Download or read book D fauts dans le silicium de type P irradi par protons written by Serge Mottet (auteur d'une thèse de sciences.) and published by . This book was released on 1977 with total page 215 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DE LA FORMATION DES DEFAUTS PAR IRRADIATION EN PROTONS DE FAIBLE OU MOYENNE ENERGIE, COMPRISES ENTRE 20 KEV ET 10 MEV, DANS LE SILICIUM DE BASE DES PHOTOPILES. DETERMINATION DE LA NATURE DES DEFAUTS ET DE LEURS CINETIQUES DE FORMATION. ETUDE DES DUREES DE VIE DES PORTEURS DE CHARGES DANS LES PHOTOPILES IRRADIEES ET DE LEUR EVOLUTION DANS DES MATERIAUX PRESENTANT DIFFERENTS CONTENUS EN IMPURETES. DESCRIPTION DES MESURES DE CAPACITE DE JONCTION MISES EN OEUVRE POUR L'IDENTIFICATION DES NIVEAUX D'ENERGIE ASSOCIES AUX DEFAUTS.
Download or read book D fauts dans le silicium de type P irradi par protons written by Serge Mottet and published by . This book was released on 1977 with total page 214 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Structure atomique et activit lectrique des d fauts natifs et induits par irradiation dans le carbure de silicium 6H SiC d termin es par annihilation de positions written by Laurent Henry and published by . This book was released on 2001 with total page 243 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le matériau SiC, semiconducteur à large bande interdite, pourrait remplacer le silicium dans le domaine de l'électronique de puissance. Cependant de nombreux défauts sont générés pendant la croissance. De plus, l'implantation ionique constitue le procédé principal de dopage. Les défauts natifs ou induits peuvent jouer un rôle important dans la compensation électrique de ce matériau. Nous avons utilisé l'annihilation de positions pour déterminer la nature des défauts natifs et induits par irradiation avec des protons dans un des polytypes de SiC, le 6H-SiC. Nous avons mesuré le temps de vie du positon et la distribution des quantités de mouvement des paires électron-position (élargissement Doppler de la raie à 511 keV). Ces différentes grandeurs changent avec l'état d'annihilation du positon et sont caractéristiques de la nature des défauts présents (lacunes ou ions). Nous nous sommes intéressés aux défauts de croissance dans des cristaux massifs et des couches épitaxiées 6H-SiC (type n) et aux défauts générés par les irradiations de protons à différentes énergies.
Download or read book Contribution l tude des d fauts cr s par irradiation lectronique dans des alliages semiconducteurs silicium germanium de type N et P written by Jean-Jacques Goubet and published by . This book was released on 1998 with total page 623 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le but de cette etude est de caracteriser les defauts crees par irradiation electronique dans des couches epitaxiees d'alliage silicium-germanium de type n et p. Apres une analyse des donnees rapportees dans la litterature concernant les defauts profonds ponctuels et etendus dans le silicium (si), le germanium (ge) et l'alliage silicium-germanium (sige), les techniques de mesure sont presentees avec un examen particulier des effets parasites rencontres qui necessitent une modification des modeles classiques d'interpretation des mesures experimentales. Enfin, nous presentons les resultats obtenus pour des couches relaxees d'alliage si#0#.#7ge#0#.#3 de type n et pour des couches contraintes ou relaxees d'alliages de type p contenant de 2 a 30% de ge. A l'aide des techniques capacite-tension, c(v), et courant-tension, i(v), nous montrons que les degats d'irradiation (accroissement du courant des diodes en inverse et en direct, augmentation de la compensation du materiau) sont d'autant plus importants que le taux de ge est faible. Une determination systematique de la position des niveaux d'energie et de la section apparente de capture des defauts natifs et d'irradiation a l'aide de la spectroscopie de transitoires de capacite (deep level transient spectroscopy) d'une part, et une etude des taux d'introduction, des profils sous la surface des couches d'alliage et de la stabilite thermique des defauts d'irradiation d'autre part, nous a permis de proposer une identification pour chacun des centres observes par comparaison avec les resultats presentes dans la litterature pour les defauts dans si, ge et sige.
Download or read book tude par photoconductivit de d fauts dans le silicium p et le silicium n dop au lithium irradi s written by Monique Cherki and published by . This book was released on 1970 with total page 156 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Implantation et d fauts d irradiation written by Société française de physique and published by . This book was released on 1973 with total page 200 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book DEFAUTS INDUITS DANS LE SILICIUM PAR LE GRAVURE PLASMA written by AMRANE.. BELKACEM and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES PROBLEMES INHERENTS A LA GRAVURE PLASMA EN GENERAL ET LES PMM EN PARTICULIER, ONT ETE ETUDIES. AU COURS DE CE TRAVAIL, NOUS AVONS MONTRE QUE LE PROFIL DE DOPAGE DES SUBSTRATS SI DE TYPE P, PERTURBE PAR L'INTRODUCTION D'HYDROGENE DURANT LA GRAVURE POUVAIT ETRE RESTAURE PAR UN SIMPLE TRAITEMENT THERMIQUE A 200C. NOUS AVONS EGALEMENT MONTRE PAR DLTS, QUE QUATRE NIVEAUX PROFONDS (DEUX DANS SI-P ET DEUX DANS SI-N) ETAIENT SYSTEMATIQUEMENT GENERES PAR CETTE OPERATION. UNE ANALYSE DETAILLEE DE CES NIVEAUX A MONTRE QUE DEUX D'ENTRE EUX SONT DUS A DES DEFAUTS D'IRRADIATION SIMPLES, ALORS QUE L'ORIGINE DES DEUX AUTRES PEUT ETRE ATTRIBUEE A UN DEFAUT COMPLEXE ASSOCIANT DEFAUT D'IRRADIATION ET CONTAMINATION PAR DES ESPECES SF#X. AFIN DE S'EN AFFRANCHIR, NOUS AVONS OPTIMISE LE PROCEDE DE GRAVURE (DETERMINATION D'UNE GAMME DE POLARISATION ENTRAINANT UNE GRAVURE S'ACCOMPAGNANT DE PEU OU PAS DE DEFAUTS). UN TRAITEMENT THERMIQUE APPROPRIE PERMET EGALEMENT DE REDUIRE SENSIBLEMENT LA CONCENTRATION DES DEFAUTS EVENTUELLEMENT PRESENTS VOIRE LES ELIMINER TOTALEMENT. PAR AILLEURS, UNE FORTE CONTAMINATION METALLIQUE A ETE OBSERVEE. UNE ANALYSE FINE DE CE TYPE DE POLLUTION A MONTRE QU'ELLE ETAIT LIEE A LA STRUCTURE MEME DES REACTEURS UTILISES ET POUVAIT ETRE CONSIDERABLEMENT ELIMINEE SINON REDUITE PAR: I) UNE AMELIORATION DE LA STRUCTURE DU REACTEUR; II) UN TRAITEMENT ADEQUAT DES PAROIS DU REACTEUR. DANS TOUS LES CAS DE FIGURE, NOUS AVONS CLAIREMENT DEMONTRE QU'UN TRAITEMENT RCA EFFECTUE APRES GRAVURE SUPPRIMAIT TOUTE POLLUTION RESIDUELLE (DEFAUTS OU CONTAMINATION METALLIQUE). ENFIN, NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE QUE LA GRAVURE PERTURBE SENSIBLEMENT LA SURFACE DU MATERIAU. CE PROBLEME A ETE RESOLU PAR L'AMELIORATION DU PROCEDE DE GRAVURE ET PAR L'UTILISATION D'UN NETTOYAGE DE SURFACE ADEQUAT
Download or read book RADECS written by and published by . This book was released on 1996 with total page 652 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Silicon written by Paul Siffert and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2013-03-09 with total page 552 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: With topics ranging from epitaxy through lattice defects and doping to quantum computation, this book provides a personalized survey of the development and use of silicon, the basis for the revolutionary changes in our lives sometimes called "The Silicon Age." Beginning with the very first developments more than 50 years ago, this reports on all aspects of silicon and silicon technology up to its use in exciting new technologies, including a glance at possible future developments.
Download or read book Optique Spatiale written by André Maréchal and published by Gordon & Breach Publishing Group. This book was released on 1974 with total page 408 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book British Journal of Applied Physics written by and published by . This book was released on 1964 with total page 1784 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book International Aerospace Abstracts written by and published by . This book was released on 1966-03 with total page 1430 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book RADECS 89 written by Jean-Pierre Charles and published by Editions de Physique. This book was released on 1989 with total page 652 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Indice bibliogr fico del Centro de Investigaci n y de Estudios Avanzados del Instituto Polit cnico Nacional de M xico written by and published by . This book was released on 1964 with total page 406 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Each issue contains five sections: 1. Matemáticas, astronomía y astrofísica, física, geología, geofísica, geodesia.--2. Ingeniería y arquitectura.--3. Química.--4. Medicina.--5. Biología, agricultura, zootecnia e industrias de la alimentación
Download or read book Effets des rayonnements sur les semiconducteurs written by and published by . This book was released on 1965 with total page 446 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Physique des semiconducteurs Radiative recombination in semiconductors written by and published by . This book was released on 1964 with total page 448 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Physics Briefs written by and published by . This book was released on 1980 with total page 1038 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
