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Book Etude des m  canismes d oxydation et de frittage de poudres de silicium en vue d applications photovolta  ques

Download or read book Etude des m canismes d oxydation et de frittage de poudres de silicium en vue d applications photovolta ques written by Jean-Marie Lebrun and published by . This book was released on 2012 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La conversion photovoltaïque présente de nombreux avantages. Actuellement, les technologiesbasées sur l'élaboration de wafers de silicium cristallins dominent le marché, mais sont responsablesde pertes de matières importantes, très néfastes au coût de production des cellules. Le défi à releverest donc la réalisation de matériaux bas coûts en silicium par un procédé de métallurgie des poudres.Cependant, le frittage du silicium est dominé par des mécanismes de grossissement de grains quirendent la densification difficile par frittage naturel. Dans la littérature, l'identification de cesmécanismes est sujette à controverse. En particulier, le rôle de la couche d'oxyde natif (SiO2) à lasurface des particules de silicium reste inexploré. Dans ce manuscrit, l'influence de l'atmosphère surla réduction de cette couche de silice au cours du frittage est étudiée par analysethermogravimétrique. Les cinétiques de réduction sont en accord avec un modèle thermochimiqueprenant en compte, les quantités d'oxygène initialement présentes dans poudre, la pression partielleen espèces oxydantes autour de l'échantillon et l'évolution de la porosité du fritté. Pour la premièrefois, des données expérimentales permettent de montrer que la couche de silice inhibe legrossissement de grain. Des nouveaux procédés, basés sur un contrôle de l'atmosphère enmonoxyde de silicium (SiO(g)) autour de l'échantillon, sont alors proposés afin de maitriser la stabilitéde cette couche. Bien que la couche d'oxyde retarde les cinétiques de diffusion en volume, sonmaintien à des températures de 1300 - 1400 °C permet d'améliorer significativement la densification.Dans ces conditions, le comportement au frittage du silicium peut être séparé en deux étapes,clairement mises en évidences par la présence de deux pics de retrait sur les courbes de dilatométrie.Ce résultat est inhabituel compte tenu de l'aspect monophasé du matériau étudié. Cependant, il peutêtre expliqué à l'aide d'un modèle cinétique de frittage, basé sur des simplifications géométriques enaccord avec l'évolution microstructurale du matériau.

Book   tude de la purification des poudres de silicium destin  es    la fabrication de substrats fritt  s pour des applications photovolta  ques

Download or read book tude de la purification des poudres de silicium destin es la fabrication de substrats fritt s pour des applications photovolta ques written by Alioune Sow and published by . This book was released on 2011 with total page 227 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le défi majeur auquel est confrontée l'industrie du photovoltaïque est de trouver des solutions pour produire des cellules solaires présentant un rendement de conversion élevé et un faible coût de production. La fabrication de substrats de silicium pour des applications photovoltaïques par frittage de poudres de silicium est une des solutions prometteuses pour relever ce challenge. Ces substrats frittés peuvent être utilisés directement après une étape de recristallisation comme couche active de la cellule solaire. Préparés à partir de poudres de silicium de qualité métallurgique (Si-MG), ils peuvent servir également de substrats pour des cellules solaires en couche mince de silicium cristallin déposé par épitaxie. Cependant les impuretés métalliques présentes dans le substrat peuvent diffuser vers la couche active lors des différentes étapes thermiques intervenant lors de la fabrication de la cellule et dégrader ainsi le rendement. De plus des quantités importantes d'oxygène peuvent fragiliser le substrat fritté et limiter sa conductivité électrique. L'objectif principal de ces travaux de thèse est la mise au point et l'optimisation d'un procédé de purification des poudres et frittés de silicium et d'en comprendre les processus physiques et chimiques qui contrôlent la réaction. Durant ces travaux, des conditions optimales d'élaboration et de traitements minimisant l'oxydation des poudres ont pu être trouvées afin d'obtenir une bonne tenue mécanique des frittés et ainsi de mettre en œuvre les réactions de purification dont l'oxydation constitue un obstacle majeur. La mise au point d'une technique de purification des poudres Si-MG à l'état solide en présence d'un gaz chloré a permis de réduire de plus de 90 % les impuretés métalliques initialement présentes dans la poudre. Certaines impuretés telles que le Ti et le Mn sont réduites drastiquement déjà à 900 °C tandis que la réduction des concentrations en Fe par exemple est plus efficace à partir de 1100°C. Le développement d'un modèle d'exo-diffusion a permis de prédire l'évolution de la teneur en impuretés dans les poudres et de bien comprendre les mécanismes d'élimination de ces impuretés. La mise au point de protocoles expérimentaux visant à minimiser les sources de contamination durant le procédé de frittage ont mené à une réduction de la concentration d'éléments légers (C, O) dans le matériau fritté de 95%. Nous savons également qu'un traitement de recristallisation passant par la fusion du matériau fritté permettait de réduire drastiquement les teneurs en impuretés présentes dans le substrat ; ce traitement thermique utilisé pour améliorer la qualité cristalline permet en particulier de réduire les teneurs en oxygène et en impuretés métalliques. Par contre le carbone et les dopants (B, P) n'évoluent pas après recristallisation. Enfin en réalisant des cellules solaires sur des substrats frittés utilisant les protocoles de préparation des poudres et les traitements de recristallisation, nous avons montré que les substrats frittés permettaient d'obtenir des cellules solaires fonctionnelles.

Book Etude du frittage du silicium pour application aux cellules solaires photovolta  ques

Download or read book Etude du frittage du silicium pour application aux cellules solaires photovolta ques written by Abdelkrim Derbouz Draoua and published by . This book was released on 2006 with total page 121 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Book CONTRIBUTION A L ETUDE DE L OXYDATION ELECTROCHIMIQUE DU SILICIUM EN MILIEU ORGANIQUE ET EN MILIEU AQUEUX  REALISATION DE COUCHES D OXYDE MINCES ET ULTRA MINCES POUR DES APPLICATIONS EN MOCROELECTRONIQUE

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DE L OXYDATION ELECTROCHIMIQUE DU SILICIUM EN MILIEU ORGANIQUE ET EN MILIEU AQUEUX REALISATION DE COUCHES D OXYDE MINCES ET ULTRA MINCES POUR DES APPLICATIONS EN MOCROELECTRONIQUE written by AOMAR.. HALIMAOUI and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PORTE SUR L'ETUDE DE L'OXYDATION ELECTROCHIMIQUE DU SILICIUM MONOCRISTALLIN EN MILIEU ORGANIQUE ET EN MILIEU AQUEUX. LES PROPRIETES DES COUCHES D'OXYDE OBTENUES SONT ETUDIEES EN RELATION AVEC LES PARAMETRES PHYSICO-CHIMIQUES DE L'ELECTROLYSE ET EN VUE D'UNE APPLICATION EN MICROELECTRONIQUE. DANS LA PREMIERE PARTIE DE CE TRAVAIL, CONSACREE A L'OXYDATION EN MILIEU ORGANIQUE, LE CHOIX DE L'ACETRONITRILE, QUI EST UN SOLVANT NON OXYGENE, A PERMIS DE DETERMINER SANS AMBIGUITE LA NATURE DE L'AGENT OXYDANT. NOUS AVONS MONTRE QUE LE TRANSPORT IONIC, PENDANT L'ELECTROLYSE, A TRAVERS LA COUCHE D'OXYDE S'EFFECTUE PAR UN MECANISME DE CONDUCTION PAR SAUTS. LES COUCHES D'OXYDE OBTENUES EN MILIEU ORGANIQUE SONT SOUS CERTAINS ASPECTS COMPARABLES A CELLES OBTENUES PAR OXYDATION THERMIQUE. CEPENDANT, IL A ETE MIS EN EVIDENCE UNE FORTE DENSITE DE CHARGES FIXES ATTRIBUEE A LA CONTAMINATION DE L'OXYDE PAR LES PRODUITS D'OXYDATION ELECTROCHIMIQUE DU SOLVANT. LES 2EME ET 3EME PARTIES SONT CONSACREES A L'OXYDATION DU SILICIUM EN MILIEU AQUEUX. APRES UNE ETUDE DU SYSTEME SILICIUM/SOLUTION, NOUS DISCUTONS, DANS LA 2EME PARTIE, LES MECANISMES MIS EN JEU PENDANT L'OXYDATION DU SILICIUM EN MILIEU AQUEUX. LA 3EME PARTIE EST CONSACREE A L'ELABORATION DE COUCHES D'OXYDE DANS L'EAU ULTRA PURE ET A LEUR CARACTERISATION. DES COUCHES TRES HOMOGENES, DANS LA GAMME 2 A 10 NM PEUVENT ETRE FACILEMENT OBTENUES. LEURS QUALITES SONT TOUT A FAIT CONFORMES A CELLES REQUISES PAR UN DIELECTRIQUE DE GRILLE EN MICROELECTRONIQUE

Book ETUDE DE L OXYDATION A L AIR DU NITRURE DE SILICIUM OBTENU PAR FRITTAGE NITRURANT DU MELANGE SI 6  AL

Download or read book ETUDE DE L OXYDATION A L AIR DU NITRURE DE SILICIUM OBTENU PAR FRITTAGE NITRURANT DU MELANGE SI 6 AL written by PERNETTE.. BARLIER and published by . This book was released on 1981 with total page 118 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES EFFETS DE LA MICROSTRUCTURE DANS LA FORMATION ET LA MORPHOLOGIE DES COUCHES OXYDEES FORMEES, SE SONT REVELEES LIES A LA PRESENCE D'UNE COUCHE LIMITE GAZEUSE DE MONOXYDE DE SI A LA SURFACE DU MATERIAU ET QUI PROVOQUE L'ABAISSEMENT DE LA PRESSION PARTIELLE D'O::(2) A LA SURFACE DU NITRURE DE SI LIMITANT AINSI SON OXYDATION SUPERFICIELLE. MECANISMES CHIMIQUES INTERVENANT DANS LA CROISSANCE DE LA COUCHE D'OXYDES. LA PRESENCE D'AL SEMBLE AVOIR UNE INFLUENCE BENEFIQUE SUR LA RESISTANCE A LA RUPTURE DU MATERIAU OXYDE A HAUTE TEMPERATURE

Book   tude du frittage de poudres de carbure de silicium de taille nanom  trique

Download or read book tude du frittage de poudres de carbure de silicium de taille nanom trique written by Antoine Malinge and published by . This book was released on 2011 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Book ICREEC 2019

Download or read book ICREEC 2019 written by Ahmed Belasri and published by Springer Nature. This book was released on 2020-06-10 with total page 659 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.

Book Etude d un proc  d   de recristallisation de plaquettes de silicium fritt   pour la r  alisation de cellules solaires photovolta  ques

Download or read book Etude d un proc d de recristallisation de plaquettes de silicium fritt pour la r alisation de cellules solaires photovolta ques written by Pierre Bellanger (Spécialiste en matériaux).) and published by . This book was released on 2010 with total page 140 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Aujourd'hui dans le domaine du photovoltaïque, les différentes étapes de fabrication de plaquettes de silicium restent trop chères, principalement en raison d'une forte consommation d'énergie et de matière première. En effet, environ 50 % de silicium est perdu durant l'étape de sciage des lingots et parmi les différentes voies explorées qui permettent d'éviter cette étape, le frittage de poudre de silicium est très prometteur pour la production de plaquettes de grande surface. L'entreprise S'tile située à Poitiers développe un nouveau procédé de fabrication de plaquettes composé de deux étapes : une étape de frittage basée sur la compression de poudre de silicium à haute température et une étape de recristallisation qui est nécessaire pour obtenir une structure cristalline adaptée à la réalisation de cellules photovoltaïque. Dans ce travail de thèse, l'échantillon est recristallisé par ZMR (Zone metting recristallisation) ou par FWR (Full Wafer Recristallisation). Dans un premier temps, une caractérisation structurale et chimique du matériau est réalisée. Les caractérisation électriques du matériau sont alors mesurées et la mobilité atteint des valeurs de 150 et 250 cm^(2).V^(-1 ).s^(-1) respectivement sur les échantillons recristallisés par FWR et par ZMR. Le dopage de type p est compris entre 5*10^(16) et 3*10^(17) at/cm3. La durée de vie atteint des valeurs de l'ordre de la microseconde. Après fabrication de cellules, un rendement de 8,9 % est obtenu en utilisant un procédé simplifié sans texturation. D'autres caractérisations comme la réponse spectrale, la thermographie infrarouge et la mesure de Suns-Voc sont aussi réalisées.

Book R  alisation de cellules solaires int  gr  es par oxydation localis  e d un substrat de silicium fritt   poreux

Download or read book R alisation de cellules solaires int gr es par oxydation localis e d un substrat de silicium fritt poreux written by Youssouf Boye and published by . This book was released on 2016 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les travaux de recherche menés dans cette thèse s'inscrivent dans le cadre de la réalisation de la technologie cellule solaire intégrée (i-Cell), qui est une technologie innovante de fabrication de cellules solaires à hauts rendements de conversion et à bas coût de production. L'i-Cell consiste en la réalisation de plusieurs cellules élémentaires ou sous-cellules, en feuilles minces de silicium cristallin purifié, qui sont connectées en série sur un substrat de Si fritté bas coût. La technologie i-Cell permet en effet la réduction du coût de la plaquette grâce à la faible épaisseur des feuilles de silicium et grâce à l'utilisation de substrats issus du frittage de poudres de silicium. Dans une telle structure la fonction photovoltaïque est assurée par la feuille mince de surface alors que le transport du courant et la fonction mécanique sont gérés par le substrat fritté ce quipermet de réduire les coûts de fabrication de la cellule. En effet, à l'instar des couches minces, on peut décomposer la couche active en cellules de faibles surfaces et ainsi produire sur une surface standard (156 x 156 mm2), une cellule dans laquelle circule un faible courant qui permet de réduire fortement la consommation des métaux précieux au sein de la cellule (Argent) et entre les cellules du module (Cuivre). En outre, la configuration des cellules à i-Cell permet de s'affranchir des busbars en Ag traditionnellement utilisés dans les technologies silicium. Ceci présente l'avantage d'éviter le masquage de la lumière et donc d'augmenter la puissance de la cellule. Ce travail de thèse s'articule sur deux axes de recherche principaux. Le premier est orienté sur l'étude de la cinétique d'oxydation thermique de substrats de silicium frittés poreux. Le deuxième axe concerne la réalisation du substrat fritté intégré et la réalisation des premiers prototypes d'i-Cells sur ces derniers. Ce travail a permis de démontrer la faisabilité de l'i-Cell et de réaliser des prototypes d'i-Cell sur le substrat fritté intégré. Des rendements de conversion PV supérieurs à 18% ont été ainsi obtenus.

Book Extraction de bore par oxydation du silicium liquide pour applications photovolta  ques

Download or read book Extraction de bore par oxydation du silicium liquide pour applications photovolta ques written by Mathieu Vadon and published by . This book was released on 2017 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'extraction du bore du silicium liquide est une étape d'une chaîne de procédés de purification de silicium de qualité suffisante pour les applications photovoltaïques. Cette thèse étudie en priorité le procédé dit "gaz froid" qui consiste en l'injection d'un mélange de gaz Ar-H2-H2O sur du silicium liquide chauffé électromagnétiquement. Une deuxième méthode similaire ("procédé plasma") où on injecte un plasma thermique issu d'un mélange Ar-H2-O2 a également été étudiée. Un modèle est nécessaire afin d'optimiser le procédé pour économiser de l'énergie.Les trois objectifs du modèle sont la prédiction du flux de silicium issu de la surface (vitesse d'oxydation), du flux de bore issu de la surface (pour avoir la vitesse de purification), et du seuil de passivation. Le seuil de passivation est la limite de concentration d'oxydant au-delà de laquelleil apparait une couche de silice passivante qui empêche la purification. Afin de minimiser la consommation d'énergie en accélérant le procédé, on cherche à injecter une concentration d'oxydant juste en dessous du seuil de passivation.De précédentes études ont montré que le facteur limitant pour les flux de bore et de silicium est le transport d'oxydant dans la phase gaz. Ainsi, nous avons fait un modèle monodimensionnel réactif-diffusif à l'équilibre thermodynamique de la couche limite gazeuse. Selon ce modèle, l'effet de la formation d'aérosols de silice est de diviser par deux le flux d'oxydant vers la surface, ce qui sert aux simulations CFD. Cet effet des aérosols de silice sur les flux d'oxydant peut aussi se retrouver si on enlève l'hypothèse d'équilibre thermodynamique des aérosols de silice avec la phase gaz, ce qui est confirmé par des simulations CFD et des expériences.Pour ce qui concerne l'estimation de la vitesse de purification, les données les plus réalistes concernant l'enthalpie de formation de HBO(g) et le coefficient d'activité du bore dans le silicium liquide ont été sélectionnées. Nous obtenons une bonne prédiction de la vitesse de purification à différentes températures et concentrations d'oxydant, y compris pour le cas plasma que nous avons étudié, en utilisant ces données thermodynamiques et en supposant que les produits de réaction de surface SiO(g) et HBO(g) diffusent de manière similaire. Ces coefficients de transfert identiques pour HBO(g) et SiO(g) peuvent s'expliquer par une précipitation simultanée et commune de HBO(g) et SiO(g), selon des mécanismes de germination et croissance restant à déterminer.Un dispositif expérimental de lévitation électromagnétique de silicium sous un jet oxydant a été monté. La mesure et le contrôle de température d'une bille de silicium ont été mis en oeuvre ce qui permettra la mesure sans contaminations de données thermodynamiques concernant les impuretés .Le seuil de passivation mesuré sur quelques expériences disponibles peut être prédit par notre modèle d'oxydation (associé au facteur deux représentant les aérosols de silice), si on l'associe à un critère proposé dans la littérature, qui couple la fraction du flux d'oxydant arrivant à la surface à une loi d'équilibre entre SiO(g), Si(l) et SiO2(s/l). Nous montrons dans cette thèse que la couche passivante n'est compatible avec des aérosols de silice que si ces aérosols ne sont pas en équilibre avec la phase gaz. La cinétique de formation des aérosols de silice doit donc être étudiée plus en détails.

Book APPLICATION DU TRACAGE ISOTOPIQUE A L OXYGENE 18 A L ETUDE DES MECANISMES DE TRANSPORT ATOMIQUE IMPLIQUES DANS L OXYDATION THERMIQUE DU SILICIUM SOUS OXYGENE SEC

Download or read book APPLICATION DU TRACAGE ISOTOPIQUE A L OXYGENE 18 A L ETUDE DES MECANISMES DE TRANSPORT ATOMIQUE IMPLIQUES DANS L OXYDATION THERMIQUE DU SILICIUM SOUS OXYGENE SEC written by ISABELLE.. TRIMAILLE and published by . This book was released on 1994 with total page 115 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE BUT DE CETTE THESE EST D'AMELIORER NOTRE CONNAISSANCE DE L'OXYDATION DU SILICIUM SOUS OXYGENE SEC. POUR CELA NOUS AVONS UTILISE LE TRACAGE ISOTOPIQUE A L'OXYGENE 18 ET LA MICROANALYSE NUCLEAIRE. IL AVAIT ETE PRECEDEMMENT ETABLI QU'APRES DES OXYDATIONS D'ABORD EN OXYGENE NATUREL, PUIS EN OXYGENE FORTEMENT ENRICHI EN OXYGENE 18, ON TROUVE DANS LA COUCHE D'OXYDE FORMEE, L'OXYGENE LOURD AUX DEUX INTERFACES: PRINCIPALEMENT A L'INTERFACE AVEC LE SILICIUM MAIS AUSSI A LA SURFACE EXTERNE DE L'OXYDE. LA FIXATION A LA SURFACE RESULTE D'UN PHENOMENE DE TRANSPORT DES ATOMES D'OXYGENE DU RESEAU, INDUIT PAR LA PRESENCE DE DEFAUTS. GRACE A LA RESONANCE A 151 KEV DE LA REACTION NUCLEAIRE #1#8O(P,)#1#5N, NOUS AVONS PU MONTER QUE LE PROFIL D'OXYGENE LOURD PRES DE LA SURFACE EST TRES PROCHE D'UNE FONCTION ERREUR COMPLEMENTAIRE. LA QUANTITE DE L'ISOTOPE LOURD FIXE EN SURFACE AUGMENTE LORSQUE L'EPAISSEUR DU FILM DIMINUE. PLUS LES FILMS SONT MINCES, PLUS GRANDE EST LA VITESSE D'OXYDATION INTERFACIALE. PAR IMPLANTATION D'AZOTE, NOUS AVONS INHIBE L'OXYDATION INTERFACIALE. L'ANALYSE NUCLEAIRE NOUS A PERMIS DE MONTER QUE LA FIXATION D'OXYGENE EN SURFACE NE DEPENDAIT PAS DE LA VITESSE D'OXYDATION. GRACE A UNE ETUDE EN FONCTION DE LA PRESSION D'OXYDATION, NOUS AVONS PU PROPOSER COMME DEFAUT RESPONSABLE DU MOUVEMENT DES ATOMES D'OXYGENE, LE PONT PEROXYL (LIAISON O-O). NOUS AVONS EVALUE LA PROPORTION DE CROISSANCE DU A CE MECANISME. NOUS AVONS ETUDIE L'OXYDATION THERMIQUE RAPIDE DU SILICIUM POUR DEUX NETTOYAGES CHIMIQUES DU SILICIUM. LE NETTOYAGE ACIDE FLUORHYDRIQUE SUIVI D'UN RINCAGE A L'ETHANOL CONDUIT A UNE PLUS GRANDE QUANTITE D'ATOMES DE SILICIUM SOUS FORME DE FRAGMENTS DANS L'OXYDE QUE LE NETTOYAGE ACIDE FLUORHYDRIQUE/ETHANOL. NOUS NOUS SOMMES INTERESSES A L'OXYDATION D'ALLIAGES SILICIUM-GERMANIUM: UNE COUCHE PURE SE SILICE SE FORME PAR DES MECANISMES IDENTIQUES A CEUX DE L'OXYDATION DU SILICIUM

Book Contribution    l   tude du silicium poreux

Download or read book Contribution l tude du silicium poreux written by Ahmad Bsiesy and published by . This book was released on 1991 with total page 126 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES MECANISMES DE TRANSFORMATION DU SILICIUM POREUX EN SILICE PAR VOIE ANODIQUE ONT ETE ETUDIES. LES CARACTERISTIQUES ELECTROCHIMIQUES CORRESPONDANTES, ET LA COMPOSITION CHIMIQUE DES COUCHES POREUSES OXYDEES ANODIQUEMENT ONT ETE ANALYSEES. LES RESULTATS OBTENUS MONTRENT QU'EN MODE INTENTIOSTATIQUE ET POUR DES FAIBLES COURANTS D'OXYDATION LES COLONNES DE SILICIUM POREUX SE TROUVENT EN DEPLETION ET L'ECHANGE DES TROUS N'EST DONC POSSIBLE QU'AU FOND DES PORES OU L'OXYDATION AURA PRINCIPALEMENT LIEU. POUR DES COURANTS PLUS FORTS, LES COLONNES DE SILICIUM POREUX SONT DANS UN ETAT DE DEPLETION MOINS PROFOND, VOIRE EN ACCUMULATION, ET L'OXYDATION AURA LIEU A LA FOIS AU FOND DES PORES ET SUR LES FLANCS DE CEUX-CI. UN CERTAIN NOMBRE DE RESULTATS PRELIMINAIRES ONT MONTRE QUE LE SILICIUM POREUX PEUT, DANS CERTAINES CONDITIONS, EMETTRE DE LA LUMIERE VISIBLE: LORSQUE LES DIMENSIONS DES FILAMENTS DE SILICIUM CONSTITUANT LE SILICIUM POREUX DEVIENNENT SUFFISAMMENT FINS, LES EFFETS DE CONFINEMENT QUANTIQUE DEPLACENT LES NIVEAUX ELECTRONIQUES ET FONT APPARAITRE UNE LUMINESCENCE DANS LA REGION CORRESPONDANT AUX LONGUEURS D'ONDE VISIBLES

Book ETUDE DES PHENOMENES D EVAPORATION LORS DE L ELABORATION DE SILICIUM PHOTOVOLTAIQUE A PARTIR DE POUDRES TRAITEES PAR PLASMA THERMIQUE INDUCTIF

Download or read book ETUDE DES PHENOMENES D EVAPORATION LORS DE L ELABORATION DE SILICIUM PHOTOVOLTAIQUE A PARTIR DE POUDRES TRAITEES PAR PLASMA THERMIQUE INDUCTIF written by Frank Slootman and published by . This book was released on 1988 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: MISE AU POINT DU DISPOSITIF D'ANALYSE DES PHENOMENES D'EVAPORATION A L'INTERFACE PLASMA/POUDRE DE SILICIUM, COMPRENANT UN SYSTEME FIBRE OPTIQUE-MONOCHROMATEUR HAUTE RESOLUTION-ANALYSEUR MULTICANAUX AFIN DE REGULER DES PROCEDES DE PURIFICATION DES MATERIAUX PAR PLASMA THERMIQUE

Book MODELISATION ET SIMULATION MULTI NIVEAUX DE L OXYDATION THERMIQUE DU SILICIUM SI 100

Download or read book MODELISATION ET SIMULATION MULTI NIVEAUX DE L OXYDATION THERMIQUE DU SILICIUM SI 100 written by Alain Estève and published by . This book was released on 2000 with total page 163 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PRESENTE UNE PREMIERE TENTATIVE POUR SIMULER L'OXYDATION DU SILICIUM EN TENANT COMPTE DES MECANISMES A L'ECHELLE ATOMIQUE ET EN METTANT EN UVRE UN ENSEMBLE DE MODELES HIERARCHISES. IL S'INSCRIT DANS LE CONTEXTE ACTUEL DE LA TENDANCE A LA REDUCTION DES DIMENSIONS DES COMPOSANTS MICROELECTRONIQUES, NECESSITANT DES COUCHES D'OXYDE DE PLUS EN PLUS FINES. A CES DIMENSIONS, LE RECOURS AUX MECANISMES MICROSCOPIQUES DEVIENT INEVITABLE, C'EST LA RAISON DE L'UTILISATION DES MODELES HIERARCHISES : - AB INITIO, FONDE SUR LA THEORIE DE LA FONCTIONNELLE DENSITE, POUR DETERMINER LES MECANISMES ELEMENTAIRES ET LES ENERGIES D'ACTIVATION ASSOCIEES, - MONTE CARLO POUR MELANGER CES MECANISMES ELEMENTAIRES DANS UN SYSTEME A GRAND NOMBRE D'ATOMES ET SIMULER LES CONFIGURATIONS RENCONTREES A HAUTE TEMPERATURE, - CINETIQUE CHIMIQUE QUI REPREND LES MECANISMES LES PLUS PERTINENTS POUR TRAITER DES DIMENSIONS LATERALES MACROSCOPIQUES ET POUR ACCELERER LE CALCUL, AVEC UNE FINALITE D'UTILISATION INDUSTRIELLE. CHACUN DE CES MODELES FOURNIT DES MECANISMES ET DES PARAMETRES AU MODELE SUIVANT QUI TRAITE UN PLUS GRAND NOMBRE D'ATOMES, SIMULE DES DUREES D'EXPERIENCE PLUS LONGUES AVEC DES TEMPS DE CALCUL PLUS COURTS. NOUS AVONS MONTRE, A L'AIDE DE CALCULS AB INITIO, L'EXISTENCE DE DEUX MECANISMES FONDAMENTAUX: - LA REACTION DE L'OXYGENE AVEC DES LIAISONS SI-SI POUR FORMER DES LIAISONS SI-O-SI - L'ARRACHAGE DES ATOMES DE SILICIUM CRISTALLIN POUR FORMER DES MOLECULES SIO QUI SONT ENSUITE REABSORBEES. LA TECHNIQUE DE MONTE CARLO NOUS A PERMIS DE METTRE EN CONCURRENCE CES DEUX MECANISMES, EN MEME TEMPS QUE D'AUTRES PLUS CONNUS DE LA CROISSANCE DES COUCHES. NOUS AVONS AINSI SIMULE LA CROISSANCE DE COUCHES D'OXYDE DANS DIVERSES CONDITIONS EXPERIMENTALES: TEMPERATURE, PRESSION, ET COMPARE NOS RESULTATS AVEC LES DONNEES EXPERIMENTALES DE DIFFERENTES NATURES. ENFIN NOUS AVONS EXPRIME L'EVOLUTION DES VALEURS MOYENNES DES CONCENTRATIONS DES PRINCIPALES ESPECES RENCONTREES DANS LA SIMULATION MONTE CARLO, EN TERME D'EQUATIONS AUX DERIVEES PARTIELLES. NOUS AVONS RESOLU CES EQUATIONS POUR EN DEDUIRE LA CINETIQUE D'OXYDATION ET DE CREATION DES DEFAUTS. POUR EFFECTUER CES SIMULATIONS, NOUS AVONS DEVELOPPE ET VALIDE DEUX LOGICIELS DE TYPE MONTE CARLO (OXCAD) ET MACROSCOPIQUE. LES PREMIERES VERSIONS DE CES LOGICIELS SONT SUFFISAMMENT SOUPLES POUR QUE DE NOUVEAUX PUISSENT Y ETRE FACILEMENT IMPLANTES.

Book Flexoelectricity in Liquid Crystals

Download or read book Flexoelectricity in Liquid Crystals written by Agnes Buka and published by World Scientific. This book was released on 2013 with total page 299 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The book intends to give a state-of-the-art overview of flexoelectricity, a linear physical coupling between mechanical (orientational) deformations and electric polarization, which is specific to systems with orientational order, such as liquid crystals. Chapters written by experts in the field shed light on theoretical as well as experimental aspects of research carried out since the discovery of flexoelectricity. Besides a common macroscopic (continuum) description the microscopic theory of flexoelectricity is also addressed. Electro-optic effects due to or modified by flexoelectricity as well as various (direct and indirect) measurement methods are discussed. Special emphasis is given to the role of flexoelectricity in pattern-forming instabilities. While the main focus of the book lies in flexoelectricity in nematic liquid crystals, peculiarities of other mesophases (bent-core systems, cholesterics, and smectics) are also reviewed. Flexoelectricity has relevance to biological (living) systems and can also offer possibilities for technical applications. The basics of these two interdisciplinary fields are also summarized.

Book ZnO Thin Films

Download or read book ZnO Thin Films written by Paolo Mele and published by . This book was released on 2019 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Zinc oxide (ZnO) is an n-type semiconductor with versatile applications such as optical devices in ultraviolet region, piezoelectric transducers, transparent electrode for solar cells and gas sensors. This book "ZnO Thin Films: Properties, Performance and Applications" gives a deep insight in the intriguing science of zinc oxide thin films. It is devoted to cover the most recent advances and reviews the state of the art of ZnO thin films applications involving energy harvesting, microelectronics, magnetic devices, photocatalysis, photovoltaics, optics, thermoelectricity, piezoelectricity, electrochemistry, temperature sensing. It serves as a fundamental information source on the techniques and methodologies involved in zinc oxide thin films growth, characterization, post-deposition plasma treatments and device processing. This book will be invaluable to the experts to consolidate their knowledge and provide insight and inspiration to beginners wishing to learn about zinc oxide thin films.