Download or read book ETUDE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES ET STRUCTURALES DES INTERFACES GASE SI 111 ET INSE SI 111 PAR LA PHOTOEMISSION ANGULAIRE DANS L ULTRAVIOLET written by AMAL.. AMOKRANE and published by . This book was released on 1998 with total page 206 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE THESE CONCERNE L'ETUDE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES ET STRUCTURALES AUX INTERFACES D'HETEROSTRUCTURES FORMEES PAR DEPOT EPITAXIAL DU SEMICONDUCTEUR LAMELLAIRE GASE OU INSE SUR UN SUBSTRAT SI(111)11-H. L'INTERFACE EST ATTEINTE PAR DESORPTION THERMIQUE PROGRESSIVE SOUS ULTRAVIDE DES COUCHES DE LAMELLAIRE DEPOSEES. LES TECHNIQUES EMPLOYEES SONT LA PHOTOEMISSION ANGULAIRE DANS L'ULTRAVIOLET UTILISANT LE RAYONNEMENT SYNCHROTRON ET LA DIFFRACTION D'ELECTRONS LENTS. L'ETUDE DES COUCHES EPITAXIEES DE GASE ET D'INSE, DE 5 A 30 NM D'EPAISSEUR, AVANT LEUR DESORPTION THERMIQUE, MONTRE QUE CELLES-CI ONT DES PROPRIETES ELECTRONIQUES ESSENTIELLEMENT SIMILAIRES A CELLES DES MATERIAUX MASSIFS. LA STRUCTURE DE BANDE EXPERIMENTALE DES COUCHES MINCES D'INSE EST TROUVEE SEMBLABLE A CELLE CALCULEE POUR LE POLYTYPE GAMMA DU MATERIAU MASSIF. L'ETUDE DES HETEROSTRUCTURES GASE/SI(111) ET INSE/SI(111) AU COURS DE LEUR EROSION THERMIQUE MONTRE QUE LE TRAITEMENT THERMIQUE PROVOQUE UNE RUGOSIFICATION IMPORTANTE DE LA SURFACE. POUR LE SYSTEME GASE/SI(111), LA DECOMPOSITION DES SPECTRES DE NIVEAUX DE COEUR GA-3D ET SE-3D MONTRE QUE : (I) A L'INTERFACE UN TRANSFERT DE CHARGE SE PRODUIT DES LIAISONS GA-SE DU DEMI-FEUILLET CONTRAINT LIE AU SUBSTRAT VERS LES ATOMES DE SI ; (II) LA CONTRIBUTION DE FEUILLETS GASE CONTRAINTS DE MEME PARAMETRE DE MAILLE QUE SI, APPARAISSANT AVANT QUE L'INTERFACE NE SOIT ATTEINTE, FAIT INTERVENIR UN TRANSFERT DE CHARGE DES ATOMES DE GA VERS LES ATOMES DE SE. POUR LE SYSTEME INSE/SI(111), NOUS AVONS TROUVE QUE LES LIAISONS IN-IN ET IN-SE DES FEUILLETS INSE CONTRAINTS AU PARAMETRE DE MAILLE DE SI, ET LES LIAISONS IN-SE A L'INTERFACE SONT CONSTRUITES A PARTIR D'ETATS PLUS PROFONDS QUE DANS LE COMPOSE LAMELLAIRE INSE. LORSQUE LE TRAITEMENT THERMIQUE INDUIT A L'INTERFACE UNE RECONSTRUCTION SI(111)55 SPECIFIQUE D'INSE, LES SPECTRES DE NIVEAUX DE COEUR IN-4D ET SE-3D MONTRENT QUE LES ATOMES D'IN ET DE SE ONT PLUSIEURS ENVIRONNEMENTS CHIMIQUES.

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DES PROPRIETES DES HETEROJONCTIONS FORMEES PAR DES COMPOSES LAMELLAIRES INSE OU GASE EPITAXIES SUR DU SI 111 written by SAMIRA.. EL MONKAD and published by . This book was released on 1997 with total page 232 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE SUJET DE CETTE THESE EST L'ETUDE DES PROPRIETES STRUCTURALES ET ELECTRONIQUES DES SURFACES ET DES INTERFACES D'HETEROJONCTIONS FORMEES PAR UN DEPOT DE COMPOSE LAMELLAIRE (INSE OU GASE) SUR UN SUBSTRAT SI(111) PAR LA TECHNIQUE D'EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES. L'INTERFACE EST ATTEINTE PAR UNE EROSION THERMIQUE PROGRESSIVE SOUS ULTRAVIDE DU FILM LAMELLAIRE JUSQU'A SON ELIMINATION COMPLETE. POUR LE SYSTEME GASE/SI(111) LA TECHNIQUE EMPLOYEE EST LA SPECTROSCOPIE DE REFLECTIVITE DIFFERENTIELLE. POUR LE SYSTEME INSE/SI(111) LES TECHNIQUES UTILISEES SONT : LA SPECTROSCOPIE DE RENDEMENT DE PHOTOEMISSION, LA SPECTROSCOPIE DE PHOTOEMISSION RESOLUE ANGULAIREMENT DANS L'ULTRAVIOLET, LA DIFFRACTION DES ELECTRONS LENTS ET LA SPECTROSCOPIE DES ELECTRONS AUGER. DANS LA PREMIERE PARTIE QUI CONCERNE LE SYSTEME GASE/SI(111), NOUS AVONS MONTRE : (I) QUE LES COUCHES MINCES DE GASE DEPOSEES SUR SI(111)1X1-H SONT PLUS UNIFORMES ET HOMOGENES QUE CELLES DEPOSEES SUR SI(111) 3-GA, (II) QU'IL N'Y A PAS DE TRANSITION ELECTRONIQUE QUI PUISSE ETRE ATTRIBUEE A L'EXISTENCE D'ETATS D'INTERFACE DANS LA PARTIE COMMUNE DES GAPS. DANS LA DEUXIEME PARTIE, CONSACREE AU SYSTEME INSE/SI(111), NOUS AVONS MONTRE TOUT D'ABORD QUE L'EFFET EFFICACE DE LA PASSIVATION DES COUCHES ULTRAMINCES DU LAMELLAIRE INSE SUR SI(111) A NEANMOINS SES LIMITES. ENSUITE, NOUS MONTRONS QUE LES COUCHES DE L'ORDRE DE 10 NM DE INSE EPITAXIEES PRESENTENT UNE STRUCTURE ELECTRONIQUE SEMBLABLE A CELLE DU MATERIAU MASSIF ET QUE LA DESORPTION DES COUCHES DE INSE S'ACCOMPAGNE D'UNE RUGOSIFICATION NOTABLE DE LA SURFACE. AINSI, NOUS AVONS PROPOSE UN MODELE STRUCTURAL QUI PERMET DE MIEUX COMPRENDRE LE PROCESSUS DE CROISSANCE. PUIS EN NOUS BASANT SUR LES PREVISIONS THEORIQUES DE KANE, NOUS AVONS TROUVE UNE SOLUTION AUX PROBLEMES DE DISCONTINUITE DES BANDES EN TENANT COMPTE DE L'EXISTENCE D'UN DIPOLE D'INTERFACE A CHARGE NEGATIVE EXTERIEURE AU SILICIUM, ET UN SCHEMA DE DISCONTINUITE DE BANDES A ETE PROPOSE.

Download or read book Etude de l interface Er Si 111 par photo mission UV et X et par diffraction d lectrons Auger et lectrons lents written by Pauline Ngo Paki and published by . This book was released on 1993 with total page 283 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse présente l'étude des propriétés physico-chimiques du système Er/Si(111). Les techniques utilisées sont : la photoémission X et UV, la diffraction d'électrons Auger et électrons lents (DEL). Un analyseur de très haute résolution a permis de réaliser une étude raffinée des structures cristallographiques et électroniques des films fabriqués. La qualité cristalline des films a été vérifiée par DEL. Une étude détaillée de l'interface Er/Si(111) formée à température ambiante a révélé la forte réactivité de cette dernière. Le mode de croissance est hétérogène. La formation d'un siliciure épitaxique ErSi1.7 pour des dépôts supérieurs à la monocouche a lieu à de faibles températures de recuit de l'ordre de 380°C. Des recuits plus élevés laissent apparaître des états ou des résonances de surfaces. La structure cristallographique des couches épitaxiales du siliciure d'erbium a été examinée par la technique XPD (diffraction de photoélectrons X) et par la diffraction d'électrons Auger de la transition MNN de l'Er appuyée par des calculs théoriques de diffusion simple appliqué à un groupe d'atomes. En particulier, le dépôt d'une monocouche d'erbium sur un substrat de Si(111) à température ambiante suivi d'un recuit à 400°C conduit à la formation d'un siliciure bidimensionnel (2D). Un modèle de terminaison en surface de ce siliciure a été proposé. Le caractère 2D de ce siliciure a aussi été attesté par son diagramme DEL(1x1). L'analyse de sa structure électronique a conduit à la détermination d'une surface de Fermi 2D. Ce siliciure à caractère semi-métallique est très stable sous ultravide. Il peut être une couche idéale pour la réépitaxie du siliciure

Download or read book Etude de l interface Cr Si 111 par photo mission angulaire et diffraction d lectrons lents written by Patrick Wetzel and published by . This book was released on 1988 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Etude de la structure électronique et cristallographique de l'interface métal-semiconducteur Cr/Si (111). Deux paramètres gouvernent essentiellement cette structure : le recouvrement de Cr et la température de recuit. Un processus de réaction à l'interface et de diffusion des atomes Si à travers le film métallique est mis en évidence à température ambiante. L'interface formée à haute température (350°C

Download or read book ETUDE PAR PHOTOEMISSION DES SURFACES 111 ET 110 IMPARFAITES DE SILICIUM written by NABIL.. SAFTA and published by . This book was released on 1994 with total page 217 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE SUJET DE CETTE THESE EST L'ETUDE DES PROPRIETES MORPHOLOGIQUES ET ELECTRONIQUES DES DIFFERENTS SURFACES DE SILICIUM AFIN DE MIEUX CORRELER LES PARTICULARITES D'UNE STRUCTURE SUPERFICIELLE AUSSI BIEN IDENTIFIEE QUE POSSIBLE, MEME SI ELLE EST DEFFECTUEUSE, AVEC SES PROPRIETES ELECTRONIQUES, Y COMPRIS DE DIFFUSION DES ELECTRONS DANS LE PROCESSUS DE PHOTOEMISSION. LES TECHNIQUES UTILISEES SONT LA SPECTROSCOPIE DE RENDEMENT DE PHOTOEMISSION, LA SPECTROSCOPIE DE PHOTOEMISSION RESOLUE ANGULAIREMENT DANS L'ULTRAVIOLET, LA DIFFRACTION D'ELECTRONS LENTS ET LA SPECTROMETRIE AUGER. DANS UNE PREMIERE PARTIE, UNE ETUDE DETAILLEE A ETE FAITE EN VUE D'ANALYSER LES DIFFERENTS MECANISMES DE DIFFUSION DE SURFACE SUSCEPTIBLES D'AFFECTER LE PROCESSUS DE PHOTOEMISSION. EN SE BASANT SUR LES PREVISIONS THEORIQUES DE KANE, NOUS AVONS MONTRE QUE LE PROCESSUS DE PHOTOEMISSION DEPEND DU TYPE DES TRANSITIONS ELECTRONIQUES (DIRECTES OU INDIRECTES) ET DE LA NATURE ET LA GEOMETRIE DES DEFAUTS. CETTE ETUDE A REVELE QUE L'HYPOTHESE DE CONSERVATION DE LA COMPOSANTE PARALLELE DU MOMENT DE L'ELECTRON AU FRANCHISSEMENT DE LA SURFACE EST RAREMENT VALABLE. DANS LA DEUXIEME PARTIE CONSACREE A LA FACE (110) DU SILICIUM, NOUS AVONS MONTRE QUE CETTE SURFACE NOMINALE PRESENTE UNE RECONSTRUCTION 16X2 A DEUX DOMAINES, QU'ELLE A UNE BANDE D'ETATS DE SURFACE OCCUPES LARGE COMME LA SI(111)7X7. ELLE IMPLIQUE DONC PLUSIEURS PLANS ATOMIQUES. NOUS AVONS, AUSSI, ETUDIE UNE SURFACE (110) VICINALE OBTENUE EN DESORIENTANT LE PLAN DE LA SURFACE DE 422' DANS UNE DIRECTION DE LA FAMILLE111. CETTE SURFACE S'EST AVERE MONODOMAINE, ORDONNEE ET EST RECONSTRUITE 8X2. SA STRUCTURE LOCALE EST FAITE DE PLUSIEURS CONFIGURATIONS COMME DES ADATOMES OU DES DIMERES PLUS OU MOINS DEFORMEES GEOMETRIQUEMENT. LE DERNIER CHAPITRE A CONCERNE L'ETUDE DES INTERACTIONS DES SURFACES SI(110) AVEC L'HYDROGENE ATOMIQUE, L'INDIUM ET L'OXYGENE. NOUS AVONS D'ABORD REUSSI A PASSIVER LES SURFACES SI(110) PAR HYDROGENATION A CHAUD. LE RENDEMENT DE PHOTOEMISSION CONFIRME LE CARACTERE DIFFUSANT DE CETTE SURFACE. L'ETUDE DE L'INTERFACE SI(110)/IN A 500C A MONTRE QUE NOUS OBTENONS UNE RECONSTRUCTION 5X2 POUR DES RECOUVREMENTS SITUES ENTRE 0.3 MC ET 2 MC

Download or read book Etude des interfaces Ta Si 111 et Ta Si 100 par diff rentes techniques d analyse de surface written by Didier Satti and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DES PROPRIETES STRUCTURALES ET ELECTRONIQUES DES INTERFACES TA/SI (111) ET TA/SI (100) ELABOREES SOUS ULTRA-VIDE. CES SYSTEMES SONT CARACTERISES IN SITU PAR SPECTROMETRIE AUGER (AES), DIFFRACTION D'ELECTRONS LENTS (LEED), SPECTROSCOPIE DE PERTES D'ENERGIE D'ELECTRONS (EELS), PHOTOEMISSION DIRECTE (UPS), ET EX SITU PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A BALAYAGE

Download or read book Etude des propri t s physico chimiques d interfaces par photo mission written by Djawhar Ferrah and published by . This book was released on 2013 with total page 137 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'objectif de cette thèse est d'étudier les propriétés physico-chimiques des surfaces et des interfaces des couches minces par spectroscopie de photoémission (XPS), diffraction des photoélectrons (XPD), et la photoémission résolue en temps (PTR). Les expériences sont réalisées en utilisant une source standard des rayons X AlKa à l'INL ou les rayons X mous auprès du synchrotron Soleil. La première étude sur le système Pt/ Gd203/ Si(111) a montré que le transfert de charge entre le Pt et 0 à l'interface Pt/Gd203 implique un déplacement chimique de niveau Pt4f sans modification des caractéristiques de la composante métallique des spectres XPS. L'étude XPD montre que Pt se cristallise partiellement en deux domaines : [110] Pt(111) // [110] Gd203 (111) et [101] Pt(111) / / [110] Gd203 (111). De plus, une autre phase ordonnée d'oxyde de platine Pt02 à l'interface a été observée. A travers la caractérisation de la morphologie déterminée par la technique AFM et XPD, nous avons discuté l'adhésion aux interfaces métal/oxyde. La deuxième étude traite l'évolution d'interface d'un système modèle : métal non réactive/ semi-conducteur, dépendent fortement des conditions thermodynamiques. Nous avons étudié la couche mince d'Au déposée sur le substrat Si(001) par photoémission résolue en temps (TEMPO- synchrotron Soleil). L'étude XPS, montre avant le recuit la formation de l'oxyde native Si02 sur l'heterostructure à température ambiante. La désorption de cet oxyde se produit à faible température et induit une décroissance de l'intensité des photoélectrons durant le temps de recuit. La désorption de l'oxyde Si02 et la formation de l'alliage AuSi sont responsables de la gravure et la formation des puits de forme cubique à la surface de Si due à l'activité catalytique de l'Au. La troisième étude concerne la croissance du graphène à partir de cristal de SiC(0001)- face Si par décomposition thermique. Le niveau de coeur C1s résolu en trois composantes principales sont associées au carbone de 6H-SiC, de graphène, et l'interface graphène/ 6H-SiC (0001). L'intensité de chaque composante est rapportée en fonction de l'angle polaire (azimutale) pour différents angles azimutales (polaire). Les mesures XPD fournissent des informations cristallographiques qui indiquent clairement que les feuillets de graphène sont organisés en structure graphite sur le substrat 6H-SiC (0001). Cette organisation résulte de l’effondrement de la maille de substrat. Enfin, le découplage à l'interface graphène/ 6H-SiC (0001) par l'oxygène a été étudié par XPS. La dernière étude concerne la croissance du film mince d'InP par MBE sur le substrat SrTi03 (001). L'intégration des semi-conducteurs III-V sur le Si, en utilisant la couche tampon d'oxyde SrTi03 est l'objet des intenses recherches, en raison des applications prometteuses dans le domaine de nano-optoélectronique. Les niveaux de coeur O1s, Sr3d, Ti2p, In3d, P2p ont été analysés et rapportés en fonction de l'angle azimutale à différents angles polaires. La comparaison des courbes XPD azimutales de Sr3d et In3d montre que les ilots InP sont orientées (001) avec la relation d'épitaxie; [110]InP(001 )/ / [100]! SrTi03 (001). La caractérisation morphologique par AFM montre des ilots InP facettés régulièrement dispersée à la surface.

Download or read book STRUCTURE ELECTRONIQUE DES COMPOSES LAMELLAIRES GASE INSE ET DE LEURS INTERFACES AVEC SI 111 DANS UNE APPROCHE DE LIAISONS FORTES written by MOCTAR OULD DADDAH.. CAMARA and published by . This book was released on 2000 with total page 147 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS CE TRAVAIL DE THESE, NOUS AVONS ETUDIE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DES LAMELLAIRES MASSIFS GASE ET INSE AINSI QUE LEURS INTERFACES AVEC SI(111). LES STRUCTURES DE BANDES DES COMPOSES MASSIFS ONT ETE DECRITES EN UTILISANT LA METHODE DES LIAISONS FORTES. LES PARAMETRES D'INTERACTION OU LES ELEMENTS DE LA MATRICE HAMILTONIEN ONT ETE OBTENUS EN AJUSTANT DES VALEURS PROPRES CALCULEES A DES RESULTATS OBTENUS PAR UNE APPROCHE EN PSEUDOPOTENTIELS. POUR OBTENIR UN TRES BON AJUSTEMENT, NOUS AVONS PROCEDE PAR LA MINIMISATION D'UNE FONCTION DES MOINDRES CARRES PAR LA METHODE DES GRADIENTS CONJUGUES. LES RESULTATS OBTENUS PERMETTENT D'ETABLIR DES RELATIONS DE DISPERSION ET DES COURBES DE DENSITES D'ETATS EN ACCORD AVEC LES RESULTATS DE PHOTOEMISSION. LA PHOTOEMISSION INVERSE RESOLUE EN K, RECEMMENT APPLIQUEE A L'ETUDE DE CES LAMELLAIRES FOURNIT DES RESULTATS LIMITES AUXQUELS SE COMPARENT LES NOTRES EN AJOUTANT UNE ORBITALE S* A LA BASE SP 3 DE NOS FONCTIONS D'ONDES ATOMIQUES. NOUS AVONS EXPLIQUE ET DISCUTE LES VARIATIONS DES PARAMETRES D'INTERACTION PAR RAPPORT A LEURS VALEURS INITIALES, DETERMINEES A PARTIR DE LA LOI D'ECHELLE, EN CONSIDERANT LA SYMETRIE DES LAMELLAIRES ETUDIES. L'ETUDE DES HETEROSTRUCTURES GASE/SI(111) ET INSE/SI(111) A ETE FAITE AVEC LES PARAMETRES OBTENUS POUR LES COMPOSES MASSIFS. LES OFFSETS ONT ETE DETERMINES PAR UNE PROCEDURE SIMPLE QUI REPOSE SUR LA CONDITION DE CHARGE NEUTRE POUR CHAQUE HETEROJONCTION. CETTE METHODE QUI INTEGRE PARFAITEMENT LES MODIFICATIONS S'OPERANT A L'INTERFACE, NOTAMMENT LES TRANSFERTS DE CHARGES, A DONNE DES RESULTATS EN TRES BON ACCORD AVEC L'EXPERIENCE. NOUS AVONS AINSI MONTRE QUE LE RESULTAT NE DEPEND PAS DU POLYTYPE DEPOSE SUR LE SUBSTRAT ET QUE L'INTERFACE INSE/SI POUVAIT ETRE SIMULEE SUR LA BASE DES DONNEES CRISTALLOGRAPHIQUES DE GASE/SI QUI A ETE ETUDIEE EN ONDES X STATIONNAIRES.

Download or read book Etude des interfaces Cu Si 111 et Cu Si 100 written by Eric Daugy and published by . This book was released on 1984 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: EXAMEN DES EVENTUELLES CORRELATIONS ENTRE LES PROPRIETES CHIMIQUES, LES PROPRIETES CRISTALLOGRAPHIQUES ET LES PROPRIETES ELECTRONIQUES DES INTERFACES. ETUDE DE L'INFLUENCE DE LA TEMPERATURE SUR LES PROPRIETES DE L'INTERFACE, AINSI QUE L'INFLUENCE DE L'ORIENTATION DES FACES DU SUPPORT. PROPRIETES D'OXYDATION DES INTERFACES EN RELATION AVEC LEURS STRUCTURES POUR LES FACES (111)

Download or read book ETUDES DES STRUCTURES ELECTRONIQUES DU SI 111 H 1X1 PAR PHOTOEMISSION ANGULAIRE written by ROLF.. GUNTHER and published by . This book was released on 1997 with total page 131 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES ETUDES DE PHOTOEMISSION FOURNI LES RESULTATS SUIVANTS : _ LA SURFACE SI(111)-H(1X1) OBTENUE PAR VOIE CHIMIQUE EST EFFECTIVEMENT D'UNE QUALITE ESCEPTIONELLE. _ LA PREPARATION DE LA SURFACE PAR VOIE CHIMIQUE N'EST PAS COMPLETEMENT MAITRISEE. NOUS AVONS TRAVAILLE SUR UNE QUARANTAINE D'ECHANTILLONS : DEUX OU TROIS ONT PRESENTE DES SPECTRES NETTEMENT SUPERIEURS AUX AUTRES. L'ORIGINE DE CETTE DIFFERENCE N'EST PAS EVIDENTE. _ LA FINESSE DES RAIES A PERMIS D'OBTENIR LA POSITION DES ETATS DE SURFACES DANS LA BANDE DE VALANECE AINSI QUE LEUR DISPERSION AVEC UNE GRANDE PRECISION. _ SUITE A CES RESULTATS, DES CALCULS LDA ET GW ONT ETE MENES PAR L'EQUIPE DU PROFESSEUR S. LOUIE A BERKELEY. LES CALCULS GW (QUASI PARTICULES), MONTRENT UN ACCORD REMARQUABLE AVEC NOS RESULTATS. _ LES MESURES SUR LES NIVEAUX 2P DU SI A HV = 108 EV QUI REPRESENTENT EN PRINCIPE LE VOLUME MONTRANT LES STRUCTURES LES PLUS FINES JAMAIS OBSERVEES SUR LES NIVEAUX DE CUR DU SI. ELLES ONT PERMIS DE MONTRER PAR AILLEURS : - QUE LA LARGEUR A MI-HAUTEUR DE CES RAIES DEPEND FORTEMENT DE LA PREPARATION DE LA SURFACE - QUE LA PLUPART DES VALEURS DONNEES DANS LA LITTERATURE POUR LA DUREE DE VIE DU TROU AINSI QUE POUR LA CONTRIBUTION DES PHONONS SONT FAUSSES. - QUE LES MESURES SUR DES SURFACES DIFFERENTES (SI(111) HYDROGENE, PHOTODESORBE, SI(7X7) MONTRENT CLAIREMENT QUE LA MESURE DE LA DUREE DE VIE DU TROU PAR PHOTOEMISSION NE PEUT ETRE UNE TECHNIQUE FIABLE. _ LES MESURES DE PHOTOEMISSION SUR LES NIVEAUX DE CUR A HV = 130 EV (SENSIBILITE A LA SURFACE) ONT PERMIS D'ETUDIER LES DEPLACEMENTS DES NIVEAUX DE CUR A LA SURFACE.

Download or read book STRUCTURE ELECTRONIQUE DE SURFACE DU SILICIUM ET DES INTERFACES AG SI ET AU SI written by Françoise Houzay and published by . This book was released on 1983 with total page 292 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DE LA SURFACE (111) DE SI ET DE SA MODIFICATION PAR DES DEPOTS FINS DE AU ET AG A L'AIDE DE LA PROTOEMISSION A RESOLUTION ANGULAIRE. STRUCTURE DE BANDE ET ETATS DE SURFACE EN FONCTION DES RECONSTRUCTIONS DE SURFACE. MISE EN EVIDENCE D'UN MECANISME D'INTERDIFFUSION DES ATOMES DE SI A TRAVERS LA COUCHE METALLIQUE POUR LES INTERFACES AG-SI ET AU-SI; PRESENCE DE NOUVEAUX ETATS ELECTRONIQUES D'INTERFACE ET D'UNE PASSIVATION PAR L'OXYGENE

Download or read book Etude par photo mission et microscopie effet tunnel des relations entre propri t s structurales et lectroniques des interfaces Ce Sc 0001 et Ag Au 111 written by Hervé Cercellier and published by . This book was released on 2004 with total page 198 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans cette thèse nous avons étudié les propriétés structurales et électroniques d'interfaces intermétalliques par STM et photoémission résolue en angle. La première partie est dédiée à l'étude du splitting de spin-orbite (SSO) de l'état de Shockley dans l'interface Ag/Au(111). A 300 K la croissance de l'Ag s'effectue couche-par-couche, et un recuit à plus haute température active l'interdiffusion. Les mesures de photoémission, étayées par une modélisation de l'interface, montrent que le SSO est proportionnel aux quantités relatives d'Au et d'Ag sondées par la fonction d'onde de l'état de surface, confirmant le caractère majoritairement atomique du couplage spin-orbite dans ces états. La deuxième partie est dédiée à l'étude du Ce, épitaxié sur Sc(0001) pour tenter d'obtenir la phase a. Les mesures RHEED concluent à la phase g faiblement hybridée, qui présente toutefois en photoémission une bande dispersive intense au niveau de Fermi, issue d'un état de surface de symétrie d.

Download or read book HETEROSTRUCTURES DE GASE ET INSE LAMELLAIRES SUR GAAS 001 ET SUR SI 111 written by HLIMA.. REQQASS and published by . This book was released on 1995 with total page 187 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRAVAIL PRESENTE DANS CETTE THESE, CONCERNE L'ETUDE D'HETEROSTRUCTURES FORMEES SUR GAAS(001) D'UNE PART ET SI(111) D'AUTRE PART, PAR LE DEPOT DES COMPOSES LAMELLAIRES GASE ET INSE PAR UNE TECHNIQUE DE JETS MOLECULAIRES. IL COMPREND ESSENTIELLEMENT DEUX PARTIES. AVEC LE SUBSTRAT GAAS(001), LES HETEROSTRUCTURES INSE SUR GAAS, GASE SUR GAAS ET A-SE SUR GAAS ONT ETE CARACTERISEES POUR LEURS PROPRIETES STRUCTURALES (EXISTENCE D'UNE EPITAXIE, CARACTERE ABRUPT DE L'INTERFACE). CES CARACTERISATIONS ONT ETE FAITES EN COURS DE CROISSANCE PAR DIFFRACTION D'ELECTRONS RAPIDES EN INCIDENCE RASANTE ET, APRES LA CROISSANCE OU EN INTERROMPANT LA CROISSANCE, PAR SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS X. CETTE ETUDE A MONTRE LES DIFFICULTES QU'IL Y A A REALISER UNE INTERFACE ABRUPTE AVEC UNE BONNE RELATION D'EPITAXIE ENTRE UN SUBSTRAT A SYMETRIE D'ORDRE 2 ET UN DEPOT A SYMETRIE D'ORDRE 3. SUR LE SUBSTRAT SI(111), LES HETEROSTRUCTURES FORMEES AVEC GASE ONT ETE CARACTERISEES APRES LEUR ELABORATION POUR LEURS PROPRIETES STRUCTURALES ET ELECTRONIQUES. L'APPROCHE DE L'INTERFACE PAR EROSION THERMIQUE PROGRESSIVE SOUS ULTRAVIDE DE LA COUCHE LAMELLAIRE DEPOSEE A ETE SUIVIE PAR DIFFRACTION D'ELECTRONS LENTS, SPECTROSCOPIE DES ELECTRONS AUGER ET PAR SPECTROSCOPIE DE RENDEMENT DE PHOTOEMISSION. CETTE ETUDE NOUS A PERMIS D'EXAMINER L'INFLUENCE DE LA STRUCTURE INITIALE DU SUBSTRAT (1 PAR 1-H, RACINE DE 3 PAR RACINE DE 3-GA, 7 PAR 7) SUR LES PROPRIETES DE L'INTERFACE ET DE DETERMINER LES DISCONTINUITES DE BANDES D'ETATS ELECTRONIQUES AUX HETEROJONCTIONS

Download or read book Etude des propri t s structurales et spectroscopiques des couches ultra minces d alcalins d pos es sur Si 111 B written by Luis Alfonso Cardenas Arellano and published by . This book was released on 2010 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les propriétés structurales et électroniques de films ultra-minces d'alcalins (K,Cs) déposés sur un substrat de Si(111)-v3 ́v3R30:B ont été étudiés par diffraction d'électrons lents (LEED), spectroscopie Auger, microscopie à effet tunnel (STM) et photoemission (ARPES, XPS). Un état de surface de symétrie s-pz a été mis en évidence par photoémission résolue en angle celui-ci présentant un maximum au taux optimal. Le site d'adsorption H3 a été identifié par IV-LEED en accord avec les prédictions théoriques. Nos mesures ARPES mettent en évidence un repliement de la bande de surface, son caractère fortement isolant ainsi qu'une largeur de bande très étroite. Dans le cas des dépôts de Césium, le gap est cependant réduit et il apparaît du poids spectral au niveau de Fermi. Ces résultats sont a priori en accord avec le caractère corrélé de ces états, ceux-ci ayant été définis initialement comme des isolants de Mott. Cependant, nous mettons en évidence dans ce travail une nouvelle reconstruction 2v3 ́2v3 caractérisée par un quadruplement de la maille de surface et associée à un gain d'énergie des électrons participant à l'état de surface. De plus, la dépendance en température des spectres de photoémission suggèrent un fort élargissement Franck-Condon associé à un fort couplage électron-phonon. L'étude des raies de cœur par photoémission haute résolution sur la ligne CASSIOPEE (synchrotron SOLEIL) nous a permis de mettre en évidence un ordre de charge à la surface pour les deux types de reconstruction observées en LEED. Tous nos résultats expérimentaux indiquent un fort couplage avec le réseau des électrons de l'état de surface induit par les alcalins ce qui n'a jamais été reporté auparavant ni fait l'objet de prédictions. Un scénario basé sur l'établissement d'une onde de densité de charge à la surface dans la limite d'un fort couplage électron-phonon est proposé. IL est proposé que la limite de l'isolant bi-polaronique soit atteinte dans le cas des couches ultra-minces d'alcalins/Si(111) offrant ainsi la possibilité d'étudier le comportement des électrons fortement couplés au réseau en présence de corrélations électroniques sur un réseau triangulaire.

Download or read book PROPRIETES ELECTRONIQUES ET STRUCTURALES DE L INTERFACE COSI written by CARMELO.. PIRRI and published by . This book was released on 1984 with total page 113 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ON PRESENTE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DES ETATS DE VALENCE ET DE COEUR DE L'INTERFACE METAL-SEMICONDUCTEUR CO/SI(111) QUI EST GOUVERNEE ESSENTIELLEMENT PAR DEUX PARAMETRES: LE RECOUVREMENT DE COBALT ET LA TEMPERATURE DE RECUIT. L'ETUDE A L'AMBIANTE MET EN EVIDENCE UNE FORTE REACTIVITE DU COBALT AVEC LES ATOMES DE LA SURFACE DE SI. L'INTERFACE DANS CE CAS EST DIFFUSE ET ON PASSE D'UNE CONFIGURATION D'ATOMES DE CO DILUEES DANS SI A UN FILM DE CO METALLIQUE. L'INTERFACE FORMEE A HAUTE TEMPERATURE (ENTRE 450**(O)C ET 700**(O)C) EST CARACTERISEE PAR UNE CONFIGURATION PARTICULIERE DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DE VALENCE POUR UN RECOUVREMENT INFERIEUR A 2 MONOCOUCHES DE CO DEPOSE, PUIS PAR LA CROISSANCE EPITAXIQUE DE COSI::(2) SUR LE SUPPORT SI(111)

Download or read book Etude des interfaces m tal noble semiconducteur written by Gilles Mathieu and published by . This book was released on 1987 with total page 248 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE EXPERIMENTALE PAR SPECTROMETRIE AUGER, DIFFRACTION D'ELECTRONS LENTS, SPECTROMETRIE DE PERTES D'ENERGIE D'ELECTRONS, PHOTOEMISSION DIRECTE ET MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION. ANALYSE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES POUR LE SYSTEME CU/SI DANS LE CAS D'UNE MONOCOUCHE DEPOSEE A CHAUD ET A TEMPERATURE AMBIANTE. ETUDE DE LA MICROSTRUCTURE DE L'INTERFACE AU/SI (111) CONSTITUEE PAR UNE MATRICE AMORPHE AU/SI CONTENANT DES MICROCRISTALLITES D'OR PUR. CARACTERISATION PAR MICROSCOPIE PAR EFFET TUNNEL DU SYSTEME AU/SI (111)

Download or read book Structure lectronique de la face 111 du silicium non reconstruite written by Saïdi Bouzidi and published by . This book was released on 1993 with total page 212 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE THESE EST CONSACREE A L'ETUDE PAR PHOTOEMISSION INVERSE DES ETATS DE CONDUCTION DE LA FACE (111) DU SILICIUM SOUS SES DIFFERENTES FORMES: SI(111)-77 ET SI(111)-11 NON RECONSTRUITE STABILISEE PAR L'HYDROGENE OU L'ARSENIC QUI SATURENT LES LIAISONS PENDANTES. NOUS MONTRONS QUE L'INTERFACE H:SI(111)-11 NE POSSEDE PAS D'ETATS ELECTRONIQUES DE SURFACE INDUITS PAR LA PRESENCE DE L'HYDROGENE. POUR LA DIRECTION IM DE LA ZONE DE BRILLOUIN DE SURFACE, LES SPECTRES DE PHOTOEMISSION INVERSE CORRESPONDANT A 2 DIRECTIONS SYMETRIQUES DES ELECTRONS INCIDENTS PAR RAPPORT A LA NORMALE SONT TRES DISSEMBLABLES. CETTE ASYMETRIE, LIEE A LA DISPOSITION DES ATOMES DE SURFACE, CONSTITUE UNE SIGNATURE DE LA STRUCTURE 11. NOUS LA RETROUVONS DANS LE CAS DE L'INTERFACE AS:SI(111)-11 DONT L'ORGANISATION GENERALE EST SEMBLABLE. L'ELECTRONEGATIVITE DE L'ARSENIC DE PREMIERE COUCHE PROVOQUE LA DESCENTE DES ETATS ELECTRONIQUES DE SI(111)-11 DONT L'UN SE RETROUVE DANS LA BANDE INTERDITE. NOUS AVONS MIS CET ETAT EN EVIDENCE, VERIFIANT AINSI AVEC UNE GRANDE PRECISION LA THEORIE DE HYBERTSEN ET LOUIE QUI PREVOIT CET EFFET. LA DERNIERE PARTIE EST CONSACREE A L'ETUDE DU SYSTEME CAF#2/SI(111). A FAIBLE RECOUVREMENT, UNE RECONSTRUCTION 33R30 EST OBTENUE ET ANALYSEE. A PLUS FORT RECOUVREMENT (>2 TRICOUCHES), LA COUCHE DE FLUOR DE SURFACE EST DESORBEE SOUS L'ACTION DES ELECTRONS INCIDENTS, REVELANT UNE SURFACE PARFAITEMENT METALLIQUE COMPOSEE DE CA#1#+ EN LIEU ET PLACE DE LA SURFACE ISOLANTE ATTENDUE. LA DISPERSION DES ETATS DE CONDUCTION DE CETTE SURFACE EST DETERMINEE ET PRESENTEE, EN RELATION AVEC DES RESULTATS DE PHOTOEMISSION ANTERIEURS