Download or read book ELABORATION DU SILICIUM PHOTOVOLTAIQUE PAR PLASMA THERMIQUE ROLE DE L HYDROGENE ATOMIQUE SUR LA PURIFICATION EN OXYGENE ET LA PASSIVATION DES DEFAUTS written by ISABELLE.. CAZARD-JUVERNAT and published by . This book was released on 1996 with total page 254 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL S'INSCRIT DANS UN EFFORT DE REDUCTION DU COUT DES SYSTEMES PHOTOVOLTAIQUES ET D'AUGMENTATION DU RENDEMENT DE CONVERSION DU SILICIUM MULTICRISTALLIN UTILISE POUR L'ELABORATION DES PHOTOPILES. L'OUTIL UTILISE AU LABORATOIRE (8 ET 25 KW) EST UN PROCEDE DE PURIFICATION PAR PLASMA THERMIQUE INDUCTIF, DONT LES PROPRIETES PHYSICOCHIMIQUES SPECIFIQUES (HAUTE TEMPERATURE 9 000 K, VITESSE DE 25 M/S, FORTES VISCOSITES ET CONDUCTIVITE THERMIQUE, HAUTE REACTIVITE DU FLUX D'HYDROGENE RADICALAIRE 10#2#0 AT/S) PERMETTENT DES TRANSFERTS DE MATIERE ET DE CHALEUR TRES EFFICACES ENTRE LE PLASMA ET UN BARREAU DE SILICIUM. IL CONDUIT AINSI A LA FOIS A LA TRES HAUTE PURETE DU MATERIAU ET A LA PASSIVATION DES DEFAUTS CRISTALLINS, EN FAISANT INTERVENIR EN PARTICULIER L'HYDROGENE ATOMIQUE DU PLASMA. TOUTEFOIS, LES CONDITIONS THERMIQUES DE CRISTALLISATION DU PROCEDE CONDUISENT A LA FORMATION DE DEFAUTS (JOINTS DE GRAINS ET MACLES), ET EN PARTICULIER A UNE FORTE DENSITE DE DISLOCATIONS (N#D#I#S = 10#6#-#7 DIS/CM#2). L'UTILISATION DE PLUSIEURS METHODES DE CARACTERISATION (SPECTROSCOPIE D'EMISSION, SIMS, IRFT A 6K, RESISTIVITE 4 POINTES, ERDA, EXODIFFUSION, NAA, ICP, MEB, RX (LAUE), MICROSCOPIE OPTIQUE) ONT PERMIS DE DEMONTRE LA REACTIVITE DE L'HYDROGENE RADICALAIRE D'UN PLASMA AR + 1% H#2 AVEC L'OXYGENE CONTENU DANS LE SILICIUM DE QUALITE ELECTRONIQUE OU PHOTOVOLTAIQUE. LA PURIFICATION IMPORTANTE, NOTAMMENT EN 0 (97%: 3.10#1#710#1#6 AT/CM#3) ET C (70%: 7.10#1#72.10#1#7 AT/CM#3) S'ACCOMPAGNE D'UNE PASSIVATION DES DEFAUTS CRISTALLINS PAR L'HYDROGENE RADICALAIRE DU PLASMA (2.10#1#5 AT/CM#3). LA LIAISON ETABLIE RESISTE A UNE FORTE MONTEE EN TEMPERATURE (1 000 K). AINSI LES FORTES LONGUEURS DE DIFFUSION LOCALES (250 M) CONFIRMENT L'AMELIORATION DE LA PURETE DU MATERIAU EN ELEMENTS METALLIQUES ET METALLOIDIQUES (O, C) ET LA CICATRISATION DES DEFAUTS CRISTALLINS PAR L'HYDROGENE ATOMIQUE DU PLASMA. LE TRANSFERT TECHNOLOGIQUE SUR SITE INDUSTRIEL (100 KW) ET LES PREMIERS ESSAIS SUR LA PURIFICATION CONFIRMENT L'EFFICACITE DU PLASMA AR + H#2 PUISQUE LE RENDEMENT DE CONVERSION PHOTOVOLTAIQUE AUGMENTE DE 12,5% A 14%

Download or read book CARACTERISATION D UN PILOTE PLASMA APPLIQUE A L ELABORATION DU SILICIUM PHOTOVOLTAIQUE ROLE DE LA CHIMIE DU PLASMA SUR LES PHENOMENES DE DIFFUSION DANS LA MISE AU POINT DU PROCEDE written by JOCELYN.. ERIN and published by . This book was released on 1994 with total page 224 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA TRANSPOSITION A UNE ECHELLE INDUSTRIELLE DU PROCEDE DE PURIFICATION DU SILICIUM PAR FUSION SOUS PLASMA THERMIQUE INDUCTIF REACTIF IMPOSE DE CONSIDERER DES APPLICATEURS CONCUS POUR DES PUISSANCES ELEVEES. IL S'AGISSAIT ALORS DE QUALIFIER LE PILOTE DE 25 KW EQUIPE D'UN APPLICATEUR A DOIGTS DE CUIVRE REFROIDIS PAR CIRCULATION D'EAU. POUR DES PLASMAS D'ARGON PUR, LE RENDEMENT ENERGETIQUE VARIE ENTRE 22 ET 40% POUR UNE PLAGE DE DEBITS SE SITUANT ENTRE 40 ET 80 1.MIN#-#1. L'INTRODUCTION D'HYDROGENE DANS CES PLASMAS CONDUIT A UNE ALTERATION DU RENDEMENT DE COUPLAGE INDUCTEUR-PLASMA MAIS EGALEMENT A UNE AUGMENTATION DE LA CONDUCTIVITE THERMIQUE AMELIORANT LES TRANSFERTS DE CHALEUR PLASMA-SILICIUM. LE RENDEMENT DE FUSION EST ALORS FAVORABLE AU PLASMA HYDROGENE (8 KW.H.KG#-#1 POUR UNE FUSION SOUS PLASMA ARGON-HYDROGENE (2%) CONTRE 40 KW.H.KG#-#1 SOUS PLASMA D'ARGON PUR). SUR LE PLAN DE L'ELABORATION DU MATERIAU, LE DEPLACEMENT RAPIDE DU FRONT DE FUSION ET LES GRADIENTS THERMIQUES ELEVES CONDUISENT A UN MATERIAU AYANT UN NOMBRE DE DEFAUTS ELEVE (DENSITE DE DISLOCATIONS: 10#6-10#7 CM#-#2). TOUTEFOIS QUAND LA RESISTIVITE EST SUPERIEURE A 1 OHM-CENTIMETRE, LES LONGUEURS DE DIFFUSION SE SITUENT ENTRE 20 ET 120 MICROMETRES ET LES RENDEMENTS PHOTOVOLTAIQUES OBTENUS SUR DES CELLULES DE FAIBLE DIMENSION (3 CM#2) SANS COUCHE ANTI-REFLET SONT COMPRIS ENTRE 5,5 ET 8%. LA CARACTERISATION PAR SPECTROSCOPIE I.R.T.F MONTRE L'APPARITION DE LIAISONS SI-H QUI PEUVENT PRESENTER UN CARACTERE PASSIVANT SI ELLES CORRESPONDENT A LA SATURATION DE LIAISONS PENDANTES. DE PLUS, A PARTIR DE CETTE ETUDE NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE LA REDUCTION DE LA CONCENTRATION EN OXYGENE DISSOUS DANS LE MATERIAU PAR LE TRAITEMENT SOUS PLASMA D'ARGON HYDROGENE. L'ANALYSE DES TRANSFERTS DE MATIERE LORS DE L'INTERACTION PLASMA-MATERIAU A ETE MENEE EN CONSIDERANT LE SILICIUM MAIS AUSSI LE GRAPHITE QUI PRESENTE LA PARTICULARITE D'ETRE SOLIDE DANS LES CONDITIONS THERMIQUES OU LE SILICIUM EST LIQUIDE. L'INFLUENCE DE LA CHIMIE DU PLASMA SUR LES PHENOMENES DE DIFFUSION ET D'EVAPORATION A ETE ETUDIEE. LE TRANSFERT DE TECHNOLOGIE SUR LE SITE INDUSTRIEL DE PHOTOWATT S'EST TRADUIT PAR L'ADAPTATION D'UN APPLICATEUR PLASMA SUR UN FOUR DE CRISTALLISATION. LES PREMIERS ESSAIS INDIQUENT UNE REDUCTION DU TEMPS DE FUSION DE 40%. LA COMPARAISON ENTRE LES CELLULES ELABOREES ET LES CELLULES STANDARD SOULIGNE UNE AMELIORATION DE LA DISTRIBUTION EN RENDEMENT PHOTOVOLTAIQUE

Download or read book MISE AU POINT ET CONTROLE D UN PROCEDE D ELABORATION DE DEPOT DE SILICIUM A FINALITE PHOTOVOLTAIQUE CARACTERISATION SPECTROSCOPIQUE ET HYDRODYNAMIQUE DU PLASMA INDUCTIF RF CARACTERISATION PHYSICO CHIMIQUE DU DEPOT DE SILICIUM written by FADI.. KRAYEM and published by . This book was released on 2000 with total page 300 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJECTIVE DE CETTE ETUDE EST L'ELABORATION D'UN DEPOT DE SILICIUM PAR PROJECTION DE PLASMA THERMIQUE RF SUR UN SUBSTRAT DESTINE A L'APPLICATION PHOTOVOLTAIQUE. DANS CE TRAVAIL, NOUS AVONS CORRELE LE ROLE JOUE PAR L'HYDROGENE INCLUS DANS LE MATERIAU (PASSIVATION LES LIAISONS PENDANTES ET LES POINTS DE RECOMBINAISONS ELECTRIQUES) ET LA PRODUCTION DES ETATS EXCITES DE L'HYDROGENE PAR LE PLASMA RF ARGON-HYDROGENE. PAR LA SPECTROSCOPIE D'EMISSION NOUS AVONS IDENTIFIE LA PRESENCE DANS LE PLASMA DES ETATS EXCITES ELEVES DE L'HYDROGENE ATOMIQUE (JUSQU'A N = 8), LEUR DISTRIBUTION SPATIALE VARIE LORS DE L'AJOUT D'HELIUM DANS LE GAZ PLASMAGENE. CE PHENOMENE PERMET DE DOUBLER LA TENEUR EN HYDROGENE DANS LE SILICIUM MASSIF TRAITE PAR PLASMA AR+H 2+HE (4,42.10 1 5 AT.CM - 3) PAR RAPPORT AU PLASMA D'AR + H 2 (2,2.10 1 5 AT. CM - 3). CETTE TENEUR PEUT ATTEINDRE 10 1 9 AT.CM - 3 PAR L'INJECTION AXIALE DE LA POUDRE DE SILICIUM DANS LE JET PLASMA. LA MESURE DES TEMPS DE SEJOURS DE 10 MSEC A 30 MSEC DES PARTICULES DE SILICIUM EN VOL A ETE EFFECTUEE PAR LA TECHNIQUE D'ANEMOMETRIE LASER DOPPLER. AINSI LA VITESSE DES PARTICULES, ET LA DISTANCE DE PROJECTION DETERMINENT LE TAUX D'EVAPORATION DE SILICIUM ET LA MESURE DES DIAMETRES DES PARTICULES EN VOL VALIDE LE TRANSFERT DE MATIERE. LA CROISSANCE DE DEPOT EST LIEE AUX PROCESSUS DE TRANSFERT DE CHALEUR ET DE MATIERE PARTICULE/SUBSTRAT. UNE FAIBLE CONDUCTIVITE THERMIQUE DE SUBSTRAT COMME LA MULLITE CONSTITUE UNE BARRIERE THERMIQUE QUI PERMET UN REFROIDISSEMENT CONTROLE DES PARTICULES PROJETEES. LA CHALEUR APPORTEE PAR CES PARTICULES ABOUTIT A LA FORMATION SUR LE SUBSTRAT D'UNE GOUTTE LIQUIDE DONT LA CRISTALLISATION DIRECTIONNELLE DEBUTE LORS DE L'ARRET DE LA PROJECTION DES PARTICULES. LA PURIFICATION DU DEPOT MIS EN EVIDENCE PAR EDX, A EU LIEU PAR SEGREGATION DES IMPURETES DE LA PHASE SOLIDE VERS LA PHASE LIQUIDE, LA VITESSE DE DEPOT ATTEIGNANT 600-1500 M.H - 1 SELON LA TAILLE DES PARTICULES DE SILICIUM ET LA VITESSE DE PROJECTION.

Download or read book Extraction de bore par oxydation du silicium liquide pour applications photovolta ques written by Mathieu Vadon and published by . This book was released on 2017 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'extraction du bore du silicium liquide est une étape d'une chaîne de procédés de purification de silicium de qualité suffisante pour les applications photovoltaïques. Cette thèse étudie en priorité le procédé dit "gaz froid" qui consiste en l'injection d'un mélange de gaz Ar-H2-H2O sur du silicium liquide chauffé électromagnétiquement. Une deuxième méthode similaire ("procédé plasma") où on injecte un plasma thermique issu d'un mélange Ar-H2-O2 a également été étudiée. Un modèle est nécessaire afin d'optimiser le procédé pour économiser de l'énergie.Les trois objectifs du modèle sont la prédiction du flux de silicium issu de la surface (vitesse d'oxydation), du flux de bore issu de la surface (pour avoir la vitesse de purification), et du seuil de passivation. Le seuil de passivation est la limite de concentration d'oxydant au-delà de laquelleil apparait une couche de silice passivante qui empêche la purification. Afin de minimiser la consommation d'énergie en accélérant le procédé, on cherche à injecter une concentration d'oxydant juste en dessous du seuil de passivation.De précédentes études ont montré que le facteur limitant pour les flux de bore et de silicium est le transport d'oxydant dans la phase gaz. Ainsi, nous avons fait un modèle monodimensionnel réactif-diffusif à l'équilibre thermodynamique de la couche limite gazeuse. Selon ce modèle, l'effet de la formation d'aérosols de silice est de diviser par deux le flux d'oxydant vers la surface, ce qui sert aux simulations CFD. Cet effet des aérosols de silice sur les flux d'oxydant peut aussi se retrouver si on enlève l'hypothèse d'équilibre thermodynamique des aérosols de silice avec la phase gaz, ce qui est confirmé par des simulations CFD et des expériences.Pour ce qui concerne l'estimation de la vitesse de purification, les données les plus réalistes concernant l'enthalpie de formation de HBO(g) et le coefficient d'activité du bore dans le silicium liquide ont été sélectionnées. Nous obtenons une bonne prédiction de la vitesse de purification à différentes températures et concentrations d'oxydant, y compris pour le cas plasma que nous avons étudié, en utilisant ces données thermodynamiques et en supposant que les produits de réaction de surface SiO(g) et HBO(g) diffusent de manière similaire. Ces coefficients de transfert identiques pour HBO(g) et SiO(g) peuvent s'expliquer par une précipitation simultanée et commune de HBO(g) et SiO(g), selon des mécanismes de germination et croissance restant à déterminer.Un dispositif expérimental de lévitation électromagnétique de silicium sous un jet oxydant a été monté. La mesure et le contrôle de température d'une bille de silicium ont été mis en oeuvre ce qui permettra la mesure sans contaminations de données thermodynamiques concernant les impuretés .Le seuil de passivation mesuré sur quelques expériences disponibles peut être prédit par notre modèle d'oxydation (associé au facteur deux représentant les aérosols de silice), si on l'associe à un critère proposé dans la littérature, qui couple la fraction du flux d'oxydant arrivant à la surface à une loi d'équilibre entre SiO(g), Si(l) et SiO2(s/l). Nous montrons dans cette thèse que la couche passivante n'est compatible avec des aérosols de silice que si ces aérosols ne sont pas en équilibre avec la phase gaz. La cinétique de formation des aérosols de silice doit donc être étudiée plus en détails.

Download or read book D veloppement du proc d de purification du silicium par plasma thermique RF written by Sylvain Rousseau and published by . This book was released on 2009 with total page 197 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L’objectif de ce travail est le développement d’un procédé de purification du silicium métallurgique par plasma thermique avec polarisation du silicium fondu, dans le but d’augmenter les cinétiques d’élimination des impuretés. Nous avons étudié l’effet simultané de la polarisation et de la composition du plasma sur les processus d’élimination des impuretés. Le suivi en ligne de la purification est effectué par Spectroscopie Optique d’Emission, ce qui permet de comprendre les processus de transfert de matière entre le silicium et le plasma. La composition avant et après traitement des échantillons de silicium, est quant à elle déterminée par LIBS et ICP. Ces trois méthodes basées sur la spectroscopie d’émission ont permis d’établir le rôle de la polarisation et de la composition du plasma sur l’élimination des impuretés. Ainsi, nous avons montré que les cinétiques d’élimination des impuretés métalliques étaient améliorées par l’application d’un potentiel anodique sur l’échantillon avec un traitement sous plasma composé de préférence d’argon pur exclusivement. En revanche, le potentiel électrique n’influe pas de façon sensible sur les cinétiques d’élimination du bore. Seule l’introduction simultanée d’hydrogène et d’oxygène permet de l’augmenter significativement. Par ailleurs, les analyses d’exodiffusion du deutérium ont permis de montrer l’effet du potentiel électrique sur le dopage du silicium par l’hydrogène. L’étude de l’interaction des impuretés avec leur environnement nous conduit à proposer un mécanisme chimique et électrochimique d’élimination des impuretés du bain de silicium fondu.

Download or read book Purification et caracterisation physico chimique et lectriques de silicium d origine m tallurgique destin la conversion photovolta que written by Julien Dégoulange and published by . This book was released on 2008 with total page 188 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'élaboration de silicium de qualité solaire par une autre route que la voie chimique semble aujourd'hui prometteuse pour réduire les coûts et garantir l'approvisionnement en matériau de la filière photovoltaïque. Un plasma inductif (Ar+H2+O2) couplé à un brassage électromagnétique du silicium liquide permet d'extraire une impureté critique : le bore. La compréhension de la volatilisation du bore a été étudiée via des calculs thermodynamiques sous FACTSAGE ainsi que des analyses chimiques en ligne des gaz de sortie par ICP-OES. L'étude du procédé a été divisée en deux étapes. Le brassage électromagnétique a fait l'objet d'une étude numérique et expérimentale. La répartition des espèces réactives à la surface a été étudiée en remplaçant le silicium par du graphite afin d'obtenir une image spatiale de la répartition des espèces à la surface. L'optimisation du procédé a permis d'obtenir un silicium avec une teneur en bore acceptable. Les caractérisations chimiques et électriques du matériau purifié ont révélées une quantité trop élevée d'aluminium, d'oxygène et de phosphore. Toutefois le matériau produit est utilisable par l'industrie, le rendement cellule est supérieur à 14% sur la partie p du lingot.

Download or read book ETUDE DES PHENOMENES D EVAPORATION LORS DE L ELABORATION DE SILICIUM PHOTOVOLTAIQUE A PARTIR DE POUDRES TRAITEES PAR PLASMA THERMIQUE INDUCTIF written by Frank Slootman and published by . This book was released on 1988 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: MISE AU POINT DU DISPOSITIF D'ANALYSE DES PHENOMENES D'EVAPORATION A L'INTERFACE PLASMA/POUDRE DE SILICIUM, COMPRENANT UN SYSTEME FIBRE OPTIQUE-MONOCHROMATEUR HAUTE RESOLUTION-ANALYSEUR MULTICANAUX AFIN DE REGULER DES PROCEDES DE PURIFICATION DES MATERIAUX PAR PLASMA THERMIQUE

Download or read book ETUDE DES TRANSFERTS DE CHALEUR ET DE MATIERE ENTRE UN PLASMA HF ET UNE PARTICULE DE SILICIUM APPLICATION A L ELABORATION D UN DEPOT written by SEBASTIEN.. MAGNAVAL and published by . This book was released on 1999 with total page 224 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL OUVRE LE CHAMP EXPLORATOIRE DE L'ELABORATION DE COUCHES MINCES DE SILICIUM PAR DEPOT RAPIDE EN PLASMA THERMIQUE. L'OBJECTIF RECHERCHE EST L'OBTENTION D'UN MATERIAU DE HAUTE PURETE A PROPRIETE SEMICONDUCTRICE DANS LE CADRE DES APPLICATIONS PHOTOVOLTAIQUES. L'ETUDE EFFECTUEE EST CENTREE SUR LA MISE AU POINT D'UN PROCEDE DE FUSION DE PARTICULES DE SILICIUM DE DIAMETRES INITIALS VARIABLES (50 A 200 M) PAR TRANSFERT THERMIQUE ENTRE LE PLASMA ARGON/HYDROGENE ET LA PARTICULE. L'HYDRODYNAMIQUE DE L'ECOULEMENT, LES PROPRIETES DE TRANSPORT DU PLASMA, LES PROPRIETES PHYSIQUES DU MATERIAU CONSTITUENT LES PREMIERES ETAPES DU TRAVAIL A ANALYSER. IL CONVIENT EN PARTICULIER DE MESURER LE TEMPS DE SEJOUR DES PARTICULES DANS LES CHAMPS DE TEMPERATURES DU JET PLASMA ENGENDRE PAR LA TORCHE RF. CETTE ETUDE EXPERIMENTALE ASSOCIANT ANEMOMETRIE DOPPLER LASER, POUR LA MESURE DES VITESSES, ET EMISSION ATOMIQUE DES ESPECES DANS LE PLASMA, PERMET DE SUIVRE LES ECHANGES DE MATIERE SUR LA TRAJECTOIRE DES PARTICULES ET PAR LA MEME, PERMET DE REMONTER AUX ECHANGES DE CHALEUR RESPONSABLES DES PROCESSUS DE FUSION, D'EVAPORATION ET DE PURIFICATION DU MATERIAU. LA NATURE DU GAZ PLASMAGENE ET EN PARTICULIER LA TENEUR EN HYDROGENE DU MELANGE ARGON/HYDROGENE CONSTITUE UNE ETAPE IMPORTANTE PUISQU'ELLE AGIT SIMULTANEMENT SUR LES PHENOMENES DE TRANSFERT DE CHALEUR ET SUR LE PROCESSUS DE MODIFICATION CHIMIQUE DU MATERIAU (REDUCTION DES OXYDES, DIFFUSION DE L'HYDROGENE A CUR). LA QUALIFICATION DES COUCHES OBTENUES PAR MEB, XPS ET SPECROSCOPIE DE MASSE A PARTIR D'ECHANTILLONS TESTS PERMET DE RELIER LE PROCEDE DE FUSION ET L'ELABORATION D'UN MATERIAU COUCHE MINCE.

Download or read book DEFAUTS DE VOLUME ET DE SURFACE DANS LE SILICIUM POUR APPLICATIONS PHOTOVOLTAIQUES written by ISABELLE.. DELIDAIS and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PORTE SUR LES COMPORTEMENTS PHYSICO-CHIMIQUES ET ELECTRIQUES DE L'OXYGENE, DE L'HYDROGENE ET DES IMPURETES METALLIQUES, DANS DU SILICIUM DE TYPE P POUR APPLICATIONS PHOTOVOLTAIQUES. LA PREMIERE PARTIE CONCERNE LE TRAVAIL THEORIQUE EFFECTUE SUR LA MODELISATION DE L'EFFICACITE DE COLLECTE MESUREE PAR EBIC. DANS UNE SECONDE PARTIE, LES ANALYSES SIMS ET L'UTILISATION D'UN TRACEUR (#1#8O) NOUS ONT PERMIS D'ACCEDER AUX COEFFICIENTS DE DIFFUSION DE L'OXYGENE, A 1000 ET 800C, DANS DU SILICIUM FZ, CZ ET POLYX ET DE METTRE EN EVIDENCE LA PRESENCE D'OXYGENE LARGEMENT AU-DELA DE SA LIMITE DE SOLUBILITE A 1000C. CETTE SURSATURATION EST DUE EN PARTIE A DES PRECIPITES RICHES EN OXYGENE, DECORES DE DEUTERIUM APRES TRAITEMENT PAR PLASMA RADIOFREQUENCE. LA PRESENCE DE CES PRECIPITES D'OXYGENE EXPLIQUE LA FAIBLE EFFICACITE DE COLLECTE DE CES ECHANTILLONS. POUR LE POLYX, PLUS LES RECUITS (SOUS VIDE OU SOUS OXYGENE) SONT REALISES A TEMPERATURES ELEVEES, PLUS LA LONGUEUR DE DIFFUSION DES PORTEURS MINORITAIRES EST FAIBLE. LES ANALYSES SIMS ET XPS INDIQUENT QUE LE CUIVRE VIENT SE PIEGER SUR LES PRECIPITES D'OXYGENE. CET EFFET GETTERING EST PLUS EFFICACE PENDANT L'OXYDATION. PAR AILLEURS, LA COUCHE D'OXYDE CONSTITUE UNE BARRIERE POUR LA DIFFUSION DU DEUTERIUM. L'ANALYSE DES RESULTATS C(V) INDIQUE QUE L'HYDROGENE INTERAGIT AVEC LE DOPANT ET LE PASSIVE. DANS CE CAS, IL N'EST PAS POSSIBLE D'UTILISER NOTRE MODELE EBIC. NOUS AVONS PU EGALEMENT OBSERVER QUE LE PLASMA D'HYDROGENE DEGRADE LES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE LA SURFACE ALORS QU'IL PASSIVE LES DEFAUTS DE VOLUME ELECTRIQUEMENT ACTIFS POUR LE POLYX

Download or read book D veloppement de techniques de d p t plasma et photo assist es pour la r alisation de couches antireflets passivantes en SiNx written by Erwann Fourmond and published by . This book was released on 2002 with total page 127 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'objectif de cette thèse est d'améliorer les performances des cellules photovoltaïques en silicium multicristallin en réalisant en une seule opération une couche antireflet efficace, la passivation de la surface et celle en volume du matériau. Le matériau étudié est le silicium multicristallin EMIX élaboré par tirage continu en creuset froid électromagnétique. Il est développé par EPM - Madylam, et présente un potentiel photovoltaïque intéressant (bonne uniformité et faible pollution du matériau par les impuretés métalliques, vitesse de production assez rapide). Des études précédentes ont montré que les techniques usuelles de "Gettering" (passivation par diffusion du phosphore) utilisées pour améliorer les propriétés de transport du silicium multicristallin sont inopérantes dans le cas du silicium élaboré en creuset froid électromagnétique, alors que la passivation par l'hydrogène reste efficace. La formation du nitrure de silicium (SiNx:H) en surface du matériau fait intervenir des réactifs hydrogénés (SiH4, NH3), et un des produits de la réaction est l'hydrogène (sous forme atomique ou moléculaire). Son coefficient de diffusion élevé lui permet de diffuser en profondeur dans le silicium multicristallin et de jouer un rôle passivant. A l'effet passivant de l'hydrogène contenu dans la couche de nitrure SiNx:H s'ajoute les propriétés optiques de cette couche. L'indice de réfraction des couches peut varier dans une gamme allant de 1.9 à 2.4, et son ajustement permet d'optimiser la réflectivité du matériau afin de maximiser l'absorption du rayonnement solaire incident. Le but de cette thèse est donc d'optimiser les paramètres des couches de nitrure déposées afin de maximiser les performances des cellules photovoltaïques, et d'étudier les mécanismes d'amélioration dus au dépôt de nitrure. Pour les dépôts, les méthodes UCVD (dépôt chimique en phase vapeur assisté par UV) et PECVD (CVD assisté par plasma) sont utilisées. Pour mener à bien les dépôts par PECVD, un réacteur a été conçu et développé, utilisant un plasma micro-ondes.

Download or read book ROLE DES LAITIERS FLUORO SILICATES LORS DE LA PURIFICATION DU SILICIUM PAR FUSION SOUS PLASMA INDUCTIF HAUTE FREQUENCE POUR LA PRODUCTION DE SILICIUM DE QUALITE PHOTOVOLTAIQUE MISE AU POINT D UN SYSTEME DE CONTROLE DU PROCEDE written by NICOLE.. MADIGOU and published by . This book was released on 1990 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE CONCERNE LA PURIFICATION DU SILICIUM (96 A 99% SI), PAR FUSION SOUS PLASMA REACTIF HAUTE FREQUENCE, DESTINE A LA PRODUCTION DE CELLULES SOLAIRES. LA PURIFICATION S'EFFECTUE GRACE AU TRANSFERT DE MATIERE ENTRE QUATRE PHASES: SI SOLIDE, SI LIQUIDE, LAITIER, PLASMA. LES DEUX THEMES PRINCIPAUX DEVELOPPES SONT LA RECHERCHE DU LAITIER LE PLUS EFFICACE, ET LE CONTROLE DU PROCEDE PAR UNE TECHNIQUE DE SPECTROSCOPIE ATOMIQUE MISE AU POINT AU LABORATOIRE POUR SUIVRE L'EVAPORATION DES ESPECES A L'INTERFACE LAITIER-PLASMA. LA PRESENCE D'OXYGENE DANS LE GAZ PLASMAGENE CONDUIT A LA FORMATION D'UN LAITIER DE SILICE PERMETTANT UNE ELIMINATION EFFICACE DES IMPURETES (CONCENTRATION EN IMPURETES INFERIEURE A 1 PPM). L'INTRODUCTION D'UN LAITIER FLUORE DE TYPE ALCALIN OU ALCALINO-TERREUX (1% EN POIDS DE SI TRAITE) AUGMENTE LE COEFFICIENT DE PURIFICATION QUI PEUT ALORS ATTEINDRE 100000 POUR CERTAINES IMPURETES. LE MECANISME D'ELIMINATION DU BORE A PU ETRE ANALYSE EN PARTICULIER A L'AIDE DU DISPOSITIF SPECTROSCOPIQUE. ON DEMONTRE LE ROLE IMPORTANT DE L'OXYGENE, NECESSAIRE A L'EVAPORATION DU BORE, ET DU FLUOR, LEQUEL AUGMENTE LA CINETIQUE DE TRANSFERT DE MATIERE. CES MESURES SPECTROSCOPIQUES PERMETTENT DE REMONTER A LA CINETIQUE DU BORE EN PHASE HETEROGENE ET DE DETERMINER QUE LA REACTION EST DU PREMIER ORDRE. LES CALCULS SPECTROSCOPIQUES PERMETTENT D'EVALUER LA TENEUR EN BORE, EN ACCORD AVEC LA CONCENTRATION MESUREE PAR ICP ET LES PROPRIETES PHOTOVOLTAIQUES. LE PROCEDE EST DE PLUS ADAPTE A L'AFFINAGE DE MATERIAUX DE RECYCLAGE (ELECTRONIQUE OU PHOTOVOLTAIQUE), POUR LESQUELS ON ATTEINT UN RENDEMENT DE CONVERSION DE 12%

Download or read book PURIFICATION DES SILICIUMS DE TYPE N ET P PAR FUSION SOUS PLASMA INDUCTIF written by ROSSANA.. MARONGIU-COMBES and published by . This book was released on 1993 with total page 245 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail a porté sur l'étude des mécanismes de purification du silicium par plasma inductif oxygène en présence d'un laitier fluore sous polarisation. Nous avons focalisé notre travail sur l'élimination du bore et du phosphore qui sont les deux principaux dopants du silicium. La première partie de cette étude a consisté à établir et comparer les diagrammes thermochimiques de stabilité des composés du bore et du phosphore en présence de Baf#2, Caf#2 et Mgf#2. Nous avons conclu qu'en présence de fluor et d'oxygène le bore était éliminé sous forme d'un composé volatil: bof. Nous avons pu déduire que Baf#2 est le meilleur laitier pour l'élimination du bore. Nous avons également mis en évidence la nécessité d'imposer un potentiel au matériau au cours du traitement. La seconde partie de ce travail a consisté à suivre l'élimination du bore au cours du traitement par spectroscopie d'émission en ligne. Nous avons alors pu confirmer que Baf#2 permettait l'élimination du bore la plus importante. De plus, l'imposition d'un potentiel anodique augmente l'évaporation du bore. Nous avons déduit que la polarisation anodique stabilise les espèces clés des mécanismes de purification: les anions O#2# et F#. L'efficacité du laitier fluore a également été mise en évidence dans le cas de l'élimination du phosphore. La stabilisation de l'anion O#2# permet la formation dans la goutte liquide d'oxydes volatiles du phosphore (P#4o#6, Po#2) dont l'évaporation s'ajoute a celle du phosphore gazeux. Enfin, nous avons procédé a l'étude physico-chimique du matériau après traitement. nous avons déterminé que la présence de Baf#2 augmente la ségrégation des impuretés aux joints de grain et abaisse la viscosité de la goutte liquide, ce qui augmente la taille de l'interface plasma-bain liquide et donc l'efficacité du traitement. L'analyse du matériau après traitement (ICP, ESCA) a permis de confirmer les conclusions obtenues

Download or read book ETUDE DES TRANSFERTS DE CHALEUR ET DE MATIERE LORS DE LA PURIFICATION DU SILICIUM PAR FUSION SOUS PLASMA THERMIQUE REACTIF written by ELENI.. APOSTOLIDOU and published by . This book was released on 1986 with total page 182 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Elaboration et caract risation de couches de SiOxNy H et SiNx r alis s par m thode PECVD written by Julien Dupuis (Auteur d'une thèse en Nanotechnologies).) and published by . This book was released on 2009 with total page 160 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Depuis une dizaine d'années, le dépôt d'une couche antireflet en nitrure de silicium hydrogéné SiNx:H par méthode plasma (PECVD) constitue un moyen efficace et peu coûteux d'assurer une faible réflectivité et une bonne passivation des cellules photovoltaïques en silicium. Ce travail de thèse s'attache à réaliser et caractériser des couches d'oxynitrure de silicium hydrogéné (SiOxNy:H) par méthode PECVD et à les associer aux couches de SiNx:H. Dans le cadre de la réduction de l'épaisseur des cellules en silicium, l'application de structures combinant ces deux matériaux sur la face arrière des cellules est une voie envisagée pour améliorer leurs propriétés de passivation et de réflexion et donc leur rendement de conversion. Tout d'abord, les dépôts de SiOxNy:H ont été caractérisés optiquement, structuralement et électriquement. Les résultats montrent que l'ordre local de la matrice de SiOxNy:H est fortement dépendant de la teneur en oxygène de la couche. La caractérisation structurale des couches de SiOxNy:H soumises à un recuit thermique, indique qu'une partie de l'hydrogène se trouve faiblement liée à la matrice. Enfin, les propriétés électriques de SiOxNy:H mettent en évidence des résultats de passivation comparables à ceux du SiNx:H en l'absence d'azote dans la couche (SiOx:H). Les études précédentes sont complétées avec des mesures de passivation d'empilements réalisés à partir des couches de SiOxNy:H et SiNx:H. Les meilleures structures sont appliquées sur la face arrière de cellules en silicium multicristallin. Les résultats électriques obtenus sont meilleurs pour des empilements épais. Cependant, la tension de circuit ouvert et le facteur de forme restent modérés à cause de la présence de courants de fuite sur l'ensemble des cellules et de la formation de cavités sous les contacts arrière. Le laser et le type de métallisation utilisés sont identifiés comme étant responsables de ces deux phénomènes.