Download or read book ETUDE D INTERFACES METAUX SEMI CONDUCTEURS PAR DIFFERENTES TECHNIQUES D ANALYSE written by Pierre Claverie and published by . This book was released on 1986 with total page 148 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: APPROCHE PAR PHOTOEMISSION ANGULAIRE DU DEBUT DE CROISSANCE HETEROGENE DU PLATINE DEPOSE SUR UNE SURFACE (110) CLIVEE "IN SITU" DE L'INP. ETUDE PAR DIFFRACTION DE RAYONS X EN INCIDENCE RASANTE DE LA STRUCTURE DE SURFACE DE GAAB RECONSTRUITE PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES, OU EN INTERACTION AVEC DE L'ARGENT EPITAXIE

Download or read book Etude des interfaces m tal noble semiconducteur written by Gilles Mathieu and published by . This book was released on 1987 with total page 248 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE EXPERIMENTALE PAR SPECTROMETRIE AUGER, DIFFRACTION D'ELECTRONS LENTS, SPECTROMETRIE DE PERTES D'ENERGIE D'ELECTRONS, PHOTOEMISSION DIRECTE ET MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION. ANALYSE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES POUR LE SYSTEME CU/SI DANS LE CAS D'UNE MONOCOUCHE DEPOSEE A CHAUD ET A TEMPERATURE AMBIANTE. ETUDE DE LA MICROSTRUCTURE DE L'INTERFACE AU/SI (111) CONSTITUEE PAR UNE MATRICE AMORPHE AU/SI CONTENANT DES MICROCRISTALLITES D'OR PUR. CARACTERISATION PAR MICROSCOPIE PAR EFFET TUNNEL DU SYSTEME AU/SI (111)

Download or read book ETUDE PAR SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS DE SURFACES ET INTERFACES DE SEMI CONDUCTEURS III V PREPAREES PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES written by MARC.. LARIVE and published by . This book was released on 1993 with total page 223 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS CETTE THESE, NOUS PRESENTONS QUELQUES ETUDES DE CARACTERISATION IN SITU AVEC UNE METHODE D'ANALYSE DE SURFACE (SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS AU LABORATOIRE ET AVEC LE RAYONNEMENT SYNCHROTRON) REALISEES AU COURS DE LA CROISSANCE D'INTERFACES SEMI-CONDUCTEUR/SEMI-CONDUCTEUR OU SEMI-CONDUCTEUR/METAL. TOUT D'ABORD, UNE ETUDE SUR LES SURFACES PROPRES DE GAAS OBTENUES PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES POUR DIFFERENTES ORIENTATIONS ET RECONSTRUCTIONS EST EFFECTUEE. LES COMPOSANTES DE SURFACE SONT MISES EN EVIDENCE SUR LES SPECTRES DE NIVEAUX DE COEUR ET, A PARTIR D'UN MODELE SIMPLE DE REPARTITION DE CHARGES ELECTRONIQUES, RELIEES AUX DIFFERENTES RECONSTRUCTIONS ATOMIQUES DE SURFACE. NOUS PRESENTONS ENSUITE UNE ETUDE SUR LES INTERFACES NI/GAAS (100) REALISEES IN SITU. LA METALLURGIE SEMBLE LA MEME QUE POUR NI/GAAS (110) ET L'ANALYSE DES SPECTRES DE BANDE DE VALENCE ET DE NIVEAUX DE COEUR MONTRE QUE LA STOECHIOMETRIE DU COMPOSE DE REACTION VARIE AU COURS D'UN RECUIT. LA HAUTEUR DE LA BARRIERE DE SCHOTTKY FORMEE EST LA MEME SUR LES DEUX ORIENTATIONS (0,54 EV POUR UN SUBSTRAT DE TYPE P EN ACCORD AVEC LES PREDICTIONS BASEES SUR LA DIFFERENCE D'ELECTRONEGATIVITE). ENFIN, L'ANALYSE IN-SITU PAR SPECTROSCOPIE DES NIVEAUX DE COEUR GA-3D ET IN-4D, ASSOCIEE A UN MODELE D'EQUILIBRE LOCAL EN SURFACE, A PERMIS DE QUANTIFIER LE PHENOMENE DE SEGREGATION D'INDIUM AUX INTERFACE GA#1#-#XIN#XAS/GAAS (100) ET (111). UNE ENERGIE DE SEGREGATION PHENOMENOLOGIQUE PEUT ETRE DETERMINEE EXPERIMENTALEMENT A PARTIR DE NOS MESURES ET UTILISEE POUR LA PREDICTION DES PROPRIETES OPTIQUES DE PUITS QUANTIQUES GAAS/GAINAS/GAAS (100). L'INFLUENCE DE LA DIFFUSION DES ATOMES EN SURFACE COMME FACTEUR LIMITANT CINETIQUEMENT L'IMPORTANCE DE LA SEGREGATION EST DEMONTREE. ENFIN, NOUS AVONS AUSSI ETUDIE LA DISCONTINUITE DE BANDE DE VALENCE ASSOCIEE A CES HETEROJONCTIONS

Download or read book Etude dela faisabilit et caract risation d interfaces m tal semi conducteur et de diodes en couches minces tude des ph nom nes de transport du ZnSi As2 monocristallin written by Abdelbacet Khelil and published by . This book was released on 1986 with total page 356 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Contribution l tude d interfaces m tal semi conducteur et de leurs propri t s d oxydation written by Alain Cros and published by . This book was released on 1981 with total page 410 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ETUDE PAR PERTE D'ENERGIE D'ELECTRONS LENTS SUR L'INTERFACE SI-AU PERMET DE SUGGERER LA FORMATION D'ALLIAGES AMORPHES DES LES TOUS PREMIERS STADES DE DEPOT. INTERPOSITION D'UNE MINCE COUCHE D'OR ENTRE SI ET AG REND DIFFUSIVE UNE INTERFACE INITIALEMENT ABRUPTE, PERMETTANT LA FORMATION D'ALLIAGES SI-AG QUE L'ON NE SAVAIT OBTENIR AUPARAVANT QUE PAR TREMPES ULTRARAPIDES DE SOLUTIONS LIQUIDES. LE PASSAGE DES ATOMES SI D'UN ENVIRONNEMENT CRISTALLIN COVALENT A UN ENVIRONNEMENT METALLIQUE, S'ACCOMPAGNE D'UNE MODIFICATION PROFONDE DE LEURS PROPRIETES D'OXYDATION. DES TETRAEDRES SIO::(4) PEUVENT ETRE FORMES A LA TEMPERATURE AMBIANTE PAR SIMPLE EXPOSITION DE L'INTERFACE SI-AU AMORPHE A UNE PRESSION D'OXYGENE

Download or read book tude des tats localis s aux interfaces m tal silicium written by Pierre Muret and published by . This book was released on 1985 with total page 253 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA PRESENTE ETUDE S'ATTACHE A DEFINIR ET A METTRE EN OEUVRE LES MOYENS DE DETERMINER LES CARACTERISTIQUES DES ETATS D'INTERFACE METAL-SEMICONDUCTEUR. LE SILICIUM (P OU N) CLIVE SOUS ULTRA-VIDE ET RECOUVERT DE QUELQUES 0.1 MU M DE DIVERS METAUX (NOTAMMENT AG, AU, NI) A ETE PRIS COMME OBJET D'INVESTIGATION. LA MESURE DE LA CAPACITE DES DIODES AINSI OBTENUES FAIT APPARAITRE EN POLARISATION DIRECTE UN ECART IMPORTANT PAR RAPPORT A LA LOI 1/C**(2) LINEAIRE VALABLE EN INVERSE. ON ATTRIBUE CETTE CAPACITE EXCEDENTAIRE PRINCIPALEMENT A LA CHARGE CONTENUE DANS LES ETATS D'INTERFACE, CE QUI EST JUSTIFIE PAR UNE THEORIE CLASSIQUE DU TRANSPORT. DE PLUS, UNE MODELISATION PRENANT EN COMPTE LES DIVERSES TRANSITIONS ENTRE LES ETATS D'INTERFACE ET LES BANDES DU SEMICONDUCTEUR ET DU METAL PERMET DE PREVOIR LE COMPORTEMENT DE CETTE CAPACITE EN FONCTION DE LA POLARISATION, DE LA FREQUENCE ET DE LA TEMPERATURE.

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DES INTERFACES ENTRE UN CONDUCTEUR IONIQUE ET UN SEMI CONDUCTEUR LAMELLAIRE written by GHOLAMREZA.. BROJERDI and published by . This book was released on 1994 with total page 224 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL CONCERNE L'ETUDE SPECTROSCOPIQUE DES INTERFACES ENTRE UN SEMICONDUCTEUR LAMELLAIRE (INSE) ET UN VERRE CONDUCTEUR IONIQUE ET RECIPROQUEMENT AFIN DE PRECISER LES PHENOMENES PHYSIQUES LIES AU TRANSPORT DE MASSE ET DE CHARGE A TRAVERS CES INTERFACES DU POINT DE VUE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES ET STRUCTURALES. LES TECHNIQUES UTILISEES SONT LA DIFFRACTION DES ELECTRONS RAPIDES (RHEED) ET DE RAYON X, LA PHOTOEMISSION X ET LA SPECROSCOPIE RAMAN INSE EST SOIT UN CRISTAL MASSIF CLIVE SOIT DES COUCHES MINCES PREPAREES PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES (EJM). L'EPITAXIE DE INSE SUR SI(111) 7X7 PROPRE MONTRE UNE CROISSANCE BIDIMENSIONNELLE REALISEE DES LE PREMIER FEUILLET TELLE QUE LE PLAN (00.1) DE INSE PARALLELE AU PLAN (111) DU SILICIUM ET QUE L'AXE C DE INSE COINCIDE AVEC LA NORMALE DE LA SURFACE DE SI(111). LES RESULTATS RAMAN MONTRENT QUE TOUS LES MODES DE VIBRATION CARACTERISTIQUES DU MONOCRISTAL DE INSE SONT OBSERVES DANS LES COUCHES EPITAXIEES MAIS LES INTENSITES DES PICS VARIENT EN FONCTION DES CONDITIONS DE CROISSANCE. DES COUCHES MINCES DE VERRE CONDUCTEUR IONIQUE (B#2O#3-O,8LI20-0,8LI#2SO#4) SONT PREPAREES PAR PULVERISATION CATHODIQUES. ELLES ONT UNE COMPOSITION EN ACCORD AVEC LA COMPOSITION THEORIQUE ATTENDUE SI LE SUBSTRAT EST ISOLANT OU SEMICONDUCTEUR ISOLE ELECTRIQUEMENT ET REFROIDI. POUR L'INTERFACE SEMICONDUCTEUR LAMELLAIRE INSE SUR CONDUCTEUR IONIQUE, LA CROISSANCE EST BIDIMENSIONNELLE ET L'INTERFACE EST ABRUPTE. POUR L'INTERFACE CONDUCTEUR IONIQUE SUR INSE. LES RESULTATS SONT DIFFERENTS SI LE SUBSTRAT EST ISOLE OU NON. SI LE SUBSTRAT EST ISOLE, LE LITHIUM EST PRESENT EN SURFACE, ET DEUX SORTES D'INDIUM APPARAISSENT: L'UN CORRESPOND A INSE ET L'AUTRE SUGGERE UNE REACTION D'INTERFACE AVEC FORMATION D'UN COMPOSE AVEC LE LITHIUM OU L'INDIUM AURAIT UN CARACTERE PLUS IONIQUE QUE INSE. SUR LE SUBSTRAT NON ISOLE ELECTRIQUEMENT LE LITHIUM N'EST PAS PRESENT EN SURFACE ET DEUX TYPES D'INDIUM SONT OBSERVES: L'UN CORRESPOND A INSE, L'AUTRE AURAIT UN CARACTERE PROCHE DE CELUI DU METAL SUGGERANT UNE DIFFUSION DE LITHIUM. POUR MIEUX COMPRENDRE LES PHENOMENES D'INTERCALATION, NOUS AVONS ETUDIE L'INTERFACE SODIUM SUR INSE ET SON COMPORTEMENT EN FONCTION DES RECUITS. NOUS OBSERVONS DES DIFFERENCES REMARQUABLES ENTRE LE SODIUM SUR INSE MASSIF CLIVE ET LE SODIUM SUR INSE COUCHE MINCE SUR SI(111) HYDROGENE. NOUS METTONS EN EVIDENCE LE ROLE DE L'EPAISSEUR DU SEMICONDUCTEUR SUR L'INSERTION DE SODIUM. UNE INSERTION EN VOLUME EST SUGGEREE POUR LE INSE MASSIF. POUR INTERPRETER LES SPECTRES DE PHOTOEMISSION X, NOUS DISTINGUONS LES DEPLACEMENTS CHIMIQUES DES EFFETS DE COURBURE DE BANDES. POUR NA/INSE/SI(111) HYDROGENE, NOUS TROUVONS UNE PHASE INSE ET UNE PHASE PROCHE DU METAL. POUR NA/INSE MASSIF, DEUX PHASES D'INSERTION SONT MISES EN EVIDENCE, UNE PHASE COMPLEXE RICHE EN SODIUM ET UNE PHASE DE INSE MODIFIEE PAR DU SODIUM EN SURFACE

Download or read book tude des tats localis s aux interfaces m tal silicium written by Pierre Muret and published by . This book was released on 1985 with total page 253 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA PRESENTE ETUDE S'ATTACHE A DEFINIR ET A METTRE EN OEUVRE LES MOYENS DE DETERMINER LES CARACTERISTIQUES DES ETATS D'INTERFACE METAL-SEMICONDUCTEUR. LE SILICIUM (P OU N) CLIVE SOUS ULTRA-VIDE ET RECOUVERT DE QUELQUES 0.1 MU M DE DIVERS METAUX (NOTAMMENT AG, AU, NI) A ETE PRIS COMME OBJET D'INVESTIGATION. LA MESURE DE LA CAPACITE DES DIODES AINSI OBTENUES FAIT APPARAITRE EN POLARISATION DIRECTE UN ECART IMPORTANT PAR RAPPORT A LA LOI 1/C**(2) LINEAIRE VALABLE EN INVERSE. ON ATTRIBUE CETTE CAPACITE EXCEDENTAIRE PRINCIPALEMENT A LA CHARGE CONTENUE DANS LES ETATS D'INTERFACE, CE QUI EST JUSTIFIE PAR UNE THEORIE CLASSIQUE DU TRANSPORT. DE PLUS, UNE MODELISATION PRENANT EN COMPTE LES DIVERSES TRANSITIONS ENTRE LES ETATS D'INTERFACE ET LES BANDES DU SEMICONDUCTEUR ET DU METAL PERMET DE PREVOIR LE COMPORTEMENT DE CETTE CAPACITE EN FONCTION DE LA POLARISATION, DE LA FREQUENCE ET DE LA TEMPERATURE

Download or read book tude th orique et exp rimentale de la capture non radiative de porteurs libres dans les semi conducteurs written by Didier Goguenheim and published by . This book was released on 1992 with total page 312 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail réalise une étude théorique et expérimentale d'un paramètre physique caractéristique des défauts dans les semi-conducteurs : la section de capture. L'approche fondamentale du phénomène de capture non-radiative des porteurs libres par les défauts est menée dans une optique originale (formalisme statique) permettant un calcul analytique et aboutissant à une formule compacte de la probabilité de transition. Ce calcul plus complet précise les limites de validité des modèles simplifiés (barrière énergétique unique) et explique la dépendance en température de la section de capture observée expérimentalement. Appliqué au cas de la liaison pendant à l'interface Si/SiO2 (Centre Pb) à l'aide d'une modèle microscopique moléculaire, il fournit des valeurs théoriques de la section de capture de ce défaut. L'étude expérimentale porte sur les défauts d'interface dans les structures MOS (Métal-Oxyde-Semiconducteur). L'interprétation des techniques électriques utilisées (caractéristique Capacité-Tension C(V), Spectroscopie de Transitoire de Niveau Profond DLTS, cinétique de remplissage) fut améliorée par une modélisation précise de la dynamique d'échange de charges à l'interface, afin de remonter à des valeurs correctes de sections de capture. Les propriétés spécifiques des différents centres Pb présents sur la face Si(100), et par comparaison des propriétés électriques la nature des défauts induits par injection de porteurs dans l'oxyde sous haut champ électrique

Download or read book Les M moires scientifiques de la Revue de m tallurgie written by and published by . This book was released on 1980 with total page 654 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book ETUDE DE LA FORMATION DE L INTERFACE METAL SEMICONDUCTEUR PAR SPECTROSCOPIE AVEC LE RAYONNEMENT SYNCHROTRON written by Giorgio Rossi and published by . This book was released on 1985 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE ET ATOMIQUE DES INTERFACES METAL-SEMICONDUCTEUR EN UTILISANT L'INTERACTION DU RAYONNEMENT SYNCHROTRON AVEC LA MATIERE. DETERMINATION DES DENSITES D'ETATS ELECTRONIQUES ET DES SECTIONS EFFICACES DE PHOTOIONISATION. ETUDE PAR ABSORPTION DE RAYONS X DE LA BANDE INTERDITE ET DE LA CRISTALLOGRAPHIE DES INTERFACES. INTERFACES SEMICONDUCTEUR (SI, GE, INP), METAUX DE TRANSITION, LANTHANIDES

Download or read book ETUDE DE COUCHES ULTRAMINCES SUR SUBSTRATS METALLIQUES ET SEMI CONDUCTEURS PAR SPECTROSCOPIE INFRAROUGE A TRANSFORMEE DE FOURIER written by CATHERINE.. DUPONT and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA SPECTROSCOPIE INFRAROUGE A TRANSFORMEE DE FOURIER PERMET UNE CARACTERISATION DE LA STRUCTURE ET DE LA COMPOSITION CHIMIQUE DE DEPOTS EPAIS, SUPERIEURS A UNE DIZAINE DE NANOMETRES. COUPLEE A DES METHODES DE DETECTION BASEES SUR LES PHENOMENES DE REFLEXION INTERNE OU EXTERNE, ELLE PERMET L'ANALYSE NON SEULEMENT SUR DES SUBSTRATS TRANSPARENTS COMME LE SILICIUM, MAIS AUSSI SUR DES SURFACES METALLIQUES, DES INTERFACES ET DES FILMS ULTRAMINCES. APRES AVOIR DECRIT D'UN POINT DE VUE THEORIQUE LES DIFFERENTES TECHNIQUES EXPERIMENTALES ET LES CALCULS OPTIQUES LIES A L'ETUDE DES SYSTEMES MULTICOUCHES, NOUS PRESENTONS LES DIVERS TRAVAUX CONSACRES A L'ANALYSE DES INTERFACES POLYIMIDE-ALUMINIUM ET POLYIMIDE-SILICIUM; CE POLYMERE, DEPOSE A LA TOURNETTE NE PRESENTE PAS D'ORIENTATION PARTICULIERE. AUCUNE LIAISON DU TYPE AL-O-C, DECRITE COMME LE MECANISME REGISSANT L'ADHERENCE DU POLYIMIDE SUR L'ALUMINIUM N'A ETE OBSERVEE. IL EN EST DE MEME SUR LE SILICIUM. A CONTRARIO, L'ANALYSE DES INTERFACES ACIDE BEHENIQUE-SUBSTRAT NOUS A MONTRE QUE LES COUCHES MONOMOLECULAIRES ORGANIQUES DE CE POLYMERE TRANSFEREES PAR LA TECHNIQUE DE LANGMUIR-BLODGETT ETAIENT ORIENTEES: DANS LE CAS D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM HYDROPHOBE L'INCLINAISON MOYENNE DES CHAINES ALIPHATIQUES PAR RAPPORT A LA NORMALE AU SUBSTRAT EST DE 20 ENVIRON, DES LA PREMIERE MONOCOUCHE. EN CE QUI CONCERNE L'ALUMINIUM, ELLE EST D'ABORD DE 15 AVEC LA FORMATION D'UN SEL, ET ENSUITE DE 23. DANS LE DERNIER CHAPITRE, NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE LA TRES GRANDE SENSIBILITE DE LA METHODE DE MULTIPLES REFLEXIONS INTERNES (M.I.R.), EN ETUDIANT L'ADSORPTION DES HYDRURES DE SILICIUM SUR DES SURFACES SI(100) OBTENUE PAR GRAVURE DANS DES SOLUTIONS FLUORHYDRIQUES; NOUS AVONS CONSTATE QUE LA GEOMETRIE DE CES SURFACES ET LEUR RECONSTRUCTION N'ETAIENT PAS LIEES UNIQUEMENT AUX QUALITES INTRINSEQUES DU SILICIUM, MAIS SURTOUT AUX SOLUTIONS DE GRAVURE ET DE NETTOYAGE

Download or read book Journal de physique th orique et appliqu e written by and published by . This book was released on 1986 with total page 582 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Bulletin de Min ralogie written by and published by . This book was released on 1981 with total page 588 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Sciences de la mati re et microgravit written by Dominique Langevin and published by . This book was released on 2001 with total page 368 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Acta electronica written by and published by . This book was released on 1983 with total page 390 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book INIS Atomindeks written by and published by . This book was released on 1976 with total page 958 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: