Download or read book D veloppement contr le et mod lisation d un proc d de projection de poudres de silicium par plasma RF written by Malek Benmansour and published by . This book was released on 2003 with total page 502 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book MISE AU POINT ET CONTROLE D UN PROCEDE D ELABORATION DE DEPOT DE SILICIUM A FINALITE PHOTOVOLTAIQUE CARACTERISATION SPECTROSCOPIQUE ET HYDRODYNAMIQUE DU PLASMA INDUCTIF RF CARACTERISATION PHYSICO CHIMIQUE DU DEPOT DE SILICIUM written by FADI.. KRAYEM and published by . This book was released on 2000 with total page 300 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJECTIVE DE CETTE ETUDE EST L'ELABORATION D'UN DEPOT DE SILICIUM PAR PROJECTION DE PLASMA THERMIQUE RF SUR UN SUBSTRAT DESTINE A L'APPLICATION PHOTOVOLTAIQUE. DANS CE TRAVAIL, NOUS AVONS CORRELE LE ROLE JOUE PAR L'HYDROGENE INCLUS DANS LE MATERIAU (PASSIVATION LES LIAISONS PENDANTES ET LES POINTS DE RECOMBINAISONS ELECTRIQUES) ET LA PRODUCTION DES ETATS EXCITES DE L'HYDROGENE PAR LE PLASMA RF ARGON-HYDROGENE. PAR LA SPECTROSCOPIE D'EMISSION NOUS AVONS IDENTIFIE LA PRESENCE DANS LE PLASMA DES ETATS EXCITES ELEVES DE L'HYDROGENE ATOMIQUE (JUSQU'A N = 8), LEUR DISTRIBUTION SPATIALE VARIE LORS DE L'AJOUT D'HELIUM DANS LE GAZ PLASMAGENE. CE PHENOMENE PERMET DE DOUBLER LA TENEUR EN HYDROGENE DANS LE SILICIUM MASSIF TRAITE PAR PLASMA AR+H 2+HE (4,42.10 1 5 AT.CM - 3) PAR RAPPORT AU PLASMA D'AR + H 2 (2,2.10 1 5 AT. CM - 3). CETTE TENEUR PEUT ATTEINDRE 10 1 9 AT.CM - 3 PAR L'INJECTION AXIALE DE LA POUDRE DE SILICIUM DANS LE JET PLASMA. LA MESURE DES TEMPS DE SEJOURS DE 10 MSEC A 30 MSEC DES PARTICULES DE SILICIUM EN VOL A ETE EFFECTUEE PAR LA TECHNIQUE D'ANEMOMETRIE LASER DOPPLER. AINSI LA VITESSE DES PARTICULES, ET LA DISTANCE DE PROJECTION DETERMINENT LE TAUX D'EVAPORATION DE SILICIUM ET LA MESURE DES DIAMETRES DES PARTICULES EN VOL VALIDE LE TRANSFERT DE MATIERE. LA CROISSANCE DE DEPOT EST LIEE AUX PROCESSUS DE TRANSFERT DE CHALEUR ET DE MATIERE PARTICULE/SUBSTRAT. UNE FAIBLE CONDUCTIVITE THERMIQUE DE SUBSTRAT COMME LA MULLITE CONSTITUE UNE BARRIERE THERMIQUE QUI PERMET UN REFROIDISSEMENT CONTROLE DES PARTICULES PROJETEES. LA CHALEUR APPORTEE PAR CES PARTICULES ABOUTIT A LA FORMATION SUR LE SUBSTRAT D'UNE GOUTTE LIQUIDE DONT LA CRISTALLISATION DIRECTIONNELLE DEBUTE LORS DE L'ARRET DE LA PROJECTION DES PARTICULES. LA PURIFICATION DU DEPOT MIS EN EVIDENCE PAR EDX, A EU LIEU PAR SEGREGATION DES IMPURETES DE LA PHASE SOLIDE VERS LA PHASE LIQUIDE, LA VITESSE DE DEPOT ATTEIGNANT 600-1500 M.H - 1 SELON LA TAILLE DES PARTICULES DE SILICIUM ET LA VITESSE DE PROJECTION.

Download or read book laboration et caract risation de rubans de silicium polycristallin d pos s par projection plasma en vue de photopiles solaires written by Mohamed Bachar Kayali and published by . This book was released on 1989 with total page 422 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: EN INJECTANT DE LA POUDRE DE SILICIUM DANS UN JET DE PLASMA ARGON-HYDROGENE ET EN PROJETANT LES GOUTTELETTES AINSI FORMEES SUR UN SUPPORT ON A PU FABRIQUER DE FACON REGULIERE, DES RUBANS DE SILICIUM DE SURFACE ATTEIGNANT 25 CM#2, DECOLLABLES DE LEURS SUPPORTS. LE DOPAGE EST CONTROLE PAR ADDITION D'OXYDE DE BORE. L'INTERACTION PLASMA-PARTICULES A ETE MODELISEE. LES EQUATIONS DECRIVANT LES ECHANGES DE CHALEUR ET DE QUANTITE DE MOUVEMENT ONT ETE RESOLUES PAR UNE METHODE NUMERIQUE DE RUNGE-KUTTA. UN BON ACCORD A ETE OBTENU AVEC DES DETERMINATIONS EXPERIMENTALES DE LA VITESSE ET DE LA TEMPERATURE DES PARTICULES EN VOL. LES RUBANS PLAST OBTENUS SONT MICROCRISTALLINS ET POREUX ET ASSEZ SOUVENT FISSURES. ILS CONTIENNENT UNE TENEUR ELEVEE EN IMPURETES DE TRANSITION. LA QUALITE DES RUBANS BRUTS A ETE AMELIOREE PAR RECRISTALLISATION PAR BOMBARDEMENT ELECTRONIQUE. LES RUBANS RECUITS ONT DES GRAINS DE TAILLE MILLIMETRIQUE ET SONT PARTIELLEMENT PURIFIES. LA QUALITE PHOTOELECTRIQUE DES RUBANS EST CARACTERISEE PAR LA LONGUEUR DE DIFFUSION LN, MESUREE PAR METHODE LBIC. LES VALEURS DE LN SONT DE 17 A 32 MICRONS DANS LES RUBANS BRUTS ET JUSQU'A 70 MICRONS APRES RECUIT. CETTE VALEUR ELEVEE DE LN PERMET EN PRINCIPE DE CONSTRUIRE DES PHOTOPILES SOLAIRES DE BON RENDEMENT A BASE DE NOTRE RUBAN PLAST, MOYENNANT UN DEVELOPPEMENT INDUSTRIEL DU PROCEDE

Download or read book Synth se de poudres ultrafines de silice en plasma d arc transf r written by Kun Chang and published by . This book was released on 1994 with total page 203 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'AUTEUR PRESENTE LA SYNTHESE DE POUDRES ULTRAFINES DE SILICE DANS UN PLASMA D'ARC TRANSFERE. L'INTRODUCTION, APRES LA PRESENTATION DES PROPRIETES PHYSICO-CHIMIQUES DE LA SILICE, EST CONSACREE A UNE ETUDE BIBLIOGRAPHIQUE DES PROCEDES DE SYNTHESE AUSSI BIEN INDUSTRIELS QU'AU STADE DU DEVELOPPEMENT, ET PLUS SPECIALEMENT LES PROCEDES PAR PLASMA THERMIQUE DONT LES PROPRIETES THERMODYNAMIQUES ET LES COEFFICIENTS DE TRANSPORT SONT RESUMES. LE DISPOSITIF EXPERIMENTAL AINSI QUE LES METHODES DE CARACTERISATION DE POUDRES SONT DECRITS DANS LE CHAPITRE I. DANS LE CHAPITRE II L'AUTEUR PRESENTE TOUT D'ABORD LA PREVISION THERMODYNAMIQUE DU SYSTEME ETUDIE AINSI QUE LA MODELISATION DE L'EVAPORATION DES PARTICULES DANS LE FOUR PLASMA. ENSUITE APRES L'ETUDE DE LA NUCLEATION ET DE LA CROISSANCE, IL UTILISE LA METHODE DE MONTE-CARLO POUR MODELISER L'AGGLOMERATION DES PARTICULES DE SILICE. DANS LE CHAPITRE III SONT DECRITES EN FONCTION DES CONDITIONS OPERATOIRES, LES CARACTERISTIQUES (SURFACE SPECIFIQUE, COULEUR, PURETE) DES POUDRES OBTENUES. SELON LES ESSAIS, LA SURFACE SPECIFIQUE VARIE DE 20 A 350 M#2/G. EN PLASMA D'OXYGENE, LES POUDRES SONT SPHERIQUES AVEC UN DIAMETRE DE 500 NM ENVIRON, TANDIS QUE DANS LES AUTRES CAS, UN MELANGE DE FORMES SPHERIQUE ET FIBREUSE EST OBSERVE. L'UTILISATION D'UN PLASMA D'OXYGENE PERMET D'OBTENIR DES POUDRES COMPORTANT PLUS DE 98,5% DE SILICE

Download or read book Mod lisation rapide du traitement de poudres en projection par plasma d arc written by Fadhel Ben Ettouil and published by . This book was released on 2008 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail est consacré à la modélisation rapide du procédé de déposition par projection thermique en plasma d’arc soufflé. Il est plus particulièrement consacré au traitement d’une particule isolée ou d’un lot de particules échantillon représentatif d’une poudre. Le procédé de projection par plasma d’arc soufflé et les principaux phénomènes qui régissent la formation du jet de plasma, les échanges thermiques et dynamiques entre la particule et l’écoulement du jet gazeux et la construction du dépôt sont examinés. Nous avons fait une étude bibliographique des modèles développés par ailleurs pour simuler les différentes fonctionnalités du procédé. Les fondements et les caractéristiques du logiciel « Jets&Poudres » sont exposés, avant de présenter le modèle développé du transfert plasma-particule qui prend en compte la conduction interne à la particule et les déplacements des fronts de changement de phase. Dans ce modèle le calcul de l'évaporation de la particule est découplé du problème de la dynamique du gaz dans le jet et nous exploitons les résultats de J. C. Knight et le modèle de « Pression en retour » (Back Pressure) qu’il a développé. Une étude qualitative est consacrée à l’effet des paramètres de dispersion de la poudre en sortie de l’injecteur sur le traitement d’une particule isolée et sur la construction du dépôt. Ces effets mis en évidences, nous exposons un modèle de transport d’un lot de particules représentatif d’une poudre dans l’injecteur afin d’évaluer la dispersion en masse, taille et vitesse avant l’entrée dans le jet. Ce modèle complexe prend en compte les collisions particule-parois et les collisions binaires particule- particule. Les résultats de ces deux modèles sont discutés. Le traitement dynamique et thermique de la particule isolée est en bon accord avec ceux de la littérature. Ce qui autorise l’étude des conditions opératoires et des paramètres des différentes composantes fonctionnelles du procédé (torche, gaz plasmagène, injecteur, poudre...) sur le traitement des particules et leurs histoires thermique et dynamique. Le modèle présente l’avantage d’un temps de calcul réduit, de l’ordre d’une dizaine de seconde. Le modèle a été utilisé pour évaluer la quantité de matière nanostructurée conservée en fin de traitement et avant impact sur le substrat. Nous avons également exploité le modèle de dispersion de poudre pour simuler la tache-dépôt formée par la projection ‘statique’ de poudres de différents matériaux et de différentes granulométries.

Download or read book Mod lisation tri dimensionnelle du proc d de projection plasma written by Bernard Dussoubs and published by . This book was released on 1998 with total page 196 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE A UNE MODELISATION TRIDIMENSIONNELLE DU PROCEDE DE PROJECTION PAR PLASMA THERMIQUE A L'AIDE D'UN LOGICIEL COMMERCIAL, ESTET. NOUS DECRIVONS D'ABORD LES PRINCIPAUX PHENOMENES QUI INTERVIENNENT DANS CE PROCEDE D'ELABORATION DE DEPOTS, TANT POUR LA FORMATION DU JET DE PLASMA QUE POUR LE TRAITEMENT DES PARTICULES DANS LE JET ET LEUR IMPACT SUR LE SUBSTRAT. L'ETUDE BIBLIOGRAPHIQUE FAIT ENSUITE LE POINT SUR LES PRINCIPAUX MODELES DEVELOPPES POUR SIMULER CERTAINS ASPECTS DU PROCEDE DE PROJECTION PLASMA ET SOULIGNE LA DIFFICULTE DE DEVELOPPER UN CODE GENERALISTE. APRES AVOIR PRESENTE BRIEVEMENT LES PRINCIPALES CARACTERISTIQUES DU CODE ESTET ET LES ADAPTATIONS QUE NOUS AVONS APPORTEES, NOUS ETUDIONS L'INTERACTION DU JET DE PLASMA AVEC LE GAZ AMBIANT, SON INTERACTION AVEC LE GAZ PORTEUR DE POUDRE ET SON INTERACTION AVEC LA CIBLE. NOUS NOUS INTERESSONS ENSUITE A L'INFLUENCE DE LA VARIATION DES CONDITIONS DE PROJECTION SUR LE TRAITEMENT DE LA POUDRE POUR DES CONDITIONS INDUSTRIELLES DE PROJECTION. L'ETUDE DE L'INJECTION MONTRE LES LIMITATIONS DES MODELES BIDIMENSIONNELS POUR PREDIRE CORRECTEMENT LA POSITION ET LA TAILLE DE LA TACHE D'IMPACT DES PARTICULES SUR LE SUBSTRAT. ENFIN, NOUS ETUDIONS L'EFFET SUR LE TRAITEMENT DES PARTICULES DES FLUCTUATIONS DU JET INDUITES PAR LE MOUVEMENT DU PIED D'ARC DANS LA TUYERE, A L'AIDE D'UN MODELE BIDIMENSIONNEL TRANSITOIRE. AU COURS DES DIFFERENTES ETAPES DE LA SIMULATION, UNE COMPARAISON DES RESULTATS NUMERIQUES AUX MESURES EFFECTUEES AU LABORATOIRE PERMET DE VALIDER LE CODE DANS LE CADRE DE LA PROJECTION PAR PLASMA.

Download or read book Mod lisation et caract risation exp rimentale d un proc d de d p t de couches minces d oxyde de silicium en plasma radiofr quence O2 HMDSO basse pression written by Marjorie Goujon and published by . This book was released on 2004 with total page 164 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les travaux présentés dans ce mémoire concernent l'étude d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur assisté par un plasma froid radiofréquence (RF) dans un mélange oxygène-hexaméthyldisiloxane (HMDSO) à basse pression, destiné à l'élaboration de couches minces d'oxyde de silicium sur des substrats métalliques. Un modèle fluide est tout d'abord développé pour décrire le comportement de la décharge au cours d'une période RF, et en particulier l'évolution du champ électrique et des densités des espèces chargées. Grâce à ce modèle, l'importance relative du bombardement ionique des électrodes et du phénomène de "wave-riding" pour la production d'électrons est mise en évidence et permet de définir des conditions de fonctionnement qui tendent à minimiser le bombardement des électrodes. Dans une seconde partie, la mise en œuvre de moyens de caractérisation tels que la spectroscopie d'émission optique et la spectroscopie d'absorption infrarouge à transformée de Fourier (FTIR) permet d'estimer le taux de dissociation du monomère organosilicié et d'obtenir des renseignements sur les mécanismes de dissociation du précurseur organique. Des analyses FTIR des films déposés sont couplées aux analyses de la phase gazeuse et permettent d'établir des corrélations entre la nature des films déposés et la composition chimique du plasma. Ces résultats sont complétés par l'établissement d'un modèle décrivant la cinétique chimique des neutres du plasma 02/HMDSO, à partir duquel l'évolution, dans l'espace interélectrodes, de la concentration de différentes espèces moléculaires est calculée, afin de prédire l'enrichissement en carbone des films déposés.

Download or read book Etudes des ph nom nes d change dans la purification du silicium par plasma et induction written by Cyrille Ndzogha and published by . This book was released on 2005 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de thèse porte sur un procédé plasma de purification de silicium pour usages photovoltaïque. Il est appliqué à deux types de matériaux : du silicium d'origine métallurgique et des produits de recyclage des boues de sciage des lingots et des plaquettes de la filière photovoltaïque. Les boues de sciage des plaquettes sont essentiellement constituées de liquide de coupe, de particules de SiC (abrasif), de microparticules de silicium et de microparticules de fer provenant du fil de découpe. Le silicium de ces boues est un silicium de haute pureté, qui est déjà de qualité photovoltaïque. Il peut représenter jusqu'`a 60 % du poids initial du lingot. Le procédé objet du projet comporte une phase de séparation du SiC par centrifugation, suivi d'une phase d'élimination chimique du fer, puis d'un traitement par plasma réactif pour l'élimination du SiC résiduel. Ce travail porte sur cette dernière phase. Un traitement plus complexe que celui initialement prévu a été rendu nécessaire par l'existence dans les boues de sciage de particules de SiC provenant du bris des grains de l'abrasif initial. La séparation du SiC étant incomplète, le traitement par plasma a dû éliminer des quantités beaucoup plus importantes qu'initialement prévu. Cela a nécessité une modification importante du procédé initial, et la mise au point de phase de pré-traitement destiné à rendre exploitable par le plasma le produit issu de la séparation. Ce travail combine études théoriques, modélisations numériques et expérimentation. La modélisation thermodynamique permet de déterminer les meilleures conditions d'élimination des polluants (gaz réactifs adaptés, débits, températures, pressions) tandis que la modélisation du brassage électromagnétique mesure l'efficacité du renouvellement de la surface du bain liquide au cours du traitement.

Download or read book MISE AU POINT D UNE INSTALLATION PILOTE DE PURIFICATION DU SILICIUM PAR PLASMA THERMIQUE INDUCTIF ET MODELISATION DES TRANSFERTS DE MATIERE ET DE CHALEUR PLASMA PARTICULE written by PATRICK.. HUMBERT and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE A PORTE SUR LA MISE AU POINT D'UN PILOTE PLASMA DE 25 KW DESTINE A PURIFIER DU SILICIUM DE QUALITE METALLURGIQUE EN VUE D'OBTENIR UN MATERIAU REPONDANT AU CAHIER DES CHARGES DE L'INDUSTRIE PHOTOVOLTAIQUE. LA PREMIERE PARTIE DE CETTE ETUDE A CONSISTE A REALISER ET DEVELOPPER UN APPLICATEUR PLASMA DE HAUTE PUISSANCE (25-100 KW) CAPABLE DE REPONDRE AUX IMPERATIFS TECHNIQUES TOUT EN ANALYSANT LES RENDEMENTS ENERGETIQUES SUSCEPTIBLES D'ETRE OBTENUS SELON LES DIFFERENTES CONFIGURATIONS D'EXPLOITATION. A CES BILANS, NOUS AVONS JOINT LA QUALIFICATION DES SILICIUMS RECYCLES DE TYPE N OU P AFIN DE DEFINIR LES CONDITIONS OPERATOIRES OPTIMALES DANS LES DEUX CAS DE FIGURE. LA DEUXIEME PARTIE DE CETTE ETUDE IMPOSAIT D'ENVISAGER DEUX TYPES DE MATERIAUX: LE MATERIAU MASSIF ET LE MATERIAU EN POUDRE. POUR MENER A BIEN CE TRAVAIL, IL ETAIT INDISPENSABLE DE MODELISER LES PHENOMENES DE TRANSFERT DE MATIERE ET DE CHALEUR ENTRE UN PLASMA ET UNE PARTICULE, CE QUI NOUS CONDUIT A DEVELOPPER UN MODELE TENANT COMPTE DES REACTIONS CHIMIQUES EN COUCHE LIMITE. CETTE ETAPE A CONSTITUE UNE PHASE CAPITALE DE NOTRE MEMOIRE PUISQU'ELLE PERMET DESORMAIS D'ABORDER LA CHIMIE ET DE MIEUX COMPRENDRE LES PHENOMENES DE DECOMPOSITION ET DE PURIFICATION SOUS PLASMA. POUR CONCLURE ET VERIFIER CE MODELE, NOUS AVONS TRAITE LE CAS DE LA SYNTHESE DE POUDRES ULTRAFINES DE NITRURE DE SILICIUM ET DE NITRURE DE TITANE PAR VAPORISATION TOTALE DE POUDRES DANS UN PLASMA REACTIF. CETTE ANALYSE PERMET ALORS DE VALIDER LA DEMARCHE DE TRAITEMENT DE POUDRES DANS LE CAS D'UN MATERIAU PARFAITEMENT QUALIFIE

Download or read book ETUDE ET MODELISATION DE RECOUVREMENTS DE STRUCTURES PAR DES FILMS DE SILICIUM AMORPHE ET D OXYDE DE SILICIUM DEPOSES PAR PROCEDES CHIMIQUES EN PHASE VAPEUR ASSISTES PAR PLASMA written by LAURENT.. DUBOST and published by . This book was released on 1997 with total page 191 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA TOPOLOGIE COMPLEXE DES CIRCUITS D'UN DISPOSITIF ELECTRONIQUE, TELS QUE LES LIGNES METALLIQUES DE COMMANDE D'UN ECRAN PLAT DE VISUALISATION, INDUIT DES MODIFICATIONS LOCALES DES PROPRIETES DES FILMS QUI LES RECOUVRENT. CETTE ETUDE A POUR BUT, D'EVALUER ET DE COMPRENDRE LES MECANISMES DE RECOUVREMENTS DE STRUCTURES, PAR DES FILMS DE SILICIUM AMORPHE (A-SI:H) ET D'OXYDE DE SILICIUM (SIO#X). CES MATERIAUX SONT DEPOSES DANS UN REACTEUR INDUSTRIEL, PAR DES PROCEDES CHIMIQUES EN PHASE VAPEUR ASSISTES PAR PLASMA. NOUS DEVELOPPONS UN MODELE DE RECOUVREMENT DE STRUCTURES FAISANT INTERVENIR DEUX TYPES DE RADICAUX. LA DIMINUTION DU TAUX DE CONFORMALITE (RECOUVREMENT) DES FILMS DE A-SI:H, EST INTERPRETEE COMME UNE AUGMENTATION DU RAPPORT DES DENSITES DES RADICAUX SIH#2 ET SIH#3, ISSUS DE LA DECOMPOSITION DES MELANGES SILANE-HYDROGENE. LES SIMULATIONS NUMERIQUES DU MODELE CONFIRMENT CE RESULTAT, ET REPRODUISENT LES PROFILS DE COUVERTURE DE TRANCHEE. LE RECOUVREMENT DE TRANCHEES S'ACCOMPAGNE DE DEFAUTS DE COALESCENCE A L'ORIGINE DE FUITES CHIMIQUES ET ELECTRIQUES DANS DES FILMS DE SILICE. NOUS PRESENTONS UNE METHODE DE CARACTERISATION SIMPLE ET RAPIDE DE CES DEFAUTS. LE DEVELOPPEMENT D'UN PROCEDE A BASE D'UN MELANGE SIH#4-N#2O-H#2 PERMET D'OBTENIR UN MEILLEUR COMPORTEMENT DES DEPOTS. ENFIN, NOUS DECRIVONS ET MODELISONS LA CROISSANCE DE DEFAUTS NODULAIRES OBTENUS A PARTIR DU RECOUVREMENT DE PARTICULES PRESENTES SUR LE SUBSTRAT.

Download or read book D veloppement du proc d de purification du silicium par plasma thermique RF written by Sylvain Rousseau and published by . This book was released on 2009 with total page 197 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L’objectif de ce travail est le développement d’un procédé de purification du silicium métallurgique par plasma thermique avec polarisation du silicium fondu, dans le but d’augmenter les cinétiques d’élimination des impuretés. Nous avons étudié l’effet simultané de la polarisation et de la composition du plasma sur les processus d’élimination des impuretés. Le suivi en ligne de la purification est effectué par Spectroscopie Optique d’Emission, ce qui permet de comprendre les processus de transfert de matière entre le silicium et le plasma. La composition avant et après traitement des échantillons de silicium, est quant à elle déterminée par LIBS et ICP. Ces trois méthodes basées sur la spectroscopie d’émission ont permis d’établir le rôle de la polarisation et de la composition du plasma sur l’élimination des impuretés. Ainsi, nous avons montré que les cinétiques d’élimination des impuretés métalliques étaient améliorées par l’application d’un potentiel anodique sur l’échantillon avec un traitement sous plasma composé de préférence d’argon pur exclusivement. En revanche, le potentiel électrique n’influe pas de façon sensible sur les cinétiques d’élimination du bore. Seule l’introduction simultanée d’hydrogène et d’oxygène permet de l’augmenter significativement. Par ailleurs, les analyses d’exodiffusion du deutérium ont permis de montrer l’effet du potentiel électrique sur le dopage du silicium par l’hydrogène. L’étude de l’interaction des impuretés avec leur environnement nous conduit à proposer un mécanisme chimique et électrochimique d’élimination des impuretés du bain de silicium fondu.

Download or read book ELABORATION DU SILICIUM POLYCRISTALLIN PAR PROJECTION PLASMA written by MOHAMED.. AKANI and published by . This book was released on 1986 with total page 255 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: OBTENTION DE RUBANS AUTOSUPPORTES OU SUPPORTES PAR DIFFERENTS SUBSTRATS PAR PROJECTION PLASMA A PARTIR DE POUDRE DE SILICIUM. OPTIMISATION DU PROCEDE. MESURE DES CARACTERISTIQUES DES RUBANS OBTENUS (POROSITE, DENSITE, RESISTIVITE, MOBILITE DE HALL) AVANT ET APRES RECUIT, ET APRES RECRISTALLISATION PAR BOMBARDEMENT ELECTRONIQUE. EVOLUTION DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES AVEC LE DOPAGE. MESURE DES PROPRIETES PHOTOELECTRONIQUES

Download or read book Proc d de gravure du silicium par plasma written by Frédéric Thais and published by . This book was released on 1982 with total page 125 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Contributions la mod lisation et la fabrication de dispositifs silicium avanc s written by Emmanuel Dubois and published by . This book was released on 2005 with total page 173 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce manuscrit propose une synthèse de travaux de recherche dédiés à la modélisation et la fabrication de dispositifs silicium avancés. Le premier thème, orienté simulation et modélisation de dispositifs silicium, a couvert un large domaine d'applications s'étendant du développement de codes de calcul de type Monte Carlo dédié à la modélisation du transport non stationaire jusqu'à la description des effets non-quasi-statiques de propagation de charge en simulation de circuits analogiques. Une première section rappelle succinctement les actions de développement de code dérive-diffusion ou Monte Carlo ainsi que les travaux d'optimisation de technologies BiCMOS dédiés, par exemple, il l'analyse des phénomènes d'injection intervenant dans les transistors de puissance, à la modélisation de l'injection dans les transistors bipolaires à émetteur polycristallin ou encore au dimensionnement de dispositifs LDMOS sur substrat SOI. Une seconde section de ce chapitre propose un développement plus détaillé de l'approche de modélisation semi-compacte non-quasi-statique (NQS) dédiée à l'étude du partage de charge en circuiterie MOS analogique. Le second thème a abordé l'étude de techniques de nanolithographie à très haute résolution basée sur des outils d'analyse en champ proche (microscopie à effet tunnel - STM, microscopie à force atomique -AFM).

Download or read book Proc d d hydrog nation du silicium multicristallin par plasma hors quilibre written by Sahar Darwiche and published by . This book was released on 2005 with total page 456 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Proc d de gravure du silicium par plasma written by Frédéric Thais (auteur d'une thèse de sciences.) and published by . This book was released on 1982 with total page 125 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Croissance propri t s structurales et optiques du silicium polymorphe written by Anna Fontcuberta i Morral and published by . This book was released on 2001 with total page 422 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le travail présenté dans ce mémoire de thèse est destiné à la compréhension d'un nouveau matériau initialement mis en œuvre au LPICM: le silicium polymorphe (pm-Si). Le développement de ce matériau est lié aux études de la formation de poudres dans les plasmas de silane. Les poudres sont des particules qui peuvent atteindre quelques microns de taille, mais les précurseurs sont en général des entités de taille nanométrique (nano-particules), qui peuvent être cristallines ou amorphes. Le silicium polymorphe est déposée dans des conditions proches à la formation de poudres, ce qui devrait entraîner l'incorporation dans la couche de ces précurseurs nano-métriques. Depuis 1998 toute une série d'expériences montrent que le pm-Si:H a une excellente qualité électrique par rapport au silicium amorphe hydrogéné standard. C'est ceci qui a suscité l'intérêt aux études sur la structure et les conditions d'élaboration. Ce travail a été abordée dès trois points de vue différents: le plasma, la croissance et la structure. Plusieurs techniques ont du être développés à cause des particularités associées à cette étude. D'un côté, la Cavité Laser Résonante a permis de mesurer des concentrations de nano-particules dans laphase gaz de l'ordre de 10 puissance 8 -10 puissance 9 cm-3 dans des conditions de pm-Si:H. Des études in situ par Ellipsométrie Spectroscopique (SE) ont montré que la croissance du pm-Si:H se fait de manière homogène. En même temps, il a été nécessaire de développer le modèle du Tétraèdre pour comprendre la relation entre la fonction diélectrique du matériau obtenue par SE et sa structure. Enfin, des mesures en Microscopie Electronique à Transmission et Haute Résolution indiquent la présence de nano-cristallites dans une matrice amorphe. Des analyses sur la matrice amorphe indiquent une amélioration de l'ordre du pm-Si:H, corrélé avec l'amélioration des propriétés électroniques.