Download or read book ETUDE DE TRANSPORT ET DE MAGNETOTRANSPORT DANS DES GAZ D ELECTRONS MODULES LATERALEMENT A L ECHELLE NANOMETRIQUE written by LARBI.. SFAXI and published by . This book was released on 1995 with total page 199 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJET DE CETTE THESE EST D'ETUDIER THEORIQUEMENT ET EXPERIMENTALEMENT LES PROPRIETES DE TRANSPORT ET DE MAGNETOTRANSPORT DE GAZ ELECTRONIQUES BIDIMENSIONNELS MODULES LATERALEMENT, OBTENUS EN EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES SUR DES SUBSTRATS DE GAAS VICINAUX. LES EFFETS OBSERVES SONT LES SUIVANTS: * ANISOTROPIE DE RESISTIVITE ET EFFET DE MASSE NEGATIVE (A CHAMP MAGNETIQUE NUL). * MAGNETORESISTANCE POSITIVE (A FAIBLE CHAMP MAGNETIQUE). * ABSENCE DE CLIVAGE DE SPIN POUR UN CHAMP MAGNETIQUE MOYEN

Download or read book Etude d un gaz d lectrons quasi bidimensionnel dans les h t rostructures de type III V par magn to luminescence et magn to transport written by Bernard Couzinet and published by . This book was released on 1996 with total page 204 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Une tude semi classique du magn to transport dans les jonctions n p de graph ne written by Pierre Carmier and published by . This book was released on 2010 with total page 151 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans ce travail de thèse, j'étudie le transport des électrons dans le graphène en régime d'effet Hall, lorsqu'un potentiel électrostatique crée une jonction n-p dans le matériau. Cette configuration se distingue de celle dans les gaz d'électrons bidimensionnels usuels en raison de la structure de bande singulière du graphène, qui accroît significativement le couplage inter-bande via le paradoxe de Klein et entraîne également l'existence d'un effet Hall quantique anormal. Je commence par développer un formalisme semi-classique adapté à la nature pseudo-relativiste des électrons dans le graphène, dont l'outil central est l'approximation semi-classique de la fonction de Green à une particule. Cette dernière possède une contribution de phase dont je montre qu'elle doit être distinguée de la phase de Berry à laquelle il est communément fait référence dans ce contexte. Ce formalisme est ensuite mis à contribution afin d'étudier le magnéto-transport à travers une jonction n-p dans un ruban de graphène. Dans le régime magnétique (E B), je montre que la conductance associée aux états excités est essentiellement nulle tandis que celle de l'état fondamental dépend des conditions aux bords du ruban. Dans le régime électrique (E B), lorsque le potentiel électrostatique est abrupte à l'échelle de la longueur magnétique, j'obtiens en faisant appel au formalisme de Fisher-Lee-Baranger-Stone une expression semi-classique pour la conductance. Le comportement de cette dernière est discuté et comparé aux résultats expérimentaux obtenus en 2007 par Williams, DiCarlo et Marcus à Harvard.

Download or read book Transport lectronique sous champ magn tique intense dans des gaz d lectrons bidimensionnels written by Fabrice Iacovella and published by . This book was released on 2015 with total page 101 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse présente une étude de transport électronique dans des gaz d'électrons bidimensionnels sous champ magnétique intense (60T). La première partie est dédiée au gaz d'électrons formé à l'interface entre deux isolants de bandes LaAlO3/SrTiO3. Sur la plage de champ magnétique exploré, la non-linéarité de la résistance de Hall permet d'établir un régime de conduction multi-bande. Une majorité des porteurs de charge de faible mobilité (μ ~100 cm2/Vs) occupe une bande tandis qu'une minorité de porteurs de haute mobilité (μ>1000 cm2/Vs) occupent au moins deux autres bandes de conduction. La présence d'oscillations de Shubnikov-de Haas à très basse température (450mK) est associée aux porteurs de haute mobilité. La fréquence et l'amplitude des oscillations sont profondément modifiées lorsque la densité de porteurs est modulée par couplage électrostatique. Cette étude laisse entrevoir un système électronique complexe, encore peu exploré et dans lequel un nombre important de paramètres (conditions de croissance, densité de porteurs ...) sont susceptibles d'affecter les propriétés de transport électronique. La deuxième partie est consacrée à l'étude de films inhomogènes de graphène issus d'un dépôt chimique en phase vapeur. Deux échantillons aux propriétés électroniques radicalement différentes ont été étudiés. L'un d'entre eux est constitué d'un ensemble de grains de graphène multi-feuillets fortement couplés les uns aux autres. De larges oscillations de la magnéto-résistance sont observées sous champ magnétique intense, présentant un caractère pseudo-périodique en fonction du facteur de remplissage. Cette observation suggère un régime de transport dans lequel la formation des niveaux de Landau est propre à chaque "grains" de graphène multi-couche, prévenant ainsi l'établissement du régime d'effet Hall quantique sans pour autant détruire la quantification du spectre énergétique en niveaux discrets dans la réponse globale de l'échantillon. Dans un autre échantillon, la présence d'un désordre fort localise la fonction d'onde au niveau des impuretés ou des grains de graphène multi-couche. A basse température, la conductivité est nulle (caractère isolant) tant que la tension de polarisation ne dépasse pas un certain seuil. Dans ce régime de transport, la magnéto-résistance positive observée expérimentalement possède la forme fonctionnelle du modèle VRH (Variable Range Hopping), impliquant le confinement magnétique des fonctions d'onde électroniques. La troisième partie est consacrée à la recherche des états conducteurs de surface dans les isolants topologiques, en particulier les composés Bi2Se3 et Bi2Te3. L'existence de ces états électroniques aux propriétés particulières a été prédite par de nombreuses études théoriques et confirmée expérimentalement par ARPES. Leur mise en évidence par transport électronique reste cependant controversée. Nous avons souhaité utiliser un champ magnétique intense pour tenter de révéler ces états de surface à travers l'observation d'oscillations de Shubnikov-de Haas à très basse température. Bien que les résultats obtenus n'aient pas permis d'apporter une preuve irréfutable du phénomène recherché, ces derniers seront commentés au regard de la littérature existante.

Download or read book Etude exp rimentale par magn totransport et magn to optique du d sordre dans les gaz d lectrons written by Isabelle Bisotto and published by . This book was released on 2006 with total page 223 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Gaz lectronique bidimensionnel de haute mobilit dans des puits quantiques de CdTe written by Jan Kunc and published by . This book was released on 2011 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Une étude expérimentale de gaz d'électrons bidimensionnel confinés dans des puits quantiques de CdTe et de CdMnTe est présentée. L'analyse de données est soutenue par des calculs numériques de la structure de bande des états confinés, utilisant l'approximation de densité locale et de fonction enveloppe. Un calcul de type k.p a été utilisé pour justifier l'approximation parabolique appliquée pour les bandes valence. Les échantillons ont été caractérisés par spectroscopie Raman et par spectroscopie d'absorption de la résonance cyclotron infrarouge. Le magnéto-transport à bas champ est dominé par la contribution semi-classique de Drude et révèle trois contributions plus faibles, qui sont la localisation faible, l'interaction électron-électron et les oscillations Shubnikov-De Haas. La contribution des interactions électron-électron est expliquée dans un modèle semi-classique à trajectoire circulaire. La forme des niveaux de Landau, leurs élargissement, les temps de vie transport et quantique de la diffusion et le mécanisme (long-portée) de la diffusion dominant ont été déterminés. Le magnéto-transport sous champs magnétiques intenses révèle la présence d'états Hall quantique fractionnaires dans les niveaux de Landau N=0 et N=1. Nous avons montré, que les états 5/3 et 4/3 étaient complètement polarisés en spin, en accord avec l'approche des fermions composites pour l'effet Hall quantique fractionnaire. La forme de la photoluminescence à champ magnétique nul et son évolution avec la température sont décrites par un modèle analytique simple. La dépendance en champ magnétique et en température de la photoluminescence indique que le gap de spin est amplifié dans les niveaux de landau entièrement occupés. Ces effets multi-corps de l'amplification du gap du spin ont été décrits avec succès par un modèle numérique simple. L'intensité de la photoluminescence a mise en évidence l'importance des processus non-radiatifs pendant la recombinaison, la dégénérescence des niveaux de Landau, leur taux d'occupation, les règles de sélection et l'influence de l'écrantage. Le mécanisme de la relaxation parallèle de spin d'électron et de trou a été identifié et attribué au mécanisme Bir-Aharonov-Pikus, assistée par les phonons acoustiques. Les spectres de photoluminescence d'excitation reflètent la densité des états caractéristique des systèmes bidimensionnels. Les résonances excitoniques, qui sont observées aux bords des sous-bandes électriques inoccupées, illustrent l'importance de l'écrantage et des champs électriques intrinsèques dans les puits asymétriquement dopés.

Download or read book tude des ph nom nes de transport dans les gaz d lectrons deux dimensions dans les h t rojonctions par la m thode de Monte Carlo written by Yen Wu and published by . This book was released on 1988 with total page 198 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: On présente la simulation mise en oeuvre dans ce travail. On décrit les structures de bandes et la méthode de résolution auto-consistante de l'équation de Schrödinger. On étudie les différents types de collisions mis en jeu dans la simulation. On reporte les résultats relatifs à la mobilité et à la vitesse de dérive. On résume, pour finir, les divers aspects de la diffusion, mise en évidence par la simulation.

Download or read book PROPRIETES DE MAGNETO TRANSPORT DANS LES HETEROJONCTIONS ALGAAS GAAS DE TRES HAUTE MOBILITE written by ETIENNE.. PARIS and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE DOPAGE MODULE DES HETEROJONCTIONS GAALAS/GAAS PERMET DE CREER DES GAZ BIDIMENSIONNELS D'ELECTRONS DE HAUTE MOBILITE A BASSE TEMPERATURE. NOUS MONTRONS COMMENT MINIMISER LA DIFFUSION PAR LES CENTRES DOPANTS IONISES DE LA BARRIERE PAR UNE STRUCTURE A DEUX PLANS DE DOPAGE. NOUS INTRODUISONS LES PROPRIETES DE MAGNETO-TRANSPORT ET ETUDIONS LA DENSITE D'ETATS LOCALISES ENTRE NIVEAUX DE LANDAU POUR I=1 ET I=2. L'ETUDE DE L'EFFET HALL QUANTIQUE FRACTIONNAIRE DANS DES HETEROJONCTIONS DE TRES FAIBLE DENSITE DE PORTEURS DONNE DES ENERGIES D'ACTIVATION POUR LES ETATS P/Q=1/3, 2/3, 4/3, 5/3, 2/5 ET 3/5 QUI SUIVENT DES LINEAIRES EN CHAMP MAIS SONT DANS UN RAPPORT PROCHE DU CARRE DES CHARGES E/Q DES QUASI-PARTICULES. POUR DES FACTEURS DE REMPLISSAGE INFERIEURS A 0,19, LE CHAMP MAGNETIQUE INDUIT DANS LES ECHANTILLONS DE TRES HAUTE MOBILITE, LA SOLIDIFICATION DE WIGNER. ELLE EST DETECTEE GRACE A L'ABSORPTION D'UNE ONDE RADIOFREQUENCE PAR LE MODE HYBRIDE MAGNETOPLASMON TRANSVERSE. LE DIAGRAMME DE PHASE EN COORDONNEES REDUITES EST UNIVERSEL ET L'EXTRAPOLATION A CHAMP INFINI DONNE UNE TEMPERATURE DE FUSION EGALE A 95% DE CELLE DES SYSTEMES 2D CLASSIQUES. LA MAGNETO-RESISTANCE LONGITUDINALE NE PRESENTE AUCUN ACCIDENT A LA TRANSITION, MAIS UN COMPORTEMENT THERMIQUEMENT ACTIVE DONT L'ENERGIE CROIT AVEC LE CHAMP

Download or read book Etude exp rimentale des propri t s de transport lectronique au voisinage d une h t rojonction par photoconduction written by Michel Rousseau and published by . This book was released on 1989 with total page 289 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail a pour but l'étude des propriétés du transport électronique au voisinage d'une hétérojonction. L'étude expérimentale réalisée sur des structures AIGaAs (N+)/GaAs(P-) fait intervenir des mesures de photocourant et de magnétorésistance. Des simulations numériques de type Monte Carlo ont été faites pour interpréter les résultats expérimentaux et prévoir le comportement des dispositifs submicroniques. La construction du diagramme des bandes d'énergie d'un dispositif à hétérojonction à dopage modulé montre qu'il existe un puits de potentiel à l'interface. Les porteurs qui y sont confinés forment un gaz d'électrons bidimensionnel. Les principales méthodes de calcul des niveaux quantifiés d'énergie accessibles aux électrons sont décrites. Nous présentons ensuite le calcul des probabilités d'interaction des électrons avec les phonons et les impuretés, en soulignant les particularités liées au caractère bidimensionnel. L'influence d'un éclairement sur un dispositif à hétérojonction GaAs/AIGaAs est étudiée. Un modèle permettant d'interpréter et d'exploiter les mesures de magnétorésistance a été établi.Les simulations numériques réalisées ont permis d'étudier le transfert spatial des électrons de GaAs vers AIGaAs, les effets non stationnaires dans les dispositifs submicroniques et l'influence du confinement des électrons. Nous décrivons ensuite le processus de fabrication des dispositifs, en particulier des contacts ohmiques, en soulignant les problèmes spécifiques aux hétérojonctions. et les montages expérimentaux. Par des mesures de magnétorésistance sous éclairement nous avons pu déterminer directement la mobilité des électrons du gaz bidimensionnel .La comparaison des mesures de photocourant et des résultats de simulation permettent de conclure que les effets bidimensionnels sont peu importants à 300 K. A 77 K, ces effets améliorent notablement les performances du transport électronique surtout pour les faibles champs électriques.