Download or read book Elaboration et caract risation thermom canique du nitrure de silicium written by Mahdi Kalantar and published by . This book was released on 1999 with total page 200 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'étude porte sur l'élaboration et la caractérisation du nitrure de silicium en vue d'application de résistance au choc thermique et à la fatigue thermique. Dans un premier temps des échantillons ont été élaborés en utilisant différents procédés d'élaboration pour obtenir une gamme aussi large que possible de microstructures. C'est ainsi que nous avons fait varier un certain nombre de paramètre : nature des poudres, nature et quantité des additifs et conditions d'élaboration. Nous avons utilisé des moyens aussi différents que: le frittage sous charge, la coulée en barbotine suivie du frittage naturel, ainsi que le pressage isostatique à chaud. Les nuances obtenues par pressage à chaud ou encore par frittage naturel présentent généralement une structure de grains de type aciculaire plus ou moins développée ou plus ou moins grossière suivant les conditions d’élaboration. Cette structure est favorable à l'obtention de bonnes propriétés mécaniques, ténacité et résistance à la rupture, nécessaire pour l'application envisagée. A partir d'une sélection de nuances de microstructure appropriée nous avons entrepris une étude du comportement à la propagation de fissure au moyen d'essais dit de courbe R, à température ambiante et à 800-1 000°C. Ces essais ont été réalisés par deux méthodes de .flexion 1' une faisant intervenir une éprouvette entaillée, 1' autre une éprouvette indentée. L'effet de courbe R observé par indentation à Ta n'a pas été mis en évidence par méthode SENB, seule une petite augmentation KR se produit à haute température mais elle est attribuée à la viscosité de la phase vitreuse. Des essais de choc thermique descendant et ascendant ont été faits sur nos matériaux. Ces essais montrent un comportement qui n'obéit à la théorie d'Hasselman, des valeurs élevées de résistance à la rupture ne sont pas accompagnées d'un endommagement important. Ce comportement peut être expliqué par des effets d'oxydation et de guérison des fissures qui peuvent opérer à partir de 800°C.

Download or read book Elaboration et caract risation de mat riaux nanostructur s base de silicium comme source de lumi re pour la photonique written by Pierre-Olivier Noé and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le silicium est reconnu comme étant un mauvais émetteur de lumière à cause de son gap indirect. Diverses stratégies ont été développées pour améliorer son rendement d'émission, le Si constituant le matériau de choix pour la photonique. Ce manuscrit présente l'élaboration et la caractérisation de matériaux originaux à base de silicium afin de proposer des solutions alternatives pour améliorer les propriétés d'émission de lumière du Si. Ce travail est divisé en 4 parties avec tout d'abord une revue de l'état de l'art de l'émission de lumière dans le Si et les bases sur les mécanismes de recombinaison dans le Si. Une seconde partie se concentre sur l'élaboration et l'étude de dispositifs électroluminescents à base de Si comportant un réseau de dislocations enterrées un niveau d'une jonction PN obtenu par collage moléculaire. L'émission de lumière située vers 1,1 et 1,5 μm (1,1 et 0,8 eV) est attribuée à la recombinaison des porteurs sur les états piège induits par des précipités de bore et d'oxyde dans le voisinage de dislocations (E^phonon_Bore vers 1.1eV et Dp~0.8eV) et des états de défauts localisés à l'intersection du réseau carré de dislocations vis (D1~0.8eV). Une troisième partie traite de l'élaboration et des propriétés optique d'ions Er3 + couplés avec des nanostructures de Si dans des films minces de SRO (Silicon-Rich Oxide) obtenus par co-évaporation de SiO et d'Er. Dans cette matrice, l'efficacité d'excitation indirecte de l'Er à 1,5 μm via les nanostructures est démontrée par la mesure de sections efficaces effectives d'excitation de l'Er entre 2x10-16 cm2 et 5x10-15 cm2 en fonction du flux d'excitation et des paramètres d'élaboration. Le principal résultat est la forte diminution avec la température de recuit de la fraction d'ions Er3+ émetteurs susceptible d'être inversée. Des expériences EXAFS révèlent que ce comportement est en corrélation avec l'évolution de l'ordre chimique local autour des atomes d'Er. Dans une dernière partie est présentée l'élaboration de nanostructures de Si de type nanofils cœur-coquille Si/SiO2. Ces structures cœur-coquille sont obtenues par trois méthodes différentes. Les structures obtenues par dépôt d'oxyde sur la surface de nanofils de silicium CVD catalysées avec de l'Au présentent une émission autour de 500 nm efficace à température ambiante due à la recombinaison des porteurs photo-générés au niveau des états de défauts dans la couche d'oxyde et à l'interface Si/SiO2. L'intensité de PL collectée est de plus d'un ordre de grandeur supérieure à celle mesurée sur des films minces de SiO2 similaires déposés sur des substrats de Si. En outre, la passivation des nanofils de Si CVD par un procédé d'oxydation thermique permet de neutraliser les états de surface qui dominent dans de telles structures. La mesure des vitesses de recombinaison de surface semble indiquer que ces nanofils ainsi passivés présentent des propriétés électroniques de volume similaires à celles du Si standard de microélectronique. Enfin, une nouvelle méthode pour l'élaboration in situ de nanofils cœur-coquille Si/SiO2 basée sur l'évaporation d'une source solide SiO avec l'Au et le Cu comme catalyseurs est détaillée. La croissance des fils catalysés par l'Au se produit dans le mode de croissance VLS (Vapor-Liquid-Solid comme en CVD) donnnat des nanofils présentant un cœur de Si cristallin et une coquille amorphe d'oxyde. En revanche, la croissance des nanofils catalysée par le Cu semble se produire préférentiellement à plus basse température en mode VSS (Vapeur-Solide-Solide) expliquant pourquoi ces NFs présentent une forte densité de défauts cristallins dans la cœur de Si contrairement aux fils catalysés Au.

Download or read book laboration et caract risation de nanoparticules de silicium dans du nitrure de silicium en vue d applications photovolta ques written by Florian Brice Delachat and published by . This book was released on 2010 with total page 192 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les nanoparticules de silicium (Si-nps) enfouies dans une matrice de nitrure de silicium (SiNx) sont prometteuses pour les applications photovoltaïques. Cette thèse traite de leur élaboration et leur caractérisation dans le SiNx afin de maitriser leurs propriétés optiques par l’intermédiaire du confinement quantique. Des couches minces (»100nm) SiNx riche en silicium (NSRS) sont préalablement déposées par PECVD. Elles sont ensuite recuites à 1100°C/30min pour permettre la nucléation des Si-nps dans la matrice de nitrure de silicium. Nous montrons que le contrôle de l’excès de Si permet d’engendrer une grande diversité de nanostructures (forte densité -2x1012 cm-2- de Si-nps amorphes de 3 nm de taille moyenne, nanostructures percolées de silicium cristallin, arrangements nano-colonnaires cristallins). Cependant la large distribution de tailles de Si-nps générée par cette approche limite le contrôle efficace des propriétés optiques. Pour cela, nous avons élaboré et caractérisé des super-réseaux composés alternativement de couches NSRS et SiO2 ou Si3N4. Ces dernières permettent de limiter la croissance des Si-nps au moins dans une direction et ainsi d’affiner la distribution de tailles des Si-nps. Nous avons déterminé les conditions d’élaboration optimales de ces super-réseaux permettant d’obtenir des Si-nps de tailles contrôlées compatibles avec le confinement quantique (

Download or read book Elaboration et caract risation de nanostructures de silicium dans une matrice d oxynitrure de silicium written by Fabien Ehrhardt and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les phénomènes quantiques des nanostructures peuvent être une opportunité pour le développement d'une nouvelle génération de cellules photovoltaïques. Ce travail décrit la synthèse et les caractérisations de nanoparticules de silicium dans une matrice d'oxynitrure de silicium. Il est possible d'obtenir des nanoparticules de silicium de diamètre compris entre 3 et 7 nm dans des matrices allant du nitrure de silicium à l'oxyde de silicium. Les propriétés des nanoparticules dépendent très fortement de la composition de la matrice. Afin d'accroître la conduction dans ces couches diélectriques, nous avons effectué un dopage électrique par implantation ionique. La localisation et la densité des ions implantés ont été observées par des techniques associées de microscopie électronique en transmission et de rayons X. Une augmentation de la conduction a été démontrée lors du dopage permettant d'observer un effet photovoltaïque sur une structure comportant des nanoparticules de silicium.

Download or read book Fabrication et caract risation de nanocristaux de silicium encapsul s dans des matrices silici es amorphes written by Jérémy Barbé and published by . This book was released on 2013 with total page 178 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: En raison de leurs propriétés nouvelles, les matériaux composites à base de nanocristaux de silicium (nc-Si) contenus dans des matrices siliciées amorphes suscitent un intérêt grandissant pour les nombreuses applications envisagées dans les domaines de l'électronique et du photovoltaïque. La fabrication de ces nanostructures est parfaitement compatible avec les technologies existantes. Toutefois, afin d'être intégrés avec succès dans ces dispositifs, les nc-Si et leur environnement doivent avoir des propriétés maitrisées. Dans ce contexte, le travail de thèse a consisté en l'élaboration et la caractérisation de couches de carbure et nitrure de silicium contenant des nc-Si. Ces deux matrices ont retenu notre attention en raison de leur gap intermédiaire entre la silice et le silicium qui permettrait d'obtenir des propriétés améliorées pour les composants électriques. Deux techniques de fabrication ont été étudiées : la nucléation/croissance de nc-Si sur des couches minces a-SiCx par dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD), et le dépôt par CVD assisté par plasma pulsé (PPECVD) d'alliages a-SiNx riches en Si, suivi d'un recuit à haute température. Lors de l'interprétation des résultats, une attention particulière a été portée aux effets de surface/interface et au rôle de la matrice sur les propriétés mesurées. Après avoir étudié et maitrisé les conditions de dépôt d'alliages a-SiCx:H par PECVD, nous montrons que la nucléation/croissance de nc-Si sur une surface a-Si0,8C0,2 par LPCVD est favorisée en raison de la concentration en Si élevée de la matrice. Des densités surfaciques de nc-Si supérieures à 1012 cm-2 ont ainsi été atteintes, même pour des temps de dépôt courts ou des débits de silane faibles. Ces premiers résultats indiquent la faisabilité de ce type de structure. Une étude approfondie sur le couple nc-Si/nitrure de silicium a ensuite été menée. Les propriétés structurales, optiques et électriques de couches de nitrure contenant des nc-Si ont été caractérisées à partir d'un large éventail de techniques. Après avoir estimé la taille des nc-Si par spectroscopie Raman, la déconvolution des spectres XPS nous a permis d'expliquer les processus de formation des nc-Si lors du recuit et de proposer un modèle pour décrire la structure des interfaces nc-Si/a-Si3N4. Les propriétés optiques des nc-Si ont ensuite été déterminées par ellipsométrie spectroscopique et spectrophotométrie UV-Vis. L'élargissement du gap, le lissage des constantes diélectriques et l'augmentation du coefficient d'absorption aux faibles énergies avec la diminution de la taille des particules suggèrent un effet de confinement quantique au sein des nc-Si. Des mesures de photoluminescence résolue en temps nous ont permis de conclure que l'utilisation d'une matrice de nitrure est peu appropriée à l'étude de l'émission optique des nc-Si en raison des nombreux défauts radiatifs et non radiatifs présents dans la matrice et aux interfaces. Enfin, les mécanismes de transport des porteurs de charge à travers la couche nanocomposite ont été étudiés à partir de mesures courant-tension. En raison de son caractère percolé, la couche se comporte de façon analogue à une couche de Si polycristallin avec une faible concentration de liaisons pendantes du Si. Un effet de photoconduction attribué aux nc-Si est observé, ce qui offre des perspectives de travail intéressantes.

Download or read book Le Silicium written by and published by . This book was released on 1983 with total page 188 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Influence des conditions d laboration sur la microstructure et les propri t s m caniques du nitrure de silicium written by Ch Olagnon and published by . This book was released on 1990 with total page 141 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Crystal Growth and Evaluation of Silicon for VLSI and ULSI written by Golla Eranna and published by CRC Press. This book was released on 2014-12-08 with total page 432 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Silicon, as a single-crystal semiconductor, has sparked a revolution in the field of electronics and touched nearly every field of science and technology. Though available abundantly as silica and in various other forms in nature, silicon is difficult to separate from its chemical compounds because of its reactivity. As a solid, silicon is chemically inert and stable, but growing it as a single crystal creates many technological challenges. Crystal Growth and Evaluation of Silicon for VLSI and ULSI is one of the first books to cover the systematic growth of silicon single crystals and the complete evaluation of silicon, from sand to useful wafers for device fabrication. Written for engineers and researchers working in semiconductor fabrication industries, this practical text: Describes different techniques used to grow silicon single crystals Explains how grown single-crystal ingots become a complete silicon wafer for integrated-circuit fabrication Reviews different methods to evaluate silicon wafers to determine suitability for device applications Analyzes silicon wafers in terms of resistivity and impurity concentration mapping Examines the effect of intentional and unintentional impurities Explores the defects found in regular silicon-crystal lattice Discusses silicon wafer preparation for VLSI and ULSI processing Crystal Growth and Evaluation of Silicon for VLSI and ULSI is an essential reference for different approaches to the selection of the basic silicon-containing compound, separation of silicon as metallurgical-grade pure silicon, subsequent purification, single-crystal growth, and defects and evaluation of the deviations within the grown crystals.

Download or read book Acta electronica written by and published by . This book was released on 1984 with total page 300 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Actes de la 7 me Conf rence europ enne sur les d p ts chimiques en phase gazeuse written by M. Ducarroir and published by . This book was released on 1989 with total page 856 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Proceedings of the European Conference on Chemical Vapor Deposition written by and published by . This book was released on 1989 with total page 860 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Fatigue under Thermal and Mechanical Loading Mechanisms Mechanics and Modelling written by J. Bressers and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2013-04-17 with total page 497 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The International Symposium "Fatigue under Thermal and Mechanical Loading", held at Petten (The Netherlands) on May 22-24, 1995, was jointly organized by the Institute for Advanced Materials of The Joint Research Centre, E. C. , and by the Societe Fran~se de Metallurgie et de Materiaux. The fast heating and cooling cycles experienced by many high temperature components cause thermally induced stresses, which often operate in combination with mechanical loads. The resulting thermal / mechanical fatigue cycle leads to material degradation mechanisms and failure modes typical of service cycles. The growing awareness that the synergism between the combined thermal and mechanical loads can not be reproduced by means of isothermal tests, has resulted in an increasing interest in thermal and thermo-mechanical fatigue testing. This trend has been reinforced by the constant pull by industry for more performant, yet safer high temperature systems, pushing the materials to the limit of their properties. Dedicated ASTM meetings in particular have set the scene for this area of research. The proceedings of the symposium organized by D. A. Spera and D. F. Mowbray in 1975 provided a reference book on thermal fatigue which reflects the knowledge and experimental capabilities of the mid-seventies.

Download or read book Radical Polymerization written by Michael Buback and published by John Wiley & Sons. This book was released on 2007-06-27 with total page 270 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This volume from the successful Macromolecular Symposia series presents the contributions from the IUPAC-sponsored International Symposium on "Radical Polymerization: Kinetics and Mechanism", held in Il Ciocco, Italy, in September, 2006. This was the fourth within the series of so-called SML conferences, which are the major scientific forum for addressing kinetic and mechanistic aspects of free-radical polymerization and controlled radical polymerization. SML IV again marked an important step forward toward the better understanding of the kinetics and mechanism of radical polymerization, which is extremely relevant for both conventional and controlled radical polymerization and for people in academia as well as in industry. Here, top international authors, such as K. Matyjaszewski, T. P. Davis and T. Fukuda, present their latest research. The five major themes covered were: Fundamentals of free-radical polymerization, heterogeneous polymerization, controlled radical polymerization, polymer reaction engineering, and polymer characterization.

Download or read book Nitride Ceramics written by Alexander A. Gromov and published by John Wiley & Sons. This book was released on 2015-01-20 with total page 362 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: A comprehensive overview of recent developments in the field of non-oxide ceramics with special emphasis placed on the combustion synthesis of group I-VI nitrides and oxynitrides. To ensure the widest possible perspective, the authors are experts in academia, industry, or government research, and each chapter discusses different synthetic methods and process parameters, as well as important material properties and applications. The result is invaluable reading for researchers and practitioners in the industry as well as those looking for an introduction to the field. It is equally of great interest to chemists and materials scientists as well as engineers working in the area of inorganic and solid-state chemistry, structural and functional materials, catalysis, metallurgy, and electrochemistry.

Download or read book L Industrie C ramique written by and published by . This book was released on 1986 with total page 858 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Bulletin de documentation, nos. 96-172, included in 1964-1970 volumes.

Download or read book CIP 79 written by and published by . This book was released on 1979 with total page 552 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Diffusion in Ceramics written by D. J. Fisher and published by Trans Tech Publication. This book was released on 1999 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Although this volume is ostensibly devoted to diffusion per se, it also covers ionic conduction because this phenomenon, in the often complex and charge-sensitive structures of many ceramics, usually gives important clues as to the routes taken by all migrating species.