Download or read book Etude d pitaxies et de substrats SiC par imagerie de photoluminescence written by Lilian Masarotto and published by . This book was released on 2001 with total page 173 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur qui possède une largeur de bande interdite élevée (de 2.3 eV à 3.3 eV selon le polytype), un fort champ de claquage (4MV/cm), une vitesse de saturation des électrons deux fois supérieure à celle du silicium et une conductivité thermique voisine de celle du cuivre. Ces propriétés physiques remarquables font du SiC un matériau prometteur pour le développement d'une électronique spécifique dans les domaines de la haute température, de la puissance et des hyperfréquences. Toutefois, malgré les efforts considérables menés ces dernières années, la qualité du matériau n'a pas atteint un stade de maturité suffisant pour que les potentialités du SiC soient pleinement exploitées au niveau de la réalisation de dispositifs. Il est donc nécessaire que les efforts faits en croissance soient accompagnés d'une caractérisation fine, rapide et non destructive. Dans cet objectif, ce travail de thèse a consisté à développer un banc de mesure cartographique de la photoluminescence du SiC. Le faible rendement de luminescence du SiC du à sa bande interdite indirecte et la nécessité d'exciter le matériau dans l'UV ont nécessité un important travail expérimental afin d'optimiser le rapport signal sur bruit tout en s'affranchissant des raies parasites dues à l'excitation UV. Dans un deuxième temps nous avons pu exploiter l'équipement développé et démontrer son intérêt pour la caractérisation d'un certains nombres de défauts microscopiques dans le SiC. Ainsi nous avons montré qu'il était possible, sans avoir recours à une attaque chimique, de révéler les dislocations vis et les micropipes. Nous avons également montré que l'homogénéité du prolytype peut être cartographiée par cette technique. Enfin, dans un troisième temps, grâce au soin porté à l'étalonnage de l ‘équipement, nous avons pu déduire, par une modélisation, la durée de vie des porteurs minoritaires à partir de l'intensité du signal de photoluminescence.

Download or read book L apport de l imagerie raman et de la photoluminescence la caract risation de carbure de silicium SiC written by Aurélie Thuaire and published by . This book was released on 2006 with total page 213 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le carbure de silicium est aujourd'hui commercialement disponible sous forme de larges substrats (lOcm de diamètre), ou de composants électroniques de plus en plus puissants. Néanmoins, les performances des dispositifs électroniques sont limitées par la présence de défauts. Ce travail de thèse consiste ainsi d'une part à étudier les défauts présents dans les substrats et épitaxies dans le but de mettre en évidence les facteurs et paramètres à l'origine de la modification des propriétés structurales et électroniques de ces échantillons. D'autre part, les connaissances acquises sont réinvesties dans la caractérisation de composants électroniques polarisés (diodes PiN à base de SiC et jonctions PN en diamant). Les apports et les limites des techniques de caractérisation utilisées, spectroscopie et imagerie Raman, photoluminescence, ainsi que photoémission et microscopie optique en lumière polarisée, auxquelles est couplée la spectroscopie Raman, sont par ailleurs mis en évidence.