Download or read book ETUDE DU DEPOT DE FILMS MINCES DE SILICE PAR PLASMA MULTIPOLAIRE MICROONDE APPLICATION A L ETUDE DE STRUCTURES SIO 2 INP written by FRANCOIS.. PLAIS and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A GRILLE ISOLEE (MISFET) SUR INP EST LE COMPOSANT SUSCEPTIBLE DE REPONDRE AUX SPECIFICATIONS REQUISES DANS LE DOMAINE DE L'AMPLIFICATION HYPERFREQUENCE. LA REALISATION DE CE COMPOSANT PASSE PAR LA MAITRISE DU DEPOT DE SILICE SUR INP ET LA REALISATION D'UNE INTERFACE SANS DEFAUTS. LES TECHNIQUES HABITUELLES DE DEPOT D'ISOLANT (DEPOT ASSISTE PAR PLASMA RADIOFREQUENCE, TEMPERATURE DE SUBSTRAT 250C) INDUISENT DES DEFAUTS DANS LE SUBSTRAT QUI NUISENT A LA QUALITE DU COMPOSANT REALISE. A TITRE D'ALTERNATIVE AUX PLASMAS RADIOFREQUENCES, NOUS AVONS UTILISE UN PLASMA MULTIPOLAIRE MICROONDE POUR DEPOSER LE FILM DE SILICE. LE PLASMA EST CREE, A BASSE PRESSION (10##3 MBAR), DANS UN MELANGE SIH#4-N#2O, PAR RESONANCE CYCLOTRONIQUE ELECTRONIQUE REPARTIE (RCER). LES FILMS OBTENUS A TEMPERATURE AMBIANTE PRESENTENT UNE FAIBLE CONTAMINATION (2 AT% D'AZOTE ET 5 AT% D'HYDROGENE MESURE PAR MICROANALYSE NUCLEAIRE), UNE FAIBLE VITESSE DE GRAVURE HUMIDE (3 FOIS CELLE DE LA SILICE THERMIQUE) ET UNE BONNE RESISTIVITE (10#1#5CM). NOUS AVONS ENSUITE CARACTERISE L'INTERFACE ENTRE LE FILM DE SILICE ET L'INP PAR SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS (XPS) SUR DES COUCHES MINCES OU PAR ANALYSE I(V)-C(V) SUR DES COUCHES EPAISSES. ON MONTRE PAR XPS QUE LE DEPOT DE SILICE OXYDE FORTEMENT LE SUBSTRAT D'INP. LE CHAMP CRITIQUE, POUR LEQUEL LA DENSITE DE COURANT DE FUITE EST INFERIEURE A 1 NA CM##2, DEPASSE 5 MV CM##1, RESULTAT COMPARABLE A LA STRUCTURE SILICE THERMIQUE - SI (ANALYSE I(V) QUASISTATIQUE). LA DISPERSION EN FREQUENCE DES CARACTERISTIQUES C(V) EST NULLE ET L'ANALYSE TERMAN INDIQUE UN MINIMUM DE DENSITES D'ETATS D'INTERFACE EGAL A 2 10#1#1 CM##2 EV##1
Download or read book ETUDE DE FILMS MINCES DE NITRURE DE SILICIUM DEPOSES A BASSE TEMPERATURE PAR PLASMA MULTIPOLAIRE MICRO ONDE APPLICATION AUX STRUCTURES SI SI 3N 4 ET INP SI 3N 4 written by STEPHANE.. SITBON and published by . This book was released on 1996 with total page 252 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES FILMS MINCES DIELECTRIQUES DEPOSES A BASSE TEMPERATURE PRESENTENT ACTUELLEMENT ET PRESENTERONT DANS LE FUTUR DE MULTIPLES APPLICATIONS POUR REPONDRE AUX NOUVELLES SPECIFICATIONS DE L'INDUSTRIE DE LA MICRO-ELECTRONIQUE ET DE L'OPTO-ELECTRONIQUE. NOUS PRESENTONS DANS CE MEMOIRE, L'ETUDE ET L'OPTIMISATION DU DEPOT DE FILMS MINCES DE NITRURE DE SILICIUM DEPOSES DANS UN TYPE DE REACTEUR A PLASMA MICRO-ONDE: LE REACTEUR A RESONANCE CYCLOTRONIQUE REPARTIE (RCER). DE NOMBREUX MOYENS DE CARACTERISATION ONT ETE EMPLOYES, POUR MAITRISER LE DEPOT, TELS QUE LA SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE POUR L'ANALYSE DU PLASMA, L'ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE ET A ANNULATION POUR DETERMINER L'EPAISSEUR ET L'INDICE DES FILMS, LA SPECTROSCOPIE D'ABSORPTION INFRA-ROUGE POUR ELUCIDER LA NATURE DES LIAISONS CHIMIQUES. LA COMPOSITION ATOMIQUE DES FILMS A ETE DETERMINEE PAR MICROANALYSE NUCLEAIRE ET PAR SPECTROSCOPIE D'ELECTRONS D'AUGER. LA PREMIERE PARTIE DE CE TRAVAIL CONCERNE L'EVOLUTION DES PROPRIETES PHYSICO-CHIMIQUES DES FILMS DE NITRURE DE SILICIUM RCER REALISES A PARTIR DU MELANGE GAZEUX DE SILANE ET D'AZOTE, EN FONCTION DE LA COMPOSITION DE LA PHASE GAZEUSE (N#2/SIH#4) ET DE LA PUISSANCE MICRO-ONDE. UNE PHASE GAZEUSE FORTEMENT DILUEE EN SILANE ET UNE PUISSANCE MICRO-ONDE ELEVEE PERMETTENT D'ELABORER DES FILMS DENSES, LEGEREMENT SUR-STOECHIOMETRIQUES EN AZOTE. DANS LA DEUXIEME PARTIE POUR CONFIRMER NOTRE POINT DE FONCTIONNEMENT, NOUS PRESENTONS UN ENSEMBLE DE MESURES ELECTRIQUES REALISEES SUR DES STRUCTURES MIS (AL/SIN/SI ET AL/SIN/INP). LES VALEURS DU CHAMP CRITIQUE ET DE LA DENSITE D'ETATS D'INTERFACE, DEDUITES DES CARACTERISTIQUES RESPECTIVEMENT I(V) ET C(V) SONT LES PLUS ELEVEES DANS LE CAS DE L'INP. TOUTEFOIS, LE MECANISME DE CONDUCTION DOMINANT EST CELUI DE FRENKEL-POOLE, QUELLE QUE SOIT LA NATURE DU SUBSTRAT, LA VALEUR DE LA RESISTIVITE ETANT DE 10#1#6 OHM.CM
Download or read book Cold Plasma Deposition of Organosilicon Films with Different Monomers in a Dielectric barrier Discharge written by Sara Lovascio and published by . This book was released on 2010 with total page 115 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse porte sur une étude fondamentale sur le dépôt des couches minces d’organosiliciés par des Décharges à Barrière Diélectrique (DBD), un procédé très intéressant pour l’application aux textiles. La plupart des dépôts des couches d’oxyde de silicium sont déposées à partir du précurseur hexaméthyle silixone (HMDSO).De plus très peu d’études sont consacrées aux mécanismes de dépôt des couches à la pression atmosphérique. Dans cette étude les propriétés des couches minces déposées par DBD alimentées par Ar/HMDSO/O2, Ar/PMDSO (pentaméthyldisiloxane)/O2 et Ar/TMDSO (tetraméthyldisiloxane)/O2, avec différentes proportions de l’oxygène, ont été confrontées aux analyses, par GC-MS, des gaz sortant du réacteur. Nous avons trouvé que l’ajout d’O2 au gaz d’alimentation n’améliore pas l’activation du précurseur organosilicié, même s’il augmente la puissance injectée. En revanche il influence fortement la composition chimique des dépôts et favorise une forte réduction de la concentration des sous-produits dans le gaz sortant du réacteur. Sans ajout de l’O2, des couches minces obtenues contiennent beaucoup de carbone , avec rétention de la structure du précurseur de départ. En réduisant le nombre de –CH3 dans le précurseur (HMDSO>PMDSO>TMDSO), le nombre et l’abondance des sous-produits détectés dans le gaz sortant du réacteur diminuent fortement. Il semblerait que les unités de répétition diméthylsiloxane et hydrométhylsiloxane jouent un rôle important dans l’oligomérisation des trois précurseurs. Différents mécanismes d’activation, ainsi que différents procédés de formation des groupes Si-OH dans les dépôts, ont été proposés pour les trois précurseurs.
Download or read book DEPOTS DE FILMS MINCES SIN X ASSISTES PAR PLASMA DE HAUTE DENSITE ETUDES CORRELEES DE LA PHASE GAZEUSE DE L INTERFACE SIN X INP ET DE LA PASSIVATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION INP written by FRANCK.. DELMOTTE and published by . This book was released on 1998 with total page 234 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJET DE CETTE ETUDE EST LE DEPOT DE FILMS MINCES SIN#X A BASSE TEMPERATURE ASSISTE PAR PLASMA DE HAUTE DENSITE DE TYPE DECR (DISTRIBUTED ELECTRON CYCLOTRON RESONANCE) ET LEUR APPLICATION A LA PASSIVATION DES DISPOSITIFS OPTOELECTRONIQUES A BASE D'INP, TEL QUE LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION. DANS UN PREMIER TEMPS, NOUS COMPARONS LES DIFFERENTES SOURCES DE PLASMA DE HAUTE DENSITE QUI SONT UTILISEES POUR LE DEPOT DE NITRURE DE SILICIUM ET NOUS PRESENTONS UN BILAN DES DIVERSES METHODES DE DESOXYDATION DES MATERIAUX SEMICONDUCTEURS UTILISES DANS LES DISPOSITIFS OPTOELECTRONIQUES A BASE D'INP. NOUS AVONS ENSUITE CHOISI DE DETAILLER LA MISE EN OEUVRE DE L'ANALYSE PAR SONDES ELECTROSTATIQUES SIMPLE ET DOUBLE, QUI CONSTITUE L'APPORT ESSENTIEL DE CE TRAVAIL DANS L'ETUDE DU PLASMA DECR. CETTE METHODE NOUS A PERMIS DE MESURER DES PARAMETRES CRUCIAUX POUR LE DEPOT, TELS QUE L'ENERGIE DES IONS LORSQU'ILS ARRIVENT SUR LE SUBSTRAT OU ENCORE LA DENSITE DE COURANT IONIQUE. AINSI, NOUS AVONS PU CORRELER CES PARAMETRES AVEC LES PROPRIETES DES FILMS MINCES DEPOSES (CONTRAINTE, DENSITE, ). NOUS AVONS EGALEMENT ETUDIE LES MECANISMES DE CONDUCTION DANS LE NITRURE DE SILICIUM POUR DIFFERENTES EPAISSEURS DE FILM. LA CONDUCTION PAR EFFET TUNNEL (MECANISME DE FOWLER-NORDHEIM) DEVIENT NEGLIGEABLE POUR LES FILMS D'EPAISSEUR SUPERIEURE A 20 NM. POUR CES DERNIERS, LA CONDUCTION EST ASSISTEE PAR LES PIEGES A ELECTRONS PRESENTS DANS LE NITRURE (MECANISME DE FRENKEL-POOLE). A TRAVERS L'ETUDE ELECTRIQUE DES STRUCTURES AL/SIN#X/INP, NOUS AVONS CONSTATE QUE LE TRAITEMENT IN-SITU DU SUBSTRAT D'INP PAR PLASMA DECR N#2 ET/OU NH#3 NE PERMET PAS D'OPTIMISER L'INTERFACE SIN#X/INP. PAR CONTRE, NOUS AVONS MONTRE QUE L'UTILISATION D'UN PLASMA DE DEPOT RICHE EN HYDROGENE PERMETTAIT DE REDUIRE L'OXYDE PRESENT A LA SURFACE DE L'INP. L'ENSEMBLE DE CETTE ETUDE A PERMIS DE DEFINIR UN PROCEDE DE PASSIVATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION INP/INGAAS QUI A ETE TESTE AVEC SUCCES.
Download or read book D p t chimique en phase vapeur de silice dans une post d charge micro onde de grand diam tre written by Florence Naudin and published by . This book was released on 2000 with total page 192 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES COUCHES MINCES DE SILICE SONT OBTENUES DANS UN REACTEUR PECVD MICRO-ONDE DE GRAND DIAMETRE, FONCTIONNANT EN MODE POST-DECHARGE, PAR REACTION ENTRE UN GAZ PLASMAGENE (OXYGENE) ET UN GAZ PRECURSEUR (SIH 4/AR). UNE ETUDE PARAMETRIQUE PERMET DE DETERMINER UN POINT DE FONCTIONNEMENT (1600 W ; 0,13 MBAR ; R = 160 RAPPORT DU DEBIT D'OXYGENE ET DU SILANE ; 150\C) CONDUISANT A DES FILMS ADHERENTS DE SILICE AMORPHE DE DENSITE VOISINE DE LA VALEUR THEORIQUE (2,2). DEUX DIAGNOSTICS SONT EMPLOYES POUR CARACTERISER LA DECHARGE ET LA POST-DECHARGE. LES ESPECES IDENTIFIEES PAR SPECTROMETRIE D'EMISSION OPTIQUE PROVIENNENT DU GAZ PLASMAGENE (O, O 2 + ET O 2), DE LA DISSOCIATION DU SILANE (H, SIH) ET DE RECOMBINAISONS EN PHASE GAZEUSE (SIO, OH). LES RESULTATS METTENT EN EVIDENCE QUE LA ZONE DE DEPOT N'EST PAS UNE REELLE POST-DECHARGE ET QU'IL EXISTE DES RECIRCULATIONS DE GAZ PRECURSEUR DANS LE PLASMA. LA TEMPERATURE DU GAZ, DEDUITE DU SPECTRE ROTATIONNEL DE LA BANDE ATMOSPHERIQUE, EST DE L'ORDRE DE 650 A 700 K. LA DENSITE ET LA TEMPERATURE DES ELECTRONS, MESUREES PAR DOUBLE SONDE ELECTROSTATIQUE, PRECISENT QUE LA ZONE DE DEPOT EST UN DOMAINE TRANSITOIRE ENTRE LA DECHARGE ET LA PROCHE POST-DECHARGE. LA MODELISATION DU REACTEUR COMPORTE DEUX PRINCIPALES PARTIES DISTINCTES. UNE ETUDE AERODYNAMIQUE, METTANT EN UVRE UN CODE DE CALCUL NUMERIQUE (ESTET) EN VUE D'OPTIMISER L'INJECTION DU GAZ PRECURSEUR ET DE DEFINIR LE REGIME D'ECOULEMENT, MONTRE QUE L'ECOULEMENT EST PERTURBE ET COMPLEXE. UN MODELE ELECTROMAGNETIQUE, DEVELOPPE PAR L'IRCOM, REVELE QUE LE CHAMP ELECTRIQUE, PRINCIPALEMENT REPARTI DANS LES GAINES ELECTROSTATIQUES ET EN PERIPHERIE DU QUARTZ, SE PROPAGE PEU DANS LA POST-DECHARGE. L'EXCITATION CHOISIE ASSURE DONC UN EXCELLENT COUPLAGE MICRO-ONDE/PLASMA.
Download or read book Advanced Technologies Based on Wave and Beam Generated Plasmas written by H. Schlüter and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 1999-02-28 with total page 592 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book draws together three areas of work on plasma technologies: advanced efforts based on wave generated, high frequency plasmas, plasma assisted ion implantation, and electron beam generated plasma. It lays a foundation for the application of sources in industry and various research areas
Download or read book Microwave Discharges written by Carlos M. Ferreira and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2013-11-21 with total page 556 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Proceedings of a NATO ARW held in Vimeiro, Portugal, May 11-15, 1992
Download or read book Plasma Etching written by Dennis M.. Manos and published by . This book was released on 1989 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book High Density Plasma Sources written by Oleg A. Popov and published by . This book was released on 1995 with total page 445 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book describes the design, physics, and performance of high density plasma sources which have been extensively explored in low pressure plasma processing, such as plasma etching and planarization, plasma enhanced chemical vapor deposition of thin films, sputtered deposition of metals and dielectrics, epitaxial growth of silicon and GaAs, and many other applications. This is a comprehensive survey and a detailed description of most advanced high density plasma sources used in plasma processing.
