Download or read book Etude des propri t s de transport dans des couches de silicium d sordonn es par implantation ionique forte dose written by Constantinos Christofides and published by . This book was released on 1986 with total page 125 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES MESURES D'EFFET HALL EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET DE LA FREQUENCE. EFFET DE LA TEMPERATURE DE RECUIT SUR LES COEFFICIENTS DE TRANSPORT ELECTRONIQUE. LES MECANISMES DE COLLISION SONT MODIFIES POUR DES TEMPERATURES DE RECUIT SUPERIEURES A 500-600**(O)C. INTERPRETATION DES RESULTATS PAR DES MODELES BASES SUR L'ORDRE A COURTE ET LONGUE PORTEE
Download or read book Etude de la restructuration de couches de silicium desordonne par implantation ionique Effet du recuit thermique sur les proprietes electriques et structurales written by Jumana Boussey and published by . This book was released on 1990 with total page 157 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS CE TRAVAIL, NOUS NOUS SOMMES INTERESSES AUX MECANISMES DE RESTRUCTURATION DE COUCHES DE SILICIUM FORTEMENT ENDOMMAGEES PAR L'IMPLANTATION A L'ARSENIC. LES ECHANTILLONS CARACTERISES ONT ETE ELABORES A PARTIR D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM 100 DE TYPE P BOMBARDE, A LA TEMPERATURE AMBIANTE, AVEC UN FAISCEAU D'IONS D'ARSENIC ACCELERE A 200 KEV. EN FAISANT VARIER LA DOSE D'IMPLANTATION, NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE, A L'AIDE DE LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE, LA TRANSITION CRISTAL-AMORPHE LORSQUE LA DOSE D'IMPLANTATION EST SUPERIEURE A LA DOSE CRITIQUE D'AMORPHISATION. LA COMBINAISON DE PLUSIEURS METHODES DE CARACTERISATION ELECTRIQUES ET PHYSIQUES NOUS A PERMIS D'ETUDIER L'EFFET DU RECUIT THERMIQUE POST-IMPLANTATION SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES ET STRUCTURALES DE CE MATERIAU. LA CORRELATION DES RESULTATS ISSUS DE CES DIFFERENTES METHODES A RENDU POSSIBLE LA MISE EN EVIDENCE D'UN PHENOMENE D'ACTIVATION ELECTRIQUE DES IMPURETES APRES RECUIT A BASSE TEMPERATURE INTERVENANT INDEPENDAMMENT DE LA RECRISTALLISATION DE LA COUCHE AMORPHE. L'ANALYSE DETAILLEE DE CE PHENOMENE A DEMONTRE QU'IL SE PRODUIT PAR UN PROCESSUS DE RELAXATION LOCALE CARACTERISEE PAR UNE FAIBLE ENERGIE D'ACTIVATION. L'ETUDE DE L'EFFET DU RECUIT THERMIQUE SUR LES PROPRIETES STRUCTURALES DES COUCHES DE SILICIUM DESORDONNE A PERMIS DE CONCLURE QUE LA MIGRATION DES DEFAUTS PONCTUELS ET DE LEURS COMPLEXES EST A L'ORIGINE DE LA RELAXATION LOCALE
Download or read book Implantation ionique au travers de couches d antimoine d pos s sic sur silicium written by Brigitte Maillot and published by . This book was released on 1982 with total page 158 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CONTRIBUTION A LA COMPREHENSION DES PHENOMENES D'IMPLANTATION PAR RECUL ET DES PHENOMENES D'INTERPENETRATION DE COUCHES INDUITS PAR FAISCEAUX D'IONS. INCIDENCE SUR L'EFFICACITE OU LA DOSE PREDEPOSEE, DES QUALITES ET DU COMPORTEMENT SOUS IRRADIATION DE LA COUCHE D'ANTIMOINE. MISE EN EVIDENCE DE L'IMPORTANCE DE LA COUCHE D'ANTIMOINE. MISE EN EVIDENCE DE L'IMPORTANCE D'UNE COUCHE MINCE D'OXYDE A L'INTERFACE SILICIUM-ANTIMOINE ET OBSERVATION DE PHENOMENES RELIES A LA STRUCTURE DE LA COUCHE D'ANTIMOINE
Download or read book Implantation forte dose de carbone dans du silicium monocristallin written by Bruno Canut and published by . This book was released on 1983 with total page 248 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: SYNTHESE DE COUCHES ENFOUIES DE SIC PAR IMPLANTATION IONIQUE A FORTE DOSE D'IONS CARBONE DANS DU SILICIUM MONOCRISTALLIN. LA PREMIERE PARTIE DE LA THESE CONCERNE L'ETUDE THEORIQUE DE L'IMPLANTATION, EN TENANT COMPTE DE CERTAINES PERTURBATIONS SPECIFIQUES DUES AUX FORTES DOSES (PULVERISATION ET VARIATION DE COMPOSITION DE LA CIBLE NOTAMMENT). LA SECONDE PARTIE CONCERNE L'ANALYSE EN PROFONDEUR DES ECHANTILLONS IMPLANTES PAR RETRODIFFUSION ELASTIQUE DE PARTICULES ALPHA . ENFIN, LA CARACTERISATION ELECTRIQUE DES ECHANTILLONS IMPLANTES EST EBAUCHEE A LA FIN DU MEMOIRE
Download or read book tude r alisation et caract risation de dopages par implantation ionique pour une application aux cellules solaires en silicium written by Adeline Lanterne and published by . This book was released on 2014 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse a pour but d'étudier le dopage par implantation ionique pour la réalisation des différentes zones dopées des cellules solaires en silicium cristallin (émetteur, champ arrière...). L'avantage de l'implantation ionique, par rapport à la diffusion gazeuse, est de pouvoir contrôler le profil des dopants implantés ainsi que de simplifier les procédés de fabrication des cellules. Deux techniques d'implantation ionique ont été utilisées dans ces travaux, l'implantation classique par faisceau d'ions et l'implantation par immersion plasma. Des dopages au phosphore, au bore et à l'arsenic ont été réalisés par cette technique d'implantation avec une activation par recuit thermique. L'importance de la température de recuit, des doses d'implantation et des couches de passivation sur la qualité électrique des jonctions formées a été mise en évidence. Des jonctions à faible courant de saturation ont pu être obtenues pour les différentes sources dopantes. Ces dopages par implantation ont ensuite été appliqués à la réalisation de cellules solaires en silicium sur substrat de type p (avec un émetteur dopé au phosphore) et sur substrat de type n (avec un émetteur dopé au bore et un champ arrière dopé au phosphore). L'utilisation de l'implantation ionique a permis d'atteindre un rendement de 19,1 % sur les cellules de type p soit un gain de 0,6 %abs par rapport au dopage par diffusion gazeuse, ainsi qu'un rendement de 20,2 % sur les cellules de type n.
Download or read book ETUDE DE L IMPLANTATION IONIQUE A HAUTE ENERGIE DE BORE ET D OXYGENE DANS LE SILICIUM written by Philippe Thevenin and published by . This book was released on 1991 with total page 134 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE THESE EST CONSACREE A L'ETUDE DE L'IMPLANTATION IONIQUE AVEC DES FAISCEAUX DE HAUTE ENERGIE, DANS LA GAMME DU MEV. TROIS ASPECTS PRINCIPAUX Y SONT ABORDES QUE SONT LA CARACTERISTION DE PROFILS IMPLANTES. L'ETUDE DE LA CREATION DE DEFAUTS ET LA SYNTHESE D'UNE COUCHE D'OXYDE ENTERREE. L'ETUDE DES PROFILS A ETE REALISEE SUR DES ECHANTILLONS DE SILICIUM IMPLANTES AVEC DU BORE ET DE L'OXYGENE, RESPECTIVEMENT ENTRE 0,5 ET 3 MEV, ET ENTRE 0,6 ET 2 MEV. LEUR CARACTERISATION EST OBTENUE PAR LA DETERMINATION DES QUATRE PREMIERS MOMENTS LONGITUDINAUX ET DE L'ECART TYPE TRANSVERSAL DE LA DISTRIBUTION VOLUMIQUE DES IONS IMPLANTES. L'ETUDE DE LEUR EVOLUTION AVEC L'ENERGIE A NOTAMMENT PERMIS DE CONSTATER LE ROLE PREPONDERANT QUE JOUENT LES INTERACTIONS ELECTRONIQUES A HAUTE ENERGIE. L'ANALYSE DE LA CREATION DE DEFAUTS A ETE REALISEE SUR DES ECHANTILLONS DE SILICIUM IMPLANTES AVEC DE L'OXYGENE DE 1 MEV ET SUIVIE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE DE LA CIBLE SOUS FAISCEAU ET DE LA DOSE IMPLANTEE. L'ENDOMMAGEMENT EST AINSI APPARU EVOLUER DEPUIS UNE SIMPLE ACCUMULATION DE DEFAUTS PONCTUELS, PREDOMINANTS JUSQU'AUX ENVIRONS DE 180C, POUR DONNER NAISSANCE A DES DISLOCATIONS IMPARFAITES A PLUS HAUTE TEMPERATURE, APPARITION EGALEMENT LIEE A UN SEUIL EN DOSE. PAR IMPLANTATION D'OXYGENE A TRES FORTE DOSE ET A 2 MEV, IL A ETE POSSIBLE DE SYNTHETISER UNE COUCHE D'OXYDE PROFONDEMENT ENTERREE ET BIEN DEFINIE, APRES UN TRAITEMENT THERMIQUE A HAUTE TEMPERATURE ET DE LONGUE DUREE
Download or read book Implantation ionique d hydrog ne et d h lium basse nergie dans le silicium monocristallin written by Nabil Daghbouj and published by . This book was released on 2016 with total page 145 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'implantation d'hydrogène à forte dose est utilisée dans le procédé Smart Cut(tm) afin de transférer des couches de silicium assez épaisses (>200 nm) sur un autre substrat. En utilisant l'implantation à très basse énergie, la co-implantation d'H et d'He pour des doses totales bien plus faibles que celles requises lorsque l'hydrogène est implanté seul ouvre la voie à un transfert de couches beaucoup plus minces (
Download or read book CARACTERISATIONS PHYSICO CHIMIQUES ET ELECTRIQUES DE COUCHES DE SI 3N 4 REALISEES PAR IMPLANTATION D AZOTE A FORTE DOSE DANS DU SILICIUM written by HAMID.. AMIDI and published by . This book was released on 1992 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS EVALUONS LES POTENTIALITES DE LA TECHNIQUE SIMNI POUR LA REALISATION DE SUBSTRATS SOI. POUR CELA, NOUS AVONS CARACTERISE DIFFERENTS SUBSTRATS SIMNI EN FONCTION DES CONDITIONS D'IMPLANTATION ET DE RECUIT. L'ANALYSE SIMS DES SUBSTRATS SIMNI A MONTRE QU'UNE FAIBLE DOSE (5.10#1#7N#+.CM##2) N'EST PAS SUFFISANTE POUR FORMER UNE COUCHE ENTERREE DE NITRURE. A FORTE DOSE (2.10#1#8N#+.CM##2), LA COUCHE ENTERREE DE NITRURE EST COMPARABLE AU NITRURE STCHIOMETRIQUE DU POINT DE VUE DE LA COMPOSITION CHIMIQUE. LES MESURES J(V) EFFECTUEES SUR LES SUBSTRATS SIMNI NOUS ONT PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE L'EXISTENCE D'UN COURANT DE FUITE IMPORTANT A TRAVERS LA COUCHE ENTERREE DE NITRURE ET D'IDENTIFIER LE MECANISME DE LA CONDUCTION DANS LA COUCHE ISOLANTE. LE FILM SUPERFICIEL DE SILICIUM EST CARACTERISE A PARTIR DES MESURES DE RESISTIVITE ET D'EFFET HALL. LES RESULTATS OBTENUS A PARTIR DE CES MESURES MONTRENT L'INVERSION DU TYPE DU FILM DE SILICIUM DUE A UNE ACTIVATION D'UN BON NOMBRE D'AZOTE APRES UN RECUIT A HAUTE TEMPERATURE. LE FILM SUPERFICIEL DE SILICIUM MALGRE SON DOPAGE ELEVE PRESENTE UNE QUALITE ELECTRIQUE COMPARABLE A CELLE DU SILICIUM MASSIF. CE TRAVAIL CONSTITUE DONC UN ENSEMBLE DE RESULTATS DE CARACTERISATION PERMETTANT D'EVALUER LES PROPRIETES PHYSICO-CHIMIQUES ET ELECTRIQUES DES SUBSTRATS SIMNI EN FONCTION DES CONDITIONS D'ELABORATION
Download or read book Etude du transport dans les couches minces de silicium sur isolant et dans les couches d inversion des TMOS written by Gérard Ghibaudo and published by . This book was released on 1984 with total page 177 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: 1. ETUDE DES PHENOMENES DE TRANSPORT DANS LES COUCHES MINCES DE SILICIUM SUR ISOLANT (SOS) ET DANS LES COUCHES D'INVERSION A L'INTERFACE SI-SIO::(2) DES TRANSISTORS MOS. L'UTILISATION DU FORMALISME GENERALISE DE TRANSPORT DE KUBO-GREENWOOD AUTORISE UNE DESCRIPTION GLOBALE DES VARIATIONS AVEC LA TEMPERATURE OU LA CONCENTRATION DES PORTEURS DES COEFFICIENTS DE TRANSPORT DANS LES TMOS. REVUE DES PROPRIETES PHYSICOCHIMIQUES ET ELECTRIQUES DU SILICIUM SUR SAPHIR FABRIQUE EN FRANCE DEPUIS 15 ANS. 2. ETUDE DE LA CINETIQUE D'OXYDATION THERMIQUE DU SILICIUM EN OXYGENE SEC. MODELE GENERAL D'OXYDATION TENANT COMPTE DES CONTRAINTES MECANIQUES ET DE LEUR RELAXATION PAR FLUAGE VISQUEUX PENDANT LA CROISSANCE DE L'OXYDE. CE MODELE PERMET LA DESCRIPTION QUANTITATIVE DU REGIME INITIAL D'OXYDATION ANORMALEMENT RAPIDE A FAIBLE EPAISSEUR D'OXYDE, ET DES VARIATIONS DE LA CONSTANTE CINETIQUE PARABOLIQUE AVEC LA TEMPERATURE D'OXYDATION
Download or read book ETUDE DES DEFAUTS APRES IMPLANTATION IONIQUE DE L OXYGENE DANS LE SILICIUM written by DANIEL.. BERTRAND and published by . This book was released on 1981 with total page 86 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DU COMPORTEMENT DE L'OXYGENE IMPLANTE DIRECTEMENT DANS LE SILICIUM PAR DIFFRACTION D'ELECTRONS ET MICROSCOPIE ELECTRONIQUE. SUIVI DE LA CONCENTRATION D'OXYGENE DANS LE SILICIUM IMPLANTE A DE FORTES DOSES PAR SONDE IONIQUE. IMPLANTATIONS D'ARSENIC SEUL OU A TRAVERS SIO::(2) AFIN DE DEGAGER LA SIMILITUDE QUI EXISTE ENTRE LES IMPLANTATIONS DIRECTES EN OXYGENE ET LE RECUL DE L'OXYGENE
Download or read book DOPAGE DU SILICIUM PAR UNE NOUVELLE METHODE D IMPLANTATION IONIQUE AVEC RECUIT PAR LASER PULSE written by Jean-Claude Müller and published by . This book was released on 1983 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DU PROCEDE DE DOPAGE PAR INCRUSTATION IONIQUE. INTERACTION DES IONS ATOMIQUES ET MOLECULAIRES AVEC LE SILICIUM. INTERACTION LASER DE PUISSANCE-MATIERE. ETUDE EXPERIMENTALE DES COUCHES INCRUSTEES AYANT SUBI UN RECUIT LASER PULSE. APPLICATION DE CETTE TECHNIQUE A LA PREPARATION DE CELLULES SOLAIRES A SILICIUM MONOCRISTALLIN ET POLYCRISTALLIN. COMPARAISON DE LEURS PERFORMANCES A CELLULES DE CELLULES PREPAREES PAR DES VOIES PLUS CONVENTIONNELLES
