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Book Etude de films minces de fer d  pos  s sur l arseniure de gallium   r  le de l interface   effets de la temp  rature et du m  lange ionique

Download or read book Etude de films minces de fer d pos s sur l arseniure de gallium r le de l interface effets de la temp rature et du m lange ionique written by Mohammed Rahmoune and published by . This book was released on 1995 with total page 121 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES FILMS MINCES DE FER (50-120 NM) ONT ETE DEPOSES PAR PULVERISATION SUR DES SUBSTRATS MONOCRISTALLINS DE GAAS ORIENTES (100) OU (111) ; L'INTERFACE DU SYSTEME RESULTANT A ENSUITE ETE ANALYSE. IMMEDIATEMENT APRES LE DEPOT REALISE A LA TEMPERATURE AMBIANTE, ON OBSERVE AU NIVEAU DE L'INTERFACE UNE COUCHE MELANGEE FE-GA-AS D'EPAISSEUR 7-9 NM. CELLE-CI EST RESPONSABLE D'UN ABAISSEMENT DU CHAMP HYPERFIN ET DE L'AIMANTATION ; DE PLUS, ELLE CREE UNE ANISOTROPIE MAGNETIQUE UNIAXIALE DANS LE PLAN DU FILM. CES PHENOMENES SONT SURTOUT NOTABLES SUR LES COUCHES DE FAIBLE EPAISSEUR. EN OUTRE, LA TECHNIQUE DE DEPOT EMPLOYEE (PULVERISATION PAR FAISCEAU D'IONS) CONDUIT A DES FILMS DE FER EN COMPRESSION ; TOUTEFOIS, LES CONTRAINTES INTERNES RESIDUELLES NE NUISENT PAS A L'ADHERENCE DES FILMS SUR LEUR SUPPORT. LES EFFETS D'UN RECUIT THERMIQUE ULTERIEUR ONT ETE ANALYSES DANS LA GAMME DE TEMPERATURE 350-550C. LA REACTION ENTRE LE FILM ET LE SUPPORT COMMENCE DES 400C. ON OBSERVE UNE STRUCTURE EN COUCHES DE SEQUENCE: FE/FE#3GA/FE#XAS (X = 1,2)/GAAS. LA BANDE DE FER NON ALLIE DISPARAIT APRES 1H DE RECUIT A 550C. DE PLUS, ON OBSERVE UNE RELATION D'EPITAXIE ENTRE FE#XAS ET GAAS A 500C. ON NOTE EGALEMENT DES RUGOSITES A L'INTERFACE FE#XAS/GAAS DANS LE DOMAINE DE TEMPERATURE 450-500C. LES PHENOMENES OBSERVES SONT CONTROLES PAR LA DIFFUSION THERMIQUE DU FER ET DU GALLIUM A TRAVERS L'INTERFACE INITIALE. L'ENERGIE D'ACTIVATION DES INTERDIFFUSIONS EST DE 1,5EV. LE MELANGE IONIQUE A L'INTERFACE FE/GAAS A EGALEMENT ETE REALISE PAR IMPLANTATION A TEMPERATURE AMBIANTE D'IONS KR#2#+ D'ENERGIE 320 KEV, LE FLUX ETANT COMPRIS ENTRE 10#1#6 ET 10#1#7 IONS/CM#2. AUX PLUS FAIBLES DOSES, ON OBSERVE UNE ZONE MELANGEE ENTRE FE ET GAAS, TANDIS QU'AUX PLUS FORTES DOSES LE MELANGE S'AVERE ETRE TOTAL DANS LES FILMS DE PLUS FAIBLE EPAISSEUR

Book ELABORATION DE COUCHES MINCES DE SILICIUM ET DE SILICIUM GERMANIUM PAR PULVERISATION IONIQUE ET CARACTERISATION

Download or read book ELABORATION DE COUCHES MINCES DE SILICIUM ET DE SILICIUM GERMANIUM PAR PULVERISATION IONIQUE ET CARACTERISATION written by YANN.. LE MEUR and published by . This book was released on 1993 with total page 196 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PORTE SUR L'ELABORATION D'HETEROEPITAXIES SI#1##XGE#X/SI(100) PAR PULVERISATION IONIQUE. LES PROPRIETES DE CES FILMS ONT ETE ETUDIEES EN FONCTION DE DIFFERENTS PARAMETRES, A SAVOIR: LA TEMPERATURE DE DEPOT, LA COMPOSITION (X DE 0% A 60%) ET LES CONDITIONS DE RECUIT. LA CONTRAINTE, GENERALEMENT COMPRESSIVE, EST TRES SUPERIEURE A CELLE OBSERVEE DANS DES FILMS SIMILAIRES, ELABORES PAR MBE OU CVD: CE DECALAGE, DE L'ORDRE DE 1 GPA A 550C, EST INDEPENDANT DE L'EPAISSEUR ET DE LA COMPOSITION. L'EVOLUTION DES CONTRAINTES LORS DE RECUITS SOUS ATMOSPHERE NEUTRE REVELE UN PROCESSUS ACTIVE THERMIQUEMENT (X DE 0% A 8%). ON ABOUTIT A UNE ENERGIE D'ACTIVATION DE 0.350.10 EV LARGEMENT INFERIEURE A CELLE OBTENUE POUR DES FILMS REALISES PAR MBE OU CVD, ASSOCIEE A LA METHODE DE DEPOT. ON SUPPOSE QUE LES PROPRIETES DES FILMS REALISES PAR PULVERISATION IONIQUE RESULTENT DU BOMBARDEMENT DU FILM EN CROISSANCE PAR DES PARTICULES ENERGETIQUES. IL EST PROBABLE QUE LES PARTICULES EMISES ET/OU REEMISES PAR LA CIBLE AIENT UNE ENERGIE SUFFISANTE POUR DEPLACER LES ATOMES, CONDUISANT A UNE CONTRAINTE COMPRESSIVE SANS POUR AUTANT PRODUIRE DE DEFAUTS ETENDUS