Download or read book ETUDE DE PROPRIETES OPTIQUES DE PUITS QUANTIQUES DE SEMICONDUCTEURS DANS DEUX CAS LIMITES written by JEROME.. TIGNON and published by . This book was released on 1996 with total page 207 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS UN PREMIER TEMPS, NOUS AVONS ETUDIE LES PROPRIETES OPTIQUES D'UN ENSEMBLE DE PUITS QUANTIQUES AL#XGA#1#-#XAS/GAAS, PEU PROFONDS (X = 0.6 - 18 % D'AL), PAR DES MESURES DE PHOTOLUMINESCENCE, SOUS EXCITATION CONTINUE ET RESOLUE EN TEMPS, EN FONCTION DU CHAMP ELECTRIQUE ET DE LA TEMPERATURE. LES RESULTATS EXPERIMENTAUX SONT ANALYSES A L'AIDE D'UN CALCUL UTILISANT L'APPROXIMATION DES FONCTIONS ENVELOPPES. NOUS AVONS MONTRE QUE SI L'EFFET DU CONFINEMENT 2D DES PORTEURS RESTE IMPORTANT, CEUX-CI SONT TRES RAPIDEMENT BALAYES SOUS CHAMP ELECTRIQUE. EN PARTICULIER, NOUS AVONS EVALUE LE TEMPS DE FUITE PAR EFFET TUNNEL. D'AUTRE PART, L'AUGMENTATION DE LA TEMPERATURE CONDUIT A L'ECHAPPEMENT DES PORTEURS, AVEC D'AUTANT PLUS DE FACILITE QUE LE PUITS EST PEU PROFOND. ENFIN, NOUS AVONS MONTRE QU'EN ACCORD AVEC LA DIMINUTION DE LA FORCE D'OSCILLATEUR EXCITONIQUE, LE TEMPS DE RECOMBINAISON DES PORTEURS, A BASSE TEMPERATURE, EST PLUS LONG QUE DANS LES PUITS CONVENTIONNELS. PAR AILLEURS, LES PROCESSUS DE RELAXATION SONT RALENTIS. DANS UN DEUXIEME TEMPS, NOUS AVONS ETUDIE UNE MICROCAVITE DE SEMICONDUCTEURS QUI EST UN SYSTEME DANS LEQUEL UN CONFINEMENT EST REALISE A LA FOIS POUR LES PORTEURS ET POUR LES PHOTONS. NOUS NOUS SOMMES INTERESSES A UNE SITUATION PARTICULIERE OU UN ETAT DISCRET DU CHAMP ELECTROMAGNETIQUE EST COUPLE AVEC UN CONTINUUM D'ETATS DES EXCITATIONS ELECTRONIQUES. NOUS AVONS MONTRE QUE L'APPLICATION D'UN CHAMP MAGNETIQUE PERMET ALORS DE PASSER CONTINUMENT D'UNE SITUATION DE COUPLAGE FAIBLE DECRITE PAR LA REGLE D'OR DE FERMI A UNE SITUATION DE COUPLAGE FORT DECRITE PAR LE DEDOUBLEMENT DE RABI. UN CALCUL DES MAGNETOEXCITONS, VALABLE A TOUS LES CHAMP MAGNETIQUES, A ETE DEVELOPPE AFIN D'OBTENIR UNE COMPARAISON POUR LES ENERGIES ET LES FORCES D'OSCILLATEURS EXCITONIQUES.

Download or read book ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DE SEMI CONDUCTEURS COMPOSES III V ET DE PUITS QUANTIQUES PAR PHOTOLUMINESCENCE ET EXCITATION DE LA PHOTOLUMINESCENCE written by Didier Moroni and published by . This book was released on 1987 with total page 180 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: IDENTIFICATION DES TYPES DE RECOMBINAISON ENTRE 2 ET 300K DANS LES COUCHES EPAISSES DE GAINAS ET GAINP EPITAXIEES SUR LEUR SUPPORT RESPECTIF INP ET GAAS. ETUDE DE L'ORIGINE DE LA LUMINESCENCE ET VARIATION EN FONCTION DE L'EPAISSEUR DU TAUX DE CAPTURE DES PORTEURS DE LA BARRIERE DANS LES PUITS QUANTIQUES INGAAS/INP. DETERMINATION DU COEFFICIENT D'INTERDIFFUSION DE AL ET GA AUX INTERFACES DANS LES PUITS QUANTIQUES GAAS/GAALAS

Download or read book Propri t s lectroniques de puits quantiques superr seaux et h t rojonctions de semiconducteurs written by Catherine Priester and published by . This book was released on 1986 with total page 228 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans les structures à puits quantiques sont calculés les niveaux d'impuretés et les niveaux excitoniques. Pour ce faire, après une étude de l'approximation de masse effective à trois dimensions (couramment utilisée pour décrire des superréseaux) et de ses limites de validité, est proposée une équation de masse effective à deux dimensions, mieux adaptée à l'étude de systèmes bidimensionnels.

Download or read book Propri t s Optiques Des Puits Quantiques Et Superr seaux CdTe CdZnTe written by Hélène Ulmer Tuffigo (auteure en physique).) and published by . This book was released on 1990 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail apporte une contribution a l'etude des proprietes optiques des puits quantiques et superreseaux de semiconducteurs. Le systeme que nous avons etudie, cdte/cdznte, reunit les caracteristiques suivantes: il s'agit d'un systeme contraint possedant un faible decalage de bande de valence; de plus, l'interaction coulombienne de la paire electron-trou formant un exciton est importante, du meme ordre que les energies de confinement des porteurs. Nous avons etudie a l'aide de differentes techniques de spectroscopie optique une serie de puits quantiques simples cdte/cdznte, d'epaisseur variant entre 1000 et 20 angstroms. Les spectres des puits les plus larges sont caracterises par la presence de nombreuses raies fines correspondant aux etats quantifies du mouvement du centre de masse de l'exciton dans la couche de cdte. Ce nouveau type de quantification se transforme en la description plus habituelle de l'exciton bidimensionnel forme a partir d'un electron et d'un trou quantifies separement, au fur et a mesure que l'epaisseur de puits diminue. Nous presentons egalement les resultats de spectroscopie que nous avons obtenus sur une serie de superreseaux de type mixte: du fait des signes opposes de la contrainte dans les couches de cdte et cdznte, les electrons et les trous sont confines dans les couches de cdte (exciton de type un, direct dans l'espace reel) alors que les trous legers sont confines dans les couches de cdznte (exciton de type deux, indirect dans l'espace reel). Nous avons etudie l'influence de deux parametres sur la structure de bande de ces superreseaux: la periode et la deformation

Download or read book Etude des propri t s optiques d h t rostructures bas es sur les semiconducteurs ZnSe ZnSSe ZnMgSSe labor s par MOVPE written by Claude Boemare and published by . This book was released on 1996 with total page 276 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS PRESENTONS UNE ANALYSE DETAILLEE DES PROPRIETES OPTIQUES D'HETEROSTRUCTURES REALISEE EN EPITAXIE PAR DEPOT D'ORGANOMETALLIQUE. LES ARCHITECTURES DE CES HETEROSTRUCTURES REALISEES A BASE DE MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS A GRANDS GAP VONT DE LA SIMPLE HETERO-EPITAXIE AUX SUPER RESEAUX EN PASSANT PAR LES PUITS QUANTIQUES. LE CONTROLE DE L'HOMOGENEITE DES DEPOTS EST MIS EN EVIDENCE A TRAVERS UNE APPROCHE ORIGINALE UTILISANT LA PHYSIQUE DES EXCITATIONS ELEMENTAIRES: NOUS METTONS EN EVIDENCE APRES UNE MODELISATION SEMICLASSIQUE DE LA REFLECTANCE AU VOISINAGE DES RESONANCES EXCITONIQUES, LA QUANTIFICATION DES MODES PHOTONS DU POLARITON. DANS LE CAS DES STRUCTURES A CONFINEMENT SPATIAL DES PORTEURS DE CHARGE, UN MODELE COMPLET FAISANT APPEL AUX MECANISMES THERMO-INDUIT DE PIEGEAGE ET D'ECHAPPEMENT DES PORTEURS DE CHARGES NOUS PERMET DE RENDRE COMPTE QUANTITATIVEMENT DES MECANISMES PHYSIQUE REGISSANT L'EMISSION DE LUMIERE DANS CES MATERIAUX

Download or read book Etude des tats excitoniques dans les nanostructures cylindriques de semi conducteurs written by Serge Le Goff and published by . This book was released on 1992 with total page 208 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les boîtes quantiques de semi-conducteurs sont des hétérostructures qui, pour des dimensions de l'ordre du rayon excitonique, conduisent à une quantification totale de l'énergie de l'exciton. Leur intérêt pratique réside surtout dans leurs propriétés optiques non linéaires et la perspective de réalisation de microlasers. Tandis que la géométrie sphérique décrit assez bien les microcristallites obtenues par voie chimique dans une matrice de verre, la géométrie cylindrique est mieux adaptée aux boites de petites dimensions obtenues par dépôt moléculaire suivi d'une microgravure. Nous présentons les résultats du premier calcul variationnel de l'énergie de l'état fondamental d'un exciton dans un puits quantique cylindrique fini. Nous nous sommes placés dans l'approximation de la fonction enveloppe, qui conduit à une équation de Schrodinger effective à deux particules, où entrent en compétition les potentiels de confinement de l'électron et du trou et le potentiel coulombien décrivant leur interaction. Le confinement a d'abord été modélisé par des puits carrés infinis et ensuite par des puits carrés finis. Le comportement est qualitativement différent pour les très petites dimensions : dans le premier modèle, les effets de confinement l'emportent sur l'interaction coulombienne, tandis qu'en puits fini, le rôle du potentiel de confinement n'est plus prédominant pour des dimensions de boîtes tendant vers zéro, mais pour des dimensions de boîtes de l'ordre du rayon excitonique

Download or read book ETUDE THEORIQUE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DES HETEROSTRUCTURES DE SEMICONDUCTEURS written by José Antonio Brum and published by . This book was released on 1987 with total page 153 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: RELATIONS DE DISPERSION DES PORTEURS DANS LE PLAN DES COUCHES, AVEC ATTENTION PARTICULIERE AUX SOUS-BANDES DE VALENCE ISSUES DES EXTREMA GAMMA ::(8) DES MATERIAUX HOTES; ETUDE DES PROBLEMES COULOMBIENS AVEC RESOLUTION DU PROBLEME DE L'EXCITON ET ETUDE DE LA RAIE D'EMISSION ASSOCIEE AUX RECOMBINAISONS ELECTRON-TROU PIEGE DANS LES PUITS QUANTIQUES GAAS/ALGAAS. EFFETS D'UN CHAMP ELECTRIQUE LONGITUDINAL SUR LES NIVEAUX D'ENERGIE A UNE ET DEUX PARTICULES; INTERPRETATIONS DE LA STABILITE DE L'EXCITON ET ETUDE DES NIVEAUX D'ENERGIE D'IMPURETE ET DES SUPER RESEAUX "DENTS DE SCIE". ETUDE DE LA CAPTURE DES PORTEURS DEPUIS LE CONTINUUM VERS LES ETATS LIES DU PUITS QUANTIQUE (EMISSION DE PHONON OU NIVEAU-RELAIS QUASIDISCRET). NIVEAUX D'ENERGIE DANS LES FILS QUANTIQUES

Download or read book tude des non lin arit s optiques dynamiques dans les semiconducteurs III V written by Juan Ariel Levenson and published by . This book was released on 1988 with total page 156 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Nous avons étudié les interactions entre porteurs dans des multi-puits quantiques de GaAs/GaA1As sous fane excitation optique.Un dispositif expérimental comprenant deux sources infrarouges d'impulsions brèves (10 ps), intenses (100 MW/cm2) et indépendamment accordables en longueur d'onde, a été utilisé à cet effet.Des méthodes expérimentales de spectroscopie non-linéaire, nous ont permis d'isoler les non-linéarités optiques dues aux effets à N-corps (écrancage de l'interaction coulombienne et renormalisation des mini-bandes), de celles dont l'origine est due à l'encombrement de l'espace de phases des porteurs. Les non-linéarités optiques dues à l'occupation des états à une particule se sont avérées très intenses comparées aux effets à N-corps. L'écrantage de l'interaction coulombienne à quasi-deux dimensions a été trouvé plus faible que celui du massif. Des mesures de la renormalisation des mini-bandes élevées (obtenues en absorption) comparées aux mesures de la renormalisation du plasma (obtenues en luminescence) nous ont permis d'établir les limites de l 'approximation du déplacement rigide, communément employée pour décrire la renormalisation de la bande interdite. La dynamique de relaxation inter-bande des porteurs a pu être résolue : nous avons mis en évidence un temps caractéristique de ce processus de l'ordre de 20 ps.

Download or read book ETUDE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE PUITS QUANTIQUES CONTRAINTS INAS INP ET INAS GAAS PAR SPECTROSCOPIE OPTIQUE written by PIERRE.. DISSEIX and published by . This book was released on 1994 with total page 196 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL CONCERNE L'ETUDE EXPERIMENTALE ET THEORIQUE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE PUITS QUANTIQUES FORTEMENT CONTRAINTS INAS/INP ET INAS/GAAS. LES PARTICULARITES DE CES DEUX SYSTEMES SONT, D'UNE PART, LE FORT DESACCORD DE MAILLE (-3,2% POUR INAS/INP ET -7,2% POUR INAS/GAAS), ET D'AUTRE PART, LES FAIBLES VALEURS DE L'ENERGIE DE BANDE INTERDITE ET DU COUPLAGE SPIN-ORBITE D'INAS CONDUISANT A DES MASSES EFFECTIVES PEU ELEVEES ET A UN COUPLAGE INTER-BANDES IMPORTANT. DES EXPERIENCES DE PHOTOLUMINESCENCE, D'ABSORPTION OPTIQUE DETECTEE THERMIQUEMENT (AODT) ET DE REFLECTIVITE ONT ETE EFFECTUEES SUR DES PUITS QUANTIQUES SIMPLES INAS/INP D'UNE A TROIS MONOCOUCHES D'EPAISSEUR, ELABORES PAR EPITAXIE EN PHASE VAPEUR PAR LA METHODE AUX HYDRURES, ET SUR DES MULTI-PUITS QUANTIQUES INAS/GAAS D'ENVIRON UNE MONOCOUCHE D'EPAISSEUR, REALISES PAR EPITAXIE SOUS JETS MOLECULAIRES. DIFFERENTES TRANSITIONS LIEES AUX PUITS D'INAS ONT ETE OBSERVEES ET LA SPECTROSCOPIE D'AODT A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE, POUR LA PREMIERE FOIS DANS LE SYSTEME INAS/INP, LA TRANSITION EXCITONIQUE IMPLIQUANT LES TROUS LEGERS. L'AJUSTEMENT DES ESTIMATIONS THEORIQUES AUX ENERGIES DES TRANSITIONS OBSERVEES A CONDUIT A LA DETERMINATION PRECISE DES DECALAGES DE BANDES AUX INTERFACES INAS/INP ET INAS/GAAS ET A L'OBTENTION DU COEFFICIENT DE SEGREGATION LIE A LA REPARTITION DE L'INDIUM DANS LES MULTI-PUITS D'INAS/GAAS. LA MODELISATION NUMERIQUE DES RESULTATS EXPERIMENTAUX A NECESSITE LA MISE EN UVRE DE MODELES INCLUANT DE FACON SATISFAISANTE LES EFFETS CONJUGUES DES FORTES CONTRAINTES ET DES COUPLAGES ENTRE BANDES. EN PARTICULIER, NOUS AVONS MIS AU POINT UNE PROCEDURE DE CALCUL PERMETTANT LA DETERMINATION CORRECTE DES ETATS DE VALENCE DANS UN PUITS QUANTIQUE CONTRAINT ET INCLUANT LE COUPLAGE ENTRE LA BANDE DES TROUS LEGERS ET LA BANDE SPIN-ORBITE QUI INTERVIENT PAR INTERACTION #K.#P VIA D'AUTRES BANDES ELOIGNEES

Download or read book ETUDE DES TRANSITIONS OPTIQUES DANS DES PUITS QUANTIQUES ET DES SUPER RESEAUX GAAS ALAS EN PROPAGATION GUIDEE written by VASSILIKI.. VOLIOTIS and published by . This book was released on 1994 with total page 110 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST UNE CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DES PUITS QUANTIQUES ET DES SUPER-RESEAUX GAAS/ALAS DE COURTE PERIODE, PAR DES EXPERIENCES DE TRANSMISSION EN PROPAGATION GUIDEE, A BASSE TEMPERATURE. LA CARACTERISATION COMPLETE ET LA DETERMINATION DES PARAMETRES DU GUIDE SONT ESSENTIELLES POUR L'ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DES PUITS QUANTIQUES ISOLES OU SUPER-RESEAUX IMMERGES DANS LES STRUCTURES GUIDANTES. DANS CETTE CONFIGURATION EXPERIMENTALE, NOUS DETERMINONS LES COEFFICIENTS D'ABSORPTION DANS LES DEUX DIRECTIONS DE POLARISATION, PARALLELE ET PERPENDICULAIRE AU PLAN DES COUCHES ET NOUS EN DEDUISONS LES ENERGIES DE LIAISON ET LES FORCES D'OSCILLATEUR DES EXCITONS LOURDS ET LEGERS DES PUITS QUANTIQUES ETUDIES. NOUS AVONS EGALEMENT MESURE LE FAIBLE COEFFICIENT D'ABSORPTION DES TRANSITIONS OPTIQUES ENTRE ELECTRONS CONFINES DANS DES VALLEES X D'ALAS ET DES TROUS SITUES SUR DES ETATS GAMMA DE GAAS, DANS DES SUPER-RESEAUX (GAAS) N (ALAS) M DE TYPE-II. LA COMPARAISON DES RESULTATS EXPERIMENTAUX A UN CALCUL THEORIQUE DU COEFFICIENT D'ADSORPTION DANS UN SUPER-RESEAU DE TYPE-II A PERMIS DE DEDUIRE UNE VALEUR DU PARAMETRE DE COUPLAGE ENTRE ETATS ELECTRONIQUES GAMMA DE GAAS ET X D'ALAS, RESPONSABLE DE LA FORCE D'OSCILLATEUR FINIE DES TRANSITIONS OPTIQUES

Download or read book Etude des effets de quasi bidimensionnalit sur les propri t s optiques d h t rostructures puits quantiques de GaAs Ga0 Al0 3As written by Albert Hameury and published by . This book was released on 1991 with total page 316 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE EST RELATIVE AUX PROPRIETES OPTIQUES, A TEMPERATURE AMBIANTE, DE PUITS QUANTIQUES GAAS/GA#0#.#7AL#0#.#3AS PREPARES PAR EPITAXIE SOUS JETS MOLECULAIRES. LES EFFETS DE QUASI-BIDIMENSIONNALITE ONT ETE ANALYSES, VIA LA REFLECTANCE EN INCIDENCE NORMALE, D'UNE PART DANS L'IR EN BORD DE BANDE D'ABSORPTION (TRANSITIONS EXCITONIQUES AU POINT GAMMA DE LA ZONE DE BRILLOUIN) ET D'AUTRE PART, DANS LE PROCHE UV (TRANSITIONS AU POINT L). POUR REALISER LES MESURES DE REFLECTANCE ENTRE 1.2 ET 3.6 EV, DEUX SPECTROPHOTOMETRES PILOTES PAR MICROORDINATEUR ONT ETE MIS AU POINT. LE PREMIER A PERMIS D'EFFECTUER DES MESURES ABSOLUES SUR TOUT LE DOMAINE SPECTRAL. LE SECOND, NECESSITANT UNE REFERENCE, MAIS BEAUCOUP PLUS DISPERSIF, A ETE UTILISE POUR RESOUDRE LES STRUCTURES DANS LE DOMAINE DES TRANSITIONS EXCITONIQUES. DES TRIPLE-PUITS ET DES MONO-PUITS ONT ETE ETUDIES. POUR CES DERNIERS, IL A ETE POSSIBLE, VIA UN TRAITEMENT MATHEMATIQUE ADEQUAT, (ANALYSE DE KRAMERS-KRONIG, PROGRAMME MULTICOUCHE ET ANALYSE NUMERIQUE DE TYPE NEWTON-RAPHSON) D'EXTRAIRE LA FONCTION DIELECTRIQUE EPSILON 2 DU GAAS DANS LES PUITS. LES POSITIONS ENERGETIQUES DES STRUCTURES EXCITONIQUES ONT ETE COMPAREES A CELLES OBTENUES PAR PHOTOLUMINESCENCE SUR LES MEMES ECHANTILLONS ET AUX RESULTATS D'UN CALCUL FAISANT APPEL A UN MODELE SIMPLE DE PUITS CARRE DANS L'APPROXIMATION DE LA MASSE EFFECTIVE

Download or read book Canadian Journal of Physics written by and published by . This book was released on 1991 with total page 840 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book ICREEC 2019 written by Ahmed Belasri and published by Springer Nature. This book was released on 2020-06-10 with total page 659 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.

Download or read book L industrie des t l communications written by and published by . This book was released on 1987 with total page 296 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Acta electronica written by and published by . This book was released on 1983 with total page 390 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Government Reports Annual Index written by and published by . This book was released on 1987 with total page 1040 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Government Reports Annual Index Corporate author written by and published by . This book was released on 1987 with total page 1028 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: