Download or read book Elaboration et caracterisation de couches de silicium a gradient de dopage hyperabrupt obtenues par epitaxie sous ultravide avec implantation d ions dopants written by Joëlle Gutierrez and published by . This book was released on 1989 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book laboration et caract risation de couches de silicium gradient de dopage hyperabrupt obtenues par pitaxie sous ultravide avec implantation d ions dopants written by Joëlle Gutierrez and published by . This book was released on 1989 with total page 246 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES SILICIUM, DU FAIT DES FAIBLES TEMPERATURES ET VITESSES DE CROISSANCE MISES EN UVRE, PERMET LA REALISATION DE STRUCTURES A HAUTE RESOLUTION DE DOPAGE. MALHEUREUSEMENT, LE DOPAGE N EST UNE DES DIFFICULTES DE CETTE TECHNIQUE. EN EFFET, LES DOPANTS N COURAMMENT UTILISES (AS, SB) ONT DES RAYONS ATOMIQUES TRES SUPERIEURS A CELUI DU SI ET S'ILS ARRIVENT SUR LA COUCHE EN CONSTRUCTION AVEC UNE ENERGIE THERMIQUE, ILS SEGREGENT EN SURFACE. IL EN RESULTE DES GRADIENTS DE DOPAGE ELEVES. UNE METHODE POUR EVITER CES DIFFICULTES EST D'UTILISER DES DOPANTS SUPRATHERMIQUES, C'EST-A-DIRE IMPLANTER LES DOPANTS EN COURS DE CROISSANCE: METHODE EJM21. NOUS AVONS ELABORE AINSI, EN UTILISANT UNE INSTALLATION D'EPITAXIE SOUS ULTRAVIDE MUNIE D'UNE SOURCE D'IONS MINIATURE ARSENIC TYPE REFLEX ELECTROSTATIQUE, DES COUCHES SOIT NON DOPEES, SOIT DOPEES PAR IMPLANTATION UNIFORMEMENT OU EN CRENEAU (PAS: 100-1000A). NOUS LES AVONS CARACTERISEES PAR MEB (MORPHOLOGIE), RHEED (CRISTALLOGRAPHIE), SIMS (CONTAMINATION, PROBABILITE D'INCORPORATION DES DOPANTS, RAIDEUR DES PROFILS DE DOPAGE), EFFET HALL (ACTIVITE ELECTRIQUE, MOBILITE). NOUS AVONS PRECISE LES CONDITIONS D'OBTENTION D'UNE BONNE MORPHOLOGIE. LES COUCHES ELABOREES A PLUS DE 700#OC AVEC DES VITESSES DE CROISSANCE DE 0,5 A 6 A/S SONT PARFAITEMENT MONOCRISTALLINES: LES DEFAUTS CREES PAR IMPLANTATION SONT OU ASSEZ PEU NOMBREUX OU ASSEZ BIEN RECUITS POUR NE PAS APPARAITRE PAR DIFFRACTION ELECTRONIQUE, TOUT L'ARSENIR IMPLANTE EST INCORPORE A 1000 COMME A 500 EV ET ELECTRIQUEMENT ACTIF, LA RAIDEUR DES PROFILS DE DOPAGE EST AU DELA RESOLUTION EN PROFONDEUR SIMS, LA SIMULATION LAISSE ATTENDRE DES GRADIENTS DE 10-20 A PAR DECADE, LES MOBILITES TROUVEES DANS LES COUCHES DOPEES UNIFORMEMENT OU EN CRENEAUX SONT EGALES A CELLES DU MATERIAU MASSIF.
Download or read book REALISATION PAR EPITAXIE SOUS VIDE AVEC IMPLANTATION D IONS DOPANTS DE COUCHES DE SILICIUM A PROFIL DE DOPAGE CONTROLE written by Regina Pinto de Carvalho and published by . This book was released on 1986 with total page 178 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CONSTRUCTION D'UNE INSTALLATION D'EPITAXIE SOUS VIDE ET ETUDE DE LA QUALITE CRISTALLOGRAPHIQUE, PHYSICO-CHIMIQUE ET ELECTRIQUE DES COUCHES A DOPAGE UNIFORME DE BORE OBTENU PAR TRANSFERT DU DOPANT DE LA SOURCE DE SICILIUM EVAPOREE. CONSTRUCTION D'UNE SOURCE D'IONS AS SU TYPE "REFLEX ELECTROSTATIQUE A CATHODE CHAUDE" ET DOPAGE PAR IMPLANTATION EN COURS DE CROISSANCE
Download or read book Delta dopage de couches de silicium labor es par pitaxie par jet mol culaire avec implantation d ions sb de faible nergie written by Elisabeth Dufour-Gergam and published by . This book was released on 1992 with total page 464 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le but de cette étude est d'évaluer les potentialités de l'épitaxie par jet moléculaire avec implantation d'ions dopants (ejm21) pour l'élaboration de couches de silicium à dopage planaire (ou -dopage) et de réaliser avec ces couches un transistor à effet de champ à canal enterré (-mesfet). La première partie de l'étude a permis de montrer que l'ejm21 présente, par rapport à la méthode concurrente qu'est epitaxie en phase solide (spe), les avantages suivants: 1) processus isotherme, 2) pas de micro précipité au niveau des plans de dopage, tous les ions implantés sont donc incorporés et électriquement actifs, 3) contrôle du dopage par mesure de la dose implantée. La finesse du plan de dopage a été mesurée par sims et c(v). L'extrapolation des données sims à une énergie nulle des ions primaires aboutit à une largeur à mi-hauteur de 50a. les mesures c(v) annoncent des valeurs de 20 a 40a. par ailleurs, un gain en mobilité des porteurs dans le canal a été mise en évidence. Il pourrait être du à un double effet de séparation porteurs-impuretés et de guidage des porteurs par le champ transverse. La deuxième partie de l'étude a permis la réalisation de -mesfet à grille w en technologie autoalignée. Les étapes critiques de cette technologie ont été optimisées, notamment le recuit d'implantation des caissons source et drain. La formation de siliciure de tungstène a pu être évitée grâce à un traitement plasma oxygène avant le dépôt de w (barrière de diffusion). Les premiers résultats ont permis d'obtenir des transconductances de 20 ms/mm pour des grilles de 1,8 m. Quelques propositions sont faites pour une amélioration de la filière technologique
Download or read book tude r alisation et caract risation de dopages par implantation ionique pour une application aux cellules solaires en silicium written by Adeline Lanterne and published by . This book was released on 2014 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse a pour but d'étudier le dopage par implantation ionique pour la réalisation des différentes zones dopées des cellules solaires en silicium cristallin (émetteur, champ arrière...). L'avantage de l'implantation ionique, par rapport à la diffusion gazeuse, est de pouvoir contrôler le profil des dopants implantés ainsi que de simplifier les procédés de fabrication des cellules. Deux techniques d'implantation ionique ont été utilisées dans ces travaux, l'implantation classique par faisceau d'ions et l'implantation par immersion plasma. Des dopages au phosphore, au bore et à l'arsenic ont été réalisés par cette technique d'implantation avec une activation par recuit thermique. L'importance de la température de recuit, des doses d'implantation et des couches de passivation sur la qualité électrique des jonctions formées a été mise en évidence. Des jonctions à faible courant de saturation ont pu être obtenues pour les différentes sources dopantes. Ces dopages par implantation ont ensuite été appliqués à la réalisation de cellules solaires en silicium sur substrat de type p (avec un émetteur dopé au phosphore) et sur substrat de type n (avec un émetteur dopé au bore et un champ arrière dopé au phosphore). L'utilisation de l'implantation ionique a permis d'atteindre un rendement de 19,1 % sur les cellules de type p soit un gain de 0,6 %abs par rapport au dopage par diffusion gazeuse, ainsi qu'un rendement de 20,2 % sur les cellules de type n.
Download or read book Etude du dopage par implantation ionique d aluminium dans le carbure de silicium pour la r alisation de composants de puissance written by Mihai Bogdan Lazar and published by . This book was released on 2002 with total page 219 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Afin de doper localement le carbure de silicium l’implantation ionique est la seule méthode utilisable à cause des faibles coefficients de diffusion thermique des impuretés dopantes. L’étude s’est portée sur la réalisation de couches de type p par implantation ionique d’aluminium en ayant comme objectif la réalisation de composants de puissance bipolaires. Suite aux analyses physico-chimiques (SIMS, RBS/C, XPS, AFM) et électriques (mesures quatre pointes directement sur les couches SiC ou effectuées sur des structures-test VdP et TLM) des couches implantées dans différentes conditions (température, dose), une configuration de recuit post-implantation a été mise au point. On préserve la dose de dopants implantés avec une faible redistribution (voire aucune) après le recuit, dépendante des paramètres d’implantation. L’analyse de la recristallisation montre une bonne récupération de l’état cristallin (équivalent à ceux des échantillons vierges) dans le cas où l’implantation ionique ne crée pas de couche amorphe, en s’effectuant soit à température élevée (300°C) soit à la température ambiante en restant en-dessous du seuil d’amorphisation. On élimine les couches amorphes par le recuit post-implantation, l’endommagement résiduel étant d’autant plus important que la couche amorphe initiale est profonde. L’activation électrique des dopants (leur mise en sites substitutionnels) augmente avec le temps et la température de recuit, une activation complète nécessite des températures de recuit proches de 1800°C avec une durée de 30 min. Cette étude a été validée par la réalisation de composants de puissance en SiC. Plusieurs lots de plaquettes avec des diodes bipolaires protégées par JTE ont été réalisés par implantation ionique d’Al pour l’émetteur et sa protection JTE. L’homogénéité et la reproductibilité des caractéristiques directes confirment la qualité de l’implantation ionique et surtout du recuit post-implantation. Un meilleur comportement sous polarisations directe et inverse est trouvé pour les diodes réalisées par implantation à 300°C, ce qui confirme une meilleure activation électrique des dopants implantés à température élevée, ainsi qu’une meilleure qualité cristalline des couches. Les diodes réalisées à température ambiante montrent cependant des caractéristiques assez proches de celles implantées à 300°C. Des densités de courant aussi élevées que 200 A.cm-2 ont été obtenues pour une polarisation directe de 5V. La tenue en tension augmente avec la longueur des JTE ce qui montre le rôle bénéfique de cette protection. Le comportement électrique des diodes dépend de la taille de l’émetteur. La qualité des substrats SiC reste ainsi à améliorer. Des tenues en tension supérieures à 2 kV ont été obtenues.
Download or read book Elaboration par pitaxie par jets mol culaires de dopage planaire silicium dans des couches de GaAs et GaAlAs written by Bertrand Splingart and published by . This book was released on 1993 with total page 192 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'étude que nous présentons a pour objet la caractérisation du dopage planaire silicium dans les matériaux gaas et gaalas épitaxies par jets moléculaires pour la réalisation de transistors à effet de champ microondes. La réalisation du dopage planaire consiste à interrompre la croissance du matériau pendant le dépôt des éléments dopants. L'étude a permis de vérifier le confinement des impuretés silicium dans la couche. Dans ces conditions la caractérisation électrique en densité d'électrons et en mobilité a été effectuée. Des conditions de croissance ont été définies pour la réalisation de transistors à effet de champ (mesfet) et a hétérojonction (hemt). Les résultats obtenus ont montré l'intérêt du dopage planaire dans le cas de transistors à hétérojonction en prenant particulièrement en compte d'une part, les effets liés aux centres dx dans l'algaas et d'autre part, l'épaisseur de l'espaceur entre l'interface gaas/gaalas et le plan de dopage. Cette étude a montré dans certains cas la supériorité du plan de dopage par rapport au pulsé dopage dans une structure hemt. Ces résultats ont contribué à l'amélioration des conditions de réalisation des structures afin d'augmenter les performances des composants
Download or read book ETUDE PAR DIFFUSION CENTRALE DE COUCHES DE SILICIUM FORTEMENT DOPEES OBTENUES PAR DIVERS TRAITEMENTS LASERS written by Salah Belazreg and published by . This book was released on 1983 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES COUCHES DOPEES SONT REALISEES SOIT PAR DEPOT DE COUCHE DE DOPANT ET DIFFUSION INDUITE PAR LASER, SOIT PAR IMPLANTATION DE DOPANT SUIVIE D'UN RECUIT LASER. POUR LES COUCHES FORMEES PAR DEPOT, LE DOPANT EST D'ABORD SOUS FORME DE GROS GRAINS, PUIS APRES TRAITEMENT LASER UNE COUCHE DE SURFACE EST MISE EN EVIDENCE. POUR LES COUCHES OBTENUES APRES IMPLANTATION, ON MONTRE L'INSTABILITE DE L'INTERFACE SOLIDE-LIQUIDE LORS DE LA RECRISTALLISATION CONSECUTIVE A LA FUSION RAPIDE
Download or read book DOPAGE DU SILICIUM PAR UNE NOUVELLE METHODE D IMPLANTATION IONIQUE AVEC RECUIT PAR LASER PULSE written by Jean-Claude Müller and published by . This book was released on 1983 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DU PROCEDE DE DOPAGE PAR INCRUSTATION IONIQUE. INTERACTION DES IONS ATOMIQUES ET MOLECULAIRES AVEC LE SILICIUM. INTERACTION LASER DE PUISSANCE-MATIERE. ETUDE EXPERIMENTALE DES COUCHES INCRUSTEES AYANT SUBI UN RECUIT LASER PULSE. APPLICATION DE CETTE TECHNIQUE A LA PREPARATION DE CELLULES SOLAIRES A SILICIUM MONOCRISTALLIN ET POLYCRISTALLIN. COMPARAISON DE LEURS PERFORMANCES A CELLULES DE CELLULES PREPAREES PAR DES VOIES PLUS CONVENTIONNELLES
Download or read book Caract risation lectrique de couches enfouies de carbure de silicium SiC obtenues par implantation d ions carbone dans le silicium monocristallin written by Ahmed Mouhoub and published by . This book was released on 1980 with total page 164 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: TEXTURE DES COUCHES SUIVANT LES PARAMETRES D'IMPLANTATION ET LE RECUIT: EFFET SUR L'ABSORPTION IR. CONDUCTIVITE ELECTRIQUE DE CES COUCHES IMPLANTEES. CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION DES STRUCTURES OBTENUES SUR LES SUPPORTS DE TYPE P. EFFET DES ELECTRODES. ETUDE DU COMPORTEMENT ASSIMILABLE A CELUI D'UNE HETEROSTRUCTURE. SCHEMA DE BANDE PAR EFFET PHOTOVOLTAIQUE ENTRE 0,8 ET 3,5 EV. LE MATERIAU OBTENU A UNE BANDE INTERDITE SUPERIEURE A CELLE DU SILICIUM ET PROCHE DE CELLE DU SIC
Download or read book Propri t s de luminescence et caract risation structurale de films minces d oxydes de silicium dop s au c rium et codop s c rium ytterbium written by Jennifer Weimmerskirch and published by . This book was released on 2014 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de thèse concerne l'élaboration et la caractérisation chimique et structurale de couches minces d'oxyde de silicium dopées avec des terres rares ainsi que l'étude de leurs propriétés de photoluminescence. Les films sont dopées avec du cérium. Le co-dopage cérium et ytterbium est également étudié dans le cas des couches de SiO2. Il est montré que dans les oxydes de composition SiO1, le cérium joue un rôle important dans la structure et l'organisation chimique de l'oxyde, notamment en favorisant la démixtion de l'oxyde. L'exposition à un faisceau laser focalisé engendre une démixtion locale favorisée par le cérium. Pour les films minces de SiO1,5 contenant à la fois du cérium et des nanocristaux de silicium, les différentes étapes de la séparation de phase entre nanocristaux de Si et agrégats riches en Ce ont été mises en évidence, notamment par sonde atomique tomographique et par microscopie électronique à balayage en transmission. Les propriétés de luminescence des dopants sont discutées en lien avec la microstructure de la matrice hôte. Pour tous ces systèmes, la formation d'un silicate de cérium de composition Ce2Si2O7 à haute température (> 1100°C) a été mise en évidence. Le cérium présent sous forme d'ions isolés ou dans un silicate émet intensément dans le bleu (400 nm) à température ambiante ce qui pourrait être intéressant pour le développement de diodes bleues en filière Si. Enfin, un transfert d'énergie des ions Ce3+ vers les ions Yb3+ a été mis en évidence dans les films minces de SiO2 ouvrant ainsi la voie à de possibles applications dans le domaine du solaire photovoltaïque.
