Download or read book Effets d interruptions de croissance sur les propri t s optiques des puits quantiques ultra minces GaInAs InP written by Sandrine Juillaguet and published by . This book was released on 1992 with total page 181 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES STRUCTURES A PUITS QUANTIQUES ET A MULTI-PUITS QUANTIQUES (MPQS) ULTRAMINCES UTILISEES NOTAMMENT POUR LES CIRCUITS DESTINES A LA TELECOMMUNICATION PAR FIBRES OPTIQUES FONCTIONNANT DANS LA GAMME DE 1.38 M, NECESSITENT UN CONTROLE RIGOUREUX DE LA MORPHOLOGIE DES INTERFACES. DANS CE BUT, NOUS AVONS ETUDIE UNE SERIE DE MPQS GAINAS/INP (0

Download or read book Etude de l effet Stark dans les puits quantiques GaInsAs P InP written by HERVE.. FOLLIOT and published by . This book was released on 1999 with total page 180 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL DE THESE PORTE SUR L'ETUDE DE L'EFFET STARK DANS LES MULTIPUITS QUANTIQUES (MPQ) A BASE DE GAINASP SUR INP ET SON APPLICATION A LA DEFLEXION HOLOGRAPHIQUE DE FAISCEAUX OPTIQUES AUTOUR DE 1.5M POUR LA COMMUTATION OPTIQUE EN ESPACE LIBRE. POUR CETTE ETUDE, UN OUTIL DE SIMULATION COMPLET A ETE REALISE. DANS UN PREMIER TEMPS UNE METHODE DE CALCUL DES ETATS ELECTRONIQUES UTILISANT LA METHODE K.P. ASSOCIEE A L'APPROXIMATION DE LA FONCTION ENVELOPPE ET LA TECHNIQUE DES DIFFERENCES FINIES, EST PRESENTEE. L'INFLUENCE DES PARAMETRES DE CALCUL EST DISCUTEE. LA METHODE UTILISEE PERMET D'INSERER N'IMPORTE QUEL TYPE DE PERTURBATION DEPENDANT DE LA POSITION SELON L'AXE DE CROISSANCE DES PUITS QUANTIQUES (CHAMP ELECTRIQUE, COMPOSITION, CONTRAINTE). LES RESULTATS DU CALCUL D'ELECTROABSORPTION COMPRENANT LES EFFETS EXCITONIQUES PERMETTENT D'EXPLIQUER QUANTITATIVEMENT LES VALEURS EXPERIMENTALES D'ABSORPTION OPTIQUE, DE TAUX D'EXTINCTION ET DU PARAMETRE DE CHIRP DE MODULATEURS OPTIQUES. CETTE APPROCHE EST ENSUITE APPLIQUEE A L'OPTIMISATION DE MODULATEURS SPATIAUX DE LUMIERE INSERES EN MICROCAVITE. UNE COMPARAISON AVEC LES RESULTATS ANTERIEURS DU LABORATOIRE ET CEUX DE LA LITTERATURE PERMETTENT DE DISCUTER DES PERFORMANCES ATTENDUES DE CE TYPE DE COMPOSANTS (RENDEMENT DE DIFFRACTION DE ESTIMES DE 5 A 7%).

Download or read book tude des propri t s optiques de puits quantiques contraints ultra minces d InAs InP written by Ali Lanacer and published by . This book was released on 2006 with total page 354 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Corr lation luminescence d fauts tendus dans les structures puits quantique InGaAs pitaxi es s lectivement sur substrats Si written by Joyce Roque and published by . This book was released on 2018 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les semi-conducteurs III-V présentent des propriétés remarquables de mobilité électronique et d'émission optique. La croissance de ces matériaux par MOCVD sur substrat silicium (001) en 300 mm offre l'opportunité de réaliser les composants bas coût, et d'apporter de nouvelles fonctionnalités à la microélectronique silicium par l'intégration de composants électroniques et optiques. De ce fait, la croissance de semi-conducteurs III-V sur silicium a connu un engouement important au cours de ces dernières années. De telles intégrations monolithiques impliquent de développer des couches III-V de très bonne qualité épitaxiées sur silicium. Actuellement, le principal enjeu réside dans la réduction des densités de défauts cristallins tels que les fautes d'empilement, parois d'antiphase et dislocations. L'impact de ces défauts structuraux sur ces propriétés reste encore aujourd'hui principalement étudié à l'échelle micrométrique (effet Hall, photoluminescence,...) ne présentant pas de résolution spatiale suffisante permettant pas de dissocier les différents paramètres physico-chimiques. Ces développements nécessitent en conséquence des moyens adaptés de caractérisation pour contrôler et connaitre les propriétés physico-chimique de ces couches III-V épitaxiée sur Si.Le travail de cette thèse porte sur le développement d'une méthode destinée à corréler spatialement à l'échelle nanométrique les propriétés optiques et les caractéristiques morphologiques de couches III-As crues par MOCVD sur Si (001) en 300mm. Elle a permis d'étudier des puits quantiques d'InGaAs épitaxiés sur buffer GaAs et sur substrat Si avec pour méthode de réduction des défauts émergeants l'utilisation de couches tampons à base de GaAs et la croissance localisée entre murs d'oxydes (aspect ratio trapping (ART)). L'étude s'est appuyée sur deux techniques de caractérisation: La cathodoluminescence (CL) permettant d'observer spatialement sur l'échantillon bulk l'énergie d'émission et l'intensité correspondantes d'un puits quantique d'InGaAs, et la microscopie électronique en transmission (STEM/TEM) en lame mince donnant des informations quantitatives sur la morphologie de la structure (épaisseurs des couches, position des défauts, stoechiométrie...). Nous avons développé une méthode qui permet de corréler spatialement les résultats de ces deux techniques de caractérisation. La méthode consiste en plusieurs marquages spécifiques réalisés par faisceau d'électron pour repérer et extraire précisément les zones d'intérêt observés en cathodoluminescence. Des mesures de déformation (N-PED) sur lame mince ont également été réalisées.Cette méthode de caractérisation corrélée a permis de mettre en évidence des modifications des propriétés physico-chimique de puits quantiques d'InGaAs à l'échelle nanométrique directement liées aux conditions de croissance, et à la présence de défauts émergents.