Download or read book ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DES STRUCTURES A PUITS QUANTIQUES MULTIPLES GAAS GAALAS DANS LE DOMAINE DE L INFRAROUGE MOYEN LIEES AUX TRANSITIONS INTRABANDE written by Nathalie Herschkorn and published by . This book was released on 1988 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: REALISATION DE PUITS QUANTIQUE MULTIPLE PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES. MODELISATION DE L'ABSORPTION INTRABANDE RESONNANTE EN PRENANT EN COMPTE LA DISPERSION DES DIFFERENTES SOUS-BANDES, LES EFFETS A N CORPS ET LE DOPAGE DES MATERIAUX. OPTIMISATION D'UN MODULATEUR D'AMPLITUDE A LA LONGUEUR D'ONDE 10,6 M COMMANDE ELECTRIQUEMENT GRACE A L'EFFET STRARK QUANTIQUE. ETUDE DES HETEROSTRUCTURES GAAS/GAALAS PAR DIFFRACTION RX ET PHOTOLUMINESCENCE. REALISATION D'UNE STRUCTURE PUITS QUANTIQUE MULTIPLE DESTINEE A MODULER EN AMPLITUDE UN FAISCEAU DE LONGUEUR D'ONDE 10,6 M

Download or read book Etude des effets de quasi bidimensionnalit sur les propri t s optiques d h t rostructures puits quantiques de GaAs Ga0 Al0 3As written by Albert Hameury and published by . This book was released on 1991 with total page 316 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE EST RELATIVE AUX PROPRIETES OPTIQUES, A TEMPERATURE AMBIANTE, DE PUITS QUANTIQUES GAAS/GA#0#.#7AL#0#.#3AS PREPARES PAR EPITAXIE SOUS JETS MOLECULAIRES. LES EFFETS DE QUASI-BIDIMENSIONNALITE ONT ETE ANALYSES, VIA LA REFLECTANCE EN INCIDENCE NORMALE, D'UNE PART DANS L'IR EN BORD DE BANDE D'ABSORPTION (TRANSITIONS EXCITONIQUES AU POINT GAMMA DE LA ZONE DE BRILLOUIN) ET D'AUTRE PART, DANS LE PROCHE UV (TRANSITIONS AU POINT L). POUR REALISER LES MESURES DE REFLECTANCE ENTRE 1.2 ET 3.6 EV, DEUX SPECTROPHOTOMETRES PILOTES PAR MICROORDINATEUR ONT ETE MIS AU POINT. LE PREMIER A PERMIS D'EFFECTUER DES MESURES ABSOLUES SUR TOUT LE DOMAINE SPECTRAL. LE SECOND, NECESSITANT UNE REFERENCE, MAIS BEAUCOUP PLUS DISPERSIF, A ETE UTILISE POUR RESOUDRE LES STRUCTURES DANS LE DOMAINE DES TRANSITIONS EXCITONIQUES. DES TRIPLE-PUITS ET DES MONO-PUITS ONT ETE ETUDIES. POUR CES DERNIERS, IL A ETE POSSIBLE, VIA UN TRAITEMENT MATHEMATIQUE ADEQUAT, (ANALYSE DE KRAMERS-KRONIG, PROGRAMME MULTICOUCHE ET ANALYSE NUMERIQUE DE TYPE NEWTON-RAPHSON) D'EXTRAIRE LA FONCTION DIELECTRIQUE EPSILON 2 DU GAAS DANS LES PUITS. LES POSITIONS ENERGETIQUES DES STRUCTURES EXCITONIQUES ONT ETE COMPAREES A CELLES OBTENUES PAR PHOTOLUMINESCENCE SUR LES MEMES ECHANTILLONS ET AUX RESULTATS D'UN CALCUL FAISANT APPEL A UN MODELE SIMPLE DE PUITS CARRE DANS L'APPROXIMATION DE LA MASSE EFFECTIVE

Download or read book ETUDE PAR SPECTROSCOPIE OPTIQUE D HETEROSTRUCTURES GAAS GAALAS A PUITS QUANTIQUES NON DOPEES ET DOPEES AU SILICIUM OU AU BERYLLIUM written by DOMINIQUE.. BOFFETY and published by . This book was released on 1994 with total page 175 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES HETEROSTRUCTURES GAAS/GAALAS A PUITS QUANTIQUES UNIQUES OU MULTIPLES, ELABOREES PAR EPITAXIE SOUS JETS MOLECULAIRES, SONT ETUDIEES PAR DEUX METHODES SPECTROSCOPIQUES CLASSIQUES, LA PHOTOLUMINESCENCE ET LA REFLECTIVITE, ET, POUR LA PREMIERE FOIS, PAR UNE TECHNIQUE ORIGINALE, L'ABSORPTION OPTIQUE DETECTEE THERMIQUEMENT (AODT). ELLES SONT NON DOPEES OU DOPEES AVEC DES ATOMES DONNEURS (SILICIUM) OU ACCEPTEURS (BERYLLIUM). POUR CE TYPE DE STRUCTURES SEMICONDUCTRICES, REALISEES SUR SUBSTRATS ABSORBANTS DANS LE DOMAINE D'ENERGIE DES TRANSITIONS DES PUITS, LA FORME INHABITUELLE DES SIGNAUX OBSERVES DANS LES SPECTRES D'AODT S'EXPLIQUE PRINCIPALEMENT PAR DES VARIATIONS DE L'INTENSITE LUMINEUSE REFLECHIE PAR LES INTERFACES AU VOISINAGE DES RESONANCES EXCITONIQUES. LES SIGNAUX D'AODT SONT COMPLEMENTAIRES DE CEUX DE REFLECTIVITE. LA MODELISATION DES SPECTRES DE REFLECTIVITE A PERMIS DE DETERMINER LA POSITION EN ENERGIE DES TRANSITIONS EXCITONIQUES. L'ALLURE DES SIGNAUX D'AODT ET DE REFLECTIVITE EST TRES SENSIBLE A L'EPAISSEUR DE LA COUCHE BARRIERE DE SURFACE. DES RECOMBINAISONS D'EXCITONS LIES A DES IMPURETES SUPERFICIELLES NEUTRES (DX, AX) ET NIVEAU D'IMPURETE-NIVEAU DE CONFINEMENT FONDAMENTAL DES PORTEURS (DH, EA) SONT IDENTIFIEES EN ANALYSANT LE COMPORTEMENT DES SPECTRES DE PHOTOLUMINESCENCE DES ECHANTILLONS DOPES EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET DE LA PUISSANCE D'EXCITATION. L'ENERGIE DE LOCALISATION DE L'EXCITON SUR LE DONNEUR NEUTRE, SITUE AU CENTRE DES PUITS, PASSE PAR UN MAXIMUM, VERS 100A, LORSQUE LA LARGEUR DE PUITS DIMINUE TANDIS QU'UNE EVOLUTION STRICTEMENT MONOTONE EST OBSERVEE, ENTRE 300 ET 50A, POUR L'EXCITON PIEGE SUR L'ACCEPTEUR NEUTRE. ELLE DECROIT QUAND LA ZONE DE DOPAGE S'ELOIGNE DU CENTRE DES PUITS. LES VARIATIONS AVEC L'EPAISSEUR DES PUITS, ENTRE 28 ET 300A, DE L'ENERGIE DE LIAISON DE L'ATOME DE BERYLLIUM DANS SON ETAT FONDAMENTAL, DETERMINEE EXPERIMENTALEMENT, S'AVERENT ETRE EN EXCELLENT ACCORD AVEC LES THEORIES RECENTES, CONFIRMANT LA BONNE LOCALISATION DU DOPAGE AU CENTRE DES PUITS, MEME DANS CEUX DE PLUS FAIBLE EPAISSEUR (N0 MONOCOUCHES). DES TRANSITIONS DITES A DEUX TROUS IMPLIQUANT CETTE IMPURETE SONT DETECTEES, POUR LA PREMIERE FOIS PAR PHOTOLUMINESCENCE, DANS UN SYSTEME DE BASSE DIMENSIONALITE

Download or read book ETUDE DES TRANSITIONS OPTIQUES DANS DES PUITS QUANTIQUES ET DES SUPER RESEAUX GAAS ALAS EN PROPAGATION GUIDEE written by VASSILIKI.. VOLIOTIS and published by . This book was released on 1994 with total page 110 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST UNE CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DES PUITS QUANTIQUES ET DES SUPER-RESEAUX GAAS/ALAS DE COURTE PERIODE, PAR DES EXPERIENCES DE TRANSMISSION EN PROPAGATION GUIDEE, A BASSE TEMPERATURE. LA CARACTERISATION COMPLETE ET LA DETERMINATION DES PARAMETRES DU GUIDE SONT ESSENTIELLES POUR L'ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DES PUITS QUANTIQUES ISOLES OU SUPER-RESEAUX IMMERGES DANS LES STRUCTURES GUIDANTES. DANS CETTE CONFIGURATION EXPERIMENTALE, NOUS DETERMINONS LES COEFFICIENTS D'ABSORPTION DANS LES DEUX DIRECTIONS DE POLARISATION, PARALLELE ET PERPENDICULAIRE AU PLAN DES COUCHES ET NOUS EN DEDUISONS LES ENERGIES DE LIAISON ET LES FORCES D'OSCILLATEUR DES EXCITONS LOURDS ET LEGERS DES PUITS QUANTIQUES ETUDIES. NOUS AVONS EGALEMENT MESURE LE FAIBLE COEFFICIENT D'ABSORPTION DES TRANSITIONS OPTIQUES ENTRE ELECTRONS CONFINES DANS DES VALLEES X D'ALAS ET DES TROUS SITUES SUR DES ETATS GAMMA DE GAAS, DANS DES SUPER-RESEAUX (GAAS) N (ALAS) M DE TYPE-II. LA COMPARAISON DES RESULTATS EXPERIMENTAUX A UN CALCUL THEORIQUE DU COEFFICIENT D'ADSORPTION DANS UN SUPER-RESEAU DE TYPE-II A PERMIS DE DEDUIRE UNE VALEUR DU PARAMETRE DE COUPLAGE ENTRE ETATS ELECTRONIQUES GAMMA DE GAAS ET X D'ALAS, RESPONSABLE DE LA FORCE D'OSCILLATEUR FINIE DES TRANSITIONS OPTIQUES

Download or read book PROPRIETES ELECTROOPTIQUES DES TRANSITIONS INTRABANDES DANS LES MULTIPUITS QUANTIQUES GAAS ALGAAS APPLICATION A LA DETECTION INFRAROUGE written by Éric Martinet and published by . This book was released on 1992 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: APRES UNE BREVE PRESENTATION DES DETECTEURS INFRAROUGE EN MODE PHOTOEMISSIF, L'EXPRESSION DE L'ABSORPTION INTERSOUSBANDE (ISB) ENTRE DEUX NIVEAUX CONFINES DANS LE PUITS EST DEVELOPPEE. LA PREMIERE PARTIE DU TRAVAIL CONCERNE LA POLARISABILITE ELECTRIQUE STATIQUE INDUITE PAR UNE EXCITATION OPTIQUE INTERSOUSBANDE. LE PHENOMENE NONLINEAIRE DE RECTIFICATION OPTIQUE EST MESURE DANS DES PUITS ASYMETRIQUES. UNE STRUCTURE DE DEUX PUITS COUPLES CONSTITUANT UN SYSTEME ASYMETRIQUE A TROIS NIVEAUX EST ENSUITE ETUDIEE, POUR LAQUELLE CET EFFET EST AUGMENTE DU FAIT DE LA PRESENCE D'UN NIVEAU METASTABLE. LA SECONDE PARTIE EST CONSACREE A LA PHOTOEMISSION DES ELECTRONS HORS DES PUITS QUANTIQUES DANS LES STRUCTURES POLARISEES ELECTRIQUEMENT. L'EXPRESSION DE L'EXCITATION OPTIQUE DIRECTE VERS DES NIVEAUX NON CONFINES EST OBTENUE. LE SPECTRE D'EMISSION DES PORTEURS PHOTOEXCITES DEPUIS UN NIVEAU QUASI-CONFINE EST COMPARE AU SPECTRE D'ABSORPTION. SOUS CHAMP ELECTRIQUE, LE DEPLACEMENT DIFFERENT DES SPECTRES DU PHOTOCOURANT ET D'ABSORPTION METTENT EN EVIDENCE LE CARACTERE SEQUENTIEL ABSORPTION PUIS TRANSFERT TUNNEL DE L'EMISSION DES PORTEURS PHOTOEXCITES DEPUIS UN NIVEAU QUASI-CONFINE. LA TROISIEME PARTIE PRESENTE LE TAUX DE TRANSFERT TUNNEL DES ELECTRONS HORS D'UN PUITS QUANTIQUE MESURE DIRECTEMENT EN FONCTION DU CHAMP ELECTRIQUE APPLIQUE. LA VARIATION DE CE TAUX DE TRANSFERT AVEC LE CHAMP ELECTRIQUE APPLIQUE EST EXPLIQUEE PAR L'AUGMENTATION DE LA TRANSPARENCE DE LA BARRIERE DE CONFINEMENT. TOUS CES CONCEPTS SONT ENFIN MIS A PROFIT POUR CONCEVOIR DES DETECTEURS DONT LA REPONSE SPECTRALE EST CONTROLEE ELECTRIQUEMENT, PAR EXEMPLE L'ACCORD SPECTRAL PAR EFFET STARK OU LA COMMUTATION BICOLORE

Download or read book ETUDE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE PUITS QUANTIQUES CONTRAINTS INAS INP ET INAS GAAS PAR SPECTROSCOPIE OPTIQUE written by PIERRE.. DISSEIX and published by . This book was released on 1994 with total page 196 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL CONCERNE L'ETUDE EXPERIMENTALE ET THEORIQUE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE PUITS QUANTIQUES FORTEMENT CONTRAINTS INAS/INP ET INAS/GAAS. LES PARTICULARITES DE CES DEUX SYSTEMES SONT, D'UNE PART, LE FORT DESACCORD DE MAILLE (-3,2% POUR INAS/INP ET -7,2% POUR INAS/GAAS), ET D'AUTRE PART, LES FAIBLES VALEURS DE L'ENERGIE DE BANDE INTERDITE ET DU COUPLAGE SPIN-ORBITE D'INAS CONDUISANT A DES MASSES EFFECTIVES PEU ELEVEES ET A UN COUPLAGE INTER-BANDES IMPORTANT. DES EXPERIENCES DE PHOTOLUMINESCENCE, D'ABSORPTION OPTIQUE DETECTEE THERMIQUEMENT (AODT) ET DE REFLECTIVITE ONT ETE EFFECTUEES SUR DES PUITS QUANTIQUES SIMPLES INAS/INP D'UNE A TROIS MONOCOUCHES D'EPAISSEUR, ELABORES PAR EPITAXIE EN PHASE VAPEUR PAR LA METHODE AUX HYDRURES, ET SUR DES MULTI-PUITS QUANTIQUES INAS/GAAS D'ENVIRON UNE MONOCOUCHE D'EPAISSEUR, REALISES PAR EPITAXIE SOUS JETS MOLECULAIRES. DIFFERENTES TRANSITIONS LIEES AUX PUITS D'INAS ONT ETE OBSERVEES ET LA SPECTROSCOPIE D'AODT A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE, POUR LA PREMIERE FOIS DANS LE SYSTEME INAS/INP, LA TRANSITION EXCITONIQUE IMPLIQUANT LES TROUS LEGERS. L'AJUSTEMENT DES ESTIMATIONS THEORIQUES AUX ENERGIES DES TRANSITIONS OBSERVEES A CONDUIT A LA DETERMINATION PRECISE DES DECALAGES DE BANDES AUX INTERFACES INAS/INP ET INAS/GAAS ET A L'OBTENTION DU COEFFICIENT DE SEGREGATION LIE A LA REPARTITION DE L'INDIUM DANS LES MULTI-PUITS D'INAS/GAAS. LA MODELISATION NUMERIQUE DES RESULTATS EXPERIMENTAUX A NECESSITE LA MISE EN UVRE DE MODELES INCLUANT DE FACON SATISFAISANTE LES EFFETS CONJUGUES DES FORTES CONTRAINTES ET DES COUPLAGES ENTRE BANDES. EN PARTICULIER, NOUS AVONS MIS AU POINT UNE PROCEDURE DE CALCUL PERMETTANT LA DETERMINATION CORRECTE DES ETATS DE VALENCE DANS UN PUITS QUANTIQUE CONTRAINT ET INCLUANT LE COUPLAGE ENTRE LA BANDE DES TROUS LEGERS ET LA BANDE SPIN-ORBITE QUI INTERVIENT PAR INTERACTION #K.#P VIA D'AUTRES BANDES ELOIGNEES

Download or read book PROPRIETES OPTIQUES DE PUITS QUANTIQUES INGAAS GAAS ELABORES SOUS JETS MOLECULAIRES written by CEDRIC.. MONIER and published by . This book was released on 1995 with total page 180 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL A PORTE SUR UNE ETUDE EXPERIMENTALE ET THEORIQUE DES PROPRIETES OPTIQUES D'HETEROSTRUCTURES A PUITS QUANTIQUES CONTRAINTS IN#XGA#1#-#XAS/GAAS. DES EXPERIENCES DE PHOTOLUMINESCENCE, DE REFLECTIVITE ET D'ABSORPTION OPTIQUE DETECTEE THERMIQUEMENT (AODT) ONT ETE EFFECTUEES, AUX TEMPERATURES DE L'HELIUM LIQUIDE, SUR DEUX SERIES D'ECHANTILLONS ELABORES RESPECTIVEMENT PAR EPITAXIE SOUS JETS MOLECULAIRES (EJM) ET PAR EJM A PARTIR D'ORGANO-METALLIQUES (EJMOM). L'ANALYSE SPECTRALE (ENERGIES ET LARGEURS DES SIGNAUX) DES ECHANTILLONS EJM CONFIRME CLAIREMENT QUE LA TRANSITION 2D/3D DU MODE DE CROISSANCE, PAR FORMATION D'ILOTS COHERENTS (SANS DISLOCATIONS), EST REPOUSSEE ET QUE LES PHENOMENES DE SEGREGATION DES ATOMES D'INDIUM CONNAISSENT UNE LIMITATION LORSQU'ON ELOIGNE LE SYSTEME DE L'EQUILIBRE THERMODYNAMIQUE, EN REDUISANT LA TEMPERATURE DE CROISSANCE OU EN AUGMENTANT LA VITESSE DE CROISSANCE. LES RESULTATS OBTENUS SUR LES ECHANTILLONS EJMOM REVELENT UN EXCELLENT CONTROLE DE L'EPAISSEUR DES PUITS ; L'OBSERVATION DE RAIES DISCRETES DE PHOTOLUMINESCENCE, ATTRIBUEES A DES FLUCTUATIONS D'EPAISSEURS DES PUITS D'UNE MONOCOUCHE (MC), TEMOIGNE DE LA BONNE QUALITE DES INTERFACES (LARGES ETENDUES DES TERRASSES DANS LE PLAN DE CROISSANCE). DES MECANISMES DE TRANSFERTS INTERPUITS, PAR ACTIVATION THERMIQUE DES EXCITONS, SONT MIS EN EVIDENCE ET MODELISES. DANS LA GAMME D'EPAISSEUR DES PUITS (3-16 MC), UNE COMPARAISON ENTRE LES ENERGIES DES DIFFERENTES TRANSITIONS EXCITONIQUES OBSERVEES EN AODT ET CELLES CALCULEES EN PRENANT EN COMPTE LES EFFETS DE CONTRAINTE ET DE SEGREGATION A PERMIS DE FIXER, POUR LES DEUX SERIES D'ECHANTILLONS ETUDIES, UNE VALEUR COMMUNE DU DECALAGE DE BANDES RELATIF Q#C DE 0,640,01 DANS LE DOMAINE DE COMPOSITION 0,2

Download or read book Etude optique des doubles puits quantiques GaAs GaAl As written by Philippe Bonnel and published by . This book was released on 1991 with total page 152 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PORTE SUR L'ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DES STRUCTURES A DOUBLES PUITS QUANTIQUES REALISEES A BASE DES COMPOSES GAAS ET (GAAL)AS). CES SYSTEMES SONT MODELISES PAR LE FORMALISME DES FONCTIONS ENVELOPPES ET ANALYSES PAR DIVERSES TECHNIQUES DE SPECTROSCOPIE OPTIQUE. LES RELATIONS DE DISPERSION DES SOUS-BANDES DE VALENCE, POUR UN VECTEUR D'ONDE DE PROPAGATION DANS LE PLAN DES COUCHES, SONT CALCULEES DE MANIERE EXACTE. LE TRANSFERT DE PROBABILITE DE PRESENCE D'UN PUITS VERS L'AUTRE, QUE PEUT ENGENDRER L'AUGMENTATION DU VECTEUR D'ONDE K PERPENDICULAIRE OU L'APPLICATION D'UNE CONTRAINTE MECANIQUE EXTERNE, EST MIS EN EVIDENCE. NOUS EFFECTUONS UNE COMPARAISON, TENANT COMPTE DES EFFETS EXCITONIQUES, ENTRE CES RESULTATS THEORIQUES ET LES MESURES OPTIQUES

Download or read book Propri t s optiques de puits quantiques GaInAsN GaAs written by Tarik Bouragba and published by . This book was released on 2006 with total page 232 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail porte sur une étude expérimentale et théorique des propriétés optiques de puits quantiques contraints GaInAsN/GaAs élaborés par épitaxie sous jets moléculaires. Les transitions interbandes du puit GaInAsN sont étudiés par photoluminescence et absorption optique traitée thermiquement. Les énergies correspodantes sont calculées grâce à un modèle k.p. à 10 bandes traitant simultanément la contrainte et le couplage entre états électroniques de l'azote et de la bande de conduction de GaInAs. Le décalage des bandes de conduction contraint GaInAsN/GaAs et de la masse effective des porteurs sont déterminés. La force d'oscillateur et l'élargissement inhomogène des excitons ainsi que le coefficient d'absorption des puits sont extraits des spectres. Un recuit provoque un décalage vers le bleu des énergies de transition, qui résulte de l'interdiffusion In/Ga et du réarrangement local autour de l'azote.Cette réorganisation atomique conduit à une diminution du couplage de l'azote avec la bande de conduction

Download or read book TRANSITIONS INTERSOUSBANDES PHOTO INDUITES DANS LES PUITS QUANTIQUES ET SUPER RESEAUX GAAS AL GA AS written by PEDRO PEGUERO.. TRINDADE VAGOS and published by . This book was released on 1994 with total page 217 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL CONCERNE L'ETUDE DES TRANSITIONS INTERSOUSBANDES DANS LES PUITS QUANTIQUES GAAS/ALGAAS NON DOPES INDUITES PAR LE POMPAGE OPTIQUE DES TRANSITIONS INTERBANDES. APRES UNE BREVE DESCRIPTION THEORIQUE DES PROPRIETES DE CES TRANSITIONS, NOUS NOUS INTERESSONS A LA SPECTROSCOPIE D'ABSORPTION INTERSOUSBANDE PHOTO-INDUITE. CETTE TECHNIQUE NOUVELLE PERMET D'OBTENIR A LA FOIS DES SPECTRES INTERSOUSBANDES ET INTERBANDES AVEC UNE GRANDE SENSIBILITE ET RESOLUTION. ELLE PERMET AUSSI UNE ANALYSE DES MECANISMES MONO-MOLECULAIRES ET BI-MOLECULAIRES DE RELAXATION INTERBANDES. NOUS AVONS ENSUITE PRESENTE UNE APPLICATION DE L'ABSORPTION INTERSOUSBANDE PHOTO-INDUITE PORTANT SUR LA MODULATION TOUT-OPTIQUE. L'INSERTION DES PUITS QUANTIQUES DANS UNE STRUCTURE GUIDE D'ONDE PERMET DE REALISER DES MODULATEURS TOUT-OPTIQUE PERFORMANTS AVEC DES TAUX DE MODULATION PROCHE DE 100% POUR DES PUISSANCES POMPES DE QUELQUES MILLIWATTS. LEUR BANDE PASSANTE EST LIMITEE PAR LE TEMPS DE RELAXATION INTERBANDE ET PEUT ETRE AMELIOREE PAR UNE IMPLANTATION DE PROTONS. NOUS AVONS MONTRE QU'IL EST POSSIBLE D'INDUIRE UNE LUMINESCENCE INTERBANDE A HAUTE ENERGIE SOUS EXCITATION INTERSOUSBANDE. L'INTENSITE DE CETTE LUMINESCENCE INDUITE PERMET DE REMONTER AUX TEMPS DE RELAXATION INTERSOUSBANDES SANS AVOIR RECOURS A DES TECHNIQUES DE RESOLUTION TEMPORELLE SUBPICOSECONDE. L'ABSORPTION DES PHOTONS INFRAROUGES SE TRADUISANT PAR UNE EMISSION SE TRADUISANT PAR UNE EMISSION DE PHOTONS VISIBLES (OU PROCHE VISIBLE) CE PROCESSUS PEUT ETRE CONSIDERE COMME UN MECANISME DE UP-CONVERSION. MALGRE LA FAIBLE VALEUR DU RENDEMENT DE CETTE CONVERSION, CE NOUVEAU PROCESSUS PEUT ETRE MIS A PROFIT POUR LA CONCEPTION DE DETECTEURS INFRAROUGES. NOUS AVONS MONTRE QU'UN TEL DETECTEUR, BASE SUR LA CONVERSION DE PHOTONS, EST CARACTERISE PAR UNE DETECTIVITE AU MOINS SIMILAIRE A CELLE DES DETECTEURS CONVENTIONNELS A PUITS QUANTIQUES (QWIP'S). IL DEVRAIT PRESENTER UNE GRANDE SENSIBILITE ET LE PRINCIPE SE PRETE FACILEMENT A DES APPLICATIONS D'IMAGERIE. ENFIN, NOUS NOUS INTERESSONS AUX TRANSITIONS INTERSOUSBANDE X- EN BANDE DE CONDUCTION DES SUPER-RESEAUX GAAS/ALAS. LE COUPLAGE X- EST INTRODUIT DANS UN MODELE DE KRONIG-PENNEY PAR BIAIS DES CONDITIONS DE RACCORDEMENT DES FONCTIONS ENVELOPPES AUX INTERFACES. L'EXPRESSION DU MOMENT DIPOLAIRE AINSI QUE LES REGLES DE SELECTION ASSOCIEES SONT ETABLIES. NOUS DISCUTONS ENSUITE UN CERTAIN NOMBRE D'EXPERIENCES AYANT POUR OBJECTIF LA MISE EN EVIDENCE DE CES TRANSITIONS

Download or read book PROPRIETES OPTIQUES DES PUITS QUANTIQUES A MODULATION DE DOPAGE written by Jean Orgonasi and published by . This book was released on 1988 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS ETUDIONS LES PROPRIETES OPTIQUES DE PUITS QUANTIQUES GAAS/GAALAS A MODULATION DE DOPAGE PAR DES TECHNIQUES DE LUMINESCENCE ET DE SPECTROSCOPIE D'EXCITATION A 2 K. NOUS OBSERVONS TROIS EFFETS MAJEURS SPECIFIQUES AUX PUITS DOPES: L'AFFAIBLISSEMENT, VOIRE LA DISPARITION DES EFFETS EXCITONIQUES, UN DECALAGE VERS LE ROUGE DE TOUTES LES ENERGIES DE TRANSITION PAR RAPPORT A CELLES OBTENUES SUIVANT UN CALCUL AUTO-COHERENT SUIVANT L'APPROXIMATION DE HARTRE, VALIDE A DENSITE ELECTRONIQUE NULLE. ON INTERPRETE CES PHENOMENES EN TENANT COMPTE DES INTERACTIONS COULOMBIENNES A N-CORPS. NOUS DECRIVONS LES SPECTRES PAR LE CALCUL DEJA MENTIONNE ET UNE DIMINUTION APPARENTE DE L'ENERGIE DE LA BANDE INTERDITE PROVENANT DES EFFETS A N-CORPS. EN FAISANT VARIER LE NOMBRE DE PORTEURS DANS NOS STRUCTURES, NOUS ETUDIONS LA DEPENDANCE FONCTIONNELLE DE CETTE DIMINUTION PAR RAPORT A LA DENSITE ELECTRONIQUE DANS LES PUITS. NOS RESULTATS SONT EN ACCORD AVEC LES CALCULS THEORIQUES EXISTANTS. ENFIN, NOUS CONFIRMONS LA DESCRIPTION THEORIQUE DE LA BANDE DE VALENCE PAR DES EXPERIENCES DE MAGNETO-LUMINESCENCE

Download or read book ETUDES DES PROPRIETES OPTIQUES DE PUITS QUANTIQUES INGAAS GAAS ET DE SUPERRESEAUX GAAS ALAS ELABORES SUR PSEUDOSUBSTRAT INGAAS written by MOHAMED.. REZKI and published by . This book was released on 1997 with total page 193 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL CONCERNE L'ETUDE THEORIQUE ET EXPERIMENTALE, PAR PHOTOLUMINESCENCE, REFLECTIVITE ET ABSORPTION OPTIQUE DETECTEE THERMIQUEMENT (AODT), DES PROPRIETES OPTIQUES DE PUITS QUANTIQUES CONTRAINTS INGAAS/GAAS ET DE SUPERRESEAUX GAAS/ALAS A TRES COURTES PERIODES ELABORES SUR PSEUDOSUBSTRAT INGAAS. L'ANALYSE DES LARGEURS DES RAIES DE LUMINESCENCE ET DES DECALAGES DE STOKES, POUR UNE SERIE D'ECHANTILLONS DE COMPOSITION D'INDIUM VOISINE DE 12%, MONTRE QUE L'ARRET DE CROISSANCE EST INEFFICACE POUR DES PUITS RELATIVEMENT LARGES. LE MEME TYPE D'ANALYSE MET EN EVIDENCE L'EXISTENCE D'UNE TRANSITION 2D/3D DU MODE DE CROISSANCE AU-DELA D'UNE EPAISSEUR DE PUITS DE 6 MC POUR DES ECHANTILLONS A 35% D'INDIUM. L'AJUSTEMENT DES ENERGIES DES DIFFERENTES TRANSITIONS EXCITONIQUES OBSERVEES EN AODT, GRACE AU MODELE THEORIQUE INCLUANT LES EFFETS DE LA CONTRAINTE ET DE LA SEGREGATION D'INDIUM, A PERMIS DE DETERMINER AVEC UNE BONNE PRECISION LE DECALAGE RELATIF DE BANDE DE CONDUCTION Q#C (0,640,01). LA CROISSANCE DE SUPERRESEAUX GAAS/ALAS A TRES COURTES PERIODES SUR PSEUDOSUBSTRAT INGAAS EST UNE IDEE ORIGINALE. ELLE UTILISE LES EFFETS DE CONTRAINTES INDUITES PAR LE DESACCORD ENTRE GAAS/ALAS ET INGAAS, POUR MODIFIER L'ORDONNANCEMENT DES NIVEAUX D'ENERGIE DANS LE SYSTEME GAAS/ALAS. SI LES SUPERRESEAUX GAAS/ALAS A TRES COURTES PERIODES (2 A 6 MC) SONT INDIRECTS (X#X#Y) LORSQU'ILS SONT EPITAXIES SUR SUBSTRAT GAAS, ILS DEVIENNENT PSEUDODIRECTS (X#Z) LORSQU'ILS SONT ELABORES SUR PSEUDOSUBSTRAT INGAAS. LA SPECTROSCOPIE DE PIEZOMODULATION, SELECTIVE DANS LA SEPARATION TROUS LOURDS-TROUS LEGERS, A ETE DECISIVE POUR L'IDENTIFICATION DE LA TRANSITION FONDAMENTALE (ELECTRONS X#Z-TROUS LEGERS) DANS LES SUPERRESEAUX GAAS/ALAS ETUDIES. LE CALCUL DE L'ENERGIE DE CETTE TRANSITION A NECESSITE L'INCLUSION DU COUPLAGE ENTRE LA BANDE DES TROUS LEGERS ET LA BANDE SPIN-ORBITE.

Download or read book Modification des propri t s optiques des structures doubles puits quantiques GaAs Ga In As sous l effet d un champ lectrique written by Pierre Bigenwald and published by . This book was released on 1995 with total page 140 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE PORTE SUR L'ETUDE DE SYSTEMES AUTOCONTRAINTS GAAS-(GA,IN)AS. IL APPORTE AUSSI UNE APPROCHE GLOBALE DE L'INTERACTION COULOMBIENNE ENTRE PARTICULES CHARGEES (EXCITON) DANS DES SYSTEMES DITS DE TYPE II. DIFFERENTES APPROCHES CORRESPONDANT A DES MODELES MATHEMATIQUES SONT PROPOSEES POUR LA RESOLUTION DU PROBLEME EXCITONIQUE. NOUS MONTRONS QUE LA NOTION DE TYPE I OU II D'UNE TRANSITION EST DIFFICILE A CERNER EN GENERAL ET REQUIERT POUR ETRE BIEN TRAITEE L'USAGE DE THEORIES SOPHISTIQUEES. L'EFFET D'UN CHAMP ELECTRIQUE SUR LES PROPRIETES OPTIQUES DE STRUCTURES SIMPLE ET DOUBLE PUITS QUANTIQUES EST ETUDIE THEORIQUEMENT ET LE PROBLEME DU TEMPS DE PIEGEAGE DES PARTICULES DANS CES STRUCTURES POLARISEES EST ABORDE. NOUS SUGGERONS COMMENT AJUSTER EN THEORIE LES PROPRIETES OPTIQUES D'UNE STRUCTURE EN JOUANT SUR LA LARGEUR DE SES COUCHES ET LA DIRECTION DE CROISSANCE. FINALEMENT, NOUS AVONS COMPARE LES RESULTATS THEORIQUES AVEC L'EXPERIENCE ET TROUVE UN ACCORD SATISFAISANT ENTRE EUX EN UTILISANT LES TECHNIQUES DE SPECTROSCOPIE OPTIQUE CLASSIQUE

Download or read book SPECTROSCOPIE OPTIQUE DANS LES PUITS QUANTIQUES COUPLAGE ELECTRON RESEAU written by Xavier Marié and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DEUX ASPECTS DE LA SPECTROSCOPIE OPTIQUE DANS LES PUITS QUANTIQUES SONT ABORDES DANS CE MEMOIRE. D'UNE PART, ON TRAITE THEORIQUEMENT ET EXPERIMENTALEMENT DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE PUITS QUANTIQUES CONTRAINTS (IN,GA)AS/GAAS. UN MODELE BASE SUR LA THEORIE ELASTIQUE EST FORMULE AFIN D'INTERPRETER LES POSITIONS DES RAIES SPECTRALES OBSERVEES. NOUS AVONS APPLIQUE CETTE ETUDE PHYSIQUE AU CHOIX DES CARACTERISTIQUES DES PUITS PERMETTANT L'OPTIMISATION DES STRUCTURES LASERS. D'AUTRE PART, NOUS AVONS ETUDIE EXPERIMENTALEMENT PAR SPECTROSCOPIE DE PHOTOLUMINESCENCE STATIONNAIRE ET RESOLUE EN TEMPS DE REFROIDISSEMENT ET LA LOCALISATION SUR LES RUGOSITES D'INTERFACE D'EXCITONS DANS DES MULTI-PUITS QUANTIQUES GAAS/ALGAAS NON COUPLES. LA MODELISATION DE L'INTERACTION EXCITON-PHONON DANS CES STRUCTURES A PUITS QUANTIQUES MET EN EVIDENCE UN RENFORCEMENT DU TAUX DE PERTE D'ENERGIE DES EXCITONS DU FAIT DE L'INTERACTION PAR POTENTIEL DE DEFORMATION ACOUSTIQUE PAR RAPPORT AU CAS DU MASSIF. UN MODELE DE LOCALISATION DEPENDANT DE LA TEMPERATURE EXCITONIQUE PERMETTANT DE RENDRE COMPTE DES DYNAMIQUES EXPERIMENTALES D'EXCITONS A BASSE TEMPERATURE EST FORMULE

Download or read book PROPRIETES RADIATIVES D HETEROSTRUCTURES GAAS ALAS written by DOLORES.. MARTINS and published by . This book was released on 1999 with total page 343 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS LE CADRE DE L'ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES D'HETEROSTRUCTURES SEMICONDUCTRICES GAAS/ALAS, NOUS ABORDONS DEUX THEMES : -L'ETUDE DU COUPLAGE - X DEPENDANT DE L'EPAISSEUR D'ALAS DANS UN DOUBLE PUITS QUANTIQUE GAAS/ALAS DE TYPE II. -L'ETUDE DU RENDEMENT QUANTIQUE DANS UN SUPERRESEAU (SR) GAAS/ALAS DE TYPE I. DANS LES HETEROSTRUCTURES DE TYPE II, LA TRANSITION OPTIQUE SANS PHONON ENTRE UN ETAT DE TROU LOURD DANS GAAS ET UN ETAT D'ELECTRON X DANS ALAS EST PERMISE GRACE AU COUPLAGE ENTRE LES ETATS ET X AUX INTERFACES. LA TRANSITION OPTIQUE ZERO-PHONON EST PERMISE SI LE NOMBRE DE MONOCOUCHES D'ALAS N EST PAIR, INTERDITE S'IL EST IMPAIR. L'ORIGINE DE CET EFFET DE PARITE EST LA SYMETRIE DE LA FONCTION DE BLOCH X PAR RAPPORT AU CENTRE DE LA COUCHE D'ALAS. NOUS MONTRONS LA SENSIBILITE DU COUPLAGE - X AVEC L'EPAISSEUR D'ALAS A L'AIDE D'UNE STRUCTURE DOUBLE PUITS GAAS/ALAS A GRADIENT D'EPAISSEUR. DES PUITS DE CALIBRATION PERMETTENT DE DETERMINER L'EPAISSEUR DES COUCHES A PARTIR D'EXPERIENCES DE PHOTOLUMINESCENCE ET DE MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION. A PARTIR DU DECLIN TEMPOREL NON EXPONENTIEL DE LA LUMINESCENCE DE LA STRUCTURE DOUBLE PUITS, NOUS DETERMINONS LES TEMPS DE RECOMBINAISON DUE AU COUPLAGE - X X ET ASSISTEE PAR PHONON P H EN FONCTION DE L'EPAISSEUR D'ALAS. LE TEMPS X AUGMENTE D'UN FACTEUR 2 DANS UNE REGION OU N EST IMPAIR ALORS QUE LE TEMPS P H VARIE DE FACON MONOTONE. CE RESULTAT EST UNE FORTE INDICATION DE LA SENSIBILITE DU COUPLAGE - X AVEC N. UN MODELE TRAITANT LE COUPLAGE - X DANS LE CAS D'INTERFACES GRADUELLES PERMET DE REPRODUIRE TRES CORRECTEMENT LES RESULTATS EXPERIMENTAUX. POUR MESURER LE RENDEMENT QUANTIQUE INTERNE DE PHOTOLUMINESCENCE (RQ), NOUS PROPOSONS UNE NOUVELLE METHODE APPLIQUEE A UN SR GAAS/ALAS EPITAXIE SUR UNE COUCHE DE GAAS. LE RQ EST DETERMINE A PARTIR DU SPECTRE D'EXCITATION DE LA PHOTOLUMINESCENCE DU GAAS. NOUS DISCUTONS LES CONDITIONS D'APPLICATION DE CETTE METHODE ET LES EFFETS DE RECYCLAGE DE PHOTONS.

Download or read book ETUDE OPTIQUE DES PUITS QUANTIQUES GAAS GAALAS written by HONG WU.. LIU and published by . This book was released on 1990 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES ETUDES OPTIQUES DE TRANSPORT VERTICAL DANS UN SYSTEME DE DOUBLE PUITS QUANTIQUES ASYMETRIQUE SOUS CHAMP ELECTRIQUE GA#0#.#7AL#0#.#3AS/GAAS ONT PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE LES RESONANCES DE TRANSFERT D'ELECTRONS, DE TROUS ET D'EXCITONS A BASSE TEMPERATURE. CES RESULTATS SONT COMPARES A DES CALCULS DES TEMPS TUNNEL ASSISTES PAR LES DEFAUTS DU SYSTEME OU LES PHONONS. LES ETUDES DE PUITS QUANTIQUES A MODULATION DE DOPAGE ONT MONTRE LA LEVEE PARTIELLE DES REGLES DE SELECTION EN PRESENCE DE PORTEURS AINSI QUE L'AUGMENTATION DE LA DUREE DE VIE RADIATIVE DUE AUX EFFETS A N CORPS

Download or read book tude pi zospectroscopique des puits quantiques et superr seaux III V written by Pierre Lefebvre (DR CNRS).) and published by . This book was released on 1988 with total page 134 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES (PHOTOLUMINESCENCE ET REFLECTIVITE) A BASSE TEMPERATURE DE PUITS QUANTIQUES ET SUPERRESEAUX III-V SOUMIS A DES PERTURBATIONS MECANIQUES EXTERNES. CALCUL DES ENERGIES QUANTIFIEES DES TRANSITIONS OPTIQUES DANS LE CADRE DU FORMALISME DES FONCTIONS ENVELOPPES. MISE EN EVIDENCE ET MODELISATION THEORIQUE DE LA BAISSE DU COEFFICIENT DE PRESSION HYDROSTATIQUE DU GAP OPTIQUE FONDAMENTAL DANS LE CAS DES SIMPLES PUITS QUANTIQUES GASB-ALSB ET GAAS-GA#1#-#XAL#XAS, PAR RAPPORT AUX COEFFICIENTS CARACTERISTIQUES DES MATERIAUX MASSIFS (GASB ET GAAS). IMPORTANCE DE LA NON-PARABOLICITE DES BANDES D'ENERGIE. PRESENTATION D'UNE METHODE ORIGINALE D'IDENTIFICATION DES TRANSITIONS OPTIQUES (DISCRIMINATION ENTRE EXCITONS LOURDS ET LEGERS) PAR SPECTROSCOPIE DIFFERENTIELLE EN PIEZOMMODULATION BIAXIALE COPLANAIRE. SPECTROSCOPIE OPTIQUE DE MICROSTRUCTURES GAAS-GA#1#-#XAL#XAS DE TYPES I ET II, SOUS CONTRAINTE UNIAXIALE. CETTE DERNIERE EST APPLIQUEE SOIT PARALLELEMENT A L'AXE DE CROISSANCE DE LA STRUCTURE SOIT DANS LE PLAN DES COUCHES. L'ACCORD THEORIE-EXPERIENCE OBTENU POUR LES VARIATIONS SOUS CONTRAINTE DES ENERGIES DES TRANSITIONS OPTIQUES, DANS LE CAS DES ECHANTILLONS DE TYPE I PERMET D'ELARGIR LE CHAMP D'APPLICATION DU MODELE UTILISE AUX SUPERRESEAUX GAAS-ALAS DE TYPE II. LA CONTRAINTE UNIAXIALE PERMET ALORS DE CONFIRMER L'ORDONNANCEMENT DES SOUS-BANDES FONDAMENTALES DE CONDUCTION PREDIT PAR LA THEORIE DES FONCTIONS-ENVELOPPES, A CONDITION QUE LE LEGER DESACCORD DE MAILLES ENTRE GAAS ET ALAS (0,12%) SOIT PRIS EN COMPTE DANS LES CALCULS