Download or read book Etude des proprietes de siliciures semiconducteurs en couches minces written by Lyad Ali and published by . This book was released on 1996 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Proprietes optiques electriques et photoelectriques de couches minces de siliciure de fer semiconducteur beta FES12 sur silicium written by Karim Lefki and published by . This book was released on 1992 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Contribution l tude des couches minces obtenues par oxydation anodique du silicium propri t s du di lectrique et de l interface semiconducteur di lectrique written by René Nannoni and published by . This book was released on 1969 with total page 154 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book OPTICAL ELECTRICAL AND PHOTOELECTRICAL PROPERTIES OF IRON SILICIDE THIN FILMS ON SILICON written by Karim Lefki and published by . This book was released on 1992 with total page 173 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE DISILICIURE DE FER DANS SA PHASE BETA EST UN MATERIAU SEMICONDUCTEUR. NOUS AVONS ETUDIE QUELQUES PROPRIETES OPTIQUES, ELECTRIQUES ET PHOTOELECTRIQUES DE DIVERS ECHANTILLONS, GENERALEMENT EN COUCHES MINCES. LES MESURES ELECTRIQUES EFFECTUES SUR DES ECHANTILLONS DEPOSES SUR SILICIUM MONTRENT QUE CE SILICIURE EST UN SEMICONDUCTEUR DE TYPE P. ELLES METTENT EGALEMENT EN EVIDENCE LA PRESENCE DE DEFAUTS ELECTRIQUEMENT ACTIFS DANS LA STRUCTURE METAL/SILICIURE/SILICIUM. LA BANDE INTERDITE DE CE MATERIAU EST OBTENUE PAR MESURE DE REFLEXION-TRANSMISSION D'UN BICOUCHE SILICIURE-SILICIUM. CETTE BANDE INTERDITE EST DIRECTE, DE VALEUR 0.89 EV. LES SPECTROSCOPIES INFRAROUGES ET RAMAN ONT DONNE ACCES AUX VIBRATIONS DU RESEAU. CES RESULTATS ONT PU ETRE CORRELES A LA STRUCTURE CRISTALLOGRAPHIQUE DE CE MATERIAU. EN COMPARANT PLUSIEURS ECHANTILLONS PREPARES DIFFEREMMENT, UN DECALAGE DES RAIES INFRAROUGES ET RAMAN A EGALEMENT ETE MIS EN EVIDENCE. LE DURCISSEMENT DES MODES DE VIBRATION VA DE PAIR AVEC L'AUGMENTATION DES PARAMETRES DE RESEAU, CE QUI EST INTERPRETE PAR LA PRESENCE DE DEFAUTS DE STCHIOMETRIE DIFFERENTS SUIVANT LES ECHANTILLONS ET CORRELE AVEC LA NATURE DU SUBSTRATS. DES MESURES DE PHOTOEMISSION INTERNE ONT MONTRE L'EXISTENCE DE TRANSITIONS D'ENERGIES INFERIEURES A LA BANDE INTERDITE. LA VARIATION DU SEUIL DE PHOTOEMISSION EN FONCTION DE LA TEMPERATURE NOUS PERMET DE SUIVRE L'EVOLUTION DE LA BANDE INTERDITE DU SEMICONDUCTEUR EN ACCORD AVEC D'AUTRES AUTEURS. LA SYNTHESE DE L'ENSEMBLE DE CES RESULTATS EXPERIMENTAUX PERMET DE PROPOSER UN DIAGRAMME D'ENERGIE DE L'HETEROJONCTION SILICIURE-SILICIUM
Download or read book Pr paration et propri t s de couches minces de compos s semiconducteurs written by Constantin Paparoditis and published by . This book was released on 1963 with total page 86 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Etude des propri t s de transport dans des mat riaux semiconducteurs en couches minces pour utilisation comme photoanodes dans les cellules de conversion de l nergie solaire written by Pierre Keou and published by . This book was released on 1989 with total page 306 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DETERMINATION DES CONDITIONS DE DEPOT ET DE LEURS INFLUENCES SUR LES PROPRIETES DE COUCHES MINCES SEMICONDUCTRICES D'ITO, DE WSE#2 ET DE SITIO#3. ETUDE DES PROPRIETES PHYSICO-CHIMIQUES PAR DIFFRACTION DES RAYONS X, RETRODIFFUSION DE RUTHERFORD ET ABSORPTION OPTIQUE. MISE AU POINT D'UN DISPOSITIF EXPERIMENTAL POUR LES MESURES DE L'EFFET HALL
Download or read book QUELQUES PROPRIETES PHYSIQUE INTRINSEQUES DES SILICIURES METALLIQUES ET SEMICONDUCTEURS written by ULRICH.. GOTTLIER and published by . This book was released on 1994 with total page 260 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS LA PREMIERE PARTIE NOUS DECRIVONS LA MISE AU POINT D'UNE EXPERIENCE DE MESURES DE TRANSPORT A BASSES TEMPERATURES. NOUS AVONS CONSTRUIT UN DISPOSITIF EXPERIMENTAL QUI PERMET DE PILOTER LA ROTATION DE L'ECHANTILLON A BASSE TEMPERATURE SOUS FORT CHAMP MAGNETIQUE A PARTIR DE L'EXTERIEUR DU CRYOSTAT. LA DEUXIEME PARTIE DE LA THESE EST CONSACREE A L'ETUDE SYSTEMATIQUE DES SILICIURES ISOSTRUCTURAUX ET ISOELECTRONIQUES VSI#2, NBSI#2 ET TASI#2. LES ECHANTILLONS SONT MONOCRISTALLINS. LES TROIS COMPOSES SONT METALLIQUES ET LEUR RESISTIVITE A HAUTE TEMPERATURE EST ANISOTROPE. DES MESURES DE MAGNETORESISTANCE NOUS ONT PERMIS D'EXPLORER LA SURFACE DE FERMI DE NBSI#2. DES MESURES DE CHALEUR SPECIFIQUE A TRES BASSE TEMPERATURE REVELENT QUE LA DENSITE D'ETATS ELECTRONIQUE AU NIVEAU DE FERMI EST DEUX FOIS PLUS ELEVEE POUR VSI#2 QUE POUR LES DEUX AUTRES SILICIURES. LES TEMPERATURES DE DEBYE DES TROIS COMPOSES VARIENT EN FONCTION DE M##1#/#2 (M: MASSE MOLAIRE) INDIQUANT QUE LES FORCES INTERATOMIQUES SONT IDENTIQUES. NBSI#2 ET TASI#2 SONT SUPRACONDUCTEURS EN DESSOUS RESPECTIVEMENT 130 MK ET 353 MK. DES MESURES DE SUSCEPTIBILITE MONTRENT QUE VSI#2 EST PARAMAGNETIQUE, NBSI#2 ET TASI#2 SONT DIAMAGNETIQUES. LES SPECTRES DE PHONONS OBTENUS PAR DES MESURES DE SPECTROSCOPIE DE POINTES SONT EN BON ACCORD AVEC LES TEMPERATURES DE DEBYE OBTENUES PAR LES AUTRES METHODES. DES ETUDES SUR LES PROPRIETES DE TRANSPORT DES SILICIURES SEMICONDUCTEURS CRSI#2, RESI#1#,#7#5 ET RU#2SI#3 SONT DECRITES DANS LE TROISIEME CHAPITRE. LA PREPARATION DE MONOCRISTAUX DE CES MATERIAUX EST PLUS DIFFICILE QUE CELLE DES SILICIURES METALLIQUES. LA RESISTIVITE DES TROIS COMPOSES EST ANISOTROPE. RU#2SI#3 ET RESI#1#,#7#5 SE COMPORTENT COMME DES SEMICONDUCTEURS DOPES EN REGIME EXTRINSEQUE. CRSI#2 MONTRE PLUTOT LE COMPORTEMENT D'UN MAUVAIS METAL. LA MAGNETORESISTANCE DE RU#2SI#3 A BASSE TEMPERATURE PEUT S'INTERPRETER DANS UN MODELE DE LOCALISATION FAIBLE OU LES INTERACTIONS ELECTRON-ELECTRON SONT DOMINANTES
Download or read book ETUDE DES COUCHES MINCES TRANSPARENTES ET CONDUCTRICES ELABOREES A PARTIR DES OXYDES SEMICONDUCTEURS SRTIO 3 ITO ET TL 2 O 3 written by Zhiwen Sun and published by . This book was released on 1987 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES COUCHES MINCES DE SRRIO::(3) ET DE ITO ONT ETE ELABOREES PAR PULVERISATION CATHODIQUE R-F, ET CELLES DE TL::(2)O::(3) PAR OXYDATION ANODIQUE. ETUDE DE LEURS PROPRIETES ELECTRONIQUES ET OPTIQUES. REALISATION DE CELLULES SOLAIRES A BASE DE CES JONCTIONS SILICIUM/OXYDE. PERFORMANCES ELECTRIQUES ET RENDEMENT DE CONVERSION
Download or read book Contribution l tude de forts courants dans les couches minces sur semi conducteurs written by Joe͏̈l Lepage and published by . This book was released on 1974 with total page 107 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book SYNTHESE DE SILICIURES written by NADINE.. MALHOUROUX-GAFFET and published by . This book was released on 1993 with total page 165 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA CROISSANCE DES SILICIURES SUR SILICIUM A FAIT L'OBJET DE NOMBREUSES ETUDES MOTIVEES PAR LE CARACTERE METALLIQUE ET LA BONNE STABILITE EN TEMPERATURE DE CES MATERIAUX. DEPUIS QUELQUES ANNEES LES SILICIURES OUBLIES JUSQU'ALORS PRESENTANT DES PROPRIETES DIFFERENTES SONT AUSSI ETUDIES. C'EST LE CAS DU DISILICIURE DE FER DONT LA PHASE BASSE TEMPERATURE (BETA) SERAIT SEMICONDUCTRICE A GAP DIRECT. LES TRAVAUX DE CETTE THESE ONT CONSISTE A FORMER DU DISILICIURE DE FER PAR REACTION A L'ETAT SOLIDE DANS DES COUCHES MINCES ET DANS DES POUDRES FE+2SI BROYEES. POUR CELA DIFFERENTES ETUDES DE DIFFRACTION AUX RAYONS X, DE MET, DE MEB, DE MICROSCOPIE A FORCE ATOMIQUE, PROFILOMETRIE ET DE PHOTOLUMINESCENCE ONT ETE EFFECTUEES. LE PREMIER CHAPITRE EST UNE ETUDE BIBLIOGRAPHIQUE DES DIFFERENTS TRAVAUX PORTANT SUR LES SILICIURES SUIVIE D'UNE ANALYSE DES PARAMETRES PERTINENTS GOUVERNANT LA FORMATION DE CES MATERIAUX. LE SECOND CHAPITRE EST CONSACRE A L'ETUDE DES REACTIONS DE FILMS MINCES DE FER ET DE SILICIUM SUR UN SUBSTRAT MONOCRISTALLIN DE SILICIUM. LES RESULTATS MONTRENT L'OBTENTION DE LA PHASE HAUTE TEMPERATURE INATTENDUE A LA TEMPERATURE DE TRAVAIL UTILISEE ET LA FORMATION DE LA PHASE BASSE TEMPERATURE PAR DEUX MODES DIFFERENTS: UNE CROISSANCE CLASSIQUE AVEC UNE MORPHOLOGIE DE SURFACE FACETTEE ET UNE CROISSANCE EXPLOSIVE REVELANT DES CERCLES CONCENTRIQUES EN SURFACE. LE TROISIEME CHAPITRE TRAITE DE LA FORMATION DE SILICIURE DE FER PAR MECANO-SYNTHESE REACTIVE QUI CONSISTE A RECUIRE DES POUDRES FE+2SI PREALABLEMENT BROYEES. CETTE TECHNIQUE QUI PERMET D'EXPLOITER DES PARAMETRES NON ETUDIES AVEC LA METHODE PRECEDENTE NOUS PERMET D'ETABLIR UN SCHEMA REACTIONNEL ABOUTISSANT A LA SYNTHESE DE BETA FESI#2 ET DE METTRE EN EVIDENCE LE ROLE DE L'ETAT INITIAL DES GRAINS DE FER. A TRAVERS LES RESULTATS OBTENUS DANS CE DERNIER CHAPITRE, LA MECANO-SYNTHESE APPARAIT COMME ETANT UNE TECHNIQUE TRES PROMETTEUSE CAR ELLE PERMET D'ABAISSER LA TEMPERATURE D'ELABORATION DES MATERIAUX ET DE FORMER DES PHASES METASTABLES
Download or read book Propri t s et croissances de films minces de nitrure et dioxyde de silicium par d p t pyrolytique written by Michel Wotawa and published by . This book was released on 1979 with total page 291 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: But de l'étude entreprise: mise en œuvre d'un procède de dépôt de couches minces SI3N4 et SIO2 en vue d'application dans des dispositifs électroniques à haute intégration. après la description des propriétés de SI3N4 et de ses applications possibles dans le domaine des semi-conducteurs, choix d'une technologie de dépôt, d'un mode de croissance, d'un type d'équipement et des méthodes de mesure et de caractérisation. Les défauts de croissance dans les couches minces obtenues avec des conditions industrielles sont étudiés en détail. Enfin, mise en œuvre de techniques d'analyse complémentaires afin d'évaluer les caractéristiques physiques, chimiques et électriques essentielles pour le comportement des structures réalisées
Download or read book ETUDE DES PROPRIETES ET STRUCTURE DES COUCHES MINCES DE SILICIUM DEPOSEES PAR DECOMPOSITION THERMIQUE DE SILANE written by René Bisaro and published by . This book was released on 1987 with total page 304 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA TAILLE DES GRAINS, LA TEXTURE, LA MORPHOLOGIE DE SURFACE, LA CONDUCTIVITE ELECTRIQUE ET L'ABSORPTION OPTIQUE SONT ETUDIES EN FONCTION DES PARAMETRES DE DEPOT. L'OPTIMUM DES PROPRIETES DE TRANSPORT DES COUCHES POLYCRISTALLINES EST LIE A UN REGIME DE CRISTALLISATION EN PHASE SOLIDE. ETUDE DU PROCESSUS DE CRISTALLISATION, EFFET D'IMPURETES DOPANTES. ON MET EN EVIDENCE L'EFFET DES LIAISONS DISPONIBLES ET DE LEUR ETAT DE CHARGE SUR LE MECANISME DES CRISTALLISATION
Download or read book PROPRIETES DES COUCHES MINCES DE SILICIUM POREUX ET D ALUMINE UTILISEES POUR LA MICROELECTRONIQUE ETUDE PAR SPECTROSCOPIES ELECTRONIQUES ELLIPSOMETRIE LASER ET CARACTERISATIONS ELECTRIQUES C V written by Christine Robert-Pierrisnard and published by . This book was released on 1996 with total page 202 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DURANT CES DERNIERES ANNEES, LE DEVELOPPEMENT DES COMPOSES III-V TELS QUE L'ARSENIURE DE GALLIUM OU LE PHOSPHURE D'INDIUM FUT SPECTACULAIRE. CES COMPOSES SONT TRES INTERESSANTS POUR LES APPLICATIONS MICRO-ELECTRONIQUES ET OPTOELECTRONIQUES. OR LES CARACTERISTIQUES DE CES MATERIAUX ET DES COMPOSANTS REALISES SONT TRES SENSIBLES A LEUR ETAT DE SURFACE ET D'INTERFACE. IL EST DEVENU ESSENTIEL DE COMPRENDRE LES MECANISMES DE FORMATIONS DES STRUCTURES POUR MAITRISER AU MIEUX LA TECHNOLOGIE DES COMPOSANTS REALISES. PLUS RECEMMENT, UN NOUVEAU MATERIAU LE SILICIUM POREUX EST APPARU COMME ETANT TRES PROMETTEUR DANS LE DOMAINE DE L'OPTOELECTRONIQUE. CELUI-CI A FAIT RECEMMENT L'OBJET DE NOMBREUSES RECHERCHES COMPTE TENU DE SES PROPRIETES LUMINESCENTES DONT L'ORIGINE EST ENCORE DISCUTEE. CES PROPRIETES SEMBLENT DEPENDRE BEAUCOUP DES ETATS DE SURFACE ET D'INTERFACE. LA PREMIERE PARTIE DE CE MEMOIRE EST CONSACRE A LA CARACTERISATION DE LA SURFACE ET DE LA CONCENTRATION EN HYDROGENE D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM POREUX. LA SPECTROSCOPIE DES ELECTRONS RETRODIFFUSES ELASTIQUEMENT (EPES) S'EST AVEREE TRES PERFORMANTE. CETTE METHODE NOUS A PERMIS DE CALCULER LE COEFFICIENT DE REFLEXION ELASTIQUE POUR DIFFERENTES POROSITES. NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE UN CHANGEMENT DE MORPHOLOGIE DES COUCHES POREUSES LORS DE L'AUGMENTATION DE LA POROSITE. LA DEUXIEME PARTIE DE CE TRAVAIL ENTRE DANS LE CADRE DES ETUDES CONSACREES A LA REALISATION DE STRUCTURES MIS (METAL/ISOLANT/SEMI-CONDUCTEUR). NOUS NOUS SOMMES ATTACHEES PLUS PARTICULIEREMENT A L'ETUDE DE L'INTERFACE ISOLANT/SEMI-CONDUCTEUR. AFIN DE REALISER DE TELLES STRUCTURES, NOUS AVONS PROCEDE DANS UN PREMIER TEMPS A LA REALISATION DE COUCHES MINCES D'ALUMINE SUR DES SUBSTRATS DE SILICIUM (100). EN EFFET, UNE BONNE REPRODUCTIBILITE ET UN CONTROLE DES PARAMETRES D'ELABORATION DE L'ISOLANT SONT EXIGES POUR ABOUTIR A L'AMELIORATION PROGRESSIVE DE LA QUALITE DES COMPOSANTS REALISES. DANS UN SECOND TEMPS DES DEPOTS D'ALUMINE ONT ETE REALISES SUR DES SUBSTRATS DE PHOSPHURE D'INDIUM (100). EN NOUS APPUYANT SUR DES TRAVAUX ANTERIEURS FAITS AU LABORATOIRE LASMEA SUR LA STABILISATION DES SURFACES D'INP(100) PAR DES ATOMES D'ANTIMOINE, NOUS AVONS EFFECTUE DES ETUDES PHYSICO-CHIMIQUES ET ELECTRIQUES DES STRUCTURES DU TYPE HG/AL#2O#3/INP ET HG/AL#2O#3/INSB/INP. NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE, L'AMELIORATION SENSIBLE DE LA QUALITE DE L'ISOLANT LORS D'UNE RESTRUCTURATION DE LA SURFACE D'INP PAR DES ATOMES D'ANTIMOINE, UNE REDUCTION DE LA MIGRATION DES ELEMENTS DU SEMI-CONDUCTEUR ETANT OBSERVEE. NOUS AVONS PU CORRELER L'HISTORIQUE DE LA FORMATION DES STRUCTURES A LA MESURE ELECTRIQUE FINALE, CE QUI EST PARTICULIEREMENT IMPORTANT DANS LA COMPREHENSION DES PHENOMENES SE PRODUISANT AUX INTERFACES
Download or read book Contribution l tude des propri t s lectriques et cristallographiques de l oxyde de silicium en couches minces written by Jacques Pivot and published by . This book was released on 1969 with total page 110 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Physics Briefs written by and published by . This book was released on 1987 with total page 1656 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Current Programs written by and published by . This book was released on 1974 with total page 554 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
