Download or read book DOPAGE DU SILICIUM PAR UNE NOUVELLE METHODE D IMPLANTATION IONIQUE AVEC RECUIT PAR LASER PULSE written by Jean-Claude Müller and published by . This book was released on 1983 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DU PROCEDE DE DOPAGE PAR INCRUSTATION IONIQUE. INTERACTION DES IONS ATOMIQUES ET MOLECULAIRES AVEC LE SILICIUM. INTERACTION LASER DE PUISSANCE-MATIERE. ETUDE EXPERIMENTALE DES COUCHES INCRUSTEES AYANT SUBI UN RECUIT LASER PULSE. APPLICATION DE CETTE TECHNIQUE A LA PREPARATION DE CELLULES SOLAIRES A SILICIUM MONOCRISTALLIN ET POLYCRISTALLIN. COMPARAISON DE LEURS PERFORMANCES A CELLULES DE CELLULES PREPAREES PAR DES VOIES PLUS CONVENTIONNELLES

Download or read book DIFFUSION INDUITE D IMPURETES DANS LE SILICIUM PAR LASER PULSE written by Eric Fogarassy and published by . This book was released on 1983 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: EXAMEN DES MECANISMES FONDAMENTAUX DE L'INTERACTION D'UNE IMPULSION LASER AVEC UN SEMICONDUCTEUR ET PRESENTATION DES RESULTATS D'UN MODELE THERMIQUE DE RECUIT LASER. DESCRIPTION DES CONDITIONS EXPERIMENTALES ET DES DIFFERENTES METHODES D'ANALYSE DES COUCHES TRAITEES PAR LASER PULSE. REVUE DES PRINCIPAUX RESULTATS EXPERIMENTAUX. ETUDE DU COEFFICIENT DE SEGREGATION INTERFACIAL ET DE LA SOLUBILITE LIMITE DES DOPANTS DANS LE SILICIUM RECUIT LASER. CONSTRUCTION D'UN MODELE DE LA DIFFUSION INDUITE PAR LASER. DISCUSSION DE L'ENSEMBLE DES PROPRIETES ELECTRIQUES ET PHOTOVOLTAIQUES DES JONCTIONS FABRIQUEES PAR DIFFUSION LASER

Download or read book ETUDE DES METHODES DE RECUIT RAPIDE APPLIQUEES AU SILICIUM DOPE PAR IMPLANTATION IONIQUE written by PIERRE.. RUTERAMA and published by . This book was released on 1983 with total page 294 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: RAPPEL DU PRINCIPE DE L'IMPLANTATION IONIQUE, EN INSISTANT PARTICULIEREMENT SUR LE PROCESSUS DE CREATION DE DEFAUTS ET SUR LEUR REPARTITION DANS LA COUCHE BOMBARDEE. ETUDE DES MECANISMES DE RECUIT THERMIQUE, RECUIT PAR LASER A FAISCEAU CONTINU, RECUIT PAR FAISCEAU LASER PULSE ET RECUIT PAR PULSE THERMIQUE. ETUDE DE L'ETAT DE SURFACE DU MATERIAU ET DE L'ETAT CRISTALLIN DES COUCHES RECUITES. CARACTERISATION ELECTRIQUE DES JONCTIONS P/N ET ANALYSE DE L'ALBUM DES COURBES I/V

Download or read book Diffusion induite d impuret es dans le silicium par laser pulse written by Eric Fogarassy and published by . This book was released on 1984 with total page 115 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Proc d s de dopage et de recuit laser pour la r alisation de cellules photovolta ques au silicium cristallin written by Bertrand Paviet-Salomon and published by . This book was released on 2012 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse se propose d'étudier les procédés de dopage et de recuit laser comme outils permettant la réalisation de cellules photovoltaïques au silicium cristallin. Des émetteurs dopés ou recuits par laser sont tout d'abord réalisés à l'aide de trois lasers et de différentes sources dopantes. Les lasers utilisés sont un laser vert nanoseconde, un laser excimère et un laser ultraviolet à haute cadence. Comme sources dopantes nous avons utilisé le verre de phosphore, des couches de nitrures de silicium dopées au bore ou au phosphore, ou encore des implantations ioniques de bore ou de phosphore. Des dopages très efficaces sont obtenus avec chaque couple laser/source dopante. En particulier, de faibles valeurs de résistances carrées et de densités de courant de saturation sont obtenues. Ces procédés laser sont ensuite appliqués à la réalisation de cellules à émetteur sélectif et à champ arrière au bore. Les cellules à émetteur sélectif dopé par laser (en utilisant le verre de phosphore comme source dopante) atteignent un rendement de 18,3 %, ce qui représente un gain total de 0,6 %abs comparé aux cellules standard à émetteur homogène. Les cellules à champ arrière au bore recuit par laser (à partir d'une implantation ionique de bore) montrent quant à elles un gain de 0,3 %abs par rapport aux cellules à champ arrière à l'aluminium, offrant ainsi un rendement de 16,7 %.

Download or read book tude r alisation et caract risation de dopages par implantation ionique pour une application aux cellules solaires en silicium written by Adeline Lanterne and published by . This book was released on 2014 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse a pour but d'étudier le dopage par implantation ionique pour la réalisation des différentes zones dopées des cellules solaires en silicium cristallin (émetteur, champ arrière...). L'avantage de l'implantation ionique, par rapport à la diffusion gazeuse, est de pouvoir contrôler le profil des dopants implantés ainsi que de simplifier les procédés de fabrication des cellules. Deux techniques d'implantation ionique ont été utilisées dans ces travaux, l'implantation classique par faisceau d'ions et l'implantation par immersion plasma. Des dopages au phosphore, au bore et à l'arsenic ont été réalisés par cette technique d'implantation avec une activation par recuit thermique. L'importance de la température de recuit, des doses d'implantation et des couches de passivation sur la qualité électrique des jonctions formées a été mise en évidence. Des jonctions à faible courant de saturation ont pu être obtenues pour les différentes sources dopantes. Ces dopages par implantation ont ensuite été appliqués à la réalisation de cellules solaires en silicium sur substrat de type p (avec un émetteur dopé au phosphore) et sur substrat de type n (avec un émetteur dopé au bore et un champ arrière dopé au phosphore). L'utilisation de l'implantation ionique a permis d'atteindre un rendement de 19,1 % sur les cellules de type p soit un gain de 0,6 %abs par rapport au dopage par diffusion gazeuse, ainsi qu'un rendement de 20,2 % sur les cellules de type n.

Download or read book Formation et caract risation de jonctions PN dans du SiC 4H par implantation ionique et recuit laser written by Christian Dutto and published by . This book was released on 2003 with total page 199 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette étude porte sur le dopage du carbure de silicium SiC-4H par implantation ionique et recuit laser. L'élaboration de diodes Schottky de type n, très adaptée au SiC, et l'amélioration de leur tenue en tension requièrent de fabriquer de façon reproductible un anneau de garde périphérique de type p autour de la zone active.Dans un premier chapitre, les atouts, propriétés et applications usuelles du SiC sont introduites. Dans une deuxième partie nous décrivons les mécanismes physiques de l'implantation et de l'analyse RBS. Les seuils d'amorphisation et énergies de déplacement effectives du 4H suite à une implantation d'aluminium à 300 K sont présentés. L'activation des dopants et du gel des porteurs ainsi qu'un bilan des résultats obtenus par recuit conventionnel sont abordés. L'interaction laser-matière et le modèle thermique font l'objet d'un troisième chapitre. La modélisation numérique de l'échauffement laser du SiC amorphe et cristallin et les résultats obtenus sont confrontés aux données expérimentales publiées sur le sujet. Enfin, les propriétés physiques (qualité cristalline, rugosité et stoechiométrie de surface) et électriques (résistivités) des couches irradiées sont détaillées. L'analyse des résultats nous ont permis d'étudier un lot électrique SiC mettant en jeu le procédé laser. Les caractéristiques I-V-T et les tenues en tension de diodes bipolaires MESA sont présentées. L'influence des paramètres technologiques et les perspectives d'optimisation du procédé de dopage laser sont discutées.

Download or read book Etude du dopage par implantation ionique d aluminium dans le carbure de silicium pour la r alisation de composants de puissance written by Mihai Bogdan Lazar and published by . This book was released on 2002 with total page 219 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Afin de doper localement le carbure de silicium l’implantation ionique est la seule méthode utilisable à cause des faibles coefficients de diffusion thermique des impuretés dopantes. L’étude s’est portée sur la réalisation de couches de type p par implantation ionique d’aluminium en ayant comme objectif la réalisation de composants de puissance bipolaires. Suite aux analyses physico-chimiques (SIMS, RBS/C, XPS, AFM) et électriques (mesures quatre pointes directement sur les couches SiC ou effectuées sur des structures-test VdP et TLM) des couches implantées dans différentes conditions (température, dose), une configuration de recuit post-implantation a été mise au point. On préserve la dose de dopants implantés avec une faible redistribution (voire aucune) après le recuit, dépendante des paramètres d’implantation. L’analyse de la recristallisation montre une bonne récupération de l’état cristallin (équivalent à ceux des échantillons vierges) dans le cas où l’implantation ionique ne crée pas de couche amorphe, en s’effectuant soit à température élevée (300°C) soit à la température ambiante en restant en-dessous du seuil d’amorphisation. On élimine les couches amorphes par le recuit post-implantation, l’endommagement résiduel étant d’autant plus important que la couche amorphe initiale est profonde. L’activation électrique des dopants (leur mise en sites substitutionnels) augmente avec le temps et la température de recuit, une activation complète nécessite des températures de recuit proches de 1800°C avec une durée de 30 min. Cette étude a été validée par la réalisation de composants de puissance en SiC. Plusieurs lots de plaquettes avec des diodes bipolaires protégées par JTE ont été réalisés par implantation ionique d’Al pour l’émetteur et sa protection JTE. L’homogénéité et la reproductibilité des caractéristiques directes confirment la qualité de l’implantation ionique et surtout du recuit post-implantation. Un meilleur comportement sous polarisations directe et inverse est trouvé pour les diodes réalisées par implantation à 300°C, ce qui confirme une meilleure activation électrique des dopants implantés à température élevée, ainsi qu’une meilleure qualité cristalline des couches. Les diodes réalisées à température ambiante montrent cependant des caractéristiques assez proches de celles implantées à 300°C. Des densités de courant aussi élevées que 200 A.cm-2 ont été obtenues pour une polarisation directe de 5V. La tenue en tension augmente avec la longueur des JTE ce qui montre le rôle bénéfique de cette protection. Le comportement électrique des diodes dépend de la taille de l’émetteur. La qualité des substrats SiC reste ainsi à améliorer. Des tenues en tension supérieures à 2 kV ont été obtenues.

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DU SILICIUM HYPERDOPE OBTENU PAR IMPLANTATION ET RECUIT PAR LASER PULSE written by ABDELILAH.. SLAOUI and published by . This book was released on 1984 with total page 123 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DE QUELQUES PROPRIETES OPTIQUES ET ELECTRIQUES SUR DU SILICIUM AINSI PREPARE AFIN DE SEPARER LES EFFETS DUS AU FORT DOPAGE DE CEUX RESULTANT DES DEFAUTS OU DES PRECIPITES. ETUDE DES PROPRIETES PHOTOVOLTAIQUES DES CELLULES SOLAIRES UTILISANT CE MATERIAU MONTRANT QU'ELLES SONT LIMITEES PAR LE COEFFICIENT D'ABSORPTION ELEVE EN SURFACE ET PAR LA PRESENCE DE DEFAUTS ELECTRIQUEMENT ACTIFS INDUITS PAR LES QUEUES D'IMPLANTATION ET PAR LE RECUIT AU LASER

Download or read book ICREEC 2019 written by Ahmed Belasri and published by Springer Nature. This book was released on 2020-06-10 with total page 659 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.

Download or read book Flexoelectricity in Liquid Crystals written by Agnes Buka and published by World Scientific. This book was released on 2013 with total page 299 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The book intends to give a state-of-the-art overview of flexoelectricity, a linear physical coupling between mechanical (orientational) deformations and electric polarization, which is specific to systems with orientational order, such as liquid crystals. Chapters written by experts in the field shed light on theoretical as well as experimental aspects of research carried out since the discovery of flexoelectricity. Besides a common macroscopic (continuum) description the microscopic theory of flexoelectricity is also addressed. Electro-optic effects due to or modified by flexoelectricity as well as various (direct and indirect) measurement methods are discussed. Special emphasis is given to the role of flexoelectricity in pattern-forming instabilities. While the main focus of the book lies in flexoelectricity in nematic liquid crystals, peculiarities of other mesophases (bent-core systems, cholesterics, and smectics) are also reviewed. Flexoelectricity has relevance to biological (living) systems and can also offer possibilities for technical applications. The basics of these two interdisciplinary fields are also summarized.

Download or read book ZnO Thin Films written by Paolo Mele and published by . This book was released on 2019 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Zinc oxide (ZnO) is an n-type semiconductor with versatile applications such as optical devices in ultraviolet region, piezoelectric transducers, transparent electrode for solar cells and gas sensors. This book "ZnO Thin Films: Properties, Performance and Applications" gives a deep insight in the intriguing science of zinc oxide thin films. It is devoted to cover the most recent advances and reviews the state of the art of ZnO thin films applications involving energy harvesting, microelectronics, magnetic devices, photocatalysis, photovoltaics, optics, thermoelectricity, piezoelectricity, electrochemistry, temperature sensing. It serves as a fundamental information source on the techniques and methodologies involved in zinc oxide thin films growth, characterization, post-deposition plasma treatments and device processing. This book will be invaluable to the experts to consolidate their knowledge and provide insight and inspiration to beginners wishing to learn about zinc oxide thin films.

Download or read book Nonlinear Optical Materials written by Jerome V. Moloney and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 1998-08-13 with total page 270 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Mathematical methods play a significant role in the rapidly growing field of nonlinear optical materials. This volume discusses a number of successful or promising contributions. The overall theme of this volume is twofold: (1) the challenges faced in computing and optimizing nonlinear optical material properties; and (2) the exploitation of these properties in important areas of application. These include the design of optical amplifiers and lasers, as well as novel optical switches. Research topics in this volume include how to exploit the magnetooptic effect, how to work with the nonlinear optical response of materials, how to predict laser-induced breakdown in efficient optical devices, and how to handle electron cloud distortion in femtosecond processes.

Download or read book Forest Fire Research written by Universidade de Coimbra and published by . This book was released on 2010 with total page 355 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Water Treatment Handbook written by and published by . This book was released on 2007 with total page 932 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: