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Book D  veloppement de cellules photovolta  ques    h  t  rojonction de silicium et contacts interdigit  s en face arri  re

Download or read book D veloppement de cellules photovolta ques h t rojonction de silicium et contacts interdigit s en face arri re written by Sylvain De Vecchi and published by . This book was released on 2014 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse est axée sur la fabrication et l'optimisation d'une nouvelle structure permettant théoriquement d'améliorer les performances des cellules à base de silicium cristallin. Cette nouvelle architecture de cellule utilise la technologie des hétérojonctions de silicium a-Si:H/ c-Si (Si-HJ) appliquée sur des structures à contacts interdigités en face arrière (IBC). Le potentiel de rendement des cellules IBC Si-HJ est supérieur à 25%, mais leur fabrication nécessite une localisation des couches de a-Si:H de dopage différent et de leurs métallisations. L'intégration de ces étapes dans un procédé simplifié utilisant des techniques industrielles (PECVD, pulvérisation, sérigraphie et laser) a été étudiée. De plus, une structure obtenue sans séparation entre le BSF et l'émetteur est présentée, permettant de réduire le nombre d'étapes de fabrication. Les avantages ainsi que les limites liés à cette architecture simplifiée ont été illustrés du point de vue expérimental et par simulation. Dans le cadre de ces travaux, le rendement maximum atteint sur les dispositifs IBC Si-HJ simplifiés de 25cm2 est de 19% (substrats de type n), ce qui constitue le 3e meilleur résultat au niveau mondial. Les performances des cellules restent encore limitées par l'absorption des couches de a-Si:H utilisées pour la passivation de la face avant, et par la conductivité des couches dopées en face arrière. De nombreuses pistes d'amélioration sont explorées dans cette étude. Un procédé de métallisation innovant a également été élaboré pour le passage sur des substrats de grande taille (150cm2). Il permet de limiter les pertes résistives tout en offrant de la flexibilité au niveau de la géométrie des contacts. La mise en module de cellules ayant ce design de métallisation a ensuite été étudiée, et un module de 4 cellules IBC Si-HJ a pu être fabriqué.

Book D  veloppement de cellules photovolta  ques    h  t  rojonctions silicium et contacts en face arri  re

Download or read book D veloppement de cellules photovolta ques h t rojonctions silicium et contacts en face arri re written by Thibaut Desrues and published by . This book was released on 2009 with total page 188 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse explore une nouvelle voie pour améliorer le rendement des cellules solaires à base de silicium cristallin. Cette nouvelle approche utilise la technologie des hétérojonctions a-Si:H / c-Si (Si-HJ) appliquée sur des structures à contacts en face arrière interdigités (IBC). Les dispositifs combinant ces deux technologies (Si-HJ IBC) peuvent théoriquement atteindre des rendements supérieurs à 25 % avec un procédé entièrement à basse température (≤ 200°C). Dans cette étude, les cellules solaires sont fabriquées sur des substrats c-Si de type n de 25 cm2. Les procédés de fabrication utilisés sont potentiellement adaptés à une industrialisation (PECVD, pulvérisation, sérigraphie, LASER, masques métalliques). Des couches a-Si:H ultra-minces (entre 5 et 30 nm) dopées sont utilisées pour réaliser les zones d’émetteur et de BSF en face arrière des cellules solaires. Des matériaux a-Si:H, a-SiNx:H, a-SiCx:H et ITO sont également étudiés pour des applications comme couches de passivation et / ou anti-reflet. Pour fabriquer les cellules Si-HJ IBC, différentes couches sont localisées à l’aide de masques métalliques structurés et alignés mécaniquement. Le plus haut rendement atteint par les dispositifs Si-HJ IBC réalisés atteint ici 12.7%. Il s’agit, à notre connaissance, du meilleur résultat obtenu au niveau mondial par ce genre de structures sur du c-Si de type n. Les performances des dispositifs expérimentaux restent principalement limitées par une faible valeur de FF. Des modélisations 2D des structures Si-HJ IBC montrent que la conception de l’émetteur et de son contact en face arrière peut entraîner des limitations à la fois sur ce FF mais également sur le Jcc. Ces phénomènes peuvent être attribués à une résistance série « distribuée » importante sur les cellules Si-HJ IBC. Différentes perspectives d’amélioration sont proposées, au niveau de la géométrie de la structure principalement. Ces optimisations devraient permettre à la fois une simplification des cellules Si-HJ IBC ainsi que l’augmentation de leur rendement.

Book D  veloppement de cellules photovolta  ques silicium    homojonction industrialisables    contacts passiv  s

Download or read book D veloppement de cellules photovolta ques silicium homojonction industrialisables contacts passiv s written by Elise Bruhat and published by . This book was released on 2019 with total page 143 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Afin de favoriser le déploiement des énergies renouvelables, le développement de cellules solaires moins chères mais aussi plus performantes reste un enjeu pour rendre l’électricité photovoltaïque encore plus attractive. Si les technologies des cellules solaires à base de silicium à homojonction dominent le marché mondial, les performances de ces structures peuvent encore être améliorées. En effet, le contact direct entre la grille métallique et les zones fortement surdopées est source de pertes par recombinaisons des porteurs de charges. L’émergence de de nouvelles structures de cellules émergent à contacts passivés permet des solutions alternatives face à cette limitation. Ces structures visent à délocaliser la prise de contact grâce à l’introduction de couches passivantes entre le substrat de silicium cristallin et la grille de métallisation, diminuant ainsi drastiquement les phénomènes de recombinaisons au sein des dispositifs. La technologie de contacts passivés la plus connue reste celle des cellules à hétérojonction de silicium a-Si:H/c-Si. Cette technologie mature reste pour l’instant limitée car elle représente un nouveau standard industriel mais aussi car elle n’est pas compatible avec les procédés utilisant des températures excédant 250°C. De plus, l’utilisation d’indium, matériau cher et dont la ressource est limitée, dans les couches d’Oxyde Transparent Conducteur (OTC) peut représenter un frein à l’industrialisation de masse du procédé. Il est alors nécessaire de développer de nouvelles technologies de contacts passivés, compatibles avec des procédés à haute température (supérieures à 800°C), et donc intégrables dans une ligne de production existante. Des approches utilisant des OTC en combinaison avec des couches ultraminces d’oxydes, des empilements diélectriques, et des jonctions poly-silicium sur oxyde ont été investiguées afin d’améliorer les performances des cellules à homojonction. Les couches intermédiaires d’OTC développées permettent potentiellement de diminuer les pertes résistives et et celles par recombinaison au niveau des contacts. Ces travaux de thèse se sont ainsi focalisés sur le développement de couches d’oxyde de zinc dopé à l’aluminium (AZO) par pulvérisation cathodique (PC) et Atomic Layer Deposition (ALD) pour les cellules solaires à contact passivés. Ces couches, utilisées seules ou en combinaison avec des matériaux diélectriques, ont été intégrées et testées sur des dispositifs photovoltaïques fonctionnels.

Book ZnO Thin Films

Download or read book ZnO Thin Films written by Paolo Mele and published by . This book was released on 2019 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Zinc oxide (ZnO) is an n-type semiconductor with versatile applications such as optical devices in ultraviolet region, piezoelectric transducers, transparent electrode for solar cells and gas sensors. This book "ZnO Thin Films: Properties, Performance and Applications" gives a deep insight in the intriguing science of zinc oxide thin films. It is devoted to cover the most recent advances and reviews the state of the art of ZnO thin films applications involving energy harvesting, microelectronics, magnetic devices, photocatalysis, photovoltaics, optics, thermoelectricity, piezoelectricity, electrochemistry, temperature sensing. It serves as a fundamental information source on the techniques and methodologies involved in zinc oxide thin films growth, characterization, post-deposition plasma treatments and device processing. This book will be invaluable to the experts to consolidate their knowledge and provide insight and inspiration to beginners wishing to learn about zinc oxide thin films.