Download or read book DEPOT BASSE TEMPERATURE DE COUCHES MINCES D OXYDE DE SILICIUM ELABOREES EN PLASMA OXYGENE ORGANOSILICIE DANS UN REACTEUR HELICON written by Christophe Vallée (microélectronicien).) and published by . This book was released on 1999 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES COUCHES MINCES SONT DEPOSEES A TEMPERATURE AMBIANTE SUR DES SUBSTRATS DE SILICIUM A PARTIR D'UN PLASMA DE MELANGE O#2/ORGANOSILICIE DANS UN REACTEUR RADIOFREQUENCE HELICON FONCTIONNANT A BASSE PRESSION. LORSQUE LE MELANGE EST RICHE EN OXYGENE, LES FILMS OBTENUS SONT INORGANIQUES ET DE TYPE SIO#2. CES COUCHES SONT DURES ET TRANSPARENTES DANS LE DOMAINE DU VISIBLE. A PARTIR DE MELANGES RICHES EN ORGANOSILICIE, LES FILMS OBTENUS SONT ORGANIQUES, DE TYPE SIO#XC#YH#Z. DES ANALYSES IN SITU SIMULTANEES, DU FILM, PAR ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE, ET DU PLASMA, PAR SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE, SONT MISES EN UVRE DURANT LE DEPOT. CECI PERMET DE MIEUX COMPRENDRE LES MECANISMES GOUVERNANT LA CROISSANCE DES FILMS ET D'OBTENIR DES OUTILS DE CONTROLE IN SITU DE LA QUALITE DES COUCHES. AINSI, NOUS AVONS MONTRE L'EXISTENCE D'UNE CORRELATION ENTRE L'EMISSION DE CH* DANS LE PLASMA ET L'INCORPORATION DE CARBONE DANS LES COUCHES. LES PROPRIETES ET LES COMPOSITIONS DES FILMS SONT OBTENUES PAR DES ANALYSES EX SITU TELLES QUE LA SPECTROSCOPIE INFRAROUGE EN TRANSMISSION (FTIR), LA SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS X (XPS), LA REFLECTIVITE SOUS FAISCEAU DE RAYONS X RASANTS, DES CARACTERISATIONS ELECTRIQUES DE TYPE C(V) POUR CETTE ETUDE NOUS AVONS UTILISE DEUX ORGANOSILICIES : LE TETRAETHOXYSILANE (TEOS) ET L'HEXAMETHYLDISILOXANE (HMDSO). L'ETUDE COMPARATIVE DES DIFFERENTS FILMS ORGANIQUES AINSI ELABORES MET EN EVIDENCE UNE TRES FORTE ANALOGIE ENTRE LA STRUCTURE DU FILM ET CELLE DU MONOMERE PRECURSEUR. NOUS AVONS AUSSI MONTRE QUE CERTAINS OXYDES ETAIENT POREUX ET SE MODIFIAIENT AU CONTACT DE L'AIR. EN EFFET, L'UTILISATION DE L'ELLIPSOMETRIE PERMET DE VISUALISER, EN TEMPS REEL, L'INCORPORATION D'EAU DANS CES FILMS. NOUS AVONS AUSSI ETUDIE LA NATURE DES INTERACTIONS ENTRE LES ATOMES D'OXYGENE ET LA SURFACE DU FILM EN COURS D'ELABORATION, AINSI QUE L'EFFET D'UN BOMBARDEMENT IONIQUE (PAR POLARISATION DU SUBSTRAT), SUR LA QUALITE ET LA VITESSE DE CROISSANCE DES COUCHES

Download or read book DEPOT BASSE TEMPERATURE DE COUCHES MINCES D OXYDE DE SILICIUM ELABOREES EN PLASMA OXYGENE ORGANOSILICIE DANS UN REACTEUR HELICON written by Christophe Vallée and published by . This book was released on 1999 with total page 247 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES COUCHES MINCES SONT DEPOSEES A TEMPERATURE AMBIANTE SUR DES SUBSTRATS DE SILICIUM A PARTIR D'UN PLASMA DE MELANGE O#2/ORGANOSILICIE DANS UN REACTEUR RADIOFREQUENCE HELICON FONCTIONNANT A BASSE PRESSION. LORSQUE LE MELANGE EST RICHE EN OXYGENE, LES FILMS OBTENUS SONT INORGANIQUES ET DE TYPE SIO#2. CES COUCHES SONT DURES ET TRANSPARENTES DANS LE DOMAINE DU VISIBLE. A PARTIR DE MELANGES RICHES EN ORGANOSILICIE, LES FILMS OBTENUS SONT ORGANIQUES, DE TYPE SIO#XC#YH#Z. DES ANALYSES IN SITU SIMULTANEES, DU FILM, PAR ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE, ET DU PLASMA, PAR SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE, SONT MISES EN UVRE DURANT LE DEPOT. CECI PERMET DE MIEUX COMPRENDRE LES MECANISMES GOUVERNANT LA CROISSANCE DES FILMS ET D'OBTENIR DES OUTILS DE CONTROLE IN SITU DE LA QUALITE DES COUCHES. AINSI, NOUS AVONS MONTRE L'EXISTENCE D'UNE CORRELATION ENTRE L'EMISSION DE CH* DANS LE PLASMA ET L'INCORPORATION DE CARBONE DANS LES COUCHES. LES PROPRIETES ET LES COMPOSITIONS DES FILMS SONT OBTENUES PAR DES ANALYSES EX SITU TELLES QUE LA SPECTROSCOPIE INFRAROUGE EN TRANSMISSION (FTIR), LA SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS X (XPS), LA REFLECTIVITE SOUS FAISCEAU DE RAYONS X RASANTS, DES CARACTERISATIONS ELECTRIQUES DE TYPE C(V) POUR CETTE ETUDE NOUS AVONS UTILISE DEUX ORGANOSILICIES : LE TETRAETHOXYSILANE (TEOS) ET L'HEXAMETHYLDISILOXANE (HMDSO). L'ETUDE COMPARATIVE DES DIFFERENTS FILMS ORGANIQUES AINSI ELABORES MET EN EVIDENCE UNE TRES FORTE ANALOGIE ENTRE LA STRUCTURE DU FILM ET CELLE DU MONOMERE PRECURSEUR. NOUS AVONS AUSSI MONTRE QUE CERTAINS OXYDES ETAIENT POREUX ET SE MODIFIAIENT AU CONTACT DE L'AIR. EN EFFET, L'UTILISATION DE L'ELLIPSOMETRIE PERMET DE VISUALISER, EN TEMPS REEL, L'INCORPORATION D'EAU DANS CES FILMS. NOUS AVONS AUSSI ETUDIE LA NATURE DES INTERACTIONS ENTRE LES ATOMES D'OXYGENE ET LA SURFACE DU FILM EN COURS D'ELABORATION, AINSI QUE L'EFFET D'UN BOMBARDEMENT IONIQUE (PAR POLARISATION DU SUBSTRAT), SUR LA QUALITE ET LA VITESSE DE CROISSANCE DES COUCHES.

Download or read book ETUDE DU PROCEDE DE DEPOT DE COUCHES MINCES D OXYDE DE SILICIUM EN PLASMA HELICON O 2 TEOS written by FREDERIC.. NICOLAZO and published by . This book was released on 1997 with total page 247 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE PRESENTE L'ETUDE DU PROCEDE D'ELABORATION DE COUCHES MINCES D'OXYDE DE SILICIUM DEPOSEES A TEMPERATURE AMBIANTE EN PLASMA DE MELANGE OXYGENE/TETRAETHOXYSILANE (TEOS), DANS UN REACTEUR RADIOFREQUENCE HAUTE DENSITE, BASSE PRESSION DE TYPE HELICON. CE REACTEUR FONCTIONNE EN COUPLAGE INDUCTIF POUR LES PUISSANCES SUPERIEURES A 300 WATTS, AVEC DE FORTES DENSITES ELECTRONIQUES ET DE FAIBLES POTENTIELS. L'ETUDE DES PLASMAS D'OXYGENE PAR SPECTROMETRIE DE MASSE ET SONDE DE LANGMUIR A PERMIS DE DETERMINER L'ION MAJORITAIRE ET LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DU PLASMA. IL EST MONTRE QUE L'ACTINOMETRIE PEU ETRE UTILISEE POUR MESURER LA DENSITE D'ATOMES D'OXYGENE. ON OBTIENT DES TAUX DE DISSOCIATION DE LA MOLECULE INFERIEURS A 10%. ON EN DEDUIT UN COEFFICIENT DE RECOMBINAISON DES ATOMES D'OXYGENE SUR LES PAROIS EN ACIER DE L'ORDRE DE 0,1. LA CONNAISSANCE DE LA DENSITE DU PLASMA ET DE LA CONCENTRATION DES ATOMES D'OXYGENE EN FONCTION DE LA PUISSANCE, DE LA PRESSION ET DE LA POSITION DANS LE REACTEUR A PERMIS DE DETERMINER LES FLUX DE PARTICULES ET DE DEFINIR DES CONDITIONS FAVORABLES AU DEPOT. L'INTRODUCTION DU TEOS DANS LES PLASMAS D'OXYGENE PROVOQUE UNE DIMINUTION DE LA DENSITE ET DE LA TEMPERATURE ELECTRONIQUE. LES SPECTRES D'EMISSION OPTIQUE SONT SOIGNEUSEMENT INDEXES. LES VARIATIONS DES INTENSITES D'EMISSIONS DES ESPECES DETECTEES SONT CORRELEES A LA MODIFICATION DE LA COMPOSITION DE LA COUCHE MINCE OBTENUE. LES FILMS DEPOSES SUR SILICIUM SONT CARACTERISES PAR ABSORPTION INFRAROUGE, ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE ET GRAVURE CHIMIQUE LIQUIDE (P-ETCH). LES OXYDES DE SILICIUM OBTENUS DANS LES MELANGES O2/TEOS SONT DE BONNE QUALITE POUR DES TAUX DE TEOS INFERIEURS A 0,1, LORSQUE LA CINETIQUE EST LIMITEE PAR LE FLUX DE PRECURSEUR SUR LA SURFACE. POUR LES TAUX PLUS ELEVES, LA VITESSE DE DEPOT SATURE ET LES ELEMENTS CARBONES SONT OBSERVES DANS LES COUCHES.

Download or read book DEPOT D OXYDE DE SILICIUM DANS UN REACTEUR PLASMA MICRO ONDES DE GRAND DIAMETRE EN MELANGE HEXAMETHYLDISILOXANE OXYGENE written by NADIA.. BENISSAD and published by . This book was released on 1999 with total page 196 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE THESE A POUR BUT D'ETUDIER LE PROCEDE DE DEPOT, DANS UN REACTEUR PLASMA DE COUCHES MINCES D'OXYDES DES SILICIUM. LA SOURCE EST UNE DECHARGE MICRO-ONDES ENTRETENUE PAR UNE ONDE DE SURFACE A 2,45 GHZ. LE SUBSTRAT EST PLACE EN PROCHE POST-DECHARGE ET N'EST DONC PAS EXPOSE A UNE TEMPERATURE ELEVEE. LES GAZ UTILISES SONT L'ARGON, L'OXYGENE ET UN ORGANOSILICIE, L'HEXAMETHYLDISILOXANE HMDSO : O(SI(CH 3) 3) 2. CETTE ETUDE A ETE CONSACREE AUSSI BIEN A LA CARACTERISATION DE LA PHASE GAZEUSE, PAR SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE ET SPECTROMETRIE DE MASSE, QU'A L'ANALYSE DES COUCHES MINCES PAR SPECTROSCOPIE INFRA-ROUGE A TRANSFORMEE DE FOURIER, ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE UV-VISIBLE ET GRAVURE CHIMIQUE. LA DILUTION DU MONOMERE HMDSO DANS LE MELANGE GAZEUX INITIAL INFLUE CONSIDERABLEMENT SUR LES ESPECES PRESENTES DANS LA PHASE GAZEUSE ET DONC SUR LA NATURE DU MATERIAU DEPOSE. A FORTE DILUTION DE L'ORGANOSILICIE DANS L'OXYGENE, LE HMDSO EST FRAGMENTE ET OXYDE ET ON OBTIENT DES COUCHES MINCES DE TYPE SIO 2. MAIS LORSQUE L'OXYGENE EST DILUE DANS LE MONOMERE, LA DISSOCIATION DE CE DERNIER N'EST PAS SUFFISANTE ET ON DEPOSE ALORS DES FILMS A CARACTERE ORGANIQUE SIO XC YH Z. DES CORRELATIONS ENTRE LA PRESENCE DES ESPECES EXCITEES OH ET CH DANS LE PLASMA ET L'INCORPORATION RESPECTIVEMENT DE SILANOL ET D'HYDROCARBURES DANS LES COUCHES MINCES ONT PU ETRE ETABLIES. NOUS AVONS ETUDIE L'INFLUENCE DE LA PUISSANCE MICRO-ONDES ET DE LA PRESSION SUR LA COMPOSITION DE LA PHASE GAZEUSE ET LES FILMS ELABORES. CELA A PERMIS DE FAIRE APPARAITRE DES PARAMETRES DE FONCTIONNEMENT DU REACTEUR : NOUS AVONS CONSTATE L'EXISTENCE D'UNE PRESSION MAXIMALE AU DESSUS DE LAQUELLE DES POUDRES SE FORMENT DANS LE GAZ ET LES PROPRIETES DE CES FILMS SONT ALTEREES. DE MANIERE GENERALE, LES COUCHES MINCES SE SONT REVELEES POREUSES. MAIS, GRACE A LA POLARISATION RADIO-FREQUENCE (13,56 MHZ) DU PORTE-SUBSTRAT, IL A ETE POSSIBLE D'ELABORER DES FILMS PLUS DENSES ET CE A DES VITESSES PLUS RAPIDES (300 NM/MIN).

Download or read book PROPRIETES STRUCTURALES ET ELECTRIQUES DE COUCHES D OXYDE DE SILICIUM ELABOREES PAR PLASMA BASSE TEMPERATURE D OXYGENE written by DIDIER.. GOGHERO and published by . This book was released on 2001 with total page 166 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE AU DEPOT BASSE TEMPERATURE DE COUCHES D'OXYDE DE SILICIUM SUR DES SUBSTRATS DE SILICIUM ET D'ALLIAGES SILICIUM-GERMANIUM DANS UN REACTEUR HELICON (13,56 MHZ). DES COUCHES DE SIO 2, PROCHES DE LA SILICE THERMIQUE, SONT OBTENUES EN UTILISANT UN TRES FAIBLE POURCENTAGE DE TETRAETHOXYSILANE (TEOS). UNE ANALYSE DU PLASMA A ETE EFFECTUEE PAR SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE ET SONDE DE LANGMUIR POUR ETUDIER LES PERTURBATIONS EVENTUELLES DE LA POLARISATION RADIOFREQUENCE DU SUBSTRAT ET DE LA PRESSION SUR LA DECHARGE. L'ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE UV-VISIBLE, LA SPECTROSCOPIE INFRAROUGE EN TRANSMISSION ET L'ANALYSE XPS ONT ETE UTILISES POUR L'ETUDE STRUCTURALE DES COUCHES DE SIO 2. NOUS AVONS DISTINGUE, POUR CETTE ETUDE, LE PROCEDE D'OXYDATION DE CELUI DE DEPOT PLASMA ET NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE QU'IL PEUR EXISTER UN LIEN ENTRE CES DEUX PHENOMENES LORS DE LA CROISSANCE DE L'OXYDE SUR UN ALLIAGE SILICIUM-GERMANIUM. NOUS AVONS EGALEMENT OPTIMISE NOS CONDITIONS DE DEPOT EN VUE D'OBTENIR UNE INTERFACE OXYDE/SUBSTRAT DE BONNE QUALITE ELECTRIQUE ET POUR CONSTITUER UNE SOLUTION POSSIBLE AU PROBLEME DE L'OXYDATION DIRECTE DE SIGE. ENFIN, NOUS NOUS ATTACHES A ETABLIR UNE CORRELATION ENTRE LES RESULTATS D'ANALYSE STRUCTURALE ET ELECTRIQUE.

Download or read book CROISSANCE ET CARACTERISATION DE COUCHES MINCES D OXYDE DE SILICIUM OBTENUES PAR PLASMA DE COMPOSES ORGANOSILICIES HMDSO TEOS written by CHRISTIAN.. BOURREAU and published by . This book was released on 1992 with total page 135 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE A POUR SUJET L'ELABORATION DE COUCHES MINCES D'OXYDE DE SILICIUM PAR PLASMA DE COMPOSES ORGANOSILICIES (HMDSO ET TEOS). L'ETUDE DE L'INFLUENCE DES PARAMETRES DU REACTEUR DE DEPOT SUR LA VITESSE DE CROISSANCE DES COUCHES MINCES A MONTRE L'IMPORTANCE DE LA TEMPERATURE DU SUBSTRAT. QUEL QUE SOIT LE PRECURSEUR GAZEUX UTILISE, CETTE VITESSE DECROIT SENSIBLEMENT AVEC LA TEMPERATURE. DIFFERENTES TECHNIQUES D'ANALYSE ONT PERMIS DE TESTER LA QUALITE DES FILMS OBTENUS: MESURE DE L'INDICE OPTIQUE ET DE LA VITESSE D'ATTAQUE PAR HF, CARACTERISATION ELECTRIQUE A L'AIDE DE STRUCTURES MOS. L'ANALYSE CHIMIQUE, EFFECTUEE ESSENTIELLEMENT PAR SPECTROSCOPIE INFRAROUGE, MONTRE QUE LES FILMS POSSEDANT DES PROPRIETES PHYSIQUES INTERESSANTES ONT UNE STRUCTURE TRES PROCHE DE LA SILICE STCHIOMETRIQUE. LES RESULTATS EXPERIMENTAUX PRECEDENTS ONT PERMIS DE DEGAGER LES CARACTERISTIQUES DU MODE DE CROISSANCE. L'ETUDE DE COUCHES REALISEES, A TITRE COMPARATIF, A PARTIR DU SILANE, A CONDUIT A DES RESULTATS TRES DIFFERENTS. EN UTILISANT LE SILANE, LA FORMATION DU FILM EST PRINCIPALEMENT CONTROLEE PAR DES REACTIONS INITIEES DANS LE PLASMA. POUR LES COMPOSES ORGANOMETALLIQUES, LA CROISSANCE EST CONTROLEE PAR DES REACTIONS SE DEROULANT A LA SURFACE DU SUBSTRAT. DANS CE CAS LES PHENOMENES D'ADSORPTION ET DE DESORPTION JOUENT UN ROLE PRIMORDIAL. UN MECANISME REACTIONNEL COMPLET A ETE PROPOSE POUR LES DEPOTS REALISES A PARTIR DE HMDSO. L'ETUDE DES RECOUVREMENTS DE MARCHE A PERMIS D'ETABLIR UNE CORRELATION ETROITE ENTRE LE MODE DE CROISSANCE ET LA CONFORMITE DU DEPOT. LE RECOUVREMENT DE MARCHES PAR LES FILMS REALISES A PARTIR DU SILANE EST CARACTERISTIQUE D'UNE CROISSANCE ISOTROPE, ET DONC DE TRES MAUVAISE QUALITE. UNE AMELIORATION TRES NETTE DE CE RECOUVREMENT, CONTROLE PAR LES PHENOMENES D'ADSORPTION ET DE DESORPTION, EST OBSERVEE POUR LES DEPOTS OBTENUS A PARTIR DES COMPOSES ORGANOSILICIES

Download or read book Oxydation du silicium par plasma d oxygene written by Christine Martinet and published by . This book was released on 2017 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail est consacre a l'etude de l'oxyde de silicium realise par oxydation plasma a basse temperature dans un reacteur a resonance cyclotronique electronique repartie. Nous nous sommes interesses aux cinetiques de croissance en anodisation plasma (tension appliquee au substrat superieure au potentiel plasma) a courant constant qui decrivent bien un modele de diffusion d'ions o#- assistee champ. Mais, nous avons mis en evidence l'existence d'un premier regime, ou la tension reste constante, qui correspondrait a la formation d'une couche conductrice d'epaisseur 10-15 nm due aux photons u.v. Energetiques du plasma d'oxygene. Nous avons caracterisé physiquement nos oxydes plasmas. La methode d'absorption infrarouge s'est revelee tres adaptee a l'etude des couches minces de silice, en tenant compte des effets geometriques, mis en evidence par calcul et experimentalement, provoquant un deplacement fictif du pic du mode principal optique transverse (to) avec l'epaisseur d'oxyde, tandis que la position du pic du mode optique longitudinal (lo) reste invariante. La position des pics des modes lo et to nous permet de determiner l'angle moyen si-o-si et la densite de la silice. Les oxydes plamas montrent une position de ces deux pics tres deplacee par rapport aux oxydes thermiques laissant presager des oxydes denses. La reflectometrie x s'est revelee tres sensible a la rugosite de surface de l'oxyde tandis qu'il est difficile d'obtenir des valeurs precises pour les autres parametres (rugosite d'interface sio#2/si, densite). Les resultats des mesures sur les oxydes anodiques en absorption infrarouge et en reflectometrie x montrent une inhomogeneite en epaisseur. Enfin, des mesures c(v) montrent une caracteristique convenable bien que ces oxydes soient contamines par les metaux constituant le reacteur.

Download or read book OXYDATION DU SILICIUM PAR PLASMA D OXYGENE written by CHRISTINE.. MARTINET and published by . This book was released on 1995 with total page 171 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE DE L'OXYDE DE SILICIUM REALISE PAR OXYDATION PLASMA A BASSE TEMPERATURE DANS UN REACTEUR A RESONANCE CYCLOTRONIQUE ELECTRONIQUE REPARTIE. NOUS NOUS SOMMES INTERESSES AUX CINETIQUES DE CROISSANCE EN ANODISATION PLASMA (TENSION APPLIQUEE AU SUBSTRAT SUPERIEURE AU POTENTIEL PLASMA) A COURANT CONSTANT QUI DECRIVENT BIEN UN MODELE DE DIFFUSION D'IONS O#- ASSISTEE CHAMP. MAIS, NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE L'EXISTENCE D'UN PREMIER REGIME, OU LA TENSION RESTE CONSTANTE, QUI CORRESPONDRAIT A LA FORMATION D'UNE COUCHE CONDUCTRICE D'EPAISSEUR 10-15 NM DUE AUX PHOTONS U.V. ENERGETIQUES DU PLASMA D'OXYGENE. NOUS AVONS CARACTERIS E PHYSIQUEMENT NOS OXYDES PLASMAS. LA METHODE D'ABSORPTION INFRAROUGE S'EST REVELEE TRES ADAPTEE A L'ETUDE DES COUCHES MINCES DE SILICE, EN TENANT COMPTE DES EFFETS GEOMETRIQUES, MIS EN EVIDENCE PAR CALCUL ET EXPERIMENTALEMENT, PROVOQUANT UN DEPLACEMENT FICTIF DU PIC DU MODE PRINCIPAL OPTIQUE TRANSVERSE (TO) AVEC L'EPAISSEUR D'OXYDE, TANDIS QUE LA POSITION DU PIC DU MODE OPTIQUE LONGITUDINAL (LO) RESTE INVARIANTE. LA POSITION DES PICS DES MODES LO ET TO NOUS PERMET DE DETERMINER L'ANGLE MOYEN SI-O-SI ET LA DENSITE DE LA SILICE. LES OXYDES PLAMAS MONTRENT UNE POSITION DE CES DEUX PICS TRES DEPLACEE PAR RAPPORT AUX OXYDES THERMIQUES LAISSANT PRESAGER DES OXYDES DENSES. LA REFLECTOMETRIE X S'EST REVELEE TRES SENSIBLE A LA RUGOSITE DE SURFACE DE L'OXYDE TANDIS QU'IL EST DIFFICILE D'OBTENIR DES VALEURS PRECISES POUR LES AUTRES PARAMETRES (RUGOSITE D'INTERFACE SIO#2/SI, DENSITE). LES RESULTATS DES MESURES SUR LES OXYDES ANODIQUES EN ABSORPTION INFRAROUGE ET EN REFLECTOMETRIE X MONTRENT UNE INHOMOGENEITE EN EPAISSEUR. ENFIN, DES MESURES C(V) MONTRENT UNE CARACTERISTIQUE CONVENABLE BIEN QUE CES OXYDES SOIENT CONTAMINES PAR LES METAUX CONSTITUANT LE REACTEUR

Download or read book ETUDE DE L ADHESION ET DE LA CROISSANCE DE COUCHES MINCES DE SILICE DEPOSEES PAR PLASMA A BASSE PRESSION written by Nicolas Bertrand and published by . This book was released on 1997 with total page 196 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE PORTE SUR DES REVETEMENTS DE SILICE EN COUCHES MINCES DESTINES A MODIFIER LES PROPRIETES DE SURFACE D'UN MATERIAU, EN PARTICULIER L'ACIER. LES COUCHES SONT DEPOSEES A PARTIR D'UN MELANGE DE SILANE ET D'OXYGENE A DES PRESSIONS DE QUELQUES M TORR DANS UN REACTEUR A PLASMA DE CONFIGURATION IDECR, EXTRAPOLABLE AUX GRANDES SURFACES. LES PROPRIETES DES COUCHES DE SILICE SONT D'ABORD ANALYSEES EN FONCTION DES PARAMETRES DU PLASMA. ON MONTRE QUE L'ON PEUT, DANS LE REACTEUR IDECR, DEPOSER DE LA SILICE DENSE A TEMPERATURE AMBIANTE ET SANS UTILISER DE BOMBARDEMENT IONIQUE, A DES VITESSES ALLANT JUSQU'A 2,4 NANOMETRES PAR SECONDES. LE DEPOT A LIEU A PARTIR DE REACTIONS DE SURFACE ENTRE GAZ REACTIFS ET/OU DISSOCIES, COMBINEES A UN BOMBARDEMENT IONIQUE DE FORT FLUX ET DE FAIBLE ENERGIE. LA COMPARAISON, PAR ELLIPSOMETRIE IR IN SITU, DE L'EVOLUTION DES PROPRIETES VIBRATIONNELLES DE LA SILICE IDECR EN COURS DE CROISSANCE AVEC CELLES D'UNE SILICE DEPOSEE A PLUS HAUTE PRESSION MONTRE LA FORMATION D'INTERFACES ABRUPTES PAR IDECR ET LE ROLE IMPORTANT DE LA FAIBLE INCORPORATION D'HYDROGENE. L'ADHESION DES COUCHES DE SILICE, MESUREE SUR ACIER INOXYDABLE ET ORDINAIRE, EST AMELIOREE GRACE A DES PRETRAITEMENTS PLASMA DU SUBSTRAT. LEURS EFFETS SONT ETUDIES PAR ELLIPSOMETRIE IR IN SITU ET PAR D'AUTRES TECHNIQUES EX SITU (XPS, AES, SIMS). CES PRETRAITEMENTS PERMETTENT D'AUGMENTER L'ENERGIE DE SURFACE DE L'ACIER PAR LE NETTOYAGE DE LA SURFACE (TOUS PLASMAS) OU LA REDUCTION DE L'OXYDE NATIF (HYDROGENE). L'AUGMENTATION DE LA DURETE SUPERFICIELLE ET LA FORMATION DE PONTS METAL-N-SI A L'INTERFACE CONTRIBUENT EGALEMENT DANS LE CAS DE PLASMAS D'AMMONIAC ET D'AZOTE. LES PROPRIETES MORPHOLOGIQUES (DENSITE, RUGOSITE) SONT EGALEMENT ETUDIEES PAR REFLECTIVITE DES RAYONS X ET DES RESULTATS PROMETTEURS SONT OBTENUS SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES DES COUCHES. CES DERNIERS RESULTATS METTENT EN EVIDENCE L'INFLUENCE DU CHAUFFAGE (250C) ET DE LA POLARISATION DU SUBSTRAT PENDANT LE DEPOT.

Download or read book Etude de la croissance et du dopage simultan basse temp rature de couches minces de silicium pitaxi en plasma multipolaire micro onde written by Emmanuel Voisin (auteur en métallurgie).) and published by . This book was released on 1990 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de these est une etude de la croissance epitaxiee du silicium sur silicium et du dopage, a basse temperature (600c-800c) par plasma multipolaire microonde. Apres une presentation du dispositif experimental et des caracteristiques essentielles du plasma genere par une source rcer (resonance cyclotronique electronique repartie), il aborde tout d'abord le nettoyage in situ d'une surface de silicium par plasma d'hydrogene ou d'argon puis le depot epitaxie de silicium intrinseque a tres basse temperature par plasma de silane. Ensuite est presentee une etude du dopage, type n par le phosphore ou l'arsenic et type p par le bore. Elle aborde le niveau d'incorporation, l'activite electrique et la distribution spatiale des atomes dopants (le profil de dopage) dans une couche epitaxiee, en fonction des parametres experimentaux essentiels: fraction du gaz dopant dans le silane, energie des ions, temperature du substrat, puissance microonde injectee. Enfin la mise en uvre de nombreuses techniques de caracterisation atteste la bonne qualite tant sur le plan structural (nature et densite des defauts residuels) qu'electrique (mobilite des porteurs, defauts dans le gap) des couches de silicium deposees par pmm. L'avenir du depot par pmm en microelectronique s'avere donc tres prometteur

Download or read book Etude de la croissance et du dopage simultan basse temp rature de couches minces de silicium pitaxi en plasma multipolaire micro onde written by Emmanuel Voisin and published by . This book was released on 1990 with total page 168 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL DE THESE EST UNE ETUDE DE LA CROISSANCE EPITAXIEE DU SILICIUM SUR SILICIUM ET DU DOPAGE, A BASSE TEMPERATURE (600C-800C) PAR PLASMA MULTIPOLAIRE MICROONDE. APRES UNE PRESENTATION DU DISPOSITIF EXPERIMENTAL ET DES CARACTERISTIQUES ESSENTIELLES DU PLASMA GENERE PAR UNE SOURCE RCER (RESONANCE CYCLOTRONIQUE ELECTRONIQUE REPARTIE), IL ABORDE TOUT D'ABORD LE NETTOYAGE IN SITU D'UNE SURFACE DE SILICIUM PAR PLASMA D'HYDROGENE OU D'ARGON PUIS LE DEPOT EPITAXIE DE SILICIUM INTRINSEQUE A TRES BASSE TEMPERATURE PAR PLASMA DE SILANE. ENSUITE EST PRESENTEE UNE ETUDE DU DOPAGE, TYPE N PAR LE PHOSPHORE OU L'ARSENIC ET TYPE P PAR LE BORE. ELLE ABORDE LE NIVEAU D'INCORPORATION, L'ACTIVITE ELECTRIQUE ET LA DISTRIBUTION SPATIALE DES ATOMES DOPANTS (LE PROFIL DE DOPAGE) DANS UNE COUCHE EPITAXIEE, EN FONCTION DES PARAMETRES EXPERIMENTAUX ESSENTIELS: FRACTION DU GAZ DOPANT DANS LE SILANE, ENERGIE DES IONS, TEMPERATURE DU SUBSTRAT, PUISSANCE MICROONDE INJECTEE. ENFIN LA MISE EN UVRE DE NOMBREUSES TECHNIQUES DE CARACTERISATION ATTESTE LA BONNE QUALITE TANT SUR LE PLAN STRUCTURAL (NATURE ET DENSITE DES DEFAUTS RESIDUELS) QU'ELECTRIQUE (MOBILITE DES PORTEURS, DEFAUTS DANS LE GAP) DES COUCHES DE SILICIUM DEPOSEES PAR PMM. L'AVENIR DU DEPOT PAR PMM EN MICROELECTRONIQUE S'AVERE DONC TRES PROMETTEUR

Download or read book Etude de couches minces de carbure de silicium d pos es par CVD assist e plasma basse fr quence written by Eric Gat and published by . This book was released on 1992 with total page 146 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES COUCHES MINCES DE CARBURE DE SILICIUM AMORPHE ET HYDROGENE A-SI#XC#1##X:H SONT ELABOREES A BASSE TEMPERATURE (INFERIEURE A 150#C) PAR LA TECHNIQUE CVD ASSISTEE D'UN PLASMA REACTIF BASSE FREQUENCE (110 KHZ), A PARTIR D'UN MELANGE DE GAZ SILANE ET METHANE DILUE DANS L'HELIUM. LES METHODES DE CARACTERISATION MEB, IR, AES ET REACTION NUCLEAIRE NOUS ONT PERMIS DE DEFINIR LA MORPHOLOGIE, LA NATURE ET LA COMPOSITION DES DEPOTS. UNE NATURE INORGANIQUE ET COMPACTE EST REVELEE, INDEPENDAMMENT DE LA POSITION DES SUBSTRATS (SILICIUM) DANS LE REACTEUR; ELLE RESULTE D'UN BOMBARDEMENT IONIQUE RELATIVEMENT INTENSE DE LA SURFACE DES FILMS EN CROISSANCE. UNE ETUDE STRUCTURALE MENEE A PARTIR D'ANALYSES IR, AES ET EXAFS MET EN EVIDENCE, POUR LES FILMS DE COMPOSITION X VOISINE DE 0,5, UNE MICROSTRUCTURE PARTICULIERE, HOMOGENE ET PROCHE DE CELLE D'UN RESEAU A-SIC, QUI LEUR CONFERE DES PROPRIETES THERMOMECANIQUES (DURETE, FAIBLES CONTRAINTES INTERNES, STABILITE THERMIQUE) ET OPTIQUES (BONNE TRANSMISSION DANS LE DOMAINE DU VISIBLE) OPTIMALES. UN CARACTERE POLYMERE DE FAIBLE MOUILLABILITE DE LA SURFACE DES FILMS EXPOSES A L'AIR AMBIANT, ACCENTUE POUR DES TENEURS EN CARBONE ELEVEES, EST REVELE PAR DES MESURES DE TENSIOMETRIE. IL EST RELIE, PAR AES, A L'INCORPORATION DE GROUPEMENTS ALKYLES ET A LA FORMATION D'UNE COUCHE DE CONTAMINATION DE NATURE ORIGINALE, SOIT UN COMPOSE COMPLEXE SI#X(O#YC#Z:H)

Download or read book tude d un r acteur de d p t de silice sur substrat silicium par plasma microondes pour la r alisation de guides optiques int gres written by Hervé Moisan and published by . This book was released on 1995 with total page 117 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES COMPOSANTS OPTIQUES INTEGRES PASSIFS SUR SILICIUM SONT PARMI LES CONSTITUANTS CLES DES FUTURS RESEAUX DE TELECOMMUNICATIONS OPTIQUES. L'ELEMENT DE BASE DE CES COMPOSANTS EST LE GUIDE OPTIQUE INTEGRE MONOMODE AUX LONGUEURS D'ONDES 1,3 ET 1,55 M. SA FABRICATION FAIT INTERVENIR LE DEPOT DE COUCHE DE SILICE PURE OU DOPEE DE FORTE EPAISSEUR (20 A 30 M) ET UNIFORMES. LA METHODE DE DEPOT ETUDIEE UTILISE UN REACTEUR A PLASMA MICROONDES ENTRETENU PAR DES ONDES DE SURFACE ET DES PRECURSEURS SOUS FORME DE CHLORURES. L'INTERET ESSENTIEL DE CE PROCEDE EST LA POSSIBILITE DE DEPOSER A RELATIVEMENT BASSE TEMPERATURE (600C) SANS LA NECESSITE D'UN RECUIT ULTERIEUR DU DEPOT. LA PREMIERE PARTIE DE CE TRAVAIL EST CONSACREE A LA RECHERCHE DES CONDITIONS EXPERIMENTALES CONDUISANT A DES COUCHES DE SILICE DENSES, PURES, ET HOMOGENES EN INDICE. LA SECONDE PARTIE PORTE SUR L'OPTIMISATION DES CARACTERISTIQUES DE L'INJECTION DES GAZ ET DE LA GEOMETRIE DU POMPAGE POUR ATTEINDRE L'HOMOGENEITE D'EPAISSEUR SOUHAITEE. UN LOGICIEL DE SIMULATION EST MIS AU POINT ET PERMET D'ETUDIER L'INFLUENCE DES CARACTERISTIQUES DE L'INJECTEUR SUR LA REGULARITE DE L'ECOULEMENT DES GAZ PRES DU SUBSTRAT. LES CONDITIONS EXPERIMENTALES OPTIMISEES (PRESSION DE 30 MTORR ET TEMPERATURE DE 600C) ONT PERMIS L'OBTENTION, AVEC UNE FORTE VITESSE DE DEPOT (200 NM/MIN) ET SANS RECUIT ULTERIEUR, DE COUCHES DE SILICE PURE OU DOPEE GERMANIUM, PRESENTANT UNE HOMOGENEITE D'EPAISSEUR DE 1% ET UNE REGULARITE D'INDICE DE 0,03%. L'ATTENUATION OPTIQUE DES PREMIERS GUIDES (0,2 DB/CM A 1,3 M ET 0,4 DB/CM A 1,55 M) EST COMPATIBLE AVEC LES FONCTIONS OPTIQUES VISEES

Download or read book DEPOT D OXYDE DE SILICIUM APLANISSANT PAR PLASMA MULTIPOLAIRE MICROONDE A RESONANCE CYCLOTRONIQUE ELECTRONIQUE REPARTIE written by JAMAL.. KHALLAAYOUNE and published by . This book was released on 1992 with total page 210 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS CETTE ETUDE, NOUS AVONS UTILISE UN PLASMA MULTIPOLAIRE MICROONDE POUR DEPOSER L'OXYDE DE SILICIUM A PARTIR DU MELANGE SIH#4/O#2 A BASSE TEMPERATURE ( 400C) ; LE PLASMA EST GENERE PAR RESONANCE CYCLOTRONIQUE ELECTRONIQUE REPARTIE (RCER) A BASSE PRESSION (

Download or read book Analyse et mod lisation des d pots d oxyde de silicium par proc d LPCVD written by Francine Fayolle (Chimiste) and published by . This book was released on 1993 with total page 215 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE DEPOT CHIMIQUE A PARTIR D'UNE PHASE VAPEUR (CVD) EST LE PROCEDE LE PLUS UTILISE DANS L'INDUSTRIE MICRO-ELECTRONIQUE POUR REALISER DES COUCHES MINCES, EFFECTUEES LE PLUS SOUVENT DANS DES REACTEURS TUBULAIRES A MURS CHAUDS. L'UNE DES APPLICATIONS DE LA CVD EST LA FABRICATION DE COUCHES DE SILICIUM PARTIELLEMENT OXYDE, ET SEMI-ISOLANTES (APPELE SIPOS), A PARTIR D'UN MELANGE DE SILANE ET DE PROTOXYDE D'AZOTE. LA PREMIERE PARTIE DE CE TRAVAIL CORRESPOND A L'ETUDE ET L'ETABLISSEMENT D'UN SYSTEME CHIMIQUE COMPORTANT DEUX PHASES (GAZEUSE ET SOLIDE) ET REPRESENTATIF DU DEPOT. LES CONSTANTES CINETIQUES CORRESPONDANT AUX REACTIONS HOMOGENES SONT EVALUEES A PARTIR DE DIFFERENTES METHODES, EN PARTICULIER LA METHODE QRRK. LA SECONDE PARTIE COMPREND LE DEVELOPPEMENT ET L'UTILISATION DE DEUX LOGICIELS PERMETTANT DE MODELISER LES ECOULEMENTS ET LE TRANSFERT DE MATIERE DANS UN REACTEUR DE DEPOT DE SIPOS EN UTILISANT LE SYSTEME CHIMIQUE DECRIT PRECEDEMMENT. LE PREMIER LOGICIEL, CVD2 MODELISE UN ESPACE INTERPLAQUETTE. IL A PERMIS D'IDENTIFIER LES CONSTANTES DE DEPOT EN PHASE HETEROGENE. LE LOGICIEL CWCVD A PERMIS D'ETUDIER LA ZONE D'ENTREE DU REACTEUR. LES RESULTATS DE CES SIMULATIONS SONT COMPARES AVEC DES RESULTATS EXPERIMENTAUX OBTENUS A L'USINE MOTOROLA DE TOULOUSE. CEUX-CI SONT DETAILLES AINSI QUE LES METHODES D'ANALYSE UTILISEES. LE BON ACCORD OBTENU ENTRE LA SIMULATION ET LES EXPERIENCES PERMET DE VALIDER LES CHOIX EFFECTUES AU NIVEAU DU MECANISME CHIMIQUE ET D'AVANCER DANS LA COMPREHENSION DES PHENOMENES MIS EN JEU LORS DU DEPOT DE SIPOS. UNE DERNIERE PARTIE UTILISE LA METHODE QRRK POUR UN AUTRE TYPE DE DEPOT D'OXYDE, CETTE FOIS TOTALEMENT ISOLANT, A PARTIR D'UN MELANGE D'OXYGENE ET DE SILANE (LTO). LE TYPE DE REACTEUR DE DEPOT NE PERMETTANT PAS L'UTILISATION DIRECTE DES LOGICIELS DECRITS PRECEDEMMENT, SEULE UNE PREMIERE ANALYSE DU SYSTEME CHIMIQUE A PU ETRE EFFECTUEE

Download or read book Oxydation basse temp rature assist e par plasma des alliages silicium germanium written by Claude Tételin and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Deux aspects fondamentaux de l'oxydation basse température assistée par plasma d'oxygène des alliages silicium germanium ont été étudies: la nature chimique de l'oxyde et les cinétiques d'oxydations de ces alliages. La nature de l'oxyde forme varie en fonction du temps d'oxydation. Dans un premier temps, l'oxyde forme est du dioxyde de silicium (sio#2) et le germanium s'accumule a l'interface oxyde/substrat. Nous avons montre, que cette accumulation se fait sous la forme d'une couche de germanium pur. Dans un deuxième temps, le germanium s'incorpore au dioxyde de silicium sous forme d'agrégats avant d'être oxydé et de diffuser vers la surface externe de l'oxyde. En oxydation assistée par oxygène atomique, nous avons montre que les alliages sige s'oxydent plus vite qu'un substrat de silicium. Ceci est attribué à la fragilisation des liaisons du substrat due à la présence de germanium. Dans le cas de l'anodisation, les alliages sige ne s'oxydent également plus vite que le silicium. Nous avons montré que le mécanisme limitant la réaction d'anodisation est la relaxation de contrainte entre l'oxyde et le substrat. La qualité électronique des oxydes formes à partir de sige est moins bonne que ceux formes à partir de silicium mais nous pouvons envisager une amélioration de cette qualité grâce a des traitements thermiques appropries.

Download or read book Etude structurale optique et lectrique de couches minces d oxynitrure de silicium d pos es par pulv risation cathodique radiofr quence r active written by Farida Rebib and published by . This book was released on 2006 with total page 195 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette étude concerne les propriétés structurales, optiques et électriques des couches minces d'oxynitrure de silicium ( SiOxNy) élaborées par pulvérisarion cathodique radiofréquence d'une cible de silicium dans un plasma argon-oxygène-azote. La zone d'instabilité de ce procédé réactif a été précisée par spectroscopie d'émission optique et par le suivi de la pression totale et du potentiel d'autopolarisation. Les conditions adéquates d'élaboration qui ont été définies, ont permis de déposer des films dont la composition varie presque linéairement, entre celles du nitrure et de l'oxyde de silicium. Ces couches sont formées par un mélange de nanophases de type SiO2 et Si3N4 incorporées dans une phase de SiOxNy amorphe. Des liaisons pendantes ont aussi été détectées sur les atomes de silicium. Les dépôts présentent des propriétés optiques (indice de réfraction, gap optique) et des propriétés diélectriques très intéressantes et variables en fonction de leur composition et de leur structure