Download or read book ETUDE DE LA MODIFICATION DES SURFACES DE SILICIUM ET D OXYDE DE SILICIUM SOUMISES A DES PLASMAS DE TRIFLUOROMETHANE ET D OXYGENE written by Abdeljalil Rhounna and published by . This book was released on 1988 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE BUT DE CETTE ETUDE EST D'ACQUERIR UNE CONNAISSANCE APPROFONDIE DU MECANISME D'INTERACTION ENTRE LES PLASMAS DE CHF::(3) ET D'O::(2) ET LES SURFACES DE SI ET SIO::(2). DEUX TECHNIQUES EXPERIMENTALES ONT ETE UTILISEES : LA SPECTROMETRIE DE MASSE DU GAZ IONISE ET LA SPECTROMETRIE DE PHOTOELECTRONS DES SURFACES APRES TRAITEMENT PAR PLASMA

Download or read book ETUDE DU PROCEDE DE DEPOT DE COUCHES MINCES D OXYDE DE SILICIUM EN PLASMA HELICON O 2 TEOS written by FREDERIC.. NICOLAZO and published by . This book was released on 1997 with total page 247 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE PRESENTE L'ETUDE DU PROCEDE D'ELABORATION DE COUCHES MINCES D'OXYDE DE SILICIUM DEPOSEES A TEMPERATURE AMBIANTE EN PLASMA DE MELANGE OXYGENE/TETRAETHOXYSILANE (TEOS), DANS UN REACTEUR RADIOFREQUENCE HAUTE DENSITE, BASSE PRESSION DE TYPE HELICON. CE REACTEUR FONCTIONNE EN COUPLAGE INDUCTIF POUR LES PUISSANCES SUPERIEURES A 300 WATTS, AVEC DE FORTES DENSITES ELECTRONIQUES ET DE FAIBLES POTENTIELS. L'ETUDE DES PLASMAS D'OXYGENE PAR SPECTROMETRIE DE MASSE ET SONDE DE LANGMUIR A PERMIS DE DETERMINER L'ION MAJORITAIRE ET LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DU PLASMA. IL EST MONTRE QUE L'ACTINOMETRIE PEU ETRE UTILISEE POUR MESURER LA DENSITE D'ATOMES D'OXYGENE. ON OBTIENT DES TAUX DE DISSOCIATION DE LA MOLECULE INFERIEURS A 10%. ON EN DEDUIT UN COEFFICIENT DE RECOMBINAISON DES ATOMES D'OXYGENE SUR LES PAROIS EN ACIER DE L'ORDRE DE 0,1. LA CONNAISSANCE DE LA DENSITE DU PLASMA ET DE LA CONCENTRATION DES ATOMES D'OXYGENE EN FONCTION DE LA PUISSANCE, DE LA PRESSION ET DE LA POSITION DANS LE REACTEUR A PERMIS DE DETERMINER LES FLUX DE PARTICULES ET DE DEFINIR DES CONDITIONS FAVORABLES AU DEPOT. L'INTRODUCTION DU TEOS DANS LES PLASMAS D'OXYGENE PROVOQUE UNE DIMINUTION DE LA DENSITE ET DE LA TEMPERATURE ELECTRONIQUE. LES SPECTRES D'EMISSION OPTIQUE SONT SOIGNEUSEMENT INDEXES. LES VARIATIONS DES INTENSITES D'EMISSIONS DES ESPECES DETECTEES SONT CORRELEES A LA MODIFICATION DE LA COMPOSITION DE LA COUCHE MINCE OBTENUE. LES FILMS DEPOSES SUR SILICIUM SONT CARACTERISES PAR ABSORPTION INFRAROUGE, ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE ET GRAVURE CHIMIQUE LIQUIDE (P-ETCH). LES OXYDES DE SILICIUM OBTENUS DANS LES MELANGES O2/TEOS SONT DE BONNE QUALITE POUR DES TAUX DE TEOS INFERIEURS A 0,1, LORSQUE LA CINETIQUE EST LIMITEE PAR LE FLUX DE PRECURSEUR SUR LA SURFACE. POUR LES TAUX PLUS ELEVES, LA VITESSE DE DEPOT SATURE ET LES ELEMENTS CARBONES SONT OBSERVES DANS LES COUCHES.

Download or read book Oxydation du silicium par plasma d oxygene written by Christine Martinet and published by . This book was released on 2017 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail est consacre a l'etude de l'oxyde de silicium realise par oxydation plasma a basse temperature dans un reacteur a resonance cyclotronique electronique repartie. Nous nous sommes interesses aux cinetiques de croissance en anodisation plasma (tension appliquee au substrat superieure au potentiel plasma) a courant constant qui decrivent bien un modele de diffusion d'ions o#- assistee champ. Mais, nous avons mis en evidence l'existence d'un premier regime, ou la tension reste constante, qui correspondrait a la formation d'une couche conductrice d'epaisseur 10-15 nm due aux photons u.v. Energetiques du plasma d'oxygene. Nous avons caracterisé physiquement nos oxydes plasmas. La methode d'absorption infrarouge s'est revelee tres adaptee a l'etude des couches minces de silice, en tenant compte des effets geometriques, mis en evidence par calcul et experimentalement, provoquant un deplacement fictif du pic du mode principal optique transverse (to) avec l'epaisseur d'oxyde, tandis que la position du pic du mode optique longitudinal (lo) reste invariante. La position des pics des modes lo et to nous permet de determiner l'angle moyen si-o-si et la densite de la silice. Les oxydes plamas montrent une position de ces deux pics tres deplacee par rapport aux oxydes thermiques laissant presager des oxydes denses. La reflectometrie x s'est revelee tres sensible a la rugosite de surface de l'oxyde tandis qu'il est difficile d'obtenir des valeurs precises pour les autres parametres (rugosite d'interface sio#2/si, densite). Les resultats des mesures sur les oxydes anodiques en absorption infrarouge et en reflectometrie x montrent une inhomogeneite en epaisseur. Enfin, des mesures c(v) montrent une caracteristique convenable bien que ces oxydes soient contamines par les metaux constituant le reacteur.

Download or read book OXYDATION DU SILICIUM PAR PLASMA D OXYGENE written by CHRISTINE.. MARTINET and published by . This book was released on 1995 with total page 171 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE DE L'OXYDE DE SILICIUM REALISE PAR OXYDATION PLASMA A BASSE TEMPERATURE DANS UN REACTEUR A RESONANCE CYCLOTRONIQUE ELECTRONIQUE REPARTIE. NOUS NOUS SOMMES INTERESSES AUX CINETIQUES DE CROISSANCE EN ANODISATION PLASMA (TENSION APPLIQUEE AU SUBSTRAT SUPERIEURE AU POTENTIEL PLASMA) A COURANT CONSTANT QUI DECRIVENT BIEN UN MODELE DE DIFFUSION D'IONS O#- ASSISTEE CHAMP. MAIS, NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE L'EXISTENCE D'UN PREMIER REGIME, OU LA TENSION RESTE CONSTANTE, QUI CORRESPONDRAIT A LA FORMATION D'UNE COUCHE CONDUCTRICE D'EPAISSEUR 10-15 NM DUE AUX PHOTONS U.V. ENERGETIQUES DU PLASMA D'OXYGENE. NOUS AVONS CARACTERIS E PHYSIQUEMENT NOS OXYDES PLASMAS. LA METHODE D'ABSORPTION INFRAROUGE S'EST REVELEE TRES ADAPTEE A L'ETUDE DES COUCHES MINCES DE SILICE, EN TENANT COMPTE DES EFFETS GEOMETRIQUES, MIS EN EVIDENCE PAR CALCUL ET EXPERIMENTALEMENT, PROVOQUANT UN DEPLACEMENT FICTIF DU PIC DU MODE PRINCIPAL OPTIQUE TRANSVERSE (TO) AVEC L'EPAISSEUR D'OXYDE, TANDIS QUE LA POSITION DU PIC DU MODE OPTIQUE LONGITUDINAL (LO) RESTE INVARIANTE. LA POSITION DES PICS DES MODES LO ET TO NOUS PERMET DE DETERMINER L'ANGLE MOYEN SI-O-SI ET LA DENSITE DE LA SILICE. LES OXYDES PLAMAS MONTRENT UNE POSITION DE CES DEUX PICS TRES DEPLACEE PAR RAPPORT AUX OXYDES THERMIQUES LAISSANT PRESAGER DES OXYDES DENSES. LA REFLECTOMETRIE X S'EST REVELEE TRES SENSIBLE A LA RUGOSITE DE SURFACE DE L'OXYDE TANDIS QU'IL EST DIFFICILE D'OBTENIR DES VALEURS PRECISES POUR LES AUTRES PARAMETRES (RUGOSITE D'INTERFACE SIO#2/SI, DENSITE). LES RESULTATS DES MESURES SUR LES OXYDES ANODIQUES EN ABSORPTION INFRAROUGE ET EN REFLECTOMETRIE X MONTRENT UNE INHOMOGENEITE EN EPAISSEUR. ENFIN, DES MESURES C(V) MONTRENT UNE CARACTERISTIQUE CONVENABLE BIEN QUE CES OXYDES SOIENT CONTAMINES PAR LES METAUX CONSTITUANT LE REACTEUR

Download or read book ETUDE DES PHENOMENES PHYSIQUES ASSOCIES A L OUVERTURE DES CONTACTS DANS L OXYDE DE SILICIUM PAR GRAVURE PLASMA written by CYRIL.. LE GOFF and published by . This book was released on 1998 with total page 158 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE PRESENT TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE D'UNE IMPORTANTE ETAPE TECHNOLOGIQUE DE LA FABRICATION DES CIRCUITS INTEGRES CMOS ULSI, A SAVOIR : L'OPERATION D'OUVERTURE DES TROUS DE CONTACT. LA GRAVURE DE L'OXYDE DE SILICIUM EST REALISEE DANS UN REACTEUR INDUSTRIEL DE TYPE DIODE RADIOFREQUENCE, EN PLASMA CHF#3-CF#4-AR. L'INFLUENCE DES PARAMETRES DU REACTEUR SUR LA GRAVURE DE L'OXYDE, DU MASQUE DE RESINE ET DU SUBSTRAT DE SILICIUM SOUS-JACENT EST EXAMINEE SUIVANT LA METHODE DES PLANS D'EXPERIENCES. EN OUTRE, UN RETICULE PERMETTANT DE REPRODUIRE SUR LE MASQUE DE RESINE DES RESEAUX DE LIGNES ET DE CONTACTS DE DIMENSIONS 1 ET 0,6 M EST UTILISE POUR ETUDIER LES EFFETS DE TOPOGRAPHIE. LA CARACTERISATION DU PROCEDE EST EFFECTUEE PAR LA MESURE DES VITESSES D'ATTAQUE, DE L'UNIFORMITE, DES SELECTIVITES, DU PROFIL ET DES DIMENSIONS DES MOTIFS GRAVES, ET DES RESISTANCES DE CONTACT METAL/SI. L'ANALYSE PAR SPECTROMETRIE DE PHOTOELECTRONS XPS DES SURFACES TRAITEES PERMET DE COMPRENDRE LES TENDANCES OBSERVEES, NOTAMMENT EN TERME DE SELECTIVITE OXYDE/SILICIUM. UNE ETUDE PLUS DETAILLEE DES MODIFICATIONS DE SURFACE DU SUBSTRAT DE SILICIUM EXPOSE AU PLASMA CHF#3-CF#4-AR EST AUSSI ENTREPRISE. NOUS NOUS FOCALISONS SUR LA COUCHE D'INTERFACE FILM (F, C)/SUBSTRAT ET SUR L'ETAT CRISTALLIN DU SILICIUM. ENFIN, LA CARACTERISATION DES SURFACES APRES TRAITEMENTS POST-GRAVURE EN PLASMA CF#4 OU CF#4-O#2 PERMET DE S'ASSURER DE L'ELIMINATION DES DEFAUTS INDUITS PAR L'ETAPE DE GRAVURE. L'OBJECTIF EST DE RESTAURER LA SURFACE DU SILICIUM AFIN D'AMELIORER LES PERFORMANCES ELECTRIQUES DES CIRCUITS CMOS. LES EFFETS DE LA CHIMIE DU PLASMA, DU TEMPS DE TRAITEMENT, DE LA TAILLE ET DE LA GEOMETRIE DES MOTIFS SUR L'ETAT DE SURFACE DU SILICIUM SONT ETUDIES AU MOYEN DE LA SPECTROMETRIE XPS.

Download or read book Etude des plasmas organosilici s dilu s en oxyg ne utilis s pour la d position d oxyde de silicium written by David Magni and published by . This book was released on 2001 with total page 158 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Etudes physico chimiques des surfaces d oxyde de silicium apr s diff rents nettoyages written by Muriel Martinez and published by . This book was released on 2003 with total page 214 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Etude des interactions plasma surface pendant la gravure du silicium dans des plasmas HBr Cl2 O2 written by Martin Kogelschatz and published by . This book was released on 2004 with total page 160 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL EST DE COMPRENDRE LES INTERACTIONS PLASMA-SURFACE PENDANT LA GRAVURE DU SILICIUM DANS DES CHIMIES HBr/CI2I02. DANS CES PROCEDES, UNE COUCHE SE DEPOSE SUR LES PAROIS DU REACTEUIi ET MENE A LA DERIVE DU PROCEDE. LA NATURE CHIMIQUE ET LES MECANISMES DE FORMATION DE CETTE COUCHE ONT ETE ETUDIES PAR SA GRAVURE ULTERIEURE AVEC UN PLASMA ARlSF6 ET L'ANALYSE RESOLUE EN TEMPS DES PRODUITS DE GRAVURE PAR LES DIAGNOSTICS D'EMISSION OPTIQUE ET DE SPECTROMETRIE DE MASSE. IL A ETE MONTRE QUE CETTE COUCHE EST DU TYPE SiOxCly TRES RICHE EN CHLORE. AUSSI, LA CINETIQUE DES RADICAUX SiClx PRODUITS LORS DE LA GRAVURE DU SILICIUM PAR LE PLASMA HBr/CI2/02, QUI SONT LES PRECURSEURS DE CE DEPOT, A ETE ETUDIEE PAR LA SPECTROSCOPIE D'ABSORPTION LARGE BANDE DANS L'UV. IL A ETE CONCLU QUE LES PRECURSEURS DU DEPOT SONT LE Si, Si+, SiCI ET SiCI+. MAIS LA REACTION DE CES ESPECES AVEC LES PAROIS PEUT AUSSI MENER A LA FORMATION DE SiCI2 VOLATIL.

Download or read book MODIFICATION DE SURFACES DE SILICIUM PAR OXYDATION BOMBARDEMENT IONIQUE ET TRAITEMENT THERMIQUE written by ALI.. CHOUIYAKH and published by . This book was released on 1984 with total page 568 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DES SURFACES DE SI PAR SPECTROMETRIE AUGER ET XPS. MESURES ELECTRIQUES APRES METALLISATION DES SURFACES. CARACTERISATION DE LA CINETIQUE D'OXYDATION DE SI STIMULEE PAR FAISCEAU ELECTRONIQUE, DE LA NATURE DE LA SURFACE DE SI AMORPHISEE PAR BOMBARDEMENT D'IONS ARGON, DE SA DIFFERENCE DE REACTIVITE AVEC L'OXYGENE PAR RAPPORT A LA SURFACE CRISTALLINE ET DE SA RECRISTALLISATION ET DE LA DESORPTION DE L'ARGON IMPLANTE. ETUDE DES EFFETS DE TRAITEMENT DE SURFACE SUR LE CARACTERE REDRESSEUR OU OHMIQUE DU CONTACT METAL-SI

Download or read book Etudes des plasmas organoscilici s dilu s en oxyg ne utilis s pour la d position d oxyde de silicium written by David Magni and published by . This book was released on 2001 with total page 158 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Oxydation du silicium et modification de l ordre courte distance dans les oxydes de silicium induits par un rayonnement laser ultra violet written by Costantino Fiori and published by . This book was released on 1986 with total page 256 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE PAR SPECTROMETRIE AUGER DE LA STRUCTURE DE LA SURFACE DE SI(111) FAIBLEMENT RECOUVERTE D'OXYGENE SEC. L'IRRADIATION PAR UN FAIBLE FLUX DE PHOTONS UV INDUIT D'IMPORTANTS REARRANGEMENTS ATOMIQUES DANS LA PHASE ADSORBEES AVEC FORMATION D'UNE MONOCOUCHE TRES DESORDONNEE DE SIO::(2) SE TRANSFORMANT EN SIO::(2) AMORPHE STABLE APRES UN RECUIT THERMIQUE A 949 K. L'IRRADIATION DE CES COUCHES PAR UN RAYONNEMENT LASER UV LES REND INSTABLES. FORMATION D'UNE FORTE DENSITE DE DEFAUTS STRUCTURAUX. ETABLISSEMENT D'UNE CORRELATION ENTRE LES PHENOMENES PHYSIQUES EVOQUES

Download or read book Etude du comportement de l oxyde de silicium dop au phosphore lors de traitements thermiques written by Fabien Chabuel and published by . This book was released on 2004 with total page 199 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'objectif de ce travail est l'étude du comportement des films d'oxyde de silicium dopés phosphore à haute température (850°C-1050°C). Les observations expérimentales montrent que dans certaines conditions de température et d'atmosphère de recuit (azote, oxygène, vapeur d'eau), il se produit un dégazage s'accompagnant de la formation des bulles dans le matériau. Une étude thermodynamique du système SiO2-P2O5 a été réalisée pour déterminer les principaux facteurs d'apparition des bulles. Elle montre qu'il y a une formation d'espèces gazeuses lors de recuits sous atmosphère humide. Le traitement thermique génère aussi des modifications structurales du matériau. Les variations des propriétés physiques du matériau telles que l'indice de réfraction, la contrainte et la viscosité ont été étudiées. En particulier, la viscosité est un paramètre important pour la formation des bulles. Nous avons observé qu'il est nécessaire d'avoir une viscosité spécifique pour permettre la nucléation de bulles. Le modèle de maturation d'Ostwald a été adapté à notre système et nous avons déterminé le paramètre limitant la croissance des bulles dans l'oxyde. L'étude de ces phénomènes permet une meilleure connaissance du comportement des films d'oxyde de silicium dopé soumis à des traitements thermiques et une meilleure maîtrise des procédés.

Download or read book CROISSANCE ET CARACTERISATION DE FILMS ULTRA MINCES D OXYDES DE SILICIUM FORMES SOUS BOMBARDEMENT ELECTRONIQUE EN SURFACE DU SILICIUM 100 written by BENAFGOUI.. SEFSAF and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL S'INSCRIT DANS LE CADRE GENERAL DES RECHERCHES RELATIVES A LA PHYSICOCHIMIE DES SURFACES ET INTERFACES DU SILICIUM. L'APPROCHE PRIVILEGIEES EST D'ACCEDER A UNE NOUVELLE CONNAISSANCE DE LEUR STRUCTURE ELECTRONIQUE ET DES LIAISONS CHIMIQUES MISES EN JEU. L'OBJECTIF DE L'ETUDE PLUS SPECIFIQUEMENT, PAR ANALYSE AUGER ET SPECTROSCOPIE DE PERTES, L'INFLUENCE DU BOMBARDEMENT ELECTRONIQUE SUR L'OXYDATION DE LA FACE (100) DU SILICIUM MONOCRISTALLIN, A TEMPERATURE AMBIANTE. AU-DELA LA CARACTERISATION DU MODE DE FORMATION DE L'INTERFACE SI-SIO#2, LA QUESTION PRINCIPALE CONCERNE LA POSSIBILITE D'UTILISER DE TELS OXYDES ULTRA-MINCES DANS L'ELABORATION DE STRUCTURES DU TYPE POS. PLUSIEURS CONCLUSIONS SE DEGAGENT DE CE TRAVAIL. LA PREMIERE EST UNE CONFIRMATION DE L'EFFICACITE DES ELECTRONS DANS LE PROCESSUS D'OXYDATION ET DU ROLE DETERMINANT DES SECONDAIRES. APRES QUE L'INFLUENCE DES DIFFERENTS PARAMETRES EXPERIMENTAUX AIT ETE ANALYSEE, LA MISE EN UVRE CONJOINTE DE L'AES ET DE L'ELS PERMET DE DECRIRE L'OXYDE FORME EN SURFACE DE SI (100) COMME UNE SILICE PROBABLEMENT DESORDONNEE AVEC UNE COUCHE D'INTERFACE FORMEE D'UN MELANGE D'ENTITES SIO#X SOUS-STOECHIOMETRIQUES EN CONFORMITE AVEC UN MODELE RBM (RANDOM BONDING MODEL). ENFIN, L'ETUDE DE LA CROISSANCE DU COBALT, A TEMPERATURE AMBIANTE, SUR CET OXYDE ELECTRONIQUE ET EN MODE THERMIQUE D'EPAISSEUR EQUIVALENTE MET EN EVIDENCE UNE MOINS BONNE TENUE DE L'OXYDE ELECTRONIQUE DEVANT LA POSSIBILITE DE DIFFUSION DU METAL

Download or read book Etude de la nitruration thermique pression atmosph rique de l oxyde de silicium et du silicium written by Allal Serrari and published by . This book was released on 1989 with total page 194 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le silicium et l'oxyde de silicium nitrurés présentent de meilleures propriétés diélectriques que l'oxyde de silicium utilisé dans la technologie M.O.S. (métal-oxyde-silicium), d'où l'intérêt de les étudier.La nitruration a été effectuée à pression atmosphérique sous NH3 à haute température (900°C-1100°C) et pendant une durée variant de quelques secondes à 1 ou 2 heures.Pour comprendre le mécanisme de nitruration, nous avons étudié l'influence de plusieurs paramètres de nitruration sur la composition chimique des couches réalisées.La caractérisation physico-chimique a été effectuée par plusieurs technique d'analyse complémentaires telles que : l'analyse par réaction nucléaire, les spectrométries d'électrons Auger et de photoélectrons, la spectroscopie de masse d'ions secondaires et l'ellipsométrie.Nous avons montré que la nitruration du silicium conduit à des couches contenant de l'oxygène. L'épaisseur de ces dernières augmente avec le temps et la température de nitruration mais saturent après une heure (80 A à 1100°C).L'oxyde de silicium nitruré (oxynitrure) présente une surface riche en azote par rapport au volume avec l'existence d’un pic d'azote près de l'inter- face avec le silicium.Nous avons observé ce pic dès 30 secondes pour un oxyde de 450 A, ce qui signifie un coefficient de diffusion de 3.10-13 cm2/s. Le coefficient de diffusion diminue rapidement, atteint 10-15 cm2/s dès 10 minutes de nitruration. L'incorporation de l'azote dans la couche d'oxyde s'accompagne d'une diminution de la quantité d'oxygène. Le mécanisme de transport atomique de l'oxygène pendant la nitruration a été étudié en utilisant des oxydes isotopiques.Un modèle du mécanisme de nitruration a été proposé.Les mesures capacité-tension à 1 MHZ ont permis de déterminer l'évolution de la tension de bande plate et de la quantité de charges dans la couche.Nous avons mis en évidence les propriétés de barrière à l'oxydation des oxynitrures réalisés.

Download or read book Nettoyage de surfaces de silicium par plasma PMM d argon et d hydrog ne written by Patrice Raynaud and published by . This book was released on 1991 with total page 181 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS CE TRAVAIL SONT ETUDIES DIFFERENTS TYPES DE NETTOYAGE PAR PLASMA (PMM-RCER) DES SURFACES DE SILICIUM: NETTOYAGE DE TYPE PHYSIQUE, PAR PLASMA D'ARGON, EN UTILISANT LE BOMBARDEMENT DE LA SURFACE PAR LES IONS CREES DANS LE PLASMA ET NETTOYAGE DE TYPE CHIMIQUE, PAR PLASMA D'HYDROGENE, EN UTILISANT L'ACTION DES ESPECES ATOMIQUES PRESENTES DANS CE PLASMA. LES ANALYSES PARAMETRIQUES, PENDANT ET APRES LE TRAITEMENT PLASMA, SONT REALISEES PAR ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE IN-SITU (LONGUEUR D'ONDE=0,27-0,9 MICRON), PAR DIFFRACTION D'ELECTRONS LENTS (DEL) ET PAR SPECTROMETRIE D'ELECTRONS AUGER (SEA). C'EST AINSI QU'ONT PU ETRE MIS EN EVIDENCE LES EFFETS DE DIFFERENTS PARAMETRES TELS QUE: L'ENERGIE DES IONS, LA DOSE OU ENCORE LA TEMPERATURE DE TRAITEMENT SUR L'ETAT DE SURFACE DU SUBSTRAT. DE PLUS, UNE ETUDE FONDAMENTALE DE LA DESORPTION DE L'HYDROGENE ADSORBE SUR LES SURFACES DE SILICIUM D'ORIENTATION CRISTALLINE (100) ET (111) EST PRESENTEE. ELLE A PERMIS DE DIFFERENCIER LES PHASES DE LA DESORPTION DE L'HYDROGENE AINSI QUE LES TEMPERATURES DE TRANSITION PAR COUPLAGE DES RESULTATS DEL ET ELLIPSOMETRIQUES. L'ENSEMBLE DE CE TRAVAIL ABOUTIT A LA COMPARAISON ET A L'OPTIMISATION DES DEUX PROCEDES DE NETTOYAGE

Download or read book Etude du comportement de l oxyg ne dans le silicium et dans l oxyde de silicium sous bombardement par des lectrons de quelques Kev written by Pierre Juliet and published by . This book was released on 1984 with total page 176 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DES EFFETS DES DEFAUTS D'IRRADIATION SUR LES SPECTROMETRIES D'IONS SECONDAIRES ET AUGER. LA DIFFUSION DE SURFACE DES CONTAMINANTS ABSORBES PERTURBE LES ANALYSES D'OXYGENE EN PROFONDEUR. L'EXCITATION ELECTRONIQUE EST LA CAUSE DE LA DIFFUSION OU DE LA DESORPTION DE L'OXYGENE. LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DE L'OXYDE EN EST MODIFIEE

Download or read book Etude de la synth se chimique de films minces d oxydes de silicium sur surfaces m talliques assist e par d charge barri re di lectrique pression atmosph rique written by Vandad Rohani and published by . This book was released on 2009 with total page 223 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans les pays industrialisés, on estime aujourd’hui que les coûts de la corrosion représentent environ 4% du PNB. Ce chiffre colossal souligne à quel point le combat contre ce phénomène est important. Tous les matériaux sont sujets à la corrosion mais les métaux, par leur instabilité thermodynamique au contact des éléments atmosphériques, constituent une classe particulièrement sensible à cette dégradation. Une solution efficace à la mise en protection du métal est le revêtement de surface par un matériau plus stable tel que la silice. Parmi les techniques chimiques de revêtement par voie sèche (CVD) exploitées aujourd’hui, la CVD assistée par plasma se fait de plus en plus courante. Son avantage réside dans le fait qu’elle est une technique dite froide qui s’affranchit du chauffage du substrat (T250°C), particulièrement adaptée au traitement des produits thermosensibles. Ici, nous nous intéressons à la CVD assistée par Décharge à Barrière Diélectrique (DBD) en configuration simple barrière afin d’élaborer à partir d’un mélange gazeux comportant un précurseur chimique d’HMDSO, des films minces d’oxydes de silicium sur des surfaces métalliques larges (50 cm2) pour des applications métallurgiques. Une particularité de ce procédé est de fonctionner à la pression atmosphérique, condition adéquate pour le traitement de grandes surfaces sur des lignes au défilé. L’enjeu de cette étude est double : Premièrement, montrer la faisabilité de ce procédé de dépôt sur substrats d’acier. Deuxièmement, à travers l’étude de la qualité des films synthétisés à partir de trois gaz porteurs (He,Ar,N2), trouver une piste d’explication à l’inhomogénéité des revêtements obtenus par cette voie.