total page 225 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans les systèmes de télécommunications, la modulation, comportant l'information à acheminer, doit être suffisamment amplifiée pour être émise sur l'ensemble du trajet souhaité. L'amplificateur de puissance a une influence prépondérante sur les performances de la chaîne de transmission en termes de puissance, de consommation. Il doit produire un minimum de distorsion du signal. Il est donc fondamental de connaître les effets des non linéarités de l'amplificateur sur les signaux modulés qu'il amplifie. La visualisation dans le domaine temporel des signaux modulés aux accès de l'amplificateur requiert l'utilisation d'outils de caractérisation innovants non disponibles commercialement. Dans ce contexte et dans le cadre du projet lipsys soutenu par le pôle de compétitivité Elopsys, ce travail a conduit à la construction d'une nouvelle maquette d'un récepteur utilisant le "sous-échantillonnage variable" permettant à terme la mesure de signaux large bande.

Download or read book Caract risation non lin aire avanc e de transistors de puissance pour la validation de leur mod le CAO written by Tony Gasseling and published by . This book was released on 2003 with total page 229 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le travail présenté dans ce mémoire propose une contribution à la conception optimisée d'amplificateurs de puissance par l'utilisation de plusieurs caractérisations fonctionnelles. Celles ci sont réalisées aux premiers stades de la conception, au niveau du transistor en environnement source et load pull. Il est ainsi montré qu'un banc load pull fonctionnant en mode pulsé permet de participer à la validation des technologies utilisées pour la génération de fortes puissances aux fréquences microondes (Bande S). Cette étape permet également de valider fortement les modèles non linéaires électrothermiques des transistors développés à cet effet. Dans le domaine millimétrique, l'amplification de puissance sous contrainte de rendement et de linéarité est à l'heure actuelle un des points critiques du fait des faibles réserves de gain proposées. Dans ce contexte, le développement d'un banc source et load pull actif fonctionnant en bande K et permettant de déterminer les conditions optimales de polarisation et d'adaptation pour l'obtention du meilleur compromis rendement/linéarité se révèle être de première importance pour la conception optimisée d'amplificateur. Enfin, une nouvelle technique de caractérisation dédiée à l'extraction des quatre paramètres S à chaud en environnement load pull est proposée. Une application de cette nouvelle caractérisation a ainsi permis de prédire les oscillations paramétriques hors bande pouvant apparaître en fonction des conditions opératoires lorsque le transistor fonctionne en régime fort signal

Download or read book CONTRIBUTION A LA CARACTERISATION ET MODELISATION DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP POUR LA CONCEPTION DES CIRCUITS INTEGRES MONOLITHIQUES MICROONDES written by Gilles Montoriol and published by . This book was released on 1988 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PROPOSE UNE APPROCHE DE LA MODELISATION DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP SUR ASGA A PARTIR DE LA MESURE DES PARAMETRES PETIT SIGNAL ET D'UN ALGORITHME D'OPTIMISATION. LE BUT DES D'OBTENIR UN SCHEMA EQUIVALENT AYANT UNE SIGNIFICATION PHYSIQUE QUI PERMETTRA DE SUIVRE LES FLUCTUATIONS TECHNOLOGIQUES D'UNE CHAINE DE FABRICATION DE MMIC. LE CAS DU TEC BIGRILLE EST EGALEMENT TRAITE. ENFIN, ON INDIQUE UNE APPROCHE POSSIBLE DECOULANT DE CETTE METHODE DANS LA MODELISATION EN GRAND SIGNAL DU TEC

Download or read book Conception d un syst me de caract risation fonctionnelle d amplificateur de puissance en pr sence de signaux modul s l aide de r flectom tres six Portes written by Souheil Bensmida and published by . This book was released on 2005 with total page 217 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce mémoire présente l'étude et la mise en oeuvre d'un banc de caractérisation fonctionnelle de type " load-pull " pour la mesure de l'ensemble des critères de puissance, rendement et linéarité en présence de tous types de signaux (CW, CW-pulsés, GMSK, QPSK, QAM, etc.). Ce banc est constitué de réflectomètres six-portes, pour la mesure des impédances et des puissances. Afin de permettre l'utilisation de signaux modulés nous avons implémenté des détecteurs de puissance rapides bas coût à base de diodes Schottky non polarisées pour la détection de puissance au niveau des jonctions six-portes. Pour l'optimisation de la linéarité en plus, nous avons ajouté des modules de contrôle des impédances basses fréquences en entrée et en sortie du composant à tester. Un transistor de puissance MESFET a été testé à la fréquence 1.575 GHz en présence d'un signal modulé QPSK de largeur 1.25 MHz et d'un signal bi-porteuses séparées de 800 kHz pour une polarisation de type A et AB. Les contours " load-pull " montrent que les conditions optimales de puissance, de rendement et de linéarité sont différentes d'où la nécessité de trouver des compromis entre les différents critères. D'autre part, ces résultats montrent qu'il existe une forte corrélation entre l'ACPR et le produit d'intermodulation d'ordre 3. L'effet des impédances de source BF sur la linéarité n'est notable qu'en classe AB dans la zone de saturation. Finalement, l'effet des impédances de charge BF apparaît quelle que soit la classe de fonctionnement avec évidemment un effet très prononcé pour la classe AB pour laquelle on a observé des variations de 5 à 20 dB pour l'ACPR sur toute la dynamique de mesure

Download or read book Etude conception et r alisation d un banc de caract risation Source Pull written by Sébastien Leloir and published by . This book was released on 2005 with total page 145 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce mémoire présente l'étude, la conception et la réalisation d'un banc de mesure Source-Pull / Load-Pull multiharmonique pour caractériser de manière fonctionnelle les composants microondes de puissance entrant dans la composition de radars. Le banc est capable d'effectuer, en mode CW ou impulsionnel, une synthèse d'impédances à la fréquence fondamentale et aux deux premières harmoniques, et de reconstituer, en temps réel, les formes d'ondes temporelles aux accès du composant. Parfaitement adapté aux besoins de Thales Air Defence, cet outil permettra à terme : de concevoir les circuits hyperfréquences non-linéaires optimisés en puissance ajoutée maximum et/ou en rendement en puissance ; de valider ou d'améliorer les modèles électrothermiques de composants non-linéaires utilisés dans les logiciels de simulation. Le système de caractérisation mis en œuvre est notamment indépendant de la fréquence de travail, de la nature du composant et des niveaux des puissances. Afin de montrer l'intérêt de son exploitation dans le domaine des radars, une première caractérisation a été réalisée sur un transistor type HBT.

Download or read book Double gate single electron transistor written by Mohamed Amine Bounouar and published by . This book was released on 2013 with total page 204 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Etude et mod lisation des transistors effet de champ microondes basse temp rature Application la conception d oscillateurs haute puret spectrale written by Jacques Verdier and published by . This book was released on 2005 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJECTIF DU TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE EST DE DEFINIR UNE METHODE RIGOUREUSE DE CONCEPTION D'OSCILLATEURS A FAIBLE BRUIT DE PHASE A BASE DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP (MESFET, HEMT ET HEMT PSEUDOMORPHIQUE) DANS LE CAS OU LE TRANSISTOR ET LE RESONATEUR SONT SIMULTANEMENT REFROIDIS A DES TEMPERATURES CRYOGENIQUES. DANS UNE PREMIERE PARTIE, NOUS PRESENTONS UNE CARACTERISATION ELECTRIQUE COMPLETE DES DIFFERENTS TYPES DE TEC A LA TEMPERATURE DE L'AZOTE LIQUIDE. NOUS INSISTONS PARTICULIEREMENT SUR LES MECANISMES DE PIEGEAGE-DEPIEGEAGE SUR DES CENTRES PROFONDS ET NOUS PROPOSONS UNE METHODE PERMETTANT DE S'AFFRANCHIR DU PHENOMENE DE COLLAPSE QUI EST L'INCONVENIENT MAJEUR AU FONCTIONNEMENT DU COMPOSANT REFROIDI. NOUS AVONS PU ALORS, A PARTIR DE MESURES DE PARAMETRES S ET IMPULSIONNELLES, EXTRAIRE UN MODELE FORT SIGNAL POUR CHAQUE TRANSISTOR. DANS UNE DEUXIEME PARTIE, NOUS ETUDIONS LES MECANISMES DE CONVERSION DU BRUIT BASSE FREQUENCE EN BRUIT DE PHASE DANS LES OSCILLATEURS A BASE DE TEC. NOUS EXAMINONS TOUT D'ABORD L'INFLUENCE DU SIGNAL MICROONDE SUR L'AMPLITUDE ET LA FORME DES SPECTRES DE BRUIT BASSE FREQUENCE. NOUS ANALYSONS ENSUITE LES FLUCTUATIONS DE FREQUENCE DE L'OSCILLATEUR A PARTIR DU PRODUIT DU BRUIT BASSE FREQUENCE DU TEC ET DU FACTEUR DE PUSHING. L'INCAPACITE DE CETTE METHODE POUR DES TENSIONS DE POLARISATION DE GRILLE OU LE FACTEUR DE PUSHING DECROIT JUSQU'A LA VALEUR NULLE EST ALORS CLAIREMENT MONTRE. EN CONSEQUENCE, NOUS PRESENTONS UN NOUVEAU MODELE NON-LINEAIRE DE TEC UTILISANT DEUX SOURCES DE BRUIT NON CORRELEES RENDANT COMPTE DES EFFETS DISTRIBUES LE LONG DE LA REGION ACTIVE DU COMPOSANT. LA DERNIERE PARTIE DE CE MEMOIRE EST CONSACREE A LA REALISATION ET A LA CARACTERISATION D'UN OSCILLATEUR CRYOGENIQUE A BASE DE TEC.

Download or read book Mise en oeuvre d un banc de caract risation non lin aire dans le domaine fr quentiel pour l analyse de transistors HBT Si SiGe C written by Rezki Ouhachi and published by . This book was released on 2012 with total page 252 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L’émergence des technologies de communication satellite et radar toujours en pleine essor nécessite des composants de puissance hyperfréquence de plus en plus compacts permettant d’intégrer sur une seule puce des fonctions analogiques/numériques, tout en réduisant le coût de fabrication. Dans ce contexte, le transistor bipolaire à hétérojonction HBT constitue un composant de choix afin d'améliorer les performances des transistors de puissance sur silicium pour les applications hyperfréquences en association avec la technologie CMOS. Ainsi, cette étude est dédiée à la caractérisation et la modélisation non linéaire de ces dispositifs actifs. Dans ce but, un banc de mesures non linéaires et un modèle prédictif grand signal ont été développés jusqu’à 50 GHz. Dans un premier temps, le banc de mesures non linéaires a été mis en œuvre autour du NVNA en configuration load-pull mesurant dans le domaine fréquentiel vis à vis du LSNA mesurant dans le domaine temporel. Cette configuration instrumentale associée à la dynamique du NVNA met en avant ses avantages et inconvénients. Par la suite, une procédure d’extraction pour l’élaboration d’un modèle électrique grand signal a été validée en régimes statique et dynamique. L’originalité de ce modèle prédictif est la procédure d’extraction ainsi que la mise en œuvre rapide s’appuyant sur les formules analytiques physiques des semiconducteurs. Les étapes d’extraction se sont avérées très efficaces lors des confrontations avec les données expérimentales du dispositif sous test dans les mêmes conditions de polarisation et d’impédances de charge. Nous avons alors mis en évidence l’impact des courants thermiques sur les performances en puissance hyperfréquence des transistors bipolaires dans les domaines temporel et fréquentiel.

Download or read book Synth se exp rimentale d imp dances par la technique de la charge active written by Jean-Marc Coupat and published by . This book was released on 1994 with total page 276 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA REALISATION D'UN SYSTEME DE CARACTERISATION EXPERIMENTALE DE TRANSISTORS MICROONDES DE PUISSANCE FORTEMENT DESADAPTES CONSTITUE L'OBJET DE CETTE THESE. LES IMPEDANCES DE CHARGE DES COMPOSANTS SOUS TEST SONT SYNTHETISES ELECTRONIQUEMENT ET SE REPARTISSENT NATURELLEMENT DANS LA ZONE DE FONCTIONNEMENT OPTIMAL DU COMPOSANT (PUISSANCE AJOUTEE MAXIMUM, RENDEMENT EN PUISSANCE AJOUTEE MAXIMUM,). EN OUTRE, LES RISQUES DE DETERIORATION DU TRANSISTOR SONT TRES LARGEMENT DIMINUES. LA CARACTERISATION DU DISPOSITIF NON LINEAIRE EST PRECISE, FIABLE, RAPIDE ET LA METHODOLOGIE MISE EN UVRE EST INDEPENDANTE DE LA FREQUENCE DE TRAVAIL, DES CONDITIONS DE POLARISATION, DE LA NATURE DU COMPOSANT (MESFET, HFET, HEMT, MOSFET, HBT,), DES IMPEDANCES D'ENTREE ET DE SORTIE ET DES NIVEAUX DE PUISSANCE DE SORTIE. CE SYSTEME PRESENTE EST BIEN APPROPRIE AU DEVELOPPEMENT D'UN BANC DE CARACTERISATION EXPERIMENTALE FORT SIGNAL DE TYPE MULTIHARMONIQUE

Download or read book Mod lisation lectrique des transistors effet de champ pour la CAO des circuits microondes lin aires et non lin aires written by Joaquin Portilla Rubin and published by . This book was released on 1994 with total page 183 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA MODELISATION ELECTRIQUE DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP (FET, HEMT) POUR LA CAO DES CIRCUITS LINEAIRES ET NON LINEAIRES CONSTITUE LE THEME ESSENTIEL DE NOTRE TRAVAIL. LA MODELISATION ELECTRIQUE DES COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS EST AUJOURD'HUI LA SOLUTION ADOPTEE POUR LA CAO DES CIRCUITS HYPERFREQUENCES. DIFFERENTES TECHNIQUES DE MESURE ET DE MODELISATION DOIVENT ETRE MISES EN UVRE AFIN DE PREVOIR LE COMPORTEMENT DES COMPOSANTS. LA CARACTERISATION IMPULSIONNELLE DES SOURCES DE CONDUCTION ET DES PARAMETRES S EST LA METHODE EXPERIMENTALE LA PLUS ADEQUATE. L'ACTIVITE PRINCIPALE DE LA MODELISATION ELECTRIQUE CONSISTE A OBTENIR UNE TOPOLOGIE DE DESCRIPTION DES COMPOSANTS AINSI QUE DES METHODES D'EXTRACTION DES ELEMENTS QUI SOIENT EFFICACES ET PRECISES. NOTRE ETUDE NOUS A PERMIS DE DETERMINER UN NOUVEAU MODELE ELECTRIQUE FAIBLE SIGNAL DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP QUI CONSTITUE UNE REPRESENTATION PLUS INTUITIVE DE SON COMPORTEMENT ELECTRIQUE. CE NOUVEAU SCHEMA EQUIVALENT PERMET DE MODELISER AUSSI LES SOURCES DE BRUIT DE DIFFUSION. UNE METHODE D'EXTRACTION DU MODELE FAIBLE SIGNAL A ETE MISE AU POINT PERMETTANT DE RESPECTER LA COHERENCE DU MODELE COMPLET ET LES CONDITIONS PARTICULIERES DE FONCTIONNEMENT. UNE APPROCHE NON LINEAIRE, NON QUASI STATIQUE, PERMETTANT LA CONSERVATION DE LA CHARGE ET ELLE AUSSI COHERENTE AVEC LES CONDITIONS DE FONCTIONNEMENT HYPERFREQUENCE DU COMPOSANT A EFFET DE CHAMP, A ETE ETABLIE A PARTIR DE MESURES IMPULSIONNELLES. NOUS EVOQUONS EN CONCLUSION L'EXTENSION QUI PEUT ETRE DONNEE AUX TRAVAUX PRESENTES EN VUE DE L'OBTENTION DE MODELES PLUS FIABLES POUR LA CAO DES CIRCUITS HYPERFREQUENCES