Download or read book Dopage du carbure de silicium par implantation ionique written by Jocelyn Gimbert and published by . This book was released on 1999 with total page 180 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE PORTE SUR LE DOPAGE DU CARBURE DE SILICIUM SIC-6H ET SIC-4H PAR IMPLANTATION IONIQUE, A LA FOIS DES POINTS DE VUE PHYSICO-CHIMIQUE ET ELECTRIQUE. L'OBTENTION DE DOPAGES CONTROLES DE TYPE N ET P EST NECESSAIRE POUR LA REALISATION DE DISPOSITIFS DE HAUTE PUISSANCE ET/OU DE HAUTES FREQUENCES, TELS QUE LES MESFETS OU LES DIODES SCHOTTKY. DANS UNE PREMIERE PARTIE, NOUS PRESENTONS LES PROPRIETES ELECTRIQUES ET PHYSIQUES PARTICULIERES DU CARBURE DE SILICIUM ET NOUS METTONS EN EVIDENCE L'INTERET DE DEVELOPPER UNE TECHNOLOGIE SUR CE MATERIAU. DANS UNE DEUXIEME PARTIE, NOUS PRESENTONS LES CARACTERISTIQUES PHYSIQUES DE L'IMPLANTATION, ET EN PARTICULIER CELLE DES DOPANTS CLASSIQUES QUE SONT L'AZOTE, POUR LE DOPAGE DE TYPE N, ET L'ALUMINIUM ET LE BORE, POUR LE DOPAGE DE TYPE P. LES RESULTATS OBTENUS AVEC CES DOPANTS SONT DECRITS ET ANALYSES. NOUS EN DEDUISONS LES CONDITIONS EXPERIMENTALES PERMETTANT UNE BONNE QUALITE CRISTALLINE ET UN ETAT DE SURFACE ACCEPTABLE POUR LA REALISATION DE DISPOSITIFS. NOUS DETAILLONS EGALEMENT, DANS UNE TROISIEME PARTIE, LA CONDUCTION ELECTRIQUE DANS LES DEUX POLYTYPES SIC-4H ET SIC-6H. NOUS ABORDONS LE PROBLEME DE GEL DES PORTEURS ET CELUI DES DIFFERENTS MODES DE DIFFUSION DES PORTEURS. LES MESURES ELECTRIQUES SONT FAITES ESSENTIELLEMENT PAR EFFET HALL SUR MOTIF DE VAN DER PAUW ET PAR MESURE DE RESISTIVITE AVEC LA METHODE DES 4 POINTES. CELLES-CI NOUS PERMETTENT D'EN DEDUIRE LES PARAMETRES ESSENTIELS D'UNE COUCHE CONDUCTRICE DOPEE : LE TYPE DU MATERIAU, LA CONCENTRATION DE PORTEURS LIBRES, LA RESISTIVITE ET LA MOBILITE. LES RESULTATS DES EXPERIENCES REALISEES SONT COMMENTES ET COMPARES A L'ANALYSE THEORIQUE. L'INFLUENCE DES DIFFERENTS PARAMETRES TECHNOLOGIQUES SUR LA CONDUCTION ELECTRIQUE EST ETUDIEE AFIN D'ENVISAGER LA FABRICATION DE DISPOSITIFS IMPLANTES SUR CARBURE DE SILICIUM.

Download or read book Etude du dopage par implantation ionique d aluminium dans le carbure de silicium pour la r alisation de composants de puissance written by Mihai Bogdan Lazar and published by . This book was released on 2002 with total page 219 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Afin de doper localement le carbure de silicium l’implantation ionique est la seule méthode utilisable à cause des faibles coefficients de diffusion thermique des impuretés dopantes. L’étude s’est portée sur la réalisation de couches de type p par implantation ionique d’aluminium en ayant comme objectif la réalisation de composants de puissance bipolaires. Suite aux analyses physico-chimiques (SIMS, RBS/C, XPS, AFM) et électriques (mesures quatre pointes directement sur les couches SiC ou effectuées sur des structures-test VdP et TLM) des couches implantées dans différentes conditions (température, dose), une configuration de recuit post-implantation a été mise au point. On préserve la dose de dopants implantés avec une faible redistribution (voire aucune) après le recuit, dépendante des paramètres d’implantation. L’analyse de la recristallisation montre une bonne récupération de l’état cristallin (équivalent à ceux des échantillons vierges) dans le cas où l’implantation ionique ne crée pas de couche amorphe, en s’effectuant soit à température élevée (300°C) soit à la température ambiante en restant en-dessous du seuil d’amorphisation. On élimine les couches amorphes par le recuit post-implantation, l’endommagement résiduel étant d’autant plus important que la couche amorphe initiale est profonde. L’activation électrique des dopants (leur mise en sites substitutionnels) augmente avec le temps et la température de recuit, une activation complète nécessite des températures de recuit proches de 1800°C avec une durée de 30 min. Cette étude a été validée par la réalisation de composants de puissance en SiC. Plusieurs lots de plaquettes avec des diodes bipolaires protégées par JTE ont été réalisés par implantation ionique d’Al pour l’émetteur et sa protection JTE. L’homogénéité et la reproductibilité des caractéristiques directes confirment la qualité de l’implantation ionique et surtout du recuit post-implantation. Un meilleur comportement sous polarisations directe et inverse est trouvé pour les diodes réalisées par implantation à 300°C, ce qui confirme une meilleure activation électrique des dopants implantés à température élevée, ainsi qu’une meilleure qualité cristalline des couches. Les diodes réalisées à température ambiante montrent cependant des caractéristiques assez proches de celles implantées à 300°C. Des densités de courant aussi élevées que 200 A.cm-2 ont été obtenues pour une polarisation directe de 5V. La tenue en tension augmente avec la longueur des JTE ce qui montre le rôle bénéfique de cette protection. Le comportement électrique des diodes dépend de la taille de l’émetteur. La qualité des substrats SiC reste ainsi à améliorer. Des tenues en tension supérieures à 2 kV ont été obtenues.

Download or read book Activation des dopants implant s dans le carbure de silicium 3C SiC et 4H SiC written by Song, Xi and published by . This book was released on 2012 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ces travaux de thèse sont consacrés à l'étude de l'activation des dopants implantés dans le carbure de silicium. L'objectif est de proposer des conditions d'implantation optimisées pour réaliser le dopage de type n dans le 3C-SiC et de type p dans le 4H-SiC.Nous avons tout d'abord étudié les implantations de type n dans le 3C-SiC. Pour cela, des implantations de N, de P et une co-implantation N&P avec les recuits d'activation associés ont été étudiés. L'implantation d'azote suivie d'un recuit à 1400°C-30min a permis une activation proche de 100% tout en conservant une bonne qualité cristalline. Une étude sur les propriétés électriques des défauts étendus dans le 3C-SiC a également été réalisée. A l'aide de mesures SSRM, nous avons mis en évidence l'activité électrique de ces défauts, ce qui rend difficile la réalisation de composants électroniques sur le 3C-SiC.Nous avons ensuite réalisé une étude du dopage de type p par implantation d'Al dans le 4H-SiC, en fonction de la température d'implantation et du recuit d'activation. Nous avons pu montrer qu'une implantation à 200°C suivie d'un recuit à 1850°C-30min donne les meilleures résultats en termes de propriétés physiques et électriques.

Download or read book tude r alisation et caract risation de dopages par implantation ionique pour une application aux cellules solaires en silicium written by Adeline Lanterne and published by . This book was released on 2014 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse a pour but d'étudier le dopage par implantation ionique pour la réalisation des différentes zones dopées des cellules solaires en silicium cristallin (émetteur, champ arrière...). L'avantage de l'implantation ionique, par rapport à la diffusion gazeuse, est de pouvoir contrôler le profil des dopants implantés ainsi que de simplifier les procédés de fabrication des cellules. Deux techniques d'implantation ionique ont été utilisées dans ces travaux, l'implantation classique par faisceau d'ions et l'implantation par immersion plasma. Des dopages au phosphore, au bore et à l'arsenic ont été réalisés par cette technique d'implantation avec une activation par recuit thermique. L'importance de la température de recuit, des doses d'implantation et des couches de passivation sur la qualité électrique des jonctions formées a été mise en évidence. Des jonctions à faible courant de saturation ont pu être obtenues pour les différentes sources dopantes. Ces dopages par implantation ont ensuite été appliqués à la réalisation de cellules solaires en silicium sur substrat de type p (avec un émetteur dopé au phosphore) et sur substrat de type n (avec un émetteur dopé au bore et un champ arrière dopé au phosphore). L'utilisation de l'implantation ionique a permis d'atteindre un rendement de 19,1 % sur les cellules de type p soit un gain de 0,6 %abs par rapport au dopage par diffusion gazeuse, ainsi qu'un rendement de 20,2 % sur les cellules de type n.

Download or read book DOPAGE DU SILICIUM PAR UNE NOUVELLE METHODE D IMPLANTATION IONIQUE AVEC RECUIT PAR LASER PULSE written by Jean-Claude Müller and published by . This book was released on 1983 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DU PROCEDE DE DOPAGE PAR INCRUSTATION IONIQUE. INTERACTION DES IONS ATOMIQUES ET MOLECULAIRES AVEC LE SILICIUM. INTERACTION LASER DE PUISSANCE-MATIERE. ETUDE EXPERIMENTALE DES COUCHES INCRUSTEES AYANT SUBI UN RECUIT LASER PULSE. APPLICATION DE CETTE TECHNIQUE A LA PREPARATION DE CELLULES SOLAIRES A SILICIUM MONOCRISTALLIN ET POLYCRISTALLIN. COMPARAISON DE LEURS PERFORMANCES A CELLULES DE CELLULES PREPAREES PAR DES VOIES PLUS CONVENTIONNELLES

Download or read book R alisation de jonctions pn dans le SiC 6H par implantation ionique d aluminium written by Laurent Ottaviani and published by . This book was released on 1999 with total page 237 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'implantation ionique est la seule technique de dopage local maîtrisable avec le carbure de silicium, la diffusion thermique nécessitant des températures trop élevées pour une industrialisation du procédé. Les principaux atomes dopants utilisés sont l'aluminium et le bore pour le type p, et l'azote pour le type n. Un problème important lié à cette technique réside dans l'activation électrique de l'espèce implantée. La création de l'émetteur de la diode bipolaire p+ nn+ étudiée exige cinq implantations successives d'aluminium, dont les énergies sont échelonnées entre 25 et 300 keV, afin d'obtenir un profil rectangulaire à concentration constante sur une distance précise ( 4.1019 cm•3 sur 0,5 μn). Ce dopage volumique est un dopage visé, c'est-à-dire qu'il est donné dans le cas où l'ionisation est complète. Or, les doses et énergies d'implantation utilisées conduisent à l'endommagement du cristal, et même à son amorphisation sur une certaine profondeur. il est donc nécessaire de pratiquer un recuit du matériau après l'implantation, d'une part pour recristalliser les zones endommagées, et d'autre part pour que les ions implantés diffusent localement sur des sites substitutionnels afin d'être électriquement actifs. Une étude complète visant à l'optimisation de la jonction électrique a été menée. Les paramètres spécifiquement liés à l'implantation ionique, tels que la valeur des angles d'implantations, la température et l'ordre énergétique, ont permis de contrôler la forme du profil de la jonction ainsi que l'endommagement du matériau. L'influence du recuit sur la stoechiométrie de surface, la cristallinité et l'activation électrique a également été dégagée, afin de choisir la meilleure configuration du four à induction, conduisant à un taux de mise en substitution des dopants proche de l'unité. Enfin, l'ensemble du procédé a été validé par la conception et la caractérisation de diodes bipolaires et Schottky.

Download or read book Formation et caract risation de jonctions PN dans du SiC 4H par implantation ionique et recuit laser written by Christian Dutto and published by . This book was released on 2003 with total page 199 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette étude porte sur le dopage du carbure de silicium SiC-4H par implantation ionique et recuit laser. L'élaboration de diodes Schottky de type n, très adaptée au SiC, et l'amélioration de leur tenue en tension requièrent de fabriquer de façon reproductible un anneau de garde périphérique de type p autour de la zone active.Dans un premier chapitre, les atouts, propriétés et applications usuelles du SiC sont introduites. Dans une deuxième partie nous décrivons les mécanismes physiques de l'implantation et de l'analyse RBS. Les seuils d'amorphisation et énergies de déplacement effectives du 4H suite à une implantation d'aluminium à 300 K sont présentés. L'activation des dopants et du gel des porteurs ainsi qu'un bilan des résultats obtenus par recuit conventionnel sont abordés. L'interaction laser-matière et le modèle thermique font l'objet d'un troisième chapitre. La modélisation numérique de l'échauffement laser du SiC amorphe et cristallin et les résultats obtenus sont confrontés aux données expérimentales publiées sur le sujet. Enfin, les propriétés physiques (qualité cristalline, rugosité et stoechiométrie de surface) et électriques (résistivités) des couches irradiées sont détaillées. L'analyse des résultats nous ont permis d'étudier un lot électrique SiC mettant en jeu le procédé laser. Les caractéristiques I-V-T et les tenues en tension de diodes bipolaires MESA sont présentées. L'influence des paramètres technologiques et les perspectives d'optimisation du procédé de dopage laser sont discutées.

Download or read book L tude du dopage de carbure de silicium par d p t chimique en phase vapeur written by Denis David and published by . This book was released on 1995 with total page 53 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Implantation ionique et traitements thermiques en technologie silicium trait EGEM written by Baudrant and published by Lavoisier. This book was released on with total page 371 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Contribution a l tude de couches minces obtenues par implantation ionique diffusion en phase solide et pulv risation cathodique r active written by André Guivarc'h and published by . This book was released on 1980 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans une première partie, étude des processus induits par implantation ionique utilisée en tant que méthode de dopage du silicium et méthode de formation de couches isolantes. La seconde partie traite du problème des interfaces métal-silicium qui occupent une position centrale dans la technologie des circuits intègres: l'étude, axée sur l'aspect métallurgique du problème, est limitée au cas du platine, du molybdène et du chrome, métaux susceptibles de former avec le silicium des composes définis. Enfin, la dernière partie est consacrée a l'élaboration et a la caractérisation d'un matériau nouveau, le carbure de silicium hydrogène dépose en couches minces par pulvérisation cathodique réactive.

Download or read book MODELISATION DE L IMPLANTATION IONIQUE DANS SIC ET APPLICATION A LA CONCEPTION DE COMPOSANTS DE PUISSANCE written by Erwan Morvan and published by . This book was released on 1999 with total page 270 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'IMPLANTATION IONIQUE EST UNE ETAPE TECHNOLOGIQUE FONDAMENTALE POUR LA FABRICATION DE COMPOSANTS ELECTRONIQUES EN CARBURE DE SILICIUM (SIC). C'EST ACTUELLEMENT LA SEULE TECHNIQUE DE DOPAGE SELECTIF POUR CE SEMICONDUCTEUR CAR L'INCORPORATION DE DOPANTS PAR DIFFUSION THERMIQUE NECESSITE DES TEMPERATURES TRES ELEVEES, INCOMPATIBLES AVEC LES AUTRES ETAPES TECHNOLOGIQUES. L'IMPLANTATION PERMET DE MODIFIER LES PROPRIETES PHYSIQUES, ELECTRIQUES ET OPTIQUES DU SIC. LA PRECISION DE LA DOSE ET DE L'ENERGIE D'IMPLANTATION PERMET DE BIEN CONTROLER LA DISTRIBUTION DES IMPURETES INTRODUITES. L'UTILISATION D'IMPLANTATIONS MULTIPLES A DOSES ET ENERGIES VARIABLES PERMET D'OBTENIR UNE GRANDE VARIETE DE PROFILS D'IMPURETES. AFIN DE MIEUX COMPRENDRE ET D'OPTIMISER LE PROCEDE D'IMPLANTATION DANS LE SIC CRISTALLIN ET AFIN D'ORIENTER LA RECHERCHE, IL EST TRES INTERESSANT DE MODELISER LES PHENOMENES PHYSIQUES MIS EN JEU ET DE SIMULER LES TRAJECTOIRES DES IONS IMPLANTES. UNE ETUDE GENERALE DE LA MODELISATION ET DE LA SIMULATION DE L'IMPLANTATION IONIQUE A ETE REALISEE. A PARTIR DE CETTE ETUDE, UN SIMULATEUR D'IMPLANTATION IONIQUE DANS SIC MONOCRISTALLIN A ETE DEVELOPPE (6H, 4H, 3C). CE SIMULATEUR EST BASE SUR LA METHODE DE MONTECARLO DANS L'APPROXIMATION DES COLLISIONS BINAIRES. DES PROCEDURES DE TABULATION-INTERPOLATION ONT ETE MISES EN UVRE POUR ACCELERER LES SIMULATIONS. APRES VALIDATION A L'AIDE DE PROFILS EXPERIMENTAUX (SIMS), LE SIMULATEUR A ETE UTILISE POUR ETUDIER LES PROFILS D'IMPLANTATIONS MULTIPLES, LE PHENOMENE DE CANALISATION, LA DISPERSION LATERALE DES IMPURETES, LES DEFAUTS CREES PAR L'IMPLANTATION ET LES DEPLACEMENTS DE STCHIOMETRIE. EN COMBINANT LES RESULTATS EXPERIMENTAUX PUBLIES ET LES SIMULATIONS, DES CONDITIONS D'IMPLANTATION (ANGLES D'IMPLANTATION, DOSES ET ENERGIES D'IMPLANTATIONS MULTIPLES) ONT ETE DETERMINEES DANS LE BUT DE FABRIQUER DES ZONES ACTIVES DE COMPOSANTS DE PUISSANCE (EMETTEURS DE DIODES BIPOLAIRES, SOURCE/DRAIN DE MOSFET). POUR RECONSTRUIRE LE CRISTAL ENDOMMAGE PAR L'IMPLANTATION ET ACTIVER LES DOPANTS IMPLANTES, DES RECUITS A HAUTE TEMPERATURE SONT NECESSAIRES. L'ACTIVATION DE AL IMPLANTE A HAUTE ENERGIE A ETE EVALUEE PAR MESURE CAPACITIVE ET CELLE DE N PAR MESURE TLM. DES DIODES BIPOLAIRES P NN + (AL) ET DES MOSFETS LATERAUX (N) ONT ETE FABRIQUEES ET CARACTERISES.

Download or read book Etude par photoconductivit du silicium dop au bore par implantation ionique written by Bernard Netange and published by . This book was released on 1972 with total page 52 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Dopage de type n dans InP par implantation de silicium written by Philippe KRAUZ and published by . This book was released on 1988 with total page 191 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book REALISATION PAR EPITAXIE SOUS VIDE AVEC IMPLANTATION D IONS DOPANTS DE COUCHES DE SILICIUM A PROFIL DE DOPAGE CONTROLE written by Regina Pinto de Carvalho and published by . This book was released on 1986 with total page 178 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CONSTRUCTION D'UNE INSTALLATION D'EPITAXIE SOUS VIDE ET ETUDE DE LA QUALITE CRISTALLOGRAPHIQUE, PHYSICO-CHIMIQUE ET ELECTRIQUE DES COUCHES A DOPAGE UNIFORME DE BORE OBTENU PAR TRANSFERT DU DOPANT DE LA SOURCE DE SICILIUM EVAPOREE. CONSTRUCTION D'UNE SOURCE D'IONS AS SU TYPE "REFLEX ELECTROSTATIQUE A CATHODE CHAUDE" ET DOPAGE PAR IMPLANTATION EN COURS DE CROISSANCE

Download or read book Homo pitaxie du Sic 4H partir de diff rents pr curseurs written by Corinne Sartel and published by . This book was released on 2003 with total page 221 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Grâce à ses propriétés intrinsèques, le carbure de silicium permet de réaliser des dispositifs pour la microélectronique de puissance pouvant fonctionner en milieux hostiles qu'il est impossible d'obtenir à partir de la filière silicium. Nous avons réalisé des couches de SiC de bonne qualité, d'épaisseur et de dopage bien contrôlés. Les précurseurs employés pour l'homoépitaxie du SiC-4H par CVD sont le mélange classique silane/propane et pour la première fois le mélange hexaméthyldisilane/propane. Différents paramètres de croissance influençant la morphologie de surface des couches épitaxiées, leurs propriétés optiques et électriques ont été étudiées. La comparaison des deux systèmes de précurseurs montre que l'hexamethyldisilane est un bon candidat pour remplacer le silane. Enfin nous avons étudié l'incorporation de l'aluminium dans les couches élaborées, à partir du triméthylaluminium avec les deux systèmes de précurseurs afin de maîtriser le dopage p du carbure de silicium

Download or read book Operation of Low Energy Ion Implanters for Si N C Ion Implantation Into Silicon and Glassy Carbon written by D. A. Carder and published by . This book was released on 2009 with total page 76 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Implantation ionique et traitements thermiques en technologie silicium trait written by Annie Baudrant and published by Lavoisier. This book was released on 2011-02-15 with total page 364 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: