Download or read book Etude du comportement de l oxyg ne dans le silicium et dans l oxyde de silicium sous bombardement par des lectrons de quelques Kev written by Pierre Juliet and published by . This book was released on 1984 with total page 176 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DES EFFETS DES DEFAUTS D'IRRADIATION SUR LES SPECTROMETRIES D'IONS SECONDAIRES ET AUGER. LA DIFFUSION DE SURFACE DES CONTAMINANTS ABSORBES PERTURBE LES ANALYSES D'OXYGENE EN PROFONDEUR. L'EXCITATION ELECTRONIQUE EST LA CAUSE DE LA DIFFUSION OU DE LA DESORPTION DE L'OXYGENE. LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DE L'OXYDE EN EST MODIFIEE

Download or read book Etude de la nitruration thermique pression atmosph rique de l oxyde de silicium et du silicium written by Allal Serrari and published by . This book was released on 1989 with total page 194 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le silicium et l'oxyde de silicium nitrurés présentent de meilleures propriétés diélectriques que l'oxyde de silicium utilisé dans la technologie M.O.S. (métal-oxyde-silicium), d'où l'intérêt de les étudier.La nitruration a été effectuée à pression atmosphérique sous NH3 à haute température (900°C-1100°C) et pendant une durée variant de quelques secondes à 1 ou 2 heures.Pour comprendre le mécanisme de nitruration, nous avons étudié l'influence de plusieurs paramètres de nitruration sur la composition chimique des couches réalisées.La caractérisation physico-chimique a été effectuée par plusieurs technique d'analyse complémentaires telles que : l'analyse par réaction nucléaire, les spectrométries d'électrons Auger et de photoélectrons, la spectroscopie de masse d'ions secondaires et l'ellipsométrie.Nous avons montré que la nitruration du silicium conduit à des couches contenant de l'oxygène. L'épaisseur de ces dernières augmente avec le temps et la température de nitruration mais saturent après une heure (80 A à 1100°C).L'oxyde de silicium nitruré (oxynitrure) présente une surface riche en azote par rapport au volume avec l'existence d’un pic d'azote près de l'inter- face avec le silicium.Nous avons observé ce pic dès 30 secondes pour un oxyde de 450 A, ce qui signifie un coefficient de diffusion de 3.10-13 cm2/s. Le coefficient de diffusion diminue rapidement, atteint 10-15 cm2/s dès 10 minutes de nitruration. L'incorporation de l'azote dans la couche d'oxyde s'accompagne d'une diminution de la quantité d'oxygène. Le mécanisme de transport atomique de l'oxygène pendant la nitruration a été étudié en utilisant des oxydes isotopiques.Un modèle du mécanisme de nitruration a été proposé.Les mesures capacité-tension à 1 MHZ ont permis de déterminer l'évolution de la tension de bande plate et de la quantité de charges dans la couche.Nous avons mis en évidence les propriétés de barrière à l'oxydation des oxynitrures réalisés.

Download or read book tude des d fauts li s l oxyg ne dans le silicium Czochralski destin aux cellules solaires photovolta ques Influence des impuret s isovalentes written by Florent Tanay and published by . This book was released on 2013 with total page 228 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail a pour but de comprendre les effets de deux principaux défauts liés à l’oxygène, les complexes bore-oxygène et les donneurs thermiques, sur les propriétés électriques et photovoltaïques du silicium. Plus particulièrement, les interactions des impuretés isovalentes, connues pour modifier la distribution spatiale de l’oxygène, avec ces défauts ont été étudiées. Deux protocoles expérimentaux ont d’abord été développés pour évaluer la dégradation de la durée de vie des porteurs de charge sous éclairement dans le silicium riche en fer. Ensuite, il a été mis en évidence que l’introduction de germanium et d’étain en très grande quantité dans le silicium n’influence pas de façon significative le rendement de conversion des cellules. Cependant, contrairement à ce qui a été récemment avancé dans la littérature, aucune limitation due au co-dopage au germanium ou à l’étain de la dégradation sous éclairement des performances photovoltaïques n’a été observée. Par contre, il a été montré que le carbone entraîne un ralentissement de la dégradation due aux complexes bore-oxygène. Egalement, contrairement à l’étain qui n’influence pas la génération des donneurs thermiques, le germanium conduit à un ralentissement de la formation de ces défauts. Une expression empirique a été proposée pour rendre compte de cet effet, et ce pour une large gamme de teneurs en germanium. Enfin, dans le silicium très dopé et très compensé, la génération des donneurs thermiques est identique au cas du silicium standard. Ceci constitue un résultat marquant puisqu’il permet de valider par l’expérience le fait que la formation des donneurs thermiques est limitée par la teneur en électrons.

Download or read book Etude de l influence du recul de l oxyg ne sur le silicium implant travers oxyde written by Béatrice Biasse and published by . This book was released on 1981 with total page 116 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE RENDEMENT DE RECUL DE L'OXYGENE EST DE L'ORDRE DE 1 POUR DES IMPLANTATIONS DE DOPANTS CLASSIQUES. L'INTRODUCTION D'OXYGENE SE TRADUIT DURANT LE RECUIT THERMIQUE PAR UN PHENOMENE DE PRECIPITATION ENTRAINANT UNE STABILITE THERMIQUE ACCRUE DES DEFAUTS RESIDUELS ET UN PIEGEAGE DES ATOMES DE DOPANTS. L'INTRODUCTION D'OXYGENE INDUIT AUSSI DES MODIFICATIONS DES PROPRIETES ELECTRIQUES DES COUCHES IMPLANTEES. L'INFLUENCE DU RECUL DE L'OXYGENE DEVRAIT SE MONTRER PARTICULIEREMENT CRITIQUE DANS L'AVENIR AVEC L'EVOLUTION VERS LA HAUTE INTEGRATION DES CIRCUITS

Download or read book APPLICATION DU TRACAGE ISOTOPIQUE A L OXYGENE 18 A L ETUDE DES MECANISMES DE TRANSPORT ATOMIQUE IMPLIQUES DANS L OXYDATION THERMIQUE DU SILICIUM SOUS OXYGENE SEC written by ISABELLE.. TRIMAILLE and published by . This book was released on 1994 with total page 115 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE BUT DE CETTE THESE EST D'AMELIORER NOTRE CONNAISSANCE DE L'OXYDATION DU SILICIUM SOUS OXYGENE SEC. POUR CELA NOUS AVONS UTILISE LE TRACAGE ISOTOPIQUE A L'OXYGENE 18 ET LA MICROANALYSE NUCLEAIRE. IL AVAIT ETE PRECEDEMMENT ETABLI QU'APRES DES OXYDATIONS D'ABORD EN OXYGENE NATUREL, PUIS EN OXYGENE FORTEMENT ENRICHI EN OXYGENE 18, ON TROUVE DANS LA COUCHE D'OXYDE FORMEE, L'OXYGENE LOURD AUX DEUX INTERFACES: PRINCIPALEMENT A L'INTERFACE AVEC LE SILICIUM MAIS AUSSI A LA SURFACE EXTERNE DE L'OXYDE. LA FIXATION A LA SURFACE RESULTE D'UN PHENOMENE DE TRANSPORT DES ATOMES D'OXYGENE DU RESEAU, INDUIT PAR LA PRESENCE DE DEFAUTS. GRACE A LA RESONANCE A 151 KEV DE LA REACTION NUCLEAIRE #1#8O(P,)#1#5N, NOUS AVONS PU MONTER QUE LE PROFIL D'OXYGENE LOURD PRES DE LA SURFACE EST TRES PROCHE D'UNE FONCTION ERREUR COMPLEMENTAIRE. LA QUANTITE DE L'ISOTOPE LOURD FIXE EN SURFACE AUGMENTE LORSQUE L'EPAISSEUR DU FILM DIMINUE. PLUS LES FILMS SONT MINCES, PLUS GRANDE EST LA VITESSE D'OXYDATION INTERFACIALE. PAR IMPLANTATION D'AZOTE, NOUS AVONS INHIBE L'OXYDATION INTERFACIALE. L'ANALYSE NUCLEAIRE NOUS A PERMIS DE MONTER QUE LA FIXATION D'OXYGENE EN SURFACE NE DEPENDAIT PAS DE LA VITESSE D'OXYDATION. GRACE A UNE ETUDE EN FONCTION DE LA PRESSION D'OXYDATION, NOUS AVONS PU PROPOSER COMME DEFAUT RESPONSABLE DU MOUVEMENT DES ATOMES D'OXYGENE, LE PONT PEROXYL (LIAISON O-O). NOUS AVONS EVALUE LA PROPORTION DE CROISSANCE DU A CE MECANISME. NOUS AVONS ETUDIE L'OXYDATION THERMIQUE RAPIDE DU SILICIUM POUR DEUX NETTOYAGES CHIMIQUES DU SILICIUM. LE NETTOYAGE ACIDE FLUORHYDRIQUE SUIVI D'UN RINCAGE A L'ETHANOL CONDUIT A UNE PLUS GRANDE QUANTITE D'ATOMES DE SILICIUM SOUS FORME DE FRAGMENTS DANS L'OXYDE QUE LE NETTOYAGE ACIDE FLUORHYDRIQUE/ETHANOL. NOUS NOUS SOMMES INTERESSES A L'OXYDATION D'ALLIAGES SILICIUM-GERMANIUM: UNE COUCHE PURE SE SILICE SE FORME PAR DES MECANISMES IDENTIQUES A CEUX DE L'OXYDATION DU SILICIUM

Download or read book ETUDE PAR TRACAGE ISOTOPIQUE A L OXYGENE 18 DES MECANISMES DE TRANSPORT ATOMIQUE DANS LES COUCHES MINCES D OXYDE DE SILICIUM ET D OXYDE DE TANTALE SUR SILICIUM written by FRANCOIS.. ROCHET and published by . This book was released on 1981 with total page 176 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book ETUDE DES DEFAUTS APRES IMPLANTATION IONIQUE DE L OXYGENE DANS LE SILICIUM written by DANIEL.. BERTRAND and published by . This book was released on 1981 with total page 86 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DU COMPORTEMENT DE L'OXYGENE IMPLANTE DIRECTEMENT DANS LE SILICIUM PAR DIFFRACTION D'ELECTRONS ET MICROSCOPIE ELECTRONIQUE. SUIVI DE LA CONCENTRATION D'OXYGENE DANS LE SILICIUM IMPLANTE A DE FORTES DOSES PAR SONDE IONIQUE. IMPLANTATIONS D'ARSENIC SEUL OU A TRAVERS SIO::(2) AFIN DE DEGAGER LA SIMILITUDE QUI EXISTE ENTRE LES IMPLANTATIONS DIRECTES EN OXYGENE ET LE RECUL DE L'OXYGENE

Download or read book Etude de la toppographie du travail de sortie du silicium et de l oxyde de silicium oxydation du silicium sous faible pression d oxyg ne written by Loi͏̈c Pilorget and published by . This book was released on 1984 with total page 125 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Etude du comportement de l oxyde de silicium dop au phosphore lors de traitements thermiques written by Fabien Chabuel and published by . This book was released on 2004 with total page 199 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'objectif de ce travail est l'étude du comportement des films d'oxyde de silicium dopés phosphore à haute température (850°C-1050°C). Les observations expérimentales montrent que dans certaines conditions de température et d'atmosphère de recuit (azote, oxygène, vapeur d'eau), il se produit un dégazage s'accompagnant de la formation des bulles dans le matériau. Une étude thermodynamique du système SiO2-P2O5 a été réalisée pour déterminer les principaux facteurs d'apparition des bulles. Elle montre qu'il y a une formation d'espèces gazeuses lors de recuits sous atmosphère humide. Le traitement thermique génère aussi des modifications structurales du matériau. Les variations des propriétés physiques du matériau telles que l'indice de réfraction, la contrainte et la viscosité ont été étudiées. En particulier, la viscosité est un paramètre important pour la formation des bulles. Nous avons observé qu'il est nécessaire d'avoir une viscosité spécifique pour permettre la nucléation de bulles. Le modèle de maturation d'Ostwald a été adapté à notre système et nous avons déterminé le paramètre limitant la croissance des bulles dans l'oxyde. L'étude de ces phénomènes permet une meilleure connaissance du comportement des films d'oxyde de silicium dopé soumis à des traitements thermiques et une meilleure maîtrise des procédés.

Download or read book ETUDE DANS LE SILICIUM DE L INFLUENCE DU CARBONE SUR LES PROCESSUS D EVOLUTION DE L OXYGENE AVEC LA TEMPERATURE written by JOCELYNE.. LEROUEILLE and published by . This book was released on 1980 with total page 89 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE CARBONE EN SUBSTITUTION DANS LE SILICIUM DETERMINE UNE DES ETAPES DE L'EVOLUTION DE L'OXYGENE INTERSTITIEL. IL Y A FORMATION DE COMPLEXES QUI EVOLUENT LORS DE TRAITEMENTS THERMIQUES ET DEVIENNENT DONNEURS. A HAUTE TEMPERATURE, LES DONNEURS SI-O::(2) SE DISSOLVENT ET LES COMPLEXES, CARBONE-OXYGENE PIEGENT DAVANTAGE D'OXYGENE. A 600**(O)C, UNE DES FORMES D'EQUILIBRE DES COMPLEXES C-O POSSEDE UN CARACTERE DONNEUR. LES METHODES UTILISEES SONT LA CONDUCTIVITE (METHODES DES 4 POINTES) ET L'ABSORPTION IR

Download or read book tude de la coadsorption simultan e du potassium et de l oxyg ne sur le silicium 111 par spectroscopie des photo lectrons X microforme written by Karl Fleury-Frenette and published by National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada. This book was released on 1996 with total page 148 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book CROISSANCE ET CARACTERISATION DE FILMS ULTRA MINCES D OXYDES DE SILICIUM FORMES SOUS BOMBARDEMENT ELECTRONIQUE EN SURFACE DU SILICIUM 100 written by BENAFGOUI.. SEFSAF and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL S'INSCRIT DANS LE CADRE GENERAL DES RECHERCHES RELATIVES A LA PHYSICOCHIMIE DES SURFACES ET INTERFACES DU SILICIUM. L'APPROCHE PRIVILEGIEES EST D'ACCEDER A UNE NOUVELLE CONNAISSANCE DE LEUR STRUCTURE ELECTRONIQUE ET DES LIAISONS CHIMIQUES MISES EN JEU. L'OBJECTIF DE L'ETUDE PLUS SPECIFIQUEMENT, PAR ANALYSE AUGER ET SPECTROSCOPIE DE PERTES, L'INFLUENCE DU BOMBARDEMENT ELECTRONIQUE SUR L'OXYDATION DE LA FACE (100) DU SILICIUM MONOCRISTALLIN, A TEMPERATURE AMBIANTE. AU-DELA LA CARACTERISATION DU MODE DE FORMATION DE L'INTERFACE SI-SIO#2, LA QUESTION PRINCIPALE CONCERNE LA POSSIBILITE D'UTILISER DE TELS OXYDES ULTRA-MINCES DANS L'ELABORATION DE STRUCTURES DU TYPE POS. PLUSIEURS CONCLUSIONS SE DEGAGENT DE CE TRAVAIL. LA PREMIERE EST UNE CONFIRMATION DE L'EFFICACITE DES ELECTRONS DANS LE PROCESSUS D'OXYDATION ET DU ROLE DETERMINANT DES SECONDAIRES. APRES QUE L'INFLUENCE DES DIFFERENTS PARAMETRES EXPERIMENTAUX AIT ETE ANALYSEE, LA MISE EN UVRE CONJOINTE DE L'AES ET DE L'ELS PERMET DE DECRIRE L'OXYDE FORME EN SURFACE DE SI (100) COMME UNE SILICE PROBABLEMENT DESORDONNEE AVEC UNE COUCHE D'INTERFACE FORMEE D'UN MELANGE D'ENTITES SIO#X SOUS-STOECHIOMETRIQUES EN CONFORMITE AVEC UN MODELE RBM (RANDOM BONDING MODEL). ENFIN, L'ETUDE DE LA CROISSANCE DU COBALT, A TEMPERATURE AMBIANTE, SUR CET OXYDE ELECTRONIQUE ET EN MODE THERMIQUE D'EPAISSEUR EQUIVALENTE MET EN EVIDENCE UNE MOINS BONNE TENUE DE L'OXYDE ELECTRONIQUE DEVANT LA POSSIBILITE DE DIFFUSION DU METAL

Download or read book PROPRIETES PHYSICO CHIMIQUES ET PRECIPITATION DE L OXYGENE DANS LE SILICIUM written by CATHERINE.. MADDALON VINANTE and published by . This book was released on 1994 with total page 185 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES PROPRIETES DE L'OXYGENE DANS LE SILICIUM, LORS DE DIFFERENTS TRAITEMENTS THERMIQUES UTILISES POUR LA FABRICATION DES CIRCUITS INTEGRES, SONT ETUDIEES. TOUT D'ABORD, LA MODIFICATION DES GRANDEURS PHYSICO-CHIMIQUES ASSOCIEES, LORS D'UN RECUIT RAPIDE ISOTHERME, EST MIS EN EVIDENCE PAR ANALYSE NUCLEAIRE. LA DIFFUSION EST AUGMENTEE ET LA SOLUBILITE LIMITE DIMINUE. DE PLUS, L'APPARITION D'UN PALIER SUR LE PROFIL D'EXODIFFUSION DE L'OXYGENE POUR DE COURTES DUREES SOUS ARGON HYDROGENE EST SIGNALEE. LES CHEMINS DE PRECIPITATION DE L'OXYGENE SONT ETUDIES, PRINCIPALEMENT PAR SPECTROSCOPIE INFRAROUGE A TRANSFORMEE DE FOURIER. DEUX CHEMINS DE PRECIPITATION ONT LIEU SIMULTANEMENT: LA FORMATION DES PLAQUETTES ET LA CROISSANCE DE PRECIPITES SPHERIQUES. CETTE DERNIERE SERAIT FAVORISEE PAR UN RECUIT RAPIDE ISOTHERME PREALABLE. AU COURS D'UN CYCLE DE GETTERING INTERNE, LE MEME EFFET APPARAIT. UN CIRCUIT RAPIDE ISOTHERME INTRODUIRAIT UNE SURSATURATION DE LACUNES, QUI AUGMENTERAIT LE COEFFICIENT DE DIFFUSION DE L'OXYGENE ET STABILISERAIT LES EMBRYONS A L'ORIGINE DES PRECIPITES SPHERIQUES. AINSI, L'INHIBITION DU GETTERING INTERNE DU CHROME PAR CE TYPE DE RECUIT SERAIT DUE A UNE MODIFICATION DU CHEMIN DE PRECIPITATION DE L'OXYGENE. ENFIN, CETTE ETUDE FAIT APPARAITRE L'EFFET COMPLEXE DE L'HYDROGENE, AU COURS DES TRAITEMENTS THERMIQUES, SUR LES PROPRIETES DE L'OXYGENE

Download or read book Influence des premiers recuits d une technologie CMOS sur silicium sur la pr cipitation de l oxyg ne written by Véronique Robert and published by . This book was released on 1992 with total page 143 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: C'EST DANS LE CONTEXTE ACTUEL DE LA REDUCTION DES DIMENSIONS DES CIRCUITS INTEGRES OU LA QUALITE DU SUBSTRAT DE SILICIUM CZ EST PRIMORDIALE, QUE SE SITUE CETTE ETUDE SUR LE COMPORTEMENT DE L'OXYGENE PRESENT DANS LE SILICIUM. CELLE-CI EST REALISEE DANS LES CONDITIONS REELLES D'UNE TECHNOLOGIE CMOS. LES NOMBREUX RESULTATS EXPERIMENTAUX OBTENUS CONCERNENT LA CINETIQUE DE PRECIPITATION DE L'OXYGENE, L'EVOLUTION DE LA DENSITE DE PRECIPITES ET DE LA ZONE DENUDEE AU COURS DES PRERECUITS A DES TEMPERATURES COMPRISES ENTRE 950C ET 1100C AINSI QU'APRES L'OXYDATION A HAUTE TEMPERATURE (1160C) CARACTERISTIQUE D'UNE TECHNOLOGIE CMOS. NOUS MONTRONS QUE CETTE CINETIQUE DE PRECIPITATION PEUT SE MODELISER PAR LA THEORIE DE HAM, QUE L'EVOLUTION DE LA DENSITE ET DE LA TAILLE DES PRECIPITES AU COURS DES TRAITEMENTS THERMIQUES PEUT ETRE EXPLIQUEE PAR UN MODELE DE CROISSANCE SELECTIVE DES PRECIPITES ET QU'IL Y A UN LIEN ENTRE LA PROFONDEUR DE LA ZONE DENUDEE ET LA DENSITE DE PRECIPITES. DIFFERENTES METHODES DE CARACTERISATION SONT UTILISEES ET COMPAREES. ENFIN, L'INFLUENCE DE LA PRECIPITATION EST CONTROLEE SUR LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES COMPOSANTS CONDUISANT A DES RECOMMANDATIONS PRATIQUES

Download or read book D p t de films d oxyde de silicium par vaporisation sous vide written by Simon Gelin and published by . This book was released on 2016 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les films de silice dont sont constitués les traitements antireflets des verres de lunettes sont déposés par vaporisation au canon à électrons, à température ambiante. Ils sont le siège de fortes contraintes résiduelles compressives qui diminuent considérablement leur stabilité mécanique. Ces contraintes sont difficiles à contrôler parce que les paramètres process qui les affectent sont très nombreux: propriétés du substrat, du gaz résiduel, caractéristiques de l'enceinte et du canon à électrons, vitesse de croissance,... Ils ne sont par ailleurs pas tous indépendants et agissent souvent sur plusieurs phénomènes physiques à la fois. Dans cette thèse, nous mettons en œuvre des simulations numériques et des expériences pour identifier les mécanismes à l'origine de la mise en compression des films de silice pendant leur croissance. Les expériences nous permettent de distinguer trois régimes de croissance, en fonction de la pression de gaz résiduel. Sous vide très poussé, où le gaz a un rôle négligeable, les films croissent en compression. Ensuite, à mesure que la pression augmente, l'incorporation d'espèces issues du gaz dans les films les comprime légèrement. Enfin, lorsque la pression augmente encore, le ralentissement des particules vaporisées par le gaz diminue fortement le niveau de compression et masque l'effet d'incorporation. Les dépôts de silice par dynamique moléculaire nous permettent d'explorer la limite de vide idéal. Grâce à une étude paramétrique systématique, nous trouvons que la mise en compression des films est exclusivement contrôlée par l'énergie cinétique moyenne des particules incidentes. En outre, les valeurs expérimentales ne peuvent être retrouvées qu'avec une énergie de quelques eV, au moins dix fois plus grande que toutes les prédictions formulées dans la littérature sur le dépôt. Ce résultat inattendu nous conduit à réfuter l'idée que la vaporisation au canon à électrons procéderait par simple échauffement thermique. Nous le confirmons en déposant expérimentalement des films à partir de monoxyde de silicium, évaporé thermiquement ou vaporisé au canon à électrons: les premiers croissent en tension, les seconds en compression. Finalement, pour expliquer les quelques eV prédits, nous proposons que sous irradiation électronique, une concentration de charges se forme à la surface de la silice en raison de sa très faible conductivité électrique. Les particules vaporisées qui sont chargées sont alors accélérées par répulsion Coulombienne.

Download or read book ETUDE QUANTITATIVE PAR SPECTROSCOPIE D ELECTRONS AUGER DE LA CROISSANCE DE DEPOTS D ARGENT SUR SILICIUM written by Jean-Louis Vignes and published by . This book was released on 1987 with total page 241 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CARACTERISATION DES DEPOTS D'ARGENT. ANALYSE DE LA REACTION DE CES DEPOT AVEC L'OXYGENE SOUS FAIBLE PRESSION PARTIELLE (10**(-7)-10**(-6)PA) A TEMPERATURE AMBIANTE . ETUDE DU COMPORTEMENT VIS A VIS DE L'OXYGENE EN FONCTION DE L'ORIENTATION DU SUBSTRAT, DU DEGRE DE RECOUVREMENT EN ARGENT ET DE L'ARRANGEMENT ATOMIQUE DE L'ARGENT. AVANTAGE DE LA METHODE D'ANALYSE

Download or read book ETUDE DES MODIFICATIONS DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DES OXYDES DE SILICIUM ALPHA SIO 2 D ALUMINIUM ALPHA AL 2O 3 ET D YTTRIUM Y 2O 3 INDUITES PAR DES DEFAUTS DE STRUCTURE NON STCHIOMETRIE CONTRAINTES MECANIQUES IRRADIATION PAR DES IONS DE GRANDE ENERGIE written by FRANCOIS.. JOLLET and published by . This book was released on 1989 with total page 176 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS AVONS ETUDIE L'INFLUENCE DE DEFAUTS DE STRUCTURE SUR LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DE CERTAINES CERAMIQUES. NOUS AVONS EFFECTUE CE TRAVAIL A LA FOIS SUR LE PLAN EXPERIMENTAL, PAR SPECTROSCOPIE D'ABSORPTION X AUX SEUILS ET SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS, ET SUR LE PLAN THEORIQUE, PAR DES CALCULS DE DENSITE D'ETATS BASES SUR LA METHODE DES LIAISONS FORTES. NOTRE ETUDE A COMPORTE TROIS ASPECTS: 1) INFLUENCE DE LA STCHIOMETRIE EN OXYGENE SUR LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DE L'OXYDE D'YTTRIUM Y#2O#3. NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE LE DEDOUBLEMENT DU SEUIL L2 DE L'YTTRIUM, ATTRIBUE A LA SYMETRIE OCTAEDRIQUE DU SITE, LE DEDOUBLEMENT DU SEUIL K DE L'YTTRIUM (EFFET DE BANDE) ET CELUI DU SEUIL K DE L'OXYGENE (HYBRIDATION DES ETATS P DE L'OXYGENE AVEC LES ETATS P ET D DE L'YTTRIUM DANS LA BANDE DE CONDUCTION). L'IMPORTANCE DES INTERACTIONS O-O A ETE SOULIGNEE POUR L'ETUDE DE LA BANDE DE VALENCE. L'INTRODUCTION DE LACUNES D'OXYGENE REND LA LIAISON Y-O PLUS COVALENTE, CE QUI REND LES ECHANTILLONS PLUS CONDUCTEURS ET AUGMENTE LEUR CONSTANTE DIELECTRIQUE OPTIQUE; 2) EFFET D'UNE CONTRAINTE MECANIQUE SUR LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DU QUARTZ (SIO#2). NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE EXPERIMENTALEMENT UNE MODIFICATION DE L'EQUILIBRE DES PICS DE LA BANDE DE VALENCE DU QUARTZ SOUS-CONTRAINTE. NOS CALCULS DE DENSITE D'ETATS ONT PERMIS D'ATTRIBUER CETTE MODIFICATION A LA VARIATION DE L'ANGLE INTERTETRAEDRIQUE SI-O-SI ET DE SOULIGNER L'IMPORTANCE DES INTERACTIONS SI-SI; 3) INFLUENCE D'UNE IRRADIATION PAR DES IONS DE GRANDE ENERGIE SUR LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DU QUARTZ. APRES IRRADIATION, LE QUARTZ EST DANS UN ETAT CRISTALLIN DESORGANISE DIFFERENT DE L'ETAT AMORPHE. NOUS AVONS INTERPRETE CES RESULTATS EN TERME D'ETAT METAMICTE ET DE CONTRAINTES MECANIQUES INTERNES