Download or read book ETUDE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE PUITS QUANTIQUES CONTRAINTS INAS INP ET INAS GAAS PAR SPECTROSCOPIE OPTIQUE written by PIERRE.. DISSEIX and published by . This book was released on 1994 with total page 196 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL CONCERNE L'ETUDE EXPERIMENTALE ET THEORIQUE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE PUITS QUANTIQUES FORTEMENT CONTRAINTS INAS/INP ET INAS/GAAS. LES PARTICULARITES DE CES DEUX SYSTEMES SONT, D'UNE PART, LE FORT DESACCORD DE MAILLE (-3,2% POUR INAS/INP ET -7,2% POUR INAS/GAAS), ET D'AUTRE PART, LES FAIBLES VALEURS DE L'ENERGIE DE BANDE INTERDITE ET DU COUPLAGE SPIN-ORBITE D'INAS CONDUISANT A DES MASSES EFFECTIVES PEU ELEVEES ET A UN COUPLAGE INTER-BANDES IMPORTANT. DES EXPERIENCES DE PHOTOLUMINESCENCE, D'ABSORPTION OPTIQUE DETECTEE THERMIQUEMENT (AODT) ET DE REFLECTIVITE ONT ETE EFFECTUEES SUR DES PUITS QUANTIQUES SIMPLES INAS/INP D'UNE A TROIS MONOCOUCHES D'EPAISSEUR, ELABORES PAR EPITAXIE EN PHASE VAPEUR PAR LA METHODE AUX HYDRURES, ET SUR DES MULTI-PUITS QUANTIQUES INAS/GAAS D'ENVIRON UNE MONOCOUCHE D'EPAISSEUR, REALISES PAR EPITAXIE SOUS JETS MOLECULAIRES. DIFFERENTES TRANSITIONS LIEES AUX PUITS D'INAS ONT ETE OBSERVEES ET LA SPECTROSCOPIE D'AODT A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE, POUR LA PREMIERE FOIS DANS LE SYSTEME INAS/INP, LA TRANSITION EXCITONIQUE IMPLIQUANT LES TROUS LEGERS. L'AJUSTEMENT DES ESTIMATIONS THEORIQUES AUX ENERGIES DES TRANSITIONS OBSERVEES A CONDUIT A LA DETERMINATION PRECISE DES DECALAGES DE BANDES AUX INTERFACES INAS/INP ET INAS/GAAS ET A L'OBTENTION DU COEFFICIENT DE SEGREGATION LIE A LA REPARTITION DE L'INDIUM DANS LES MULTI-PUITS D'INAS/GAAS. LA MODELISATION NUMERIQUE DES RESULTATS EXPERIMENTAUX A NECESSITE LA MISE EN UVRE DE MODELES INCLUANT DE FACON SATISFAISANTE LES EFFETS CONJUGUES DES FORTES CONTRAINTES ET DES COUPLAGES ENTRE BANDES. EN PARTICULIER, NOUS AVONS MIS AU POINT UNE PROCEDURE DE CALCUL PERMETTANT LA DETERMINATION CORRECTE DES ETATS DE VALENCE DANS UN PUITS QUANTIQUE CONTRAINT ET INCLUANT LE COUPLAGE ENTRE LA BANDE DES TROUS LEGERS ET LA BANDE SPIN-ORBITE QUI INTERVIENT PAR INTERACTION #K.#P VIA D'AUTRES BANDES ELOIGNEES

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE PUITS QUANTIQUES CONTRAINTS INAS INP ET NON CONTRAINTS GA0 47 IN0 53 AS INP PAR MESURES CAPACITIVES STATIQUES ET DYNAMIQUES written by CHRISTELLE.. GUILLOT and published by . This book was released on 1996 with total page 180 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE PORTE SUR L'ETUDE EXPERIMENTALE ET THEORIQUE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE PUITS QUANTIQUES FORTEMENT CONTRAINTS INAS SUR INP, ELABORES PAR LA METHODE AUX HYDRURES (H.V.P.E.) ET EN ACCORD DE MAILLE GAINAS SUR INP, ELABORES PAR LA METHODE AUX ORGANOMETALLIQUES. L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL EST DE DETERMINER, A L'AIDE DE MESURES ELECTRIQUES CAPACITE TENSION (C(V)) ET D.L.T.S. (SPECTROSCOPIE TRANSITOIRE DES NIVEAUX PROFONDS), LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES TELLES QUE LA CONCENTRATION, LA NATURE DES CENTRES PROFONDS PRESENTS DANS LE MATERIAU, LA VALEUR DE LA DISCONTINUITE DE LA BANDE DE CONDUCTION DES HETEROSTRUCTURES. POUR CELA NOUS AVONS EXPLOITE LA MODELISATION DES PROFILS DE CONCENTRATION DE PORTEURS LIBRES DE PUITS QUANTIQUES, MESURES PAR C(V). LA PRISE EN COMPTE DE L'EXTENSION DES FONCTIONS D'ONDE ELECTRONIQUE DANS LES BARRIERES ET DE L'EFFET DES CONTRAINTES AMELIORENT L'ANALYSE. NOUS AVONS INTRODUIT LA NOTION DE DEGRES DE RAIDEUR DES INTERFACES ENTRE LE MATERIAU PUITS ET BARRIERES. UNE FORME SIMPLIFIEE TRAPEZOIDALE EST ALORS CONSIDEREE POUR LE POTENTIEL DEFINISSANT LE PUITS. LA MODELISATION NUMERIQUE DES RESULTATS EXPERIMENTAUX C(V) OBTENUS SUR LES SYSTEMES GAINAS/INP DONNE UNE VALEUR DE LA DISCONTINUITE DE LA BANDE DE CONDUCTION EN BON ACCORD AVEC LES VALEURS TROUVEES DANS LA LITTERATURE. UNE ETUDE PREALABLE DU MATERIAU BARRIERE INP, PAR MESURES D.L.T.S., A PERMIS DE REALISER L'ANALYSE DE L'INFLUENCE DES CONDITIONS DE CROISSANCE (TEMPERATURE DE CROISSANCE, NATURE DES PRECURSEURS) SUR L'INCORPORATION DES IMPURETES DANS LES MATERIAUX

Download or read book tude des propri t s optiques de puits quantiques contraints ultra minces d InAs InP written by Ali Lanacer and published by . This book was released on 2006 with total page 354 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book ETUDES SPECTROSCOPIQUES DU CHROME ET DU FER DANS InP ET DE STRUCTURES A PUITS QUANTIQUES Ga0 47 In0 53 As InP ET InAs InP written by KAIS.. FERDJANI and published by . This book was released on 1991 with total page 186 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DIFFERENTES TECHNIQUES SPECTROSCOPIQUES SONT UTILISEES POUR ETUDIER DES ECHANTILLONS D'INP MASSIF DOPES AU CHROME OU AU FER ET DES HETEROSTRUCTURES DE GA#XIN#1#-#XAS/INP REALISEES PAR EPITAXIE EN PHASE VAPEUR PAR LA METHODE AUX HYDRURES. POUR LES PREMIERS, NOUS EMPLOYONS LA SPECTROSCOPIE D'ABSORPTION DETECTEE THERMIQUEMENT (DT), A BASSE TEMPERATURE, EN HYPERFREQUENCE (RESONANCE PARAMAGNETIQUE ELECTRONIQUE: RPE-DT) ET EN INFRAROUGE PROCHE (ABSORPTION OPTIQUE: AO-DT). UN SPECTROMETRE DE PHOTOLUMINESCENCE (PL) A ETE CONSTRUIT SPECIALEMENT POUR L'EXAMEN DES STRUCTURES EPITAXIALES. DIVERSES TRANSITIONS DE CR#2#+ DANS INP, NON ENCORE OBSERVEES JUSQU'ICI, SONT MISES EN EVIDENCE PAR RPE-DT EN 3 CM ET 8 MM. UN EXCELLENT ACCORD EST OBTENU AVEC UN MODELE JAHN-TELLER T E AVEC STABILISATION PAR LES CONTRAINTES. LES PARAMETRES DES HAMILTONIENS DE SPIN ET EFFECTIF SONT DETERMINES AVEC PRECISION. DES TRANSITIONS D'ELECTRONS DE LA BANDE DE VALENCE (OU D'UN NIVEAU PROCHE) AUX NIVEAUX DE FE#2#+ ET DES TRANSITIONS INTRA-CENTRES DE FE#2#+ SONT ETUDIEES PAR AO-DT. LA PL A PERMIS LA DETERMINATION DE L'EPAISSEUR DE PUITS QUANTIQUES DE GAINASINP ACCORDES ET CONDUIT A UNE VITESSE DE CROISSANCE EN BON ACCORD AVEC CELLE ESTIMEE A PARTIR DES CONDITIONS D'EPITAXIE. LES SPECTRES DE PL DES PUITS QUANTIQUES CONTRAINTS INAS/INP MONTRENT DEUX SIGNAUX: L'UN DE NATURE EXCITONIQUE (E#1HH#1) ET L'AUTRE DU A LA PRESENCE D'IMPURETES DANS LE PUITS. DES ETUDES EN FONCTION DE LA PUISSANCE D'EXCITATION ET DE LA TEMPERATURE CONFIRMENT CES IDENTIFICATIONS. LA FAIBLE LARGEUR DES PICS EXCITONIQUES INDIQUE LA BONNE QUALITE DES COUCHES D'INAS ET LA RAIDEUR DE LEURS INTERFACES. L'ENERGIE LA PLUS HAUTE OBTENUE POUR CES SIGNAUX EST 1,28 EV. ELLE EST ATTRIBUEE A UNE EPAISSEUR D'UNE OU DEUX MONOCOUCHES. UNE PREMIERE EXPERIENCE D'AO-DT SUR UN PUITS QUANTIQUE INAS/INP MONTRE QUE CETTE TECHNIQUE SERA TRES PUISSANTE POUR L'ETUDE DES STRUCTURES DE BASSE DIMENSIONNALITE

Download or read book SPECTROSCOPIE OPTIQUE DANS LES PUITS QUANTIQUES COUPLAGE ELECTRON RESEAU written by Xavier Marié and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DEUX ASPECTS DE LA SPECTROSCOPIE OPTIQUE DANS LES PUITS QUANTIQUES SONT ABORDES DANS CE MEMOIRE. D'UNE PART, ON TRAITE THEORIQUEMENT ET EXPERIMENTALEMENT DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE PUITS QUANTIQUES CONTRAINTS (IN,GA)AS/GAAS. UN MODELE BASE SUR LA THEORIE ELASTIQUE EST FORMULE AFIN D'INTERPRETER LES POSITIONS DES RAIES SPECTRALES OBSERVEES. NOUS AVONS APPLIQUE CETTE ETUDE PHYSIQUE AU CHOIX DES CARACTERISTIQUES DES PUITS PERMETTANT L'OPTIMISATION DES STRUCTURES LASERS. D'AUTRE PART, NOUS AVONS ETUDIE EXPERIMENTALEMENT PAR SPECTROSCOPIE DE PHOTOLUMINESCENCE STATIONNAIRE ET RESOLUE EN TEMPS DE REFROIDISSEMENT ET LA LOCALISATION SUR LES RUGOSITES D'INTERFACE D'EXCITONS DANS DES MULTI-PUITS QUANTIQUES GAAS/ALGAAS NON COUPLES. LA MODELISATION DE L'INTERACTION EXCITON-PHONON DANS CES STRUCTURES A PUITS QUANTIQUES MET EN EVIDENCE UN RENFORCEMENT DU TAUX DE PERTE D'ENERGIE DES EXCITONS DU FAIT DE L'INTERACTION PAR POTENTIEL DE DEFORMATION ACOUSTIQUE PAR RAPPORT AU CAS DU MASSIF. UN MODELE DE LOCALISATION DEPENDANT DE LA TEMPERATURE EXCITONIQUE PERMETTANT DE RENDRE COMPTE DES DYNAMIQUES EXPERIMENTALES D'EXCITONS A BASSE TEMPERATURE EST FORMULE

Download or read book CROISSANCE PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES ET ETUDE OPTIQUE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DES HETEROSTRUCTURES TRES CONTRAINTES INAS GAAS written by JEAN-MICHEL.. GERARD and published by . This book was released on 1990 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS PRESENTONS QUELQUES PROPRIETES DES STRUCTURES SEMICONDUCTRICES TRES CONTRAINTES INAS/GAAS. DE PAR LE FORT DESACCORD RELATIF DE PARAMETRE DE MAILLE CRISTALLINE ENTRE INAS ET GAAS (7%) CES STRUCTURES TENDENT NATURELLEMENT A ADOPTER UN MODE DE CROISSANCE TRIDIMENSIONNEL DANS DES CONDITIONS USUELLES DE CROISSANCE PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRE. LA DEPOSITION ALTERNEE DES COUCHES ATOMIQUES DES ELEMENTS III ET DE L'ARSENIC A BASSE TEMPERATURE (350C) FORCE UN MODE DE CROISSANCE BIDIMENSIONNEL DE CES COUCHES CONTRAINTES. CETTE TECHNIQUE D'EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES MODULES PERMET AINSI D'OBTENIR DES SUPER-RESEAUX INAS/AS STABLES ET DE BONNE QUALITE STRUCTURALE ET OPTIQUE. UNE ETUDE OPTIQUE (LUMINESCENCE, SPECTROSCOPIE D'EXCITATION, ABSORPTION) DE PUITS MINCES D'INAS DANS GAAS, ET DE SUPERRESEAUX DE COURTE PERIODE INAS/GAAS APPROXIMATIVEMENT ACCORDES A INP NOUS PERMET DE DETERMINER LA CONFIGURATION DE BANDES A L'INTERFACE INAS/GAAS POUR CES DEUX ETATS DE CONTRAINTE, ET L'AMPLITUDE DE L'EFFET DE SEGREGATION D'INDIUM EN SURFACE, RESPONSABLE D'ECARTS AUX PROFILS DE COMPOSITION NOMINAUX. NOUS MONTRONS AUSSI QUE L'ALLIAGE ORDONNE (INAS)#2(GAAS)#2 ET L'ALLIAGE (INGA)AS DE MEME COMPOSITION MOYENNE ONT DES STRUCTURES DE BANDES TRES SIMILAIRES AU VOISINAGE DU CENTRE DE ZONE DE BRILLOUIN DANS LA DIRECTION DE CROISSANCE. L'ANALYSE DES RESULTATS EXPERIMENTAUX S'APPUIE SUR UN MODELE DE FONCTIONS ENVELOPPES ORIGINAL PRENANT CORRECTEMENT EN COMPTE LE FORT COUPLAGE ENTRE BANDES LEGERES DE VALENCE DU AUX CONTRAINTES INTERNES. LA SUBSTITUTION ISOELECTRONIQUE D'UNE COUCHE MINCE ET L'ETUDE OPTIQUE DE L'EFFET DE CETTE PERTURBATION LOCALISEE PERMETTENT D'ETUDIER LES PROPRIETES ELECTRONIQUES D'UNE HETEROSTRUCTURE SOUS UN ANGLE LOCAL: LA DEPENDANCE SPATIALE DES DENSITES DE PROBABILITE DES ETATS ELECTRONIQUES CONFINES ET CELLE DE LA DENSITE DE CENTRES RECOMBINANTS NON RADIATIFS SONT ETUDIEES POUR UN PUITS QUANTIQUE GAAS/GAALAS. CETTE TECHNIQUE PERMET EGALEMENT UNE IDENTIFICATION DIRECTE ET SURE DE LA CONFIGURATION DE BANDES DES SUPERRESEAUX

Download or read book Etude des propri t s lectroniques des bo tes quantiques InAs InP par spectroscopie de d fauts profonds DLTS pour des applications opto lectroniques written by Mouna Zouaoui and published by . This book was released on 2014 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail porte sur une étude des propriétés électroniques des boîtes quantiques InAs/InP, qui est un système très prometteur pour les télécommunications. Ces nanoparticules sont étudiées pour différentes tailles, densité et dopage. Dans le premier chapitre, nous décrivons l'intérêt du système InAs/InP pour les applications optoélectroniques. Nous présentons la technique de croissance et quelques exemples d'applications de ces boîtes quantiques. Nous donnons une description générale complète des processus d'émission susceptible d'exister dans ces structures. Dans le deuxième chapitre, nous présentons les méthodologies de caractérisation électrique mises en jeu, en insistant sur la complémentarité de deux techniques d'analyse : la spectroscopie transitoire des défauts profonds et la mesure C(V). Dans le troisième chapitre, nous étudions ces boîtes quantiques avec la technique C(V) pour aboutir à une analyse qualitative et quantitative des profils N(W) des échantillons. Une étude de ce profil en fonction de la température nous permet de déterminer les types d'émission qui dominent dans nos structures. L'effet du fort dopage de la couche matrice, ainsi que la densité de boîtes est discuté. Dans le quatrième chapitre, une étude DLTS menée sur l'ensemble des échantillons disponibles montre plusieurs défauts reliés au contrôle de la croissance et de la qualité des interfaces. En outre, une étude plus approfondie nous permet d'extraire la réponse électrique des boîtes quantiques ainsi que leurs états électroniques s et p existants.

Download or read book REALISATION PAR EPITAXIE EN PHASE VAPEUR PAR LA METHODE AUX HYDRURES DE PUITS QUANTIQUES CONTRAINTS INAS XP 1 X INP written by ETIENNE.. GOUMET and published by . This book was released on 1999 with total page 181 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE EST CONSACRE A LA REALISATION DE STRUCTURES A PUITS QUANTIQUE CONTRAINT INAS XP 1 X/INP PAR EPITAXIE EN PHASE VAPEUR PAR LA METHODE AUX HYDRURES. IL DECRIT DANS UN PREMIER TEMPS L'ANALYSE THERMODYNAMIQUE DE LA PHASE VAPEUR DE MANIERE A DETERMINER SA COMPOSITION. L'ETUDE EXPERIMENTALE DEBUTE PAR LA REALISATION DE COUCHES EPAISSES RELAXEES PUIS SE POURSUIT PAR LA REALISATION DE STRUCTURES A PUITS QUANTIQUE. L'ANALYSE, PAR SPECTROSCOPIE DE PHOTOLUMINESCENCE A BASSE TEMPERATURE AINSI QUE PAR SPECTROSCOPIES ELECTRONIQUES (A.E.S. ET E.P.E.S.), DE CES DIFFERENTES COUCHES DEPOSEES A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE UNE VARIATION LOCALE DE LA COMPOSITION EN ARSENIC DE L'ALLIAGE DEPOSE SUIVANT LA DIRECTION DES FLUX DE CROISSANCE. CETTE VARIATION A PU ETRE ATTRIBUEE A UN APPAUVRISSEMENT DE LA PHASE VAPEUR EN ARSENIC, RESULTANT DE LA CONDENSATION. DES STRUCTURES A PUITS QUANTIQUES ONT PU NEANMOINS ETRE CARACTERISEES, EN COMPOSITION ET EN EPAISSEUR, PAR SPECTROSCOPIE DE PHOTOLUMINESCENCE. DES STRUCTURES ADAPTEES ONT EN EFFET ETE REALISEES DE MANIERE A S'AFFRANCHIR DU PHENOMENE D'APPAUVRISSEMENT EN ARSENIC. ENFIN CE MEMOIRE PROPOSE UN MODELE CINETIQUE DECRIVANT LA CROISSANCE DU TERNAIRE INAS XP 1 X EN COMPRESSION SUR INP. CE MODELE TIENT COMPTE DES PHENOMENES D'APPAUVRISSEMENT ET DE DIFFUSION A L'INTERIEUR DE LA PHASE VAPEUR, PROPRES A NOS CONDITIONS EXPERIMENTALES.

Download or read book Etude par pompage optique des puits quantiques contraints Ga1 xInxAs GaAs written by Fredj Hassen and published by . This book was released on 1994 with total page 188 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE BUT DE CE TRAVAIL EST L'ETUDE, PAR POMPAGE OPTIQUE, DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DES PUITS QUANTIQUES (PQ) CONTRAINTS GA#1#-#XIN#XAS/GAAS. CE MEMOIRE EST CONSTITUE DE DEUX PARTIES: LA PREMIERE EST UNE ETUDE THEORIQUE DE LA STRUCTURE DE BANDES DES PQ CONTRAINTS (ENERGIE DE CONFINEMENT ET FONCTION D'ONDE CORRESPONDANTE). LA DEUXIEME EST L'ETUDE EXPERIMENTALE DE CES PQ. ON A MIS EN EVIDENCE LA RELAXATION INCOMPLETE DU SPIN DES TROUS. LE TAUX DE POLARISATION DE LA LUMINESCENCE EST UN CARACTERE INTRINSEQUE DE CHAQUE PUITS. ON A FORMULE UN CRITERE POUR L'IDENTIFICATION DE LA DELOCALISATION DES TROUS LEGERS. ON A INTRODUIT LES EFFETS DE LA SEGREGATION SUPERFICIELLE D'INDIUM DANS UN MODELE DE CALCUL POUR IDENTIFIER LES DIFFERENTES RAIES OBSERVEES DANS DES PUITS ETROITS (LW

Download or read book Propri t s optiques de puits quantiques GaInAsN GaAs written by Tarik Bouragba and published by . This book was released on 2006 with total page 232 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail porte sur une étude expérimentale et théorique des propriétés optiques de puits quantiques contraints GaInAsN/GaAs élaborés par épitaxie sous jets moléculaires. Les transitions interbandes du puit GaInAsN sont étudiés par photoluminescence et absorption optique traitée thermiquement. Les énergies correspodantes sont calculées grâce à un modèle k.p. à 10 bandes traitant simultanément la contrainte et le couplage entre états électroniques de l'azote et de la bande de conduction de GaInAs. Le décalage des bandes de conduction contraint GaInAsN/GaAs et de la masse effective des porteurs sont déterminés. La force d'oscillateur et l'élargissement inhomogène des excitons ainsi que le coefficient d'absorption des puits sont extraits des spectres. Un recuit provoque un décalage vers le bleu des énergies de transition, qui résulte de l'interdiffusion In/Ga et du réarrangement local autour de l'azote.Cette réorganisation atomique conduit à une diminution du couplage de l'azote avec la bande de conduction

Download or read book Analyse des propri t s structurales et lectroniques des bo tes quantiques InAs P InP 001 written by Bruno Jean Marie Fain and published by . This book was released on 2012 with total page 190 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Nous avons étudié la croissance et les caractéristiques de boîtes quantiques InAs(P)/InP(001) fabriquées par épitaxie en phase vapeur aux organo-métalliques, avec pour objectif la réalisation d'une source de photons uniques à 1.55 μm. D'une part, l'étude des boîtes quantiques clivées par microscopie et spectroscopie à effet tunnel, sous ultra-vide à T=4K, montrent que ces nanostructures présentent jusqu'à 12 niveaux électroniques discrets. En raison de la grande hauteur des boîtes quantiques, certains niveaux présentent un nœud dans la direction de croissance. Des simulations par éléments finis montrent la pertinence d'un potentiel parabolique pour décrire le confinement latéral des boîtes quantiques. Les effets de courbures de bandes sont détaillés, mettant en évidence la contribution des niveaux de trous au courant tunnel. D'autre part, les propriétés structurales des boîtes quantiques auto-assemblées, étudiées en microscopie électronique en transmission, sont corrélées aux conditions de croissance. L'impact des précurseurs d'éléments V sur la densité de boîtes quantiques et les échanges entre les boîtes quantiques et la couche de mouillage, sont analysés. La croissance sélective de boîtes localisées dans des nano-ouvertures de diamètre inférieur à 100 nm a également été mise en œuvre afin d'obtenir un couplage spatial déterministe entre une boîte quantique et une microcavité optique. Nous montrons que la formation de boîtes quantiques par croissance sélective n'est pas régie par le mode de croissance Stranski-Krastanov, ce qui permet d'envisager de nouvelles possibilités quant au contrôle de la hauteur, de la taille latérale et de la composition des boîtes quantiques

Download or read book tude pi zospectroscopique des puits quantiques et superr seaux III V written by Pierre Lefebvre (DR CNRS).) and published by . This book was released on 1988 with total page 134 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES (PHOTOLUMINESCENCE ET REFLECTIVITE) A BASSE TEMPERATURE DE PUITS QUANTIQUES ET SUPERRESEAUX III-V SOUMIS A DES PERTURBATIONS MECANIQUES EXTERNES. CALCUL DES ENERGIES QUANTIFIEES DES TRANSITIONS OPTIQUES DANS LE CADRE DU FORMALISME DES FONCTIONS ENVELOPPES. MISE EN EVIDENCE ET MODELISATION THEORIQUE DE LA BAISSE DU COEFFICIENT DE PRESSION HYDROSTATIQUE DU GAP OPTIQUE FONDAMENTAL DANS LE CAS DES SIMPLES PUITS QUANTIQUES GASB-ALSB ET GAAS-GA#1#-#XAL#XAS, PAR RAPPORT AUX COEFFICIENTS CARACTERISTIQUES DES MATERIAUX MASSIFS (GASB ET GAAS). IMPORTANCE DE LA NON-PARABOLICITE DES BANDES D'ENERGIE. PRESENTATION D'UNE METHODE ORIGINALE D'IDENTIFICATION DES TRANSITIONS OPTIQUES (DISCRIMINATION ENTRE EXCITONS LOURDS ET LEGERS) PAR SPECTROSCOPIE DIFFERENTIELLE EN PIEZOMMODULATION BIAXIALE COPLANAIRE. SPECTROSCOPIE OPTIQUE DE MICROSTRUCTURES GAAS-GA#1#-#XAL#XAS DE TYPES I ET II, SOUS CONTRAINTE UNIAXIALE. CETTE DERNIERE EST APPLIQUEE SOIT PARALLELEMENT A L'AXE DE CROISSANCE DE LA STRUCTURE SOIT DANS LE PLAN DES COUCHES. L'ACCORD THEORIE-EXPERIENCE OBTENU POUR LES VARIATIONS SOUS CONTRAINTE DES ENERGIES DES TRANSITIONS OPTIQUES, DANS LE CAS DES ECHANTILLONS DE TYPE I PERMET D'ELARGIR LE CHAMP D'APPLICATION DU MODELE UTILISE AUX SUPERRESEAUX GAAS-ALAS DE TYPE II. LA CONTRAINTE UNIAXIALE PERMET ALORS DE CONFIRMER L'ORDONNANCEMENT DES SOUS-BANDES FONDAMENTALES DE CONDUCTION PREDIT PAR LA THEORIE DES FONCTIONS-ENVELOPPES, A CONDITION QUE LE LEGER DESACCORD DE MAILLES ENTRE GAAS ET ALAS (0,12%) SOIT PRIS EN COMPTE DANS LES CALCULS

Download or read book SPECTROSCOPIE D HETEROSTRUCTURES PIEZO ELECTRIQUES INGA AS GAAS 111 B written by PHILIPPE.. BALLET and published by . This book was released on 1997 with total page 202 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE CONTIENT UNE ANALYSE EXPERIMENTALE ET THEORIQUE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES ET OPTIQUES D'HETEROSTRUCTURES PIEZO-ELECTRIQUES IN#0#,#1#5GA#0#,#8#5AS/GAAS (111)B ELABOREES SOUS JETS MOLECULAIRES. LES TECHNIQUES SPECTROSCOPIQUES UTILISEES SONT LA PHOTOLUMINESCENCE, LA REFLECTIVITE, L'ABSORPTION OPTIQUE DETECTEE THERMIQUEMENT ET DEUX TECHNIQUES DE MODULATION : LA PHOTOREFLECTIVITE ET L'ELECTROREFLECTIVITE. LA PRESENCE DE CHAMPS ELECTRIQUES INTENSES D'ORIGINE PIEZO-ELECTRIQUE DANS LES COUCHES CONTRAINTES PROVOQUE DES CHANGEMENTS IMPORTANTS DANS LA STRUCTURE DE BANDES ET A POUR CONSEQUENCE LA MODIFICATION DES ENERGIES DE TRANSITION (EFFET STARK CONFINE QUANTIQUE) ET DE LEUR PROBABILITES. UNE ETUDE PAR PHOTOLUMINESCENCE DES EFFETS D'INJECTION DE PHOTOPORTEURS DANS CES STRUCTURES A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE DES PHENOMENES D'ACCUMULATION DE PORTEURS HORS DES PUITS QUANTIQUES. DES ETUDES PAR PHOTOREFLECTIVITE ONT CONFIRME, PAR ANALYSE DES OSCILLATIONS DE FRANZ-KELDYSH, L'AUGMENTATION DU CHAMP PIEZO-ELECTRIQUE LORSQUE LA TEMPERATURE D'EXPERIENCE S'ELEVE. DES EXPERIENCES D'ELECTROREFLECTIVITE ET ABSORPTION OPTIQUE DETECTEE THERMIQUEMENT, ASSOCIEES A LA MODELISATION DES PROPRIETES EXCITONIQUES, ONT CONDUIT A UNE DETERMINATION PRECISE DE LA VALEUR DU CHAMP PIEZO-ELECTRIQUE : 165 KV.CM#-#1. LA CONSTANTE PIEZO-ELECTRIQUE E#1#4 DEDUITE EST 30% INFERIEURE A LA VALEUR ATTENDUE PAR INTERPOLATION LINEAIRE ENTRE CELLES DES BINAIRES INAS ET GAAS. LA PRISE EN COMPTE DU PHENOMENE DE SEGREGATION DES ATOMES D'INDIUM EN SURFACE REDUIT DE MOITIE CE DESACCORD ET PERMET UNE BONNE DESCRIPTION DES ETATS EXCITES. LA COMPARAISON DES FORCES D'OSCILLATEUR EXPERIMENTALES, DEDUITES DES SPECTRES D'ELECTROREFLECTIVITE, AVEC CELLES CALCULEES PAR UNE METHODE VARIATIONNELLE CONDUIT A UNE DESCRIPTION QUALITATIVE DES EFFETS DE CHAMP ELECTRIQUES.

Download or read book PROPRIETES OPTIQUES DE PUITS QUANTIQUES INGAAS GAAS ELABORES SOUS JETS MOLECULAIRES written by CEDRIC.. MONIER and published by . This book was released on 1995 with total page 180 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL A PORTE SUR UNE ETUDE EXPERIMENTALE ET THEORIQUE DES PROPRIETES OPTIQUES D'HETEROSTRUCTURES A PUITS QUANTIQUES CONTRAINTS IN#XGA#1#-#XAS/GAAS. DES EXPERIENCES DE PHOTOLUMINESCENCE, DE REFLECTIVITE ET D'ABSORPTION OPTIQUE DETECTEE THERMIQUEMENT (AODT) ONT ETE EFFECTUEES, AUX TEMPERATURES DE L'HELIUM LIQUIDE, SUR DEUX SERIES D'ECHANTILLONS ELABORES RESPECTIVEMENT PAR EPITAXIE SOUS JETS MOLECULAIRES (EJM) ET PAR EJM A PARTIR D'ORGANO-METALLIQUES (EJMOM). L'ANALYSE SPECTRALE (ENERGIES ET LARGEURS DES SIGNAUX) DES ECHANTILLONS EJM CONFIRME CLAIREMENT QUE LA TRANSITION 2D/3D DU MODE DE CROISSANCE, PAR FORMATION D'ILOTS COHERENTS (SANS DISLOCATIONS), EST REPOUSSEE ET QUE LES PHENOMENES DE SEGREGATION DES ATOMES D'INDIUM CONNAISSENT UNE LIMITATION LORSQU'ON ELOIGNE LE SYSTEME DE L'EQUILIBRE THERMODYNAMIQUE, EN REDUISANT LA TEMPERATURE DE CROISSANCE OU EN AUGMENTANT LA VITESSE DE CROISSANCE. LES RESULTATS OBTENUS SUR LES ECHANTILLONS EJMOM REVELENT UN EXCELLENT CONTROLE DE L'EPAISSEUR DES PUITS ; L'OBSERVATION DE RAIES DISCRETES DE PHOTOLUMINESCENCE, ATTRIBUEES A DES FLUCTUATIONS D'EPAISSEURS DES PUITS D'UNE MONOCOUCHE (MC), TEMOIGNE DE LA BONNE QUALITE DES INTERFACES (LARGES ETENDUES DES TERRASSES DANS LE PLAN DE CROISSANCE). DES MECANISMES DE TRANSFERTS INTERPUITS, PAR ACTIVATION THERMIQUE DES EXCITONS, SONT MIS EN EVIDENCE ET MODELISES. DANS LA GAMME D'EPAISSEUR DES PUITS (3-16 MC), UNE COMPARAISON ENTRE LES ENERGIES DES DIFFERENTES TRANSITIONS EXCITONIQUES OBSERVEES EN AODT ET CELLES CALCULEES EN PRENANT EN COMPTE LES EFFETS DE CONTRAINTE ET DE SEGREGATION A PERMIS DE FIXER, POUR LES DEUX SERIES D'ECHANTILLONS ETUDIES, UNE VALEUR COMMUNE DU DECALAGE DE BANDES RELATIF Q#C DE 0,640,01 DANS LE DOMAINE DE COMPOSITION 0,2

Download or read book ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DE SEMI CONDUCTEURS COMPOSES III V ET DE PUITS QUANTIQUES PAR PHOTOLUMINESCENCE ET EXCITATION DE LA PHOTOLUMINESCENCE written by Didier Moroni and published by . This book was released on 1987 with total page 180 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: IDENTIFICATION DES TYPES DE RECOMBINAISON ENTRE 2 ET 300K DANS LES COUCHES EPAISSES DE GAINAS ET GAINP EPITAXIEES SUR LEUR SUPPORT RESPECTIF INP ET GAAS. ETUDE DE L'ORIGINE DE LA LUMINESCENCE ET VARIATION EN FONCTION DE L'EPAISSEUR DU TAUX DE CAPTURE DES PORTEURS DE LA BARRIERE DANS LES PUITS QUANTIQUES INGAAS/INP. DETERMINATION DU COEFFICIENT D'INTERDIFFUSION DE AL ET GA AUX INTERFACES DANS LES PUITS QUANTIQUES GAAS/GAALAS

Download or read book ETUDE OPTIQUE DES GAZ D ELECTRONS DANS LES PUITS QUANTIQUES GAAS A MODULATION DE DOPAGE written by HUGUES.. PERIC and published by . This book was released on 1993 with total page 203 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES EXCITATIONS ELECTRONIQUES D'UN GAZ D'ELECTRONS BI-DIMENSIONNEL (GE2D), CONFINE DANS UN PUITS QUANTIQUE A MODULATION DE DOPAGE, SONT ETUDIEES PAR SPECTROSCOPIE DE DIFFUSION RAMAN ET PHOTOLUMINESCENCE. L'OBSERVATION EN DIFFUSION INTER-SOUS-BANDES D'EXCITATIONS INDIVIDUELLES A UNE PARTICULE (SPE) EN PLUS DES EXCITATIONS COLLECTIVES DE DENSITE DE CHARGE OU DE DENSITE DE SPIN, NOUS A PERMIS DE MESURER L'AMPLITUDE RELATIVE DES INTERACTIONS COULOMBIENNES DIRECTE ET D'ECHANGE-CORRELATION DANS LES GE2D DE FORTE DENSITE. L'ABSENCE DE REGLES DE SELECTION POUR LA RAIE SPE, SONT ELARGISSEMENT CARACTERISTIQUE EN FONCTION DU VECTEUR D'ONDE RAMAN, SON ENERGIE VOISINE DE LA DISTANCE INTER-SOUS-BANDES, ONT PERMIS DE DEMONTRER LE CARACTERE EXCITATION A UNE PARTICULE DE CETTE RAIE. NOUS AVONS AUSSI ETUDIE L'INFLUENCE DE LA DUREE DE VIE DES ETATS ELECTRONIQUES SUR LA FORME DE RAIE DE LUMINESCENCE ET SUR LE SIGNAL SPE. EN DIFFUSION INTRA-SOUS-BANDE, ON A OBSERVE POUR LA PREMIERE FOIS DES TRANSITIONS A UNE PARTICULE ENTRE LES SOUS-BANDES DE SPINS OPPOSES DANS LA PREMIERE SOUS-BANDE DE CONDUCTION DU PUITS DE GAAS. ON A PU EN DEDUIRE, L'UNIQUE MESURE A CHAMP MAGNETIQUE NUL, DE L'ENERGIE LIEE A CE DEDOUBLEMENT DE SPIN, ET DONT L'ORIGINE SE TROUVE DANS L'ABSENCE DE SYMETRIE D'INVERSION DANS LES COMPOSES ZINC DE BLENDE. DANS LA DERNIERE PARTIE DE LA THESE, NOUS AVONS VALIDE, VIA LE DEPLACEMENT DES SIGNAUX RAMAN, LE CONCEPT DE MODULATION DE LA DENSITE DU GE2D SOUS L'EFFET D'UNE GRILLE SCHOTTKY SEMI-TRANSPARENTE. NOUS AVONS ENFIN EXPLORE DIFFERENTES VOIES DEVANT MENER A L'OBSERVATION D'EFFETS UNI-DIMENSIONNELS DANS UN GAZ D'ELECTRONS

Download or read book ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DES STRUCTURES A PUITS QUANTIQUES MULTIPLES GAAS GAALAS DANS LE DOMAINE DE L INFRAROUGE MOYEN LIEES AUX TRANSITIONS INTRABANDE written by Nathalie Herschkorn and published by . This book was released on 1988 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: REALISATION DE PUITS QUANTIQUE MULTIPLE PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES. MODELISATION DE L'ABSORPTION INTRABANDE RESONNANTE EN PRENANT EN COMPTE LA DISPERSION DES DIFFERENTES SOUS-BANDES, LES EFFETS A N CORPS ET LE DOPAGE DES MATERIAUX. OPTIMISATION D'UN MODULATEUR D'AMPLITUDE A LA LONGUEUR D'ONDE 10,6 M COMMANDE ELECTRIQUEMENT GRACE A L'EFFET STRARK QUANTIQUE. ETUDE DES HETEROSTRUCTURES GAAS/GAALAS PAR DIFFRACTION RX ET PHOTOLUMINESCENCE. REALISATION D'UNE STRUCTURE PUITS QUANTIQUE MULTIPLE DESTINEE A MODULER EN AMPLITUDE UN FAISCEAU DE LONGUEUR D'ONDE 10,6 M