Download or read book ETUDE DE L IMPLANTATION IONIQUE A HAUTE ENERGIE DE BORE ET D OXYGENE DANS LE SILICIUM written by Philippe Thevenin and published by . This book was released on 1991 with total page 134 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE THESE EST CONSACREE A L'ETUDE DE L'IMPLANTATION IONIQUE AVEC DES FAISCEAUX DE HAUTE ENERGIE, DANS LA GAMME DU MEV. TROIS ASPECTS PRINCIPAUX Y SONT ABORDES QUE SONT LA CARACTERISTION DE PROFILS IMPLANTES. L'ETUDE DE LA CREATION DE DEFAUTS ET LA SYNTHESE D'UNE COUCHE D'OXYDE ENTERREE. L'ETUDE DES PROFILS A ETE REALISEE SUR DES ECHANTILLONS DE SILICIUM IMPLANTES AVEC DU BORE ET DE L'OXYGENE, RESPECTIVEMENT ENTRE 0,5 ET 3 MEV, ET ENTRE 0,6 ET 2 MEV. LEUR CARACTERISATION EST OBTENUE PAR LA DETERMINATION DES QUATRE PREMIERS MOMENTS LONGITUDINAUX ET DE L'ECART TYPE TRANSVERSAL DE LA DISTRIBUTION VOLUMIQUE DES IONS IMPLANTES. L'ETUDE DE LEUR EVOLUTION AVEC L'ENERGIE A NOTAMMENT PERMIS DE CONSTATER LE ROLE PREPONDERANT QUE JOUENT LES INTERACTIONS ELECTRONIQUES A HAUTE ENERGIE. L'ANALYSE DE LA CREATION DE DEFAUTS A ETE REALISEE SUR DES ECHANTILLONS DE SILICIUM IMPLANTES AVEC DE L'OXYGENE DE 1 MEV ET SUIVIE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE DE LA CIBLE SOUS FAISCEAU ET DE LA DOSE IMPLANTEE. L'ENDOMMAGEMENT EST AINSI APPARU EVOLUER DEPUIS UNE SIMPLE ACCUMULATION DE DEFAUTS PONCTUELS, PREDOMINANTS JUSQU'AUX ENVIRONS DE 180C, POUR DONNER NAISSANCE A DES DISLOCATIONS IMPARFAITES A PLUS HAUTE TEMPERATURE, APPARITION EGALEMENT LIEE A UN SEUIL EN DOSE. PAR IMPLANTATION D'OXYGENE A TRES FORTE DOSE ET A 2 MEV, IL A ETE POSSIBLE DE SYNTHETISER UNE COUCHE D'OXYDE PROFONDEMENT ENTERREE ET BIEN DEFINIE, APRES UN TRAITEMENT THERMIQUE A HAUTE TEMPERATURE ET DE LONGUE DUREE

Download or read book Implantation ionique d oxyg ne haute nergie dans le silicium written by Kamel Touhouche and published by . This book was released on 1992 with total page 376 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Government Reports Annual Index written by and published by . This book was released on 1993 with total page 1836 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Government Reports Announcements Index written by and published by . This book was released on 1993 with total page 686 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Implantation ionique de bore dans du silicium pr amorphis written by Christian.. Bergaud and published by . This book was released on 1994 with total page 304 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE PRESENTE UNE CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA FORMATION DE JONCTIONS ULTRA-MINCES PAR IMPLANTATION DE BORE DANS DU SILICIUM PREAMORPHISE SUIVIE D'UN RECUIT THERMIQUE RAPIDE. DANS UNE PREMIERE PARTIE, NOUS RAPPELONS LES AVANTAGES APPORTES PAR UNE ETAPE DE PREAMORPHISATION: SUPPRESSION DES EFFETS DE CANALISATION DU BORE ET ACTIVATION ELECTRIQUE COMPLETE DES DOPANTS. MALHEUREUSEMENT, LORS DU RECUIT, DES DEFAUTS ETENDUS, APPELES DEFAUTS EOR, APPARAISSENT SOUS L'ANCIENNE INTERFACE SILICIUM AMORPHE/SILICIUM CRISTALLIN. NOUS AVONS IDENTIFIE CES DEFAUTS DANS LA DEUXIEME PARTIE DE NOTRE TRAVAIL: IL S'AGIT DE BOUCLES DE DISLOCATION CIRCULAIRES FAUTEES ET DE BOUCLES PARFAITES ALLONGEES TOUTES DE NATURE INTERSTITIELLE ET CONTENUES DANS DES PLANS (111). NOUS MONTRONS EGALEMENT QUE SEUL LE MODELE DES EXCES D'INTERSTITIELS PERMET D'EXPLIQUER SEMIQUANTITATIVEMENT LA VARIATION DE LA DENSITE DE CES BOUCLES EN FONCTION DES CONDITIONS DE PREAMORPHISATION. NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE EN COMPARANT DES PROFILS DE DIFFUSION ISSUS DE SIMULATIONS ET DES PROFILS SIMS, L'INFLUENCE DES DEFAUTS EOR SUR LA DIFFUSION DU BORE: DIFFUSION ANORMALE ET PIEGEAGE DU BORE. NOUS PROPOSONS UN MODELE SIMPLE QUI PERMET DE RENDRE COMPTE DE CES EFFETS SUR LA DIFFUSION DU BORE. ENFIN, NOUS AVONS CARACTERISE ELECTRIQUEMENT EN FONCTION DE LA TEMPERATURE DES DIODES P+/N ET NOUS MONTRONS QUE LES DEFAUTS EOR SITUES DANS LA ZONE ACTIVE DE LA JONCTION JOUENT LE ROLE DE CENTRES RECOMBINANTS ET SONT RESPONSABLES DE L'AUGMENTATION DU COURANT EN INVERSE. TOUS CES RESULTATS NOUS ONT PERMIS DE PROPOSER LES CONDITIONS DE PREAMORPHISATION, D'IMPLANTATION ET DE RECUIT CONDUISANT A LA FORMATION DE JONCTIONS P+/N TRES PERFORMANTES (FACTEUR D'IDEALITE DE 1,02 ET UNE VALEUR DU COURANT INVERSE A -10V DE 5 10-#9 A/CM#2)

Download or read book Implantation ionique et traitements thermiques en technologie silicium trait EGEM written by Baudrant and published by Lavoisier. This book was released on with total page 371 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Ion Implantation Science and Technology written by J.F. Ziegler and published by Elsevier. This book was released on 2012-12-02 with total page 509 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ion Implantation Science and Technology: Second Edition, just like the first edition, serves as both an introduction and tutorial to the science, techniques, and machines involved in the subject. The book is divided into two parts - Part 1: Ion Implantation Science and Part 2: Ion Implantation Technology. Part 1 covers topics such as the stopping and range of ions in solids; ion implantation damage in silicon; experimental annealing and activation; and the measurement on ion implantation. Part 2 includes ion optics and focusing on implanter design; photoresist problems and particle contamination; ion implantation diagnostics and process control; and emission of ionizing radiation from ion implanters. The text is recommended for engineers who would like to be acquainted with the principles and processes behind ion implantation or make studies on the field.

Download or read book Ion Implantation in Semiconductors written by Susumu Namba and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2012-12-06 with total page 716 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The technique of ion implantation has become a very useful and stable technique in the field of semiconductor device fabrication. This use of ion implantation is being adopted by industry. Another important application is the fundamental study of the physical properties of materials. The First Conference on Ion Implantation in Semiconductors was held at Thousand Oaks, California in 1970. The second conference in this series was held at Garmish-Partenkirchen, Germany, in 1971. At the third conference, which convened at Yorktown Heights, New York in 1973, the emphasis was broadened to include metals and insulators as well as semiconductors. This scope of the conference was still accepted at the fourth conference which was held at Osaka, Japan, in 1974. A huge number of papers had been submitted to this conference. All papers which were presented at the Fourth International Conference on Ion Implantation in Semiconductors and Other Materials are included in this proceedings. The success of this conference was due to technical presentations and discussions of 224 participants from 14 countries as well as to financial support from many companies in Japan. On behalf of the committee, I wish to thank the authors for their excellent papers and the sponsors for their financial support. The International Committee responsible for advising this conference consisted of B.L. Crowder, J.A. Davies, G. Dearna1ey, F.H. Eisen, Ph. G1otin, T. Itoh, A.U. MacRae, J.W. Mayer, S. Namba, I. Ruge, and F.L. Vook.

Download or read book Etude par photoconductivit du silicium dop au bore par implantation ionique written by Bernard Netange and published by . This book was released on 1972 with total page 52 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Implantation ionique d hydrog ne et d h lium basse nergie dans le silicium monocristallin written by Nabil Daghbouj and published by . This book was released on 2016 with total page 145 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'implantation d'hydrogène à forte dose est utilisée dans le procédé Smart Cut(tm) afin de transférer des couches de silicium assez épaisses (>200 nm) sur un autre substrat. En utilisant l'implantation à très basse énergie, la co-implantation d'H et d'He pour des doses totales bien plus faibles que celles requises lorsque l'hydrogène est implanté seul ouvre la voie à un transfert de couches beaucoup plus minces (

Download or read book ETUDE DES DEFAUTS APRES IMPLANTATION IONIQUE DE L OXYGENE DANS LE SILICIUM written by DANIEL.. BERTRAND and published by . This book was released on 1981 with total page 86 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DU COMPORTEMENT DE L'OXYGENE IMPLANTE DIRECTEMENT DANS LE SILICIUM PAR DIFFRACTION D'ELECTRONS ET MICROSCOPIE ELECTRONIQUE. SUIVI DE LA CONCENTRATION D'OXYGENE DANS LE SILICIUM IMPLANTE A DE FORTES DOSES PAR SONDE IONIQUE. IMPLANTATIONS D'ARSENIC SEUL OU A TRAVERS SIO::(2) AFIN DE DEGAGER LA SIMILITUDE QUI EXISTE ENTRE LES IMPLANTATIONS DIRECTES EN OXYGENE ET LE RECUL DE L'OXYGENE

Download or read book Quantification et distribution du bore dans le silicium implant written by Huiyuan Wang and published by . This book was released on 2013 with total page 156 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de thèse est constitué de trois grandes parties. Dans la première partie, nous avons étudié théoriquement l’influence de la température sur le flux de germination de précipités dans un alliage binaire sursaturé. La théorie plus élaborée de Zeldovich a montré que le flux de germination présente un seul maximum en fonction de la température, ce qui est similaire que la théorie classique de Volmer-Weber. Une comparaison entre ces deux théories a montré que les effets de régression (dissolution possible des germes surcritiques dans une petite zone autour de la taille critique) ont une forte influence sur la forme de la courbe du flux de germination en fonction de la température. Nous avons appliqué cette étude théorique dans le système Si-B. Due à la grande énergie d’activation pour la diffusion du B dans le Si, l’étude a montré une très faible influence des effets de régression, se traduisant par une légère diminution de la température donnant le maximum du flux de germination dans le système Si-B. Dans la deuxième partie, la spectrométrie de masse d’ions secondaires (SIMS), la spectroscopie des pertes d’énergie des électrons couplée à la microscopie électronique en transmission en balayage (STEM-EELS) et la sonde atomique tomographique (SAT) ont été combinées pour la quantification du B dans le Si implanté à hautes concentrations. Leurs points forts et points faibles ont été montrés dans la caractérisation du B dans le Si. S’agissant la détection des évènements multiples dans la SAT, une nouvelle méthode du traitement des signaux de détection a été appliquée. Un progrès important concernant la quantification du bore dans le silicium a été démontré par nos expériences. Dans la troisième partie, nous avons étudié la précipitation du B dans le Si faiblement sursaturé et très sursaturé. Les études de la précipitation du B dans le Si faiblement sursaturé nous ont montré qu’il est très difficile d’étudier la précipitation seule dans le silicium faiblement sursaturé du fait de la présence des défauts d’implantation (boucles de dislocation...). Pour privilégier la précipitation, l’étude de la précipitation du B dans le Si très sursaturé a montré qu’il y a séparation de phases après implantation. À faible budget thermique, la composition des précipités est loin de celle de la phase d’équilibre SiB3, mais s’en rapproche à haute température, un régime de décomposition spinodale Si-B est suspecté pour les alliages les plus concentrés.

Download or read book Implantation ionique haute nergie du silicium dans l ars niure de gallium microforme written by Abdellah Azelmad and published by Bibliothèque nationale du Canada. This book was released on 1988 with total page 248 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Contribution l tude de la diffusion des impuret s dopantes dans le silicium written by Pascal Normand and published by . This book was released on 1992 with total page 274 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS UNE PREMIERE PARTIE, CETTE ETUDE TRAITE DES ELEMENTS FONDAMENTAUX UTILES A L'ANALYSE DE LA MIGRATION DES IMPURETES DANS LE SILICIUM. UNE FORMULATION GENERALE DES EQUATIONS DE TRANSPORT DANS LE CAS DU MECANISME LACUNAIRE DE MIGRATION DES IMPURETES DOPANTES EST NOTAMMENT PROPOSEE SUR LA BASE DE LA THEORIE PHENOMENOLOGIQUE DE LA DIFFUSION FONDEE SUR LA THERMODYNAMIQUE DES PROCESSUS IRREVERSIBLES. CES EQUATIONS SONT DISCUTEES A TRAVERS LES COEFFICIENTS DE TRANSPORT PHENOMENOLOGIQUES EXPLICITES EN TERMES DE CARACTERISTIQUES ELEMENTAIRES (CONCENTRATIONS DE DEFAUTS, INTERACTIONS LACUNE-IMPURETE, ...). LES PROPRIETES (NIVEAU(X), ELECTRIQUE(S), ENERGIE(S) DE LIAISON LACUNE-IMPURETE, ...) DES DEFAUTS PONCTUELS SONT EXHAUSTIVEMENT RAPPORTES. LES DIVERS MODELES STATISTIQUES ET APPROCHES PHENOMENOLOGIQUES PROPOSES DANS LA LITTERATURE POUR UN TEL MECANISME SONT REVUS ET CRITIQUES. LA SECONDE PARTIE DE TRAVAIL TRAITE SUR LE PLAN MACROSCOPIQUE DE LA REDISTRIBUTION, APRES IMPLANTATION, DES IMPURETES DOPANTES, L'ARSENIC ET LE BORE, DANS DES STRUCTURES SILICIUM-SUR-ISOLANT OBTENUES PAR IMPLANTATION D'OXYGENE (SIMOX). SE SITUANT DANS UNE PERIODE D'EVOLUTION DES PROCESSUS DE FABRICATION DE CES STRUCTURES, CETTE ETUDE MET EN EVIDENCE LE ROLE PREPONDERANT TENU PAR LA QUALITE DES FILMS DE SILICIUM SUR LA REDISTRIBUTION DES IMPURETES. UNE TELLE ETUDE, EGALEMENT ENTREPRISE DANS LE SILICIUM MASSIF, EST MENEE SUR LA BASE D'UN PARALLELE D'ANALYSES EXPERIMENTALES PHYSICO-CHIMIQUES, CRISTALLOGRAPHIQUES ET ELECTRIQUES, CECI EN CORRELATION AVEC DIVERS TRAITEMENTS PHENOMENOLOGIQUES DES RESULTATS EXPERIMENTAUX

Download or read book Jonctions ultra minces dans le silicium written by Larbi Laanab and published by . This book was released on 1993 with total page 272 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: AU COURS DE CE TRAVAIL NOUS NOUS SOMMES INTERESSES A L'ETUDE DE JONCTIONS ULTRA-MINCES DANS LE SILICIUM ELABOREES PAR IMPLANTATION IONIQUE ET RECUIT THERMIQUE RAPIDE. NOUS AVONS MONTRE QU'UNE ETAPE DE PREAMORPHISATION PERMET D'ELIMINER L'EFFET DE CANALISATION, DE REDUIRE LA DIFFUSION ANORMALE ET D'ELIMINER LES DEFAUTS DU CENTRE DE LA JONCTION. NEANMOINS LA RECRISTALLISATION DE LA COUCHE AMORPHE, NECESSAIRE A L'ACTIVATION DU BORE, ABOUTIT A LA FORMATION D'UNE BANDE DE DEFAUTS EOR AU-DESSOUS DE L'ANCIENNE INTERFACE C/A. CES DEFAUTS DEGRADENT LES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE LA JONCTION ET AUGMENTENT SON COURANT DE FUITE. DANS UNE PREMIERE PARTIE DE CE TRAVAIL NOUS AVONS ETUDIE EXPERIMENTALEMENT ET PAR SIMULATION (MODELE CDED) L'AMORPHISATION DU SILICIUM PAR BOMBARDEMENT D'IONS ISOELECTRONIQUES (SI#+, GE#+, SN#+). CETTE ETUDE A ABOUTI A UNE MISE EN FORME ANALYTIQUE DE LA VARIATION DE L'EPAISSEUR DE LA COUCHE AMORPHE EN FONCTION DES PARAMETRES D'IMPLANTATION (DOSE ET ENERGIE). CES RESULTATS PEUVENT ETRE EXPLOITES DANS UN SIMULATEUR DE PROCEDE. NOUS AVONS ENSUITE MONTRE, EN UTILISANT DES TECHNIQUES DE MET, QUE LES DEFAUTS EOR SONT BOUCLES DE DISLOCATION DE NATURES INTERSTITIELLES, LOGEANT DANS DES PLANS (111) ET AYANT DES VECTEURS DE BURGERS DE TYPE A/3111 OU A/2110. NOUS AVONS ENSUITE PRESENTE LES PRINCIPAUX MODELES, ISSUS DE LA LITTERATURE, QUI DECRIVENT LA FORMATION DE CES DEFAUTS. APRES AVOIR TESTE LA VALIDITE DE CHAQUE MODELE NOUS AVONS MONTRE QUE SEUL LE MODELE DIT D'EXCES D'INTERSTITIELS PERMET D'EXPLIQUER LA VARIATION DE LA DENSITE D'EOR EN FONCTION DES CONDITIONS D'IMPLANTATION. NOUS AVONS ENFIN ETUDIE LA VARIATION DE L'EXTENSION DE LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE EN FONCTION DE LA RAIDEUR DU PROFIL DE BORE. NOUS MONTRONS AINSI QU'IL EST POSSIBLE DE CHOISIR DES CONDITIONS DE PREAMORPHISATION QUI PERMETTENT LA FORMATION DE DEFAUTS D'EOR HORS DE LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE

Download or read book tude r alisation et caract risation de dopages par implantation ionique pour une application aux cellules solaires en silicium written by Adeline Lanterne and published by . This book was released on 2014 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse a pour but d'étudier le dopage par implantation ionique pour la réalisation des différentes zones dopées des cellules solaires en silicium cristallin (émetteur, champ arrière...). L'avantage de l'implantation ionique, par rapport à la diffusion gazeuse, est de pouvoir contrôler le profil des dopants implantés ainsi que de simplifier les procédés de fabrication des cellules. Deux techniques d'implantation ionique ont été utilisées dans ces travaux, l'implantation classique par faisceau d'ions et l'implantation par immersion plasma. Des dopages au phosphore, au bore et à l'arsenic ont été réalisés par cette technique d'implantation avec une activation par recuit thermique. L'importance de la température de recuit, des doses d'implantation et des couches de passivation sur la qualité électrique des jonctions formées a été mise en évidence. Des jonctions à faible courant de saturation ont pu être obtenues pour les différentes sources dopantes. Ces dopages par implantation ont ensuite été appliqués à la réalisation de cellules solaires en silicium sur substrat de type p (avec un émetteur dopé au phosphore) et sur substrat de type n (avec un émetteur dopé au bore et un champ arrière dopé au phosphore). L'utilisation de l'implantation ionique a permis d'atteindre un rendement de 19,1 % sur les cellules de type p soit un gain de 0,6 %abs par rapport au dopage par diffusion gazeuse, ainsi qu'un rendement de 20,2 % sur les cellules de type n.

Download or read book Ion Implantation in Semiconductors written by Ingolf Ruge and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2012-12-06 with total page 519 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: In recent years great progress has been made in the field of ion implantation, particularly with respect to applications in semiconductors. It would be impos sible not to note the growing interest in this field, both by research groups and those directly concerned with production of devices. Furthermore, as several papers have pointed out, ion implantation and its associated technologies promise exciting advances in the development of new kinds of devices and provide power ful new tools for materials investigations. It was, therefore, appropriate to arrange the II. International Conference on Ion Implantation in Semiconductors within the rather short time of one year since the first conference was held in 1970 in Thousand Oaks, California. Although ori ginally planned on a small scale with a very limited number of participants, more than two hundred scientists from 15 countries participated in the Conference which was held May 24 - 28, 1971 at the Congress Center in Garmisch-Partenkirchen. This volume contains the papers that were presented at the Conference. Due to the tremendous volume of research presented, publication here of all the works in full detail was not possible. Many authors therefore graciously agreed to submit abbreviated versions of their papers.