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Book ETUDE DES PROPRIETES PARTICULIERES DU SILICIUM POREUX

Download or read book ETUDE DES PROPRIETES PARTICULIERES DU SILICIUM POREUX written by ANNIE.. GROSMAN and published by . This book was released on 1995 with total page 173 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES TRAVAUX PRESENTES DANS CE MANUSCRIPT CONCERNENT L'ETUDE DE DEUX PROPRIETES PARTICULIERES DU SILICIUM POREUX: LA PHOTOLUMINESCENCE VISIBLE ET LA RESISTIVITE ELECTRIQUE QUI EST DE PLUSIEURS ORDRES DE GRANDEUR PLUS GRANDE QUE CELLE DU SUBSTRAT A PARTIR DUQUEL LES COUCHES SONT FORMEES (PAR DISSOLUTION ANODIQUE). NOUS AVONS MONTRE, PAR MICROANALYSE NUCLEAIRE, QUE LA PHOTOLUMINESCENCE VISIBLE DES COUCHES DE SILICIUM POREUX N'EST PAS DUE AUX ESPECES CHIMIQUES ADSORBEES A LA SURFACE DES PORES. DE PLUS, LES ETUDES DE MORPHOLOGIE ET DE STRUCTURE REALISEES PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A TRANSMISSION ET RESONANCE PARAMAGNETIQUE ELECTRONIQUE (RPE) MONTRENT QUE LE CARACTERE MONOCRISTALLIN DU SUBSTRAT EST PARFAITEMENT CONSERVE AVEC UNE LEGERE MOSAICITE POUR LES COUCHES TRES POREUSES. CES RESULTATS REJETENT L'ATTRIBUTION DE LA PHOTOLUMINESCENCE A LA PRESENCE DE SILICIUM AMORPHE (HYDROGENE) ET VONT DANS LE SENS D'UN MODELE DE CONFINEMENT QUANTIQUE DANS DES NANOCRISTALLITES SITUEES A LA PERIPHERIE DES PAROIS DE SILICIUM. IL EST MONTRE, PAR DES MESURES EN MICROANALYSE NUCLEAIRE ET ABSORPTION INFRA-ROUGE, QUE LA FORTE RESISTIVITE DES COUCHES DE SILICIUM POREUX N'EST PAS DUE A L'ABSENCE DE DOPANTS NI A LEUR PASSIVATION PAR L'HYDROGENE. LES ETUDES RPE MONTRENT QUE LES COUCHES POREUSES (P#+ OU N#+) SONT DESERTEES PAR LES PORTEURS LIBRES CE QUI PEUT S'EXPLIQUER, COMPTE-TENU DE LA TRES GRANDE SURFACE SPECIFIQUE, PAR LE PIEGEAGE DE CES PORTEURS LIBRES DANS DES ETATS DE SURFACE. UNE ETUDE PRELIMINAIRE DE L'OXYDATION ANODIQUE DES COUCHES POREUSES MET EN EVIDENCE L'INTERET DE CE MATERIAU POUR L'ETUDE DES DEFAUTS DES OXYDES

Book ETUDE DE LA FORMATION DU SILICIUM POREUX APPLIQUEE A LA TEXTURATION DU SILICIUM MULTICRISTALLIN

Download or read book ETUDE DE LA FORMATION DU SILICIUM POREUX APPLIQUEE A LA TEXTURATION DU SILICIUM MULTICRISTALLIN written by STEPHANE.. BASTIDE and published by . This book was released on 1995 with total page 193 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA DISSOLUTION ELECTROCHIMIQUE ET CHIMIQUE DU SILICIUM EN MILIEU ACIDE FLUORHYDRIQUE, CONDUIT SOUS CERTAINES CONDITIONS A LA FORMATION DE SILICIUM POREUX. L'ETUDE DES MECANISMES DE DISSOLUTION DU SILICIUM DE TYPE P ET N#+, ET L'OBSERVATION DE LA MORPHOLOGIE DE DIMENSIONS NANOMETRIQUES DU SILICIUM POREUX, ONT ETE REALISEES. L'ANALYSE DES PROPRIETES OPTIQUES DE CE MATERIAU ET DES CARACTERISTIQUES ELECTRONIQUES DES JONCTIONS EN SILICIUM P-N#+ AVEC UN EMETTEUR PARTIELLEMENT POREUX, MONTRE QUE LA FORMATION D'UNE COUCHE DE SILICIUM POREUX EN FACE AVANT DES PHOTOPILES EN SILICIUM MULTICRISTALLIN, PEUT CONSTITUER UNE NOUVELLE TECHNIQUE DE DIMINUTION DES PERTES PAR REFLEXION DES PHOTONS

Book Silicium poreux

    Book Details:
  • Author :
  • Publisher : Presses Academiques Francophones
  • Release : 2021-02-15
  • ISBN : 9783841632678
  • Pages : 104 pages

Download or read book Silicium poreux written by and published by Presses Academiques Francophones. This book was released on 2021-02-15 with total page 104 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'étude du silicium poreux a connu un regain d'intérêt spectaculaire depuis sa découverte, en 1990, à cause de la possibilité de ce matériau d'émettre efficacement de la lumière visible à température ambiante, cette découverte a relancé l'ensemble des recherches sur ce matériau pourtant connu depuis plus de 70ans. Dans ce livre, on a préparé le silicium poreux par la technique d'électrodéposition et on a pu d'obtenir les différentes morphologies du silicium poreux (macro, méso et nano poreux), le mécanisme de la formation est bien expliqué, tout d'abord on a exposé une étude bibliographique de la fabrication du silicium poreux par la technique d'électrochimie, en décrivant les mécanismes et les paramètres qui gèrent le phénomène de formation des pores et les propriétés des couches poreuses, puis on a décrit les conditions expérimentales et techniques d'électrodéposition utilisées: Voltampérometrie, chronopotentiomertie et chronoamprometrie ainsi que les techniques de caractérisation: DRX, MEB et Spectroscopie (UV- Visible et FTIR). Enfin, on a analysé et interprété les résultats de caractérisation obtenus de nos échantillons pour les différentes morphologies de Si poreux.

Book ETUDE DU SILICIUM POREUX DE TYPE N OBTENU PAR VOIE PHOTOELECTROCHIMIQUE

Download or read book ETUDE DU SILICIUM POREUX DE TYPE N OBTENU PAR VOIE PHOTOELECTROCHIMIQUE written by ABDELGHANI.. LAGOUBI and published by . This book was released on 1993 with total page 188 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE REALISEE AU LABORATOIRE DE PHYSIQUE DES SOLIDES DE BELLEVUE EST CENTREE SUR L'OBTENTION ET LA CARACTERISATION DU SILICIUM POREUX DE TYPE N PAR CORROSION PHOTOELECTROCHIMIQUE DU SILICIUM MONOCRISTALLIN EN PRESENCE D'ACIDE FLUORHYDRIQUE. UN RESULTAT MARQUANT DE CES ETUDES EST LA MISE EN EVIDENCE DE DEUX COUCHES DIFFERENTES DE SILICIUM POREUX. LA COUCHE SUPERFICIELLE DITE SILICIUM NANOPOREUX PRESENTANT DES VIDES (PORES) DE L'ORDRE DU MANOMETRE RECOUVRE UNE COUCHE DE SILICIUM MACROPOREUX PRESENTANT DES GRANDS PORES DONT LE DIAMETRE EST DE L'ORDRE DU MICRON. LA COUCHE DE SILICIUM NANOPOREUX EST AISEMENT DISSOUTE EN MILIEU ALCALIN CE QUI A PERMIS D'ETUDIER SEPAREMENT CERTAINES DES PROPRIETES DES DEUX TYPES DE SILICIUM POREUX. L'INFLUENCE DE DIVERS PARAMETRES EXPERIMENTAUX (TAUX DE DOPAGE, ORIENTATION CRISTALLOGRAPHIQUE, INTENSITE LUMINEUSE, CHARGE TRANSFEREE) SUR LA CORROSION PHOTOELECTROCHIMIQUE DU SILICIUM DE TYPE N, FAIBLEMENT DOPE (N#D=10#1#5 CM##3) OU FORTEMENT DOPE (N#D=10#1#8 CM##3) D'ORIENTATION (100) OU (111) A FAIT L'OBJET D'UNE ETUDE SYSTEMATIQUE. LES PROPRIETES ELECTRONIQUES, PHOTOELECTROCHIMIQUES ET OPTIQUES DES DEUX TYPES DE SILICIUM POREUX ONT ETE CARACTERISEES. L'ETUDE DE LA PHOTOLUMINESCENCE A TEMPERATURE AMBIANTE INDIQUE QUE CELLE-CI EST EXCLUSIVEMENT LIEE A LA COUCHE NANOPOREUSE. LA COUCHE MACROPOREUSE, NOIRE D'ASPECT, APPARAIT COMME UN MATERIAU PRESQUE IDEALEMENT ABSORBANT ET POURRAIT DONNER LIEU A DES APPLICATIONS DANS LE PHOTOVOLTAIQUE

Book Oxydation du silicium poreux

Download or read book Oxydation du silicium poreux written by Jean-Jacques Yon and published by . This book was released on 1986 with total page 134 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES STRUCTURES SILICIUM SUR ISOLANT (SOI) PEUVENT ETRE OBTENUES A PARTIR DE SILICIUM POREUX A CONDITION DE CONTROLER L'OXYDATION THERMIQUE DU MATERIAU. CE MEMOIRE EST CONSACRE A L'ETUDE DE L'OXYDATION DU SILICIUM POREUX. CE TRAVAIL A PERMIS DE FIXER LES CONDITIONS EXPERIMENTALES CONDUISANT A LA FORMATION REPRODUCTIBLE DE COUCHES DE SILICIUM POREUX HOMOGENES. L'ETUDE DETAILLEE DE L'OXYDATION DE CE MATERIAU A PERMIS DE DEGAGER UN MECANISME PHENOMENOLOGIQUE QUI REND COMPTE DE LA TRANSFORMATION DU SILICIUM POREUX EN OXYDE AUX PROPRIETES IDENTIQUES A CELLES DE LA SILICE CLASSIQUE. LE MECANISME PROCEDE PAR UNE OXYDATION CHIMIQUE COUPLEE A UNE DENSIFICATION, TRES ACTIVEE EN TEMPERATURE, DE LA SILICE. CES RESULTATS ONT ETE APPLIQUES A LA REALISATION DE STRUCTURES SOI

Book PROPRIETES DES COUCHES MINCES DE SILICIUM POREUX ET D ALUMINE UTILISEES POUR LA MICROELECTRONIQUE  ETUDE PAR SPECTROSCOPIES ELECTRONIQUES  ELLIPSOMETRIE LASER ET CARACTERISATIONS ELECTRIQUES C V

Download or read book PROPRIETES DES COUCHES MINCES DE SILICIUM POREUX ET D ALUMINE UTILISEES POUR LA MICROELECTRONIQUE ETUDE PAR SPECTROSCOPIES ELECTRONIQUES ELLIPSOMETRIE LASER ET CARACTERISATIONS ELECTRIQUES C V written by Christine Robert-Pierrisnard and published by . This book was released on 1996 with total page 202 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DURANT CES DERNIERES ANNEES, LE DEVELOPPEMENT DES COMPOSES III-V TELS QUE L'ARSENIURE DE GALLIUM OU LE PHOSPHURE D'INDIUM FUT SPECTACULAIRE. CES COMPOSES SONT TRES INTERESSANTS POUR LES APPLICATIONS MICRO-ELECTRONIQUES ET OPTOELECTRONIQUES. OR LES CARACTERISTIQUES DE CES MATERIAUX ET DES COMPOSANTS REALISES SONT TRES SENSIBLES A LEUR ETAT DE SURFACE ET D'INTERFACE. IL EST DEVENU ESSENTIEL DE COMPRENDRE LES MECANISMES DE FORMATIONS DES STRUCTURES POUR MAITRISER AU MIEUX LA TECHNOLOGIE DES COMPOSANTS REALISES. PLUS RECEMMENT, UN NOUVEAU MATERIAU LE SILICIUM POREUX EST APPARU COMME ETANT TRES PROMETTEUR DANS LE DOMAINE DE L'OPTOELECTRONIQUE. CELUI-CI A FAIT RECEMMENT L'OBJET DE NOMBREUSES RECHERCHES COMPTE TENU DE SES PROPRIETES LUMINESCENTES DONT L'ORIGINE EST ENCORE DISCUTEE. CES PROPRIETES SEMBLENT DEPENDRE BEAUCOUP DES ETATS DE SURFACE ET D'INTERFACE. LA PREMIERE PARTIE DE CE MEMOIRE EST CONSACRE A LA CARACTERISATION DE LA SURFACE ET DE LA CONCENTRATION EN HYDROGENE D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM POREUX. LA SPECTROSCOPIE DES ELECTRONS RETRODIFFUSES ELASTIQUEMENT (EPES) S'EST AVEREE TRES PERFORMANTE. CETTE METHODE NOUS A PERMIS DE CALCULER LE COEFFICIENT DE REFLEXION ELASTIQUE POUR DIFFERENTES POROSITES. NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE UN CHANGEMENT DE MORPHOLOGIE DES COUCHES POREUSES LORS DE L'AUGMENTATION DE LA POROSITE. LA DEUXIEME PARTIE DE CE TRAVAIL ENTRE DANS LE CADRE DES ETUDES CONSACREES A LA REALISATION DE STRUCTURES MIS (METAL/ISOLANT/SEMI-CONDUCTEUR). NOUS NOUS SOMMES ATTACHEES PLUS PARTICULIEREMENT A L'ETUDE DE L'INTERFACE ISOLANT/SEMI-CONDUCTEUR. AFIN DE REALISER DE TELLES STRUCTURES, NOUS AVONS PROCEDE DANS UN PREMIER TEMPS A LA REALISATION DE COUCHES MINCES D'ALUMINE SUR DES SUBSTRATS DE SILICIUM (100). EN EFFET, UNE BONNE REPRODUCTIBILITE ET UN CONTROLE DES PARAMETRES D'ELABORATION DE L'ISOLANT SONT EXIGES POUR ABOUTIR A L'AMELIORATION PROGRESSIVE DE LA QUALITE DES COMPOSANTS REALISES. DANS UN SECOND TEMPS DES DEPOTS D'ALUMINE ONT ETE REALISES SUR DES SUBSTRATS DE PHOSPHURE D'INDIUM (100). EN NOUS APPUYANT SUR DES TRAVAUX ANTERIEURS FAITS AU LABORATOIRE LASMEA SUR LA STABILISATION DES SURFACES D'INP(100) PAR DES ATOMES D'ANTIMOINE, NOUS AVONS EFFECTUE DES ETUDES PHYSICO-CHIMIQUES ET ELECTRIQUES DES STRUCTURES DU TYPE HG/AL#2O#3/INP ET HG/AL#2O#3/INSB/INP. NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE, L'AMELIORATION SENSIBLE DE LA QUALITE DE L'ISOLANT LORS D'UNE RESTRUCTURATION DE LA SURFACE D'INP PAR DES ATOMES D'ANTIMOINE, UNE REDUCTION DE LA MIGRATION DES ELEMENTS DU SEMI-CONDUCTEUR ETANT OBSERVEE. NOUS AVONS PU CORRELER L'HISTORIQUE DE LA FORMATION DES STRUCTURES A LA MESURE ELECTRIQUE FINALE, CE QUI EST PARTICULIEREMENT IMPORTANT DANS LA COMPREHENSION DES PHENOMENES SE PRODUISANT AUX INTERFACES

Book Etude des m  canismes de formation du silicium poreux

Download or read book Etude des m canismes de formation du silicium poreux written by Isabelle Ronga-Lefebvre (auteur en électrochimie).) and published by . This book was released on 1991 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail est consacré essentiellement à l'étude des transferts de charges à l'origine de la dissolution d'une anode de silicium en présence d'une solution électrolytique fortement concentrée en acide fluorhydrique. Les conditions de formation ainsi que les caractéristiques du silicium poreux sont données dans le premier chapitre. La seconde partie est constituée d'une présentation de l'interface semi-conducteur/électrolyte. Les trois chapitres suivants concernent les résultats expérimentaux et leurs interprétations dont nous donnerons les principales conclusions. Une étude détaillée du comportement électrique de l'interface silicium/électrolyte est présentée sur le silicium de type p. Ces investigations permettent de proposer un modèle qui repose sur le fait que la cinétique de dissolution du silicium est déterminée principalement par la densité de charges positives a l'interface silicium/électrolyte. Ces trous doivent franchir la barrière de Schottky correspondant à la zone de charge d'espace qui existe à l'interface. Un aspect particulièrement intéressant du modèle est qu'il permet de prévoir quantitativement la sélectivité de dissolution du matériau. Sur le silicium de type n l'analyse des caractéristiques i (v) et des mesures d'impédance a conduit à proposer un mécanisme diffèrent ou la cinétique de dissolution est limitée par le transfert d'électrons par effet tunnel à travers la barrière correspondant à la zone de charge d'espace. Enfin, la différence entre le comportement observe lors du premier balayage en potentiel et lors des balayages ultérieurs est étroitement liée à une adsorption de charges positives se produisant à la surface de l'électrode de silicium. Cette adsorption mise en évidence par les mesures d'impédance constitue vraisemblablement le phénomène déclenchant la réaction de dissolution du silicium en milieu acide fluorhydrique

Book ETUDE DES TRANSITIONS DE PHASES DE FLUIDES CONFINES DANS LE SILICIUM POREUX

Download or read book ETUDE DES TRANSITIONS DE PHASES DE FLUIDES CONFINES DANS LE SILICIUM POREUX written by CENDRINE.. FAIVRE and published by . This book was released on 1998 with total page 237 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA PROPRIETE ORIGINALE DU SILICIUM POREUX D'ETRE A LA FOIS NANOPOREUX ET MONOCRISTALLIN NOUS A PERMIS D'OBTENIR DES INFORMATIONS NOUVELLES EN UTILISANT LA DIFFRACTION DES RAYONS X. LES RESULTATS CONCERNENT L'ETUDE STRUCTURALE DES COUCHES DE TYPE P#+ FORMEES SUR UN SUBSTRAT ORIENTE (111), LA MESURE DU COEFFICIENT DE DILATATION THERMIQUE DU SILICIUM POREUX ET LES DEFORMATIONS INDUITES PAR LA PRESENCE DE CDS DANS LES PORES. LA DEUXIEME MOTIVATION DE CETTE THESE CONCERNAIT L'ETUDE PLUS FONDAMENTALE DES CHANGEMENTS DE PHASES DE FLUIDES CONFINES DANS LE SILICIUM POREUX. DU POINT DE VUE DU FLUIDE, LA CALORIMETRIE DIFFERENTIELLE A ETE UTILISEE POUR MESURER LES DECALAGES EN TEMPERATURE DES TRANSITIONS DE PHASES, LIES AUX EFFETS DE CONFINEMENT. UN MODELE DECRIVANT LES MECANISMES THERMODYNAMIQUES DE LA TRANSITION CONFINEE ET TENANT COMPTE DE LA GEOMETRIE DES PORES, A PERMIS DE BIEN DECRIRE LES RESULTATS EXPERIMENTAUX ET DE DEDUIRE LA DISTRIBUTION DE TAILLES DES PORES. CE TRAVAIL A PU ETRE APPLIQUE A DIFFERENTS EFFETS TELS QUE LA DISSOLUTION CHIMIQUE OU L'HOMOGENEITE DES COUCHES. DU POINT DE VUE DE LA MATRICE POREUSE, LES DEFORMATIONS INDUITES PAR LES TRANSITIONS LIQUIDE-VAPEUR ET SOLIDE-LIQUIDE DU FLUIDE CONFINE ONT ETE MESUREES IN SITU PAR DIFFRACTION DES RAYONS X. DANS LE CAS DE L'ADSORPTION, LA VALEUR DE LA PRESSION DE VAPEUR CORRESPONDANT A UNE AMPLITUDE DE DEFORMATION MAXIMALE A ETE MESUREE ET RELIEE A LA TAILLE DES PORES PAR L'EQUATION DE KELVIN. EN CONSIDERANT LES PROPRIETES ELASTIQUES DU SILICIUM POREUX, LES CONTRAINTES CAPILLAIRES INDUITES PAR LA PRESENCE DE MENISQUES DANS LES PORES ONT ETE ESTIMEES LORS DE L'EVAPORATION, ET LES RESULTATS ONT PU ETRE APPLIQUES AU PROBLEME DU SECHAGE DE COUCHES TRES POREUSES. D'AUTRE PART, LA CONSTRUCTION AU COURS DE MA THESE D'UN NOUVEAU DIFFRACTOMETRE A PERMIS DE MESURER IN SITU DES DEFORMATIONS DE LA COUCHE POREUSE LORS DE LA SOLIDIFICATION DU FLUIDE ORGANIQUE AU SEIN DES PORES, LIEES A L'EXISTENCE DE CONTRAINTES CAPILLAIRES.

Book CONTRIBUTION A L ETUDE DE L ELECTROLUMINESCENCE DU SILICIUM POREUX DE TYPE P FORTEMENT DOPE

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DE L ELECTROLUMINESCENCE DU SILICIUM POREUX DE TYPE P FORTEMENT DOPE written by SOPHIE.. BILLAT and published by . This book was released on 1994 with total page 135 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE DE L'ELECTROLUMINESCENCE DU SILICIUM POREUX DE TYPE P FORTEMENT DOPE QUI ACCOMPAGNE L'OXYDATION ELECTROCHIMIQUE DE CE MATERIAU. DANS UNE PREMIERE PARTIE BIBLIOGRAPHIQUE, NOUS PRESENTONS LES CONDITIONS ET LES MECANISMES DE FORMATION DU SILICIUM POREUX AINSI QUE LES PROPRIETES PRINCIPALES DU MATERIAU. NOUS ABORDONS ENSUITE LES DIFFERENTS MODELES INVOQUES POUR INTERPRETER L'ORIGINE DE LA PHOTOLUMINESCENCE OBSERVEE DANS LE DOMAINE DU VISIBLE. NOUS PRESENTONS DANS UNE SECONDE PARTIE L'ETUDE DE L'ELECTROLUMINESCENCE DU SILICIUM POREUX EN RELATION AVEC LA MORPHOLOGIE DU MATERIAU. UNE ANALYSE CONJOINTE DE L'ELECTRO- ET DE LA PHOTO-LUMINESCENCE, MENEE LORS D'UNE ANODISATION A COURANT CONSTANT, MONTRE UNE VARIATION D'INTENSITE COMMUNE AINSI QU'UN DEPLACEMENT SPECTRAL EN FONCTION DU NIVEAU D'OXYDATION DE LA COUCHE. CES DIFFERENTES CARACTERISTIQUES SONT DISCUTEES ET INTERPRETEES DANS LE CADRE D'UN MODELE SIMPLE REPOSANT SUR LA NOTION DE CONFINEMENT QUANTIQUE DES PORTEURS DANS LES CRISTALLITES DE SILICIUM CONSTITUANT LA STRUCTURE POREUSE. CE MODELE FAIT INTERVENIR SELECTIVITE D'INJECTION DES PORTEURS DANS LES CRISTALLITES ET EFFET DE PASSIVATION DU A LA FORMATION DE L'OXYDE. UNE ETUDE DES PHENOMENES DE LUMINESCENCE LORS D'UNE OXYDATION EFFECTUEE A POTENTIEL CONTROLE A PERMIS DE SEPARER LES DIFFERENTS PARAMETRES QUI DETERMINENT L'EMISSION LUMINEUSE. ELLE MONTRE NOTAMMENT QUE L'ENERGIE DES RADIATIONS EMISES EST RELIEE DE MANIERE LINEAIRE A LA TENSION APPLIQUEE. DANS UNE DERNIERE PARTIE, NOUS NOUS SOMMES INTERESSES AU CARACTERE TRANSITOIRE DU SIGNAL D'ELECTROLUMINESCENCE. NOUS AVONS MONTRE QUE LA CHUTE DE L'INTENSITE LUMINEUSE PEUT ETRE LIEE A UNE DEPASSIVATION DE LA SURFACE DES CRISTALLITES

Book Etude structurale  physique et   lectrique de nouveaux mat  riaux

Download or read book Etude structurale physique et lectrique de nouveaux mat riaux written by Sofiane Zairi and published by . This book was released on 2001 with total page 178 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail concerne les caractéristiques pour la détection ionique, de structures silicium poreux oxydé/silicium fonctionnalisées par des molécules de calixarènes. Les sensibilités aux ions sodium de structures planes silice/silicium et de silicium poreux oxydé/silicium, fonctionnalisées avec un film mince de molécules de p-tert-butylcalix[4]arène, sont comparées. La variation du potentiel de bande plate des structures planes silice/silicium en fonction de la concentration des ions sodium est environ 56mV/pNa. Quand la porosité du silicium poreux oxydé varie de 57% à 65%, la sensibilité des structures silicium poreux oxydé fonctionnalisé/silicium varie de 180mV/pNa à 233 mV/pNa. Ce sont de très grandes valeurs de sensibilité, comparées à la loi de Nernst. Afin d'expliquer de telles réponses sub-nernstiennes, nous avons étudié l'effet des paramètres de la couche poreuse (porosité, épaisseur de la couche poreuse et surface interne) sur la sensibilité.

Book Etude des m  canismes de formation du silicium poreux

Download or read book Etude des m canismes de formation du silicium poreux written by Isabelle Ronga-Lefebvre and published by . This book was released on 1991 with total page 119 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE ESSENTIELLEMENT A L'ETUDE DES TRANSFERTS DE CHARGES A L'ORIGINE DE LA DISSOLUTION D'UNE ANODE DE SILICIUM EN PRESENCE D'UNE SOLUTION ELECTROLYTIQUE FORTEMENT CONCENTREE EN ACIDE FLUORHYDRIQUE. LES CONDITIONS DE FORMATION AINSI QUE LES CARACTERISTIQUES DU SILICIUM POREUX SONT DONNEES DANS LE PREMIER CHAPITRE. LA SECONDE PARTIE EST CONSTITUEE D'UNE PRESENTATION DE L'INTERFACE SEMI-CONDUCTEUR/ELECTROLYTE. LES TROIS CHAPITRES SUIVANTS CONCERNENT LES RESULTATS EXPERIMENTAUX ET LEURS INTERPRETATIONS DONT NOUS DONNERONS LES PRINCIPALES CONCLUSIONS. UNE ETUDE DETAILLEE DU COMPORTEMENT ELECTRIQUE DE L'INTERFACE SILICIUM/ELECTROLYTE EST PRESENTEE SUR LE SILICIUM DE TYPE P. CES INVESTIGATIONS PERMETTENT DE PROPOSER UN MODELE QUI REPOSE SUR LE FAIT QUE LA CINETIQUE DE DISSOLUTION DU SILICIUM EST DETERMINEE PRINCIPALEMENT PAR LA DENSITE DE CHARGES POSITIVES A L'INTERFACE SILICIUM/ELECTROLYTE. CES TROUS DOIVENT FRANCHIR LA BARRIERE DE SCHOTTKY CORRESPONDANT A LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE QUI EXISTE A L'INTERFACE. UN ASPECT PARTICULIEREMENT INTERESSANT DU MODELE EST QU'IL PERMET DE PREVOIR QUANTITATIVEMENT LA SELECTIVITE DE DISSOLUTION DU MATERIAU. SUR LE SILICIUM DE TYPE N L'ANALYSE DES CARACTERISTIQUES I (V) ET DES MESURES D'IMPEDANCE A CONDUIT A PROPOSER UN MECANISME DIFFERENT OU LA CINETIQUE DE DISSOLUTION EST LIMITEE PAR LE TRANSFERT D'ELECTRONS PAR EFFET TUNNEL A TRAVERS LA BARRIERE CORRESPONDANT A LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE. ENFIN, LA DIFFERENCE ENTRE LE COMPORTEMENT OBSERVE LORS DU PREMIER BALAYAGE EN POTENTIEL ET LORS DES BALAYAGES ULTERIEURS EST ETROITEMENT LIEE A UNE ADSORPTION DE CHARGES POSITIVES SE PRODUISANT A LA SURFACE DE L'ELECTRODE DE SILICIUM. CETTE ADSORPTION MISE EN EVIDENCE PAR LES MESURES D'IMPEDANCE CONSTITUE VRAISEMBLABLEMENT LE PHENOMENE DECLENCHANT LA REACTION DE DISSOLUTION DU SILICIUM EN MILIEU ACIDE FLUORHYDRIQUE

Book Contribution    l   tude du silicium poreux

Download or read book Contribution l tude du silicium poreux written by Ahmad Bsiesy and published by . This book was released on 1991 with total page 126 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES MECANISMES DE TRANSFORMATION DU SILICIUM POREUX EN SILICE PAR VOIE ANODIQUE ONT ETE ETUDIES. LES CARACTERISTIQUES ELECTROCHIMIQUES CORRESPONDANTES, ET LA COMPOSITION CHIMIQUE DES COUCHES POREUSES OXYDEES ANODIQUEMENT ONT ETE ANALYSEES. LES RESULTATS OBTENUS MONTRENT QU'EN MODE INTENTIOSTATIQUE ET POUR DES FAIBLES COURANTS D'OXYDATION LES COLONNES DE SILICIUM POREUX SE TROUVENT EN DEPLETION ET L'ECHANGE DES TROUS N'EST DONC POSSIBLE QU'AU FOND DES PORES OU L'OXYDATION AURA PRINCIPALEMENT LIEU. POUR DES COURANTS PLUS FORTS, LES COLONNES DE SILICIUM POREUX SONT DANS UN ETAT DE DEPLETION MOINS PROFOND, VOIRE EN ACCUMULATION, ET L'OXYDATION AURA LIEU A LA FOIS AU FOND DES PORES ET SUR LES FLANCS DE CEUX-CI. UN CERTAIN NOMBRE DE RESULTATS PRELIMINAIRES ONT MONTRE QUE LE SILICIUM POREUX PEUT, DANS CERTAINES CONDITIONS, EMETTRE DE LA LUMIERE VISIBLE: LORSQUE LES DIMENSIONS DES FILAMENTS DE SILICIUM CONSTITUANT LE SILICIUM POREUX DEVIENNENT SUFFISAMMENT FINS, LES EFFETS DE CONFINEMENT QUANTIQUE DEPLACENT LES NIVEAUX ELECTRONIQUES ET FONT APPARAITRE UNE LUMINESCENCE DANS LA REGION CORRESPONDANT AUX LONGUEURS D'ONDE VISIBLES

Book R  alisation et   tude de structures    modulation d indice optique en silicium poreux

Download or read book R alisation et tude de structures modulation d indice optique en silicium poreux written by Susanna Setzu (auteur(e) en physique).) and published by . This book was released on 2004 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail concernait l'etude des modulations verticales et laterales de l'indice optique dans le silicium poreux. Dans le but de realiser des structures optiques performantes, nous nous sommes interesses aux pertes dues a la rugosite des interfaces presentes dans les echantillons de silicium poreux de type p. Une etude sur l'influence de la temperature de formation du silicium poreux a ete menee dans le but de reduire ces pertes. Pour la temperature de formation de 35 c pour les courants les plus critiques, nous avons obtenu une remarquable diminution de la rugosite, qui peut aller jusqu'a un facteur 6. Cette diminution de la rugosite nous a permis de realiser des miroirs de bragg et microcavites de tres bonne qualite optique avec des coefficients de reflectivite de 99.5% et des largeurs de mode de la cavite de 5 nm. La determination des grands coefficients de reflectivite est realise grace a des mesures tres precises de spectroscopie ring down avec une precision de 0.01%. La caracterisation de ces structures nous a permis de mettre en evidence une difference des proprietes optiques des couches simples et des couches enterrees, la variation de l'indice optique et de la vitesse de formation a ete quantifiee par une etude de la luminescence et par la simulation des spectres de reflectivite. Nous avons montre que les molecules de colorant peuvent impregner efficacement les couches de silicium poreux, qu'elles aient une faible ou une grande porosite, et que l'impregnation peut etre favorisee par l'oxydation prealable des couches poreuses. Ces resultats montrent que le silicium poreux peut etre une tres bonne matrice pour les molecules de colorant qui restent suffisamment dispersees pour pouvoir emettre de la lumiere. L'utilisation de structures de type microcavite permet un retrecissement et une amplification de l'emission du colorant. Pour caracteriser la modulation laterale d'indice, obtenue par une photodissolution ou photoelectroformation de la couche de silicium poreux, nous avons etudie l'influence de la lumiere sur la porosite et les proprietes optiques des monocouches de silicium poreux de type p et de type n +, ce qui a determine les conditions de formation des reseaux a modulation laterale d'indice optique. La diffraction de la lumiere des echantillons ainsi obtenus a ete etudiee.

Book Contribution    la mise au point de m  thodes de contr  le et de caract  risation de guides d ondes composites silicium poreux et silice poreuse

Download or read book Contribution la mise au point de m thodes de contr le et de caract risation de guides d ondes composites silicium poreux et silice poreuse written by Marzouk Kloul and published by . This book was released on 2005 with total page 164 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Nos travaux s’inscrivent dans le cadre du programme de recherche interrégional Bretagne-Pays de la Loire intitulé : « Matériaux composites silicium poreux-polymères présentant des propriétés d'optique non linéaire en vue d'applications en télécommunications et capteurs ». L’objectif de ce programme est l’élaboration et la caractérisation d’un matériau composite silicium poreux-polymère doté de propriétés optiques non-linéaires. L’élaboration des échantillon de silicium poreux a été effectué au Laboratoire d’optronique de Lannion. Les travaux de thèse ont porté sur la caractérisation optique d’échantillons de silicium poreux et de silice poreuse non remplis ainsi que de matériaux composites obtenus en introduisant différents polymères et molécules dans les pores. Les expériences ont été réalisées au sein de deux laboratoires, le Laboratoire de Physique de L’Etat condensé de l’Université du Maine (LPEC) et le Laboratoire des Propriétés Optiques des Matériaux et Applications d’Angers (POMA). Au LPEC, nos études avaient pour but le développement de techniques permettant l’étude du remplissage, la détermination des épaisseurs et les propriétés optiques linéaires des échantillons. Ainsi, l’une des techniques basée sur l’utilisation d’un spectromètre Raman couplé avec un dispositif de translation motorisé, nous a permis d’étudier l’homogénéité du remplissage de monocouches ainsi que de bicouches remplies avec différents polymères et molécules tel que le DR1, et le PPV. Le remplissage avec le DR1 a été effectué à Lannion alors que le remplissage avec le PPV a été réalisé à l’institut des matériaux de Nantes. D’autre part nous avons mis au point une technique interférométrique qui nous a permis de déterminer les l’indices de réfraction, les coefficients d’extinction et les épaisseurs des échantillons précédents avec une grande précision. Pour ce faire, nous avons développé un programme d’analyse qui permet d’effectuer des régressions sur les données expérimentales. Parallèlement, nous avons étudié les propriétés d’optique non-linéaire des échantillons précédents en utilisant la technique de I-Scan mise au point au POMA d’Angers. Cette technique Nous a permis de montrer que les indices non-linéaires des échantillons analysés étaient 103 fois plus grands que celui du silicium massif.

Book REALISATION ET ETUDE DE STRUCTURE A MODULATION D INDICE OPTIQUE EN SILICIUM POREUX

Download or read book REALISATION ET ETUDE DE STRUCTURE A MODULATION D INDICE OPTIQUE EN SILICIUM POREUX written by SUSANNA.. SETZU and published by . This book was released on 1999 with total page 186 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL CONCERNAIT L'ETUDE DES MODULATIONS VERTICALES ET LATERALES DE L'INDICE OPTIQUE DANS LE SILICIUM POREUX. DANS LE BUT DE REALISER DES STRUCTURES OPTIQUES PERFORMANTES, NOUS NOUS SOMMES INTERESSES AUX PERTES DUES A LA RUGOSITE DES INTERFACES PRESENTES DANS LES ECHANTILLONS DE SILICIUM POREUX DE TYPE P. UNE ETUDE SUR L'INFLUENCE DE LA TEMPERATURE DE FORMATION DU SILICIUM POREUX A ETE MENEE DANS LE BUT DE REDUIRE CES PERTES. POUR LA TEMPERATURE DE FORMATION DE 35\C POUR LES COURANTS LES PLUS CRITIQUES, NOUS AVONS OBTENU UNE REMARQUABLE DIMINUTION DE LA RUGOSITE, QUI PEUT ALLER JUSQU'A UN FACTEUR 6. CETTE DIMINUTION DE LA RUGOSITE NOUS A PERMIS DE REALISER DES MIROIRS DE BRAGG ET MICROCAVITES DE TRES BONNE QUALITE OPTIQUE AVEC DES COEFFICIENTS DE REFLECTIVITE DE 99.5% ET DES LARGEURS DE MODE DE LA CAVITE DE 5 NM. LA DETERMINATION DES GRANDS COEFFICIENTS DE REFLECTIVITE EST REALISE GRACE A DES MESURES TRES PRECISES DE SPECTROSCOPIE RING DOWN AVEC UNE PRECISION DE 0.01%. LA CARACTERISATION DE CES STRUCTURES NOUS A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE UNE DIFFERENCE DES PROPRIETES OPTIQUES DES COUCHES SIMPLES ET DES COUCHES ENTERREES, LA VARIATION DE L'INDICE OPTIQUE ET DE LA VITESSE DE FORMATION A ETE QUANTIFIEE PAR UNE ETUDE DE LA LUMINESCENCE ET PAR LA SIMULATION DES SPECTRES DE REFLECTIVITE. NOUS AVONS MONTRE QUE LES MOLECULES DE COLORANT PEUVENT IMPREGNER EFFICACEMENT LES COUCHES DE SILICIUM POREUX, QU'ELLES AIENT UNE FAIBLE OU UNE GRANDE POROSITE, ET QUE L'IMPREGNATION PEUT ETRE FAVORISEE PAR L'OXYDATION PREALABLE DES COUCHES POREUSES. CES RESULTATS MONTRENT QUE LE SILICIUM POREUX PEUT ETRE UNE TRES BONNE MATRICE POUR LES MOLECULES DE COLORANT QUI RESTENT SUFFISAMMENT DISPERSEES POUR POUVOIR EMETTRE DE LA LUMIERE. L'UTILISATION DE STRUCTURES DE TYPE MICROCAVITE PERMET UN RETRECISSEMENT ET UNE AMPLIFICATION DE L'EMISSION DU COLORANT. POUR CARACTERISER LA MODULATION LATERALE D'INDICE, OBTENUE PAR UNE PHOTODISSOLUTION OU PHOTOELECTROFORMATION DE LA COUCHE DE SILICIUM POREUX, NOUS AVONS ETUDIE L'INFLUENCE DE LA LUMIERE SUR LA POROSITE ET LES PROPRIETES OPTIQUES DES MONOCOUCHES DE SILICIUM POREUX DE TYPE P ET DE TYPE N +, CE QUI A DETERMINE LES CONDITIONS DE FORMATION DES RESEAUX A MODULATION LATERALE D'INDICE OPTIQUE. LA DIFFRACTION DE LA LUMIERE DES ECHANTILLONS AINSI OBTENUS A ETE ETUDIEE.

Book Etude et r  alisation de structure    base de silicium poreux en vue de la d  tection de gaz

Download or read book Etude et r alisation de structure base de silicium poreux en vue de la d tection de gaz written by Vladimir Polischuk and published by . This book was released on 1999 with total page 122 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de thèse visait à étudier les potentialités du silicium poreux comme support d'un élément sensible pour les capteurs de gaz. Afin de comprendre les mécanismes de formation du silicium poreux nous avons eu recours à l'électrochimie fondamentale de silicium. Ainsi, les mesures I-V de l'interface silicium/solution d'acide fluorhydrique ont mis en évidence deux mécanismes compétitifs : la formation électrochimique de l'oxyde de silicium et sa dissolution par HF. De même, la nature de l'oxyde de silicium est discutée dans le cadre des diagrammes d'équilibres tension-ph du système silicium-eau. Dans le but de développer de nouveaux capteurs de gaz, nous avons élaboré des couches de silicium poreux modifiées ultérieurement par un métal catalytique. Dans le cas des structures de type diode (Pd/Sp/Si), l'épaisseur de la couche de silicium poreux contrôle les processus de transport de courant. La quantité du palladium déposée influe beaucoup sur la sensibilité des structures sous gaz. Ainsi, ce sont les structures avec une couche ultramince de palladium qui présentent les meilleures réponses à l'hydrogène. En s'appuyant sur le modelé d'une hétérojonction métal/silicium poreux/si ayant une couche mince de silicium poreux, nous avons relie ce phénomène a la variation des porteurs libres de la zone de charge d'espace du silicium. La mesure de la différence de potentiel de contact nous a permis d'étudier l'effet de l'adsorption d'hydrogène sur la surface de palladium supporte sur du silicium poreux. Malgré nos attentes, les structures a base du silicium poreux ont montré une faible amélioration de la sensibilité par rapport aux structures traditionnelles Pd/SiO2/Si. Par contre, elles étaient plus performantes en ce qui concerne la cinétique, donc le temps de réponse deux fois plus rapide.