Download or read book Epitaxie par jets mol culaires sources gazeuses des mat riaux AlGaInP sur substrat GaAs pour applications hyperfr quences written by Olivier Schuler and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les applications actuelles de la micro-electronique requierent des composants de plus en plus rapides. Dans cette perspective, nous avons mis en evidence les potentialites des materiaux phosphores (alga)inp sur gaas elabores par epitaxie par jets moleculaires a sources gazeuses. Nous avons, tout d'abord, effectue des calculs afin d'extraire les principales caracteristiques physiques des alliages relaxes et contraints. Nous avons optimise les conditions de croissance des alliages (al#xga#1##x)#0#,#5#0in#0#,#5#0p en accord de maille et determine experimentalement la transition gap direct - gap indirect. Le dopage volumique et par plans a revele la presence de pieges pour des alliages riches en aluminium. La relaxation des alliages gainp contraints en tension et en compression a ete observee par diffraction d'electrons ; nous montrons que les alliages contraints en tension peuvent etre le siege d'une decomposition spinodale. Si la croissance des materiaux massifs n'a pas pose de problemes, il n'en a pas ete de meme lors de la realisation des premieres heterostructures. Des mesures de photoluminescence ont revele des interfaces arseniures-phosphures diffuses. Le profil de composition en elements v aux interfaces a ete determine par xps et nous avons montre que le caractere diffus des interfaces est cause par des effets extrinseques lies au dispositif experimental. Nous avons propose une methode originale d'habillage de l'interface par alinp, pour obtenir de bonnes caracteristiques de transfert des electrons dans les simples et doubles heterojonctions.

Download or read book EPITAXIE LOCALISEE PAR JETS CHIMIQUES SUR SUBSTRATS GAAS ET INP written by PHILIPPE.. LEGAY and published by . This book was released on 1995 with total page 230 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE THESE RAPPORTE UN TRAVAIL SUR L'OPTIMISATION DE LA LOCALISATION DE L'EPITAXIE DANS LE PLAN DU SUBSTRAT PAR LA TECHNIQUE D'EPITAXIE PAR JETS CHIMIQUES (EJC). CETTE ETUDE EST MENEE POUR LES SYSTEMES DE SEMI-CONDUCTEURS III-V ASSOCIES AUX SUBSTRATS GAAS ET INP. L'EPITAXIE PAR JETS CHIMIQUES EST UNE TECHNIQUE DE CROISSANCE EFFECTUEE SOUS VIDE A PARTIR DE PRECURSEURS GAZEUX D'ORGANOMETALLIQUES POUR LES ELEMENTS III ET D'HYDRURES POUR LES ELEMENTS V. L'ETUDE DES MECANISMES DE CROISSANCE SPECIFIQUES A CETTE TECHNIQUE A PERMIS DE DEFINIR LES CONDITIONS OPTIMALES DE TEMPERATURE DE CROISSANCE POUR LES DIFFERENTS SEMI-CONDUCTEURS GAAS, GAINP, INP, GAINAS ET GAINASP. LA TECHNIQUE D'EPITAXIE LOCALISEE ETUDIEE EST CELLE BASEE SUR LA SELECTIVITE DE CROISSANCE SELON LA NATURE DE LA SURFACE DU SUBSTRAT. AINSI LE MASQUAGE PARTIEL DU SUBSTRAT PAR UN FILM DE DIELECTRIQUE A PERMIS POUR CERTAINES CONDITIONS OPERATOIRES DE LOCALISER LA CROISSANCE UNIQUEMENT DANS LES FENETRES DU SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR. LA TEMPERATURE DE CROISSANCE APPARAIT ETRE LE PARAMETRE PRIMORDIAL QUI EMPECHE AU DELA D'UN CERTAIN SEUIL TOUTE NUCLEATION SUR LE MASQUE. POUR LES DIFFERENTS MATERIAUX ETUDIES, ET EN OPTIMISANT LES AUTRES PARAMETRES DE DEPENDANCE (VITESSE DE CROISSANCE, NATURE DU MASQUE, DU SEMI-CONDUCTEUR ET DES PRECURSEURS D'EPITAXIE), CETTE TEMPERATURE CRITIQUE A PU ETRE ABAISSEE DANS LES FENETRES DE TEMPERATURES DE CROISSANCE OPTIMALES, PREALABLEMENT DEFINIES. LA CARACTERISATION DE CES EPITAXIES LOCALISEES MONTRE QU'ELLES SONT UNIFORMES EN EPAISSEUR, EN COMPOSITION (POUR LES ALLIAGES) QUELLE QUE SOIT LA SUPERFICIE ET LA GEOMETRIE DU MASQUE DEPOSE. L'OPTIMISATION DES PROFILS DE CROISSANCE LOCALISES POUR GAAS ET INP MET EN EVIDENCE DES DIFFERENCES DE COMPORTEMENT ENTRE CES DEUX MATERIAUX QUI SONT DISCUTES. ENFIN, CE TRAVAIL EST APPLIQUE A DEUX DEMONSTRATIONS POUR COMPOSANTS. LE PREMIER, EN MICROELECTRONIQUE SUR GAAS, CONSISTE A AMELIORER LA TECHNOLOGIE, LES PERFORMANCES ET LA FIABILITE D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION. PAR REPRISE D'EPITAXIE LOCALISEE DE LA BASE ET DU COLLECTEUR, LES TROIS CONTACTS DU COMPOSANT SONT AMENES A UN MEME NIVEAU ET SONT AMELIORES PAR LA CROISSANCE DE MATERIAUX TRES DOPES ET A FAIBLE BARRIERE SCHOTTKY DE SURFACE. LA SECONDE APPLICATION CONCERNE L'INTEGRATION MONOLITHIQUE D'UN GUIDE OPTIQUE AVEC UN COMPOSANT PHOTONIQUE. DANS CE CAS LA STRUCTURE ENTIERE DU GUIDE OPTIQUE EST EPITAXIEE LOCALEMENT DANS UN CAISSON GRAVE DANS LA STRUCTURE DU COMPOSANT INITIAL ET LE PROFIL DE CROISSANCE OBTENU EST FAVORABLE POUR UN BON COUPLAGE BOUT A BOUT AVEC LE COMPOSANT PHOTONIQUE. IL A ETE MESURE A 85%

Download or read book Epitaxie par jets mol culaires d organom talliques written by Nicolas Viguier and published by . This book was released on 1997 with total page 190 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS CE TRAVAIL, NOUS AVONS TOUT D'ABORD ETUDIE LES POSSIBILITES OFFERTES PAR LA TECHNIQUE D'EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES D'ORGANOMETALLIQUES (MOMBE) DANS LE DOMAINE DE L'HETEROEPITAXIE DE FILMS METALLIQUES SUR GAAS. APRES AVOIR JUSTIFIE LE CHOIX DE LA PHASE INTERMETALLIQUE COGA, NOUS AVONS DETERMINE LES CONDITIONS D'ELABORATION OPTIMALES SUIVANTES : T = 360C, CPCO(CO)#2 : GAET#3 5:1, SURFACE (100)GAAS SATUREE GA. DANS CES CONDITIONS, DES FILMS COGA MONOPHASES SONT EPITAXIES SUR (100)GAAS DE FACON REPRODUCTIBLE. CES FILMS SONT EXEMPTS DE CARBONE ET D'OXYGENE ET SONT THERMIQUEMENT STABLES SUR GAAS JUSQU'A 500C EN ACCORD AVEC LA PREVISION THERMODYNAMIQUE. LES HETEROSTRUCTURES COGA/GAAS ONT UN COMPORTEMENT DE DIODE SCHOTTKY. CES RESULTATS FONT DE LA MOMBE UNE TECHNIQUE PARTICULIEREMENT INTERESSANTE POUR LA METALLISATION DES SEMI-CONDUCTEURS III-V. PARALLELEMENT A CES TRAVAUX SUR L'HETEROEPITAXIE, NOUS AVONS DEVELOPPE UNE TECHNIQUE DE SUIVI IN SITU DE CES PROCESSUS HETEROGENES BASEE SUR LA PHOTOEMISSION AU NIVEAU DU SEUIL. APRES AVOIR MONTRE LES POTENTIALITES DE CETTE TECHNIQUE POUR L'ANALYSE IN SITU ET EN TEMPS REEL DE LA CROISSANCE DES FILMS HOMOEPITAXIES GAAS/GAAS, NOUS L'AVONS UTILISEE POUR L'ETUDE DES PROCESSUS D'ADSORPTION ET DE DECOMPOSITION THERMIQUE HETEROGENE DES SOURCES DE GALLIUM (GAET#3 ET GAME#3) SUR UNE SURFACE (100)GAAS. NOUS AVONS AUSSI DETERMINE EXPERIMENTALEMENT PAR PHOTOEMISSION DE SEUIL UN MODE D'ADSORPTION EN COUCHE MONOMOLECULAIRE (LANGMUIR), UNE TEMPERATURE DE DEBUT DE DECOMPOSITION, AINSI QUE LES PARAMETRES D'ARRHENIUS ASSOCIES A LA CINETIQUE DE DECOMPOSITION THERMIQUE HETEROGENE DE CES ORGANOMETALLIQUES SUR (100)GAAS. LES DONNEES EXPERIMENTALES TRES PRELIMINAIRES SUR L'INTERACTION DE GAZ SUR DES SUBSTRATS POLYCRISTALLINS DU TYPE SNO#2 MONTRENT QUE LE PROCEDE PEUT ETRE UTILISE EGALEMENT POUR ETUDIER LA CINETIQUE DES PHENOMENES DE SURFACE DANS LES CONDITIONS DE FONCTIONNEMENT DE CAPTEURS PLUS CONVENTIONNELS ET SURTOUT POUR ANALYSER LES PROCESSUS DE LEUR DEGRADATION.