Download or read book Etude de la formation du silicium macroporeux de type p et application aux cellules solaires au silicium multicristallin written by Sandra Lust and published by . This book was released on 2002 with total page 184 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The principal goal of this work consisted in the formation of macropores on the surface of multicrystalline silicon with a resistivity between 0.2 and 2 w.cm, which is used in the fabrication of solar cells. First, we studied the conditions of formation of macropores on monocrystalline p-type silicon of the same resistivity. We found that macropores can only be formed when electrolytes containing mixtures of HF with specific organic solvents were used. In order to gain information about the dissolution mechanism, in-situ measurements of surface photovoltage and photoluminescence at the silicon/electrolyte interface were performed during the dissolution. The photo- luminescence shows that the surface is well passivated in the region of porous silicon formation. From the measurement of the photovoltage at the rest potential and under anodization, it can be concluded that the silicon is depleted. The conditions for macropore formation were optimized and applied to the Polix multicrystalline silicon. The resulting surfaces exhibit a very low reflectivity (~ 10%). Next, macroporous texturized solar cells were made by the industrial standard processing of Photowatt. The solar cells show an increased efficiency (13.3% compared to 12.5% cell average efficiency of the polished reference cells). The internal quantum efficiency of the macroporous texturized silicon solar cells is increased at long wavelength compared to the reference cells, probably due to light trapping.

Download or read book Nanofils de silicium pour applications photovolta ques written by David Kohen and published by Academiques. This book was released on 2012 with total page 172 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: "L'objectif de ce travail porte sur la fabrication et la caractérisation de cellules solaires à jonction radiale à base d'assemblée de nanofils de silicium cristallin. Une étude sur la croissance des nanofils à partir de deux catalyseurs métalliques (cuivre et aluminium) dans une machine de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) à pression réduite est présentée. L'influence des conditions de croissance sur la morphologie, le dopage et la contamination des nanofils par le catalyseur est analysée par des mesures électriques, chimiques (SIMS, Auger) et structurales (SEM, TEM, Raman). Le cuivre est utilisé pour la fabrication d'une cellule solaire avec des nanofils de type p et une jonction radiale créée avec du silicium amorphe de type n. Les performances photovoltaïques de la cellule solaire sont ensuite mesurées et interprétées. Un rendement de conversion de 5% est mesuré sur une cellule avec des nanofils de hauteur 1,5μm." [source : 4ème de couv.].

Download or read book ETUDE DE LA FORMATION DU SILICIUM POREUX APPLIQUEE A LA TEXTURATION DU SILICIUM MULTICRISTALLIN written by STEPHANE.. BASTIDE and published by . This book was released on 1995 with total page 193 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA DISSOLUTION ELECTROCHIMIQUE ET CHIMIQUE DU SILICIUM EN MILIEU ACIDE FLUORHYDRIQUE, CONDUIT SOUS CERTAINES CONDITIONS A LA FORMATION DE SILICIUM POREUX. L'ETUDE DES MECANISMES DE DISSOLUTION DU SILICIUM DE TYPE P ET N#+, ET L'OBSERVATION DE LA MORPHOLOGIE DE DIMENSIONS NANOMETRIQUES DU SILICIUM POREUX, ONT ETE REALISEES. L'ANALYSE DES PROPRIETES OPTIQUES DE CE MATERIAU ET DES CARACTERISTIQUES ELECTRONIQUES DES JONCTIONS EN SILICIUM P-N#+ AVEC UN EMETTEUR PARTIELLEMENT POREUX, MONTRE QUE LA FORMATION D'UNE COUCHE DE SILICIUM POREUX EN FACE AVANT DES PHOTOPILES EN SILICIUM MULTICRISTALLIN, PEUT CONSTITUER UNE NOUVELLE TECHNIQUE DE DIMINUTION DES PERTES PAR REFLEXION DES PHOTONS

Download or read book Fabrication de Cellules Solaires Base de Silicium Polycristallin written by MOHAMED. BESSAIS BEN RABHA (BRAHIM.) and published by Omniscriptum. This book was released on 2011-06 with total page 116 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Au cours de ce travail, nous avons utilisé le silicium polycristallin pour la fabrication de cellules photovoltaïques à faible coût. Nous avons étudié aussi l'effet que produit la formation d'une couche de silicium poreux (SP) sur les caractéristiques des cellules PV fabriquées. Le silicium poreux a été élaboré par la méthode d'attaque chimique en phase vapeur (ACPV). Une analyse détaillée du rendement quantique basée sur la décomposition spectrale nous a permis d'extraire les paramètres géométriques et cinétiques de la cellule. Nous avons montré, pour la première fois, qu'on peut produire par ACPV de silicium une poudre blanche (PB) spongieuse non adhérente. La formation de cette poudre a rendu possible de faire des gravures sélectives sur la surface des substrats de silicium Cette technique de gravure nous a ouvert de nouveaux horizons aussi bien dans le micro-usinage du silicium utilisé dans les composants électroniques que dans la réalisation de cellules solaires efficientes.

Download or read book Contribution l tude des cellules solaires au silicium polycristallin written by Ho-Sun Chung and published by . This book was released on 1980 with total page 159 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Rappel des principes de base de l'effet photovoltai͏̈que et paramètres physiques utilisés dans les programmes de calcul. Analyse des divers facteurs de perte qui limitent le RDT de la cellule solaire. Modèle de simulation sur ordinateur des cellules solaires en tenant compte des paramètres physiques et géométriques pour SI monocristallin et polycristallin. Modèle mathématique de la jonction N**(+)P Polycristalline. Procédés technologiques utilisés pour la réalisation des études (capacités MOS, cellules solaires). Etudes des cellules en SI polycristallin (étude de caractérisation électrique et optique, ce qui nous permet de connaître QQ paramètres physiques tels que durée de vie dans le substrat et rendement de conversion énergétique)

Download or read book Etude des nanofils de silicium et de leur int gration dans des syst mes de r cup ration d nergie photovolta que written by David Kohen and published by . This book was released on 2012 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'objectif de cette thèse porte sur la fabrication et la caractérisation de cellules solaires à jonction radiale à base d'assemblée de nanofils de silicium cristallin. Une étude sur la croissance des nanofils à partir de deux catalyseurs métalliques (cuivre et aluminium) dans une machine de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) à pression réduite est présentée. L'influence des conditions de croissance sur la morphologie, le dopage et la contamination des nanofils par le catalyseur est analysée par des mesures électriques, chimiques (SIMS, Auger) et structurales (SEM, TEM, Raman). Le cuivre est utilisé pour la fabrication d'une cellule solaire avec des nanofils de type p et une jonction radiale créée avec du silicium amorphe de type n. Les performances photovoltaïques de la cellule solaire sont ensuite mesurées et interprétées. Un rendement de conversion de 5% est mesuré sur une cellule avec des nanofils de hauteur 1,5μm.

Download or read book PURIFICATION DES SILICIUMS DE TYPE N ET P PAR FUSION SOUS PLASMA INDUCTIF written by ROSSANA.. MARONGIU-COMBES and published by . This book was released on 1993 with total page 245 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail a porté sur l'étude des mécanismes de purification du silicium par plasma inductif oxygène en présence d'un laitier fluore sous polarisation. Nous avons focalisé notre travail sur l'élimination du bore et du phosphore qui sont les deux principaux dopants du silicium. La première partie de cette étude a consisté à établir et comparer les diagrammes thermochimiques de stabilité des composés du bore et du phosphore en présence de Baf#2, Caf#2 et Mgf#2. Nous avons conclu qu'en présence de fluor et d'oxygène le bore était éliminé sous forme d'un composé volatil: bof. Nous avons pu déduire que Baf#2 est le meilleur laitier pour l'élimination du bore. Nous avons également mis en évidence la nécessité d'imposer un potentiel au matériau au cours du traitement. La seconde partie de ce travail a consisté à suivre l'élimination du bore au cours du traitement par spectroscopie d'émission en ligne. Nous avons alors pu confirmer que Baf#2 permettait l'élimination du bore la plus importante. De plus, l'imposition d'un potentiel anodique augmente l'évaporation du bore. Nous avons déduit que la polarisation anodique stabilise les espèces clés des mécanismes de purification: les anions O#2# et F#. L'efficacité du laitier fluore a également été mise en évidence dans le cas de l'élimination du phosphore. La stabilisation de l'anion O#2# permet la formation dans la goutte liquide d'oxydes volatiles du phosphore (P#4o#6, Po#2) dont l'évaporation s'ajoute a celle du phosphore gazeux. Enfin, nous avons procédé a l'étude physico-chimique du matériau après traitement. nous avons déterminé que la présence de Baf#2 augmente la ségrégation des impuretés aux joints de grain et abaisse la viscosité de la goutte liquide, ce qui augmente la taille de l'interface plasma-bain liquide et donc l'efficacité du traitement. L'analyse du matériau après traitement (ICP, ESCA) a permis de confirmer les conclusions obtenues

Download or read book Les cellules photovolta ques en silicium th orie et fabrication written by Nicolas Richet and published by EDP Sciences. This book was released on 2017-04-20 with total page 222 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L’énergie photovoltaïque est aujourd’hui en plein essor. La part issue des panneaux solaires dans la production d’électricité est de plus en plus importante et connaître le fonctionnement physique et les moyens de production d’une cellule solaire en silicium devient inévitable dans ce domaine. Ce livre présente le mécanisme élec...

Download or read book ETUDE IN SITU PAR ELLIPSOMETRIE UV VISIBLE ET SONDE DE KELVIN DE LA CROISSANCE ET DES PROPRIETES DU SILICIUM MICROCRISTALLIN APPLICATION AUX DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES written by SOUMANA.. HAMMA and published by . This book was released on 1998 with total page 178 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE THESE PORTE SUR L'ETUDE IN SITU DE LA CROISSANCE ET DES PROPRIETES DU SILICIUM MICROCRISTALLIN C-SI : H) AINSI QUE DES INTERFACES INTERVENANT DANS LES DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES A BASE DE C-SI : H ET DE SILICIUM AMORPHE (A-SI:H). LA COMBINAISON DES MESURES IN SITU D'ELLIPSOMETRIE UV-VISIBLE AVEC DES MESURES DE CONDUCTIVITE ET DE SONDE DE KELVIN NOUS A PERMIS DE CORRELER LES PROPRIETES OPTOELECTRONIQUES ET STRUCTURALES DES COUCHES PENDANT LEUR CROISSANCE. CECI PERMET UNE MEILLEURE COMPREHENSION DES MECANISMES CARACTERISANT LA TRANSITION AMORPHE / MICROCRISTALLIN ET LA FORMATION DES INTERFACES DANS LES DISPOSITIFS. EN UTILISANT LA TECHNIQUE DE DEPOT PAR PLASMAS ALTERNES (DITE DE LAYER-BY-LAYER) NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE QUATRE ETAPES PENDANT LA FORMATION DU C-SI:H SUR SUBSTRAT AMORPHE. L'HYDROGENE EST LE MOTEUR PRINCIPAL DE LA TRANSITION AMORPHE / MICROCRISTALLIN ET SON ROLE PARTICULIER AUX DIFFERENTES ETAPES DE LA CROISSANCE A ETE ANALYSE. LA ZONE (SURFACE OU VOLUME) OU SE DEROULE LA GERMINATION SEMBLE ETROITEMENT LIE A LA PRESENCE OU NON D'UN BOMBARDEMENT IONIQUE. LES PROPRIETES DU C-SI:H (CONDUCTIVITE, POTENTIEL DE CONTACT, STABILITE) SONT ETROITEMENT LIEES A LA FRACTION CRISTALLINE, LA FRACTION DE VIDE, LA TAILLE DES GRAINS ET L'EPAISSEUR DE LA COUCHE. CES QUANTITES DEPENDENT DE LA TEMPERATURE ET DE LA PRESSION DE DEPOT QUI CONSTITUENT PAR AILLEURS DES PARAMETRES ESSENTIELS POUR L'OPTIMISATION DE LA STRUCTURE ET DE LA VITESSE DE DEPOT DU C-SI : H. DES COUCHES MICROCRISTALLINES DOPEES N ET P TRES MINCES ( 10 NM) ONT ETE OBTENUES. L'APPLICATION DE CES COUCHES DANS LES PHOTOPILES NOUS A CONDUIT A ABORDER LE PROBLEME DE L'INTERFACE C-SI : H/A-SI : H. LE DEPOT DU C-SI : H SUR A-SI:H PEUT ENTRAINER DANS CERTAINES CONDITIONS (TEMPERATURE, DOPAGE, CHAMP ELECTRIQUE) LA FORMATION D'UNE COUCHE POREUSE D'INTERFACE AVEC LE A-SI:H. PAR AILLEURS, LES MESURES DE POTENTIEL DE CONTACT (SONDE DE KELVIN) NOUS ONT PERMIS DE DETERMINER LE GAP DE MOBILITE DU C-SI : H AINSI QUE LES DISCONTINUITES DE LA BANDE DE CONDUCTION ET DE LA BANDE VALENCE A L'INTERFACE C-SI : H/A-SI : H. L'ETUDE DES PROFILS DE POTENTIEL AUX INTERFACES P/I NOUS A PERMIS DE MONTRER QUE LA LONGUEUR D'ECRANTAGE DANS LE C-SI : H EST D'AU MOINS UN FACTEUR TROIS SUPERIEURE A CELLE MESUREE DANS LE A-SI:H ; CONFIRMANT AINSI LE GRAND INTERET DU C-SI : H DANS LES APPLICATIONS A BASE DE A-SI : H. AUSSI, NOUS AVONS DEMONTRE QU'UNE EXCELLENTE CARACTERISTIQUE I(V) PEUT ETRE OBTENUE MEME POUR DES CELLULES SOLAIRES MICROCRISTALLINES DEPOSEES A 100\C.

Download or read book Etude de la croissance du silicium polycristallin par d p t rh otaxique sur substrats amorphes en vue d application aux cellules solaires written by Alfredo Boselli and published by . This book was released on 1978 with total page 164 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book ETUDE DE DEPOT ET DES PROPRIETES PHYSIQUES DU SILICIUM POLYCRISTALLIN OBTENU PAR LE PROCEDE RICVD SUR SUBSTRATS DE MULLITE APPLICATION AUX CELLULES PHOTOVOLTAIQUES EN COUCHES MINCES written by STEPHANE.. BOURDAIS and published by . This book was released on 2000 with total page 290 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: APRES UN ETAT DE L'ART SUR LES CELLULES PHOTOVOLTAIQUES A BASE DE SILICIUM EN COUCHE MINCE (EPAISSEUR ENTRE 5 ET 50 M), NOUS DECRIVONS L'ELABORATION DU MATERIAU SILICIUM POLYCRISTALLIN (PC-SI) SUR CERAMIQUE MULLITE (3AL 2O 3*2SIO 2) PAR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE GAZEUSE ASSISTE PAR LAMPES HALOGENES (RT-CVD) DANS UN REACTEUR A PAROIS FROIDES, A PRESSION ATMOSPHERIQUE. L'ATOUT MAJEUR DE LA MULLITE EST SON COEFFICIENT D'EXPANSION THERMIQUE PROCHE DE CELUI DU SILICIUM. LES PARAMETRES DE DEPOT ONT ETE LA TEMPERATURE (900-1250\C), LA CONCENTRATION DE GAZ PRECURSEUR SIHCL 3 DILUE DANS H 2 (5-25%) OU L'AJOUT DE GAZ DOPANT BCL 3. LA COUCHE PC-SI, OBTENUE A DES VITESSES DE DEPOT ENTRE 1 ET 6 M/MIN ET SUR DE GRANDES SURFACES (6 6 CM 2), EST CARACTERISEE PAR UNE TAILLE DE GRAIN QUI AUGMENTE DE 0,5 A 20 M AVEC LA TEMPERATURE. LA STRUCTURE CRISTALLOGRAPHIQUE EST COLONNAIRE (GRAINS ET JOINTS DE GRAINS VERTICAUX) ET PREFERENTIELLEMENT ORIENTEE (220). LES ANALYSES SPECTROMETRIQUES S'AVERENT TROP PEU SENSIBLES POUR EVALUER LES IMPURETES ISSUES DU SUBSTRAT. UNE ANALYSE DLTS INDIRECTE A ALORS REVELE UNE CONTAMINATION NOTAMMENT EN FER. LES PROPRIETES DE TRANSPORT SONT ALTEREES PAR LES ETATS D'INTERFACE AUX JOINTS DE GRAINS (BIEN QUE SENSIBLES A UN TRAITEMENT PAR HYDROGENATION) ET LA DUREE DE VIE EST SOUS LE SEUIL DE DETECTION (

Download or read book ETUDES ET REALISATION DE CELLULES PHOTOVOLTAIQUES EN SILICIUM POLYCRISTALLIN DEPOSE SUR VERRE PAR LPCVD written by KING.. KIS SION and published by . This book was released on 1997 with total page 173 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS AVONS ESSAYE DE REALISER DES CELLULES SOLAIRES EN SILICIUM POLYCRISTALLIN SUR VERRE. POUR CELA, NOUS AVONS TOUT D'ABORD EXAMINE LE DEPOT DE SILICIUM POLYCRISTALLIN A PARTIR DU DISILANE DANS L'ESPOIR DE POUVOIR ACCROITRE LA VITESSE DE DEPOT. AVEC CE GAZ, LE DEPOT N'EST UNIFORME QU'A BASSE TEMPERATURE (450-475 C). MALHEUREUSEMENT, A CES TEMPERATURES, LA VITESSE EST CEPENDANT DU MEME ORDRE DE GRANDEUR QUE CELLE OBTENUE AVEC LE SILANE, CE QUI REDUIT LES ATTRAITS DU DISILANE. ENSUITE, NOUS AVONS OPTIMISE LE DEPOT D'ITO PAR PULVERISATION CATHODIQUE RF MAGNETRON. L'ITO NOUS A SERVI DE CONTACT ELECTRIQUE SUPERIEUR CONDUCTEUR ET TRANSPARENT. DES COUCHES PEU RESISTIVES, D'ENVIRON 0,5 M CM ONT ETE OBTENUES. DIVERSES METHODES DE CARACTERISATION : RAYONS X, MESURES D'EFFET HALL, SUIVI DE LA CRISTALLISATION PAR LA CONDUCTANCE, PHOTOLUMINESCENCE, MESURES DE RESONANCE DE SPIN ELECTRONIQUE, ELLIPSOMETRIE ET MESURES DE PHOTOCOURANT MODULE, ONT ETE UTILISEES POUR DETERMINER LA QUALITE ET LA CRISTALLISATION DE COUCHES EPAISSES ( 1 M) DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DEPOSE A PARTIR DU SILANE. AINSI, NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE LA MEILLEURE QUALITE DES COUCHES DEPOSEES A UNE PRESSION DE 1000 BAR PAR RAPPORT A CELLES DEPOSEES A DES PRESSIONS INFERIEURES. LA REALISATION DE DIODES P#+IN#+ EN SILICIUM POLYCRISTALLIN A MIS EN EVIDENCE QUE LA GRAVURE D'UN MESA PERMETTAIT D'AUGMENTER LE REDRESSEMENT DE LA DIODE ET QU'UN RECUIT AU-DELA DU TEMPS NECESSAIRE A LA CRISTALLISATION DES COUCHES POUVAIT AVOIR DES CONSEQUENCES BENEFIQUES. NOUS AVONS ABOUTI AUX PARAMETRES SUIVANTS : UN COURANT EQUIVALENT DE COURT-CIRCUIT DE 2 MA/CM#2 ET UNE TENSION DE CIRCUIT OUVERT DE 0,2 V.

Download or read book ETUDE STRUCTURALE DU SILICIUM POLYCRISTALLIN DESTINE A LA FABRICATION DE PHOTOPILES SOLAIRES written by Jean-François Silvain and published by . This book was released on 1984 with total page 118 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DES EFFETS DES SOUS-JOINTS PRESENTS DANS LES CELLULES SOLAIRES A SILICIUM POLYCRISTALLIN PAR ETUDE DES CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION DE MINI-CELLULES CONTENANT CE TYPE DE DEFAUTS ET PAR UNE ETUDE PAR MET ET EBIC POUR CORRELER L'ACTIVITE ELECTRIQUE ET CRISTALLOGRAPHIE DES SOUS -JOINTS

Download or read book ETUDE DES ETAPES TECHNOLOGIQUES CRITIQUES DANS LA PRODUCTION DES CELLULES SOLAIRES EN SILICIUM MULTICRISTALLIN written by ANNE.. KAMINSKI and published by . This book was released on 1997 with total page 170 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE FACTEUR DE FORME EST L'UN DES PARAMETRES ESSENTIELS DES CELLULES SOLAIRES PUISQU'IL CARACTERISE LEUR FONCTIONNEMENT AU POINT DE PUISSANCE MAXIMALE. CE PARAMETRE DEPEND DE LA RESISTANCE SERIE, DE LA RESISTANCE PARALLELE, DU COURANT DE LA JONCTION ET DE LA TENSION EN CIRCUIT OUVERT. LE BUT DE CE TRAVAIL EST D'ANALYSER CES PARAMETRES ET DE DETERMINER CEUX QUI PREDOMINENT DANS LES CELLULES SOLAIRES EN SILICIUM MULTICRISTALLIN DE GRANDE SURFACE ELABOREES PAR PHOTOWATT INT. S.A. POUR CELA NOUS AVONS ELABORE UNE CARACTERISATION COURANT-TENSION SOUS OBSCURITE POUR DES DIODES DE GRANDES SURFACES ET NOUS AVONS DEVELOPPE UNE METHODE D'EXTRACTION DES PARAMETRES A PARTIR DE LA COURBE OBTENUE. NOUS AVONS AUSSI ADAPTE ET UTILISE LA THERMOGRAPHIE INFRAROUGE POUR LOCALISER LES ZONES DE COURT-CIRCUIT DANS LA CELLULE. DEUX TYPES DE PROCEDES INDUSTRIELS ONT ETE CARACTERISES : UN PROCEDE STANDARD OU LA CELLULE EST TEXTURISEE A LA SOUDE ET UN PROCEDE EN COURS DE DEVELOPPEMENT OU LA CELLULE EST TEXTURISEE A L'ACIDE. EN CE QUI CONCERNE LES CELLULES TEXTURISEES A LA SOUDE, LES PARAMETRES QUI LIMITENT LE FACTEUR DE FORME SONT ESSENTIELLEMENT LA RESISTANCE SERIE MAIS AUSSI LES RECOMBINAISONS EN SURFACE ET DANS LE VOLUME DE LA CELLULE. DANS CE CAS, NOUS AVONS MODELISE LE COMPORTEMENT DE LA RESISTANCE SERIE EN FONCTION DES PARAMETRES GEOMETRIQUES ET PHYSIQUES DE LA CELLULE ET NOUS AVONS DEFINI UN NOUVEAU SCHEMA POUR LA GRILLE DE METALLISATION. NOUS AVONS EGALEMENT ETUDIE L'INFLUENCE DE LA PRESENCE DE LA JONCTION A L'ARRIERE DE LA CELLULE ET DU NOMBRE DE POINTS DE SOUDURE SUR LES LIGNES DE COLLECTE DE LA CELLULE. PAR CONTRE, POUR LES CELLULES EN COURS DE DEVELOPPEMENT, LE PARAMETRE LIMITATIF EST LA RESISTANCE PARALLELE, CEPENDANT UNE ETUDE COMPARATIVE ENTRE DIFFERENTS TYPES D'ETATS DE SURFACE A MONTRE QUE CETTE TEXTURISATION PERMETTAIT D'AVOIR DE MEILLEURES RESISTANCES SERIES.

Download or read book Implantations d ions H et BF2 dans du silicium par faisceau et immersion plasma Application aux cellules solaires written by Damien Barakel and published by . This book was released on 2004 with total page 137 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La technique d'implantation d'ions par faisceau est actuellement bien maîtrisée dans le silicium. Elle pourrait être remplacée par l'immersion dans un plasma. Dans ce travail nous examinons les effets de l'implantation à forte dose d'ions hydrogène par les deux techniques précédentes ainsi que la formation de jonctions P+-N par un plasma de BF3 . Nous montrons que l'hydrogène peut former des donneurs peu profonds et que du silicium de type P est converti en type N, au voisinage de la surface implantée, à une profondeur correspondant au parcours projeté. Des plaquettes de silicium multicristallin ont été améliorées par immersion dans un plasma d'hydrogène, par suite de la passivation des imperfections volumiques. Des jonctions très peu profondes peuvent être obtenues par dopage par immersion dans un plasma de faible énergie. Des cellules solaires ont été préparées en utilisant les deux techniques d'implantation.

Download or read book Etude des etapes technologiques critiques dans la production des cellules solaires en silicium multicristallin written by Anne Kaminski-Cachopo and published by . This book was released on 1997 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Traitement de surface du silicium multicristallin written by Mohamed BEN RABHA and published by Editions Universitaires Europeennes. This book was released on 2014-02 with total page 84 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La connaissance approfondie des traitements de surface du silicium multicristallin suscite un grand interet du a leurs applications dans de nombreux domaines. En effet les differents procedes de traitements et de depots donnent aux surfaces des proprietes et des fonctionnalites nouvelles, debouchant sur des applications couvrant des domaines tres varies (photovoltaique PV, capteurs, passivation des defauts de surface et en volume, ...). Ce livre se compose de trois parties. 1. Dans un premier temps, nous nous sommes interesses a la fabrication de cellules solaires a base de silicium multicristallin traite par le silicium poreux et d'etudier l'effet du traitement de surface sur les performances des cellules realisees 2. Dans une deuxieme partie, nous avons cherche des solutions pour resoudre les problemes optiques et electriques lies a la collecte des porteurs de charge en appliquant une technique de gravure pour la texturisation de surface du Si-mc 3. Enfin, nous nous sommes interesses au developpement de nouveaux procedes de traitement de surface sur le Si-mc en appliquant des revetements a base de couches minces de Silicium poreux, de nitrure de silicium et de dioxyde de titane.