Download or read book Croissance auto catalys e de nanofils d InP sur silicium par pitaxie par jets mol culaires en mode vapeur liquide solide written by Jean-Baptiste Barakat and published by . This book was released on 2015 with total page 217 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L’intégration monolithique de matériaux semi-conducteurs III-V sur substrat de Silicium est essentielle pour le développement de la photonique sur Silicium. L’objectif est de réaliser une micro-source optique à base d’un réseau ordonné de Nanofils (NFs) III-V (InAsP/InP) placés sur un guide d’onde Si. De par leur aptitude à relaxer les contraintes, les NFs sont d’un grand intérêt. C’est dans ce contexte que s’est déroulée cette thèse axée sur la croissance autocatalysée de NFs InP sur Silicium par épitaxie directe. Nous avons ainsi montré que la croissance auto-catalysée de NFs InP denses et verticaux dépend directement de la nature de l’oxyde de surface du substrat Si. Une distribution monomodale ou bimodale de NFs ont été achevées en fonction des conditions de formation des gouttelettes d’indium ou des paramètres de croissance. Une pression critique et une température critique ont permis de délimiter des domaines favorables à la croissance. Les propriétés optiques intrinsèques des NFs ont été déterminées suffisantes pour l’objectif visé. Enfin, des résultats sur la simulation optique et la polarisation de la lumière émise dans les NFs et le guide d’onde ont permis d’établir un cahier des charges pour la croissance des NFs verticaux sur SOI pour que le couplage/partage de leurs modes optiques soit le plus efficace possible aux longueurs d’onde télécom.

Download or read book Etude de la croissance pitaxiale par jets mol culaires des lamellaires GaSe InSe sur silicium et de ZnSe sur lamellaire written by Khalid Amimer and published by . This book was released on 1998 with total page 212 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE EST CONSACRE A LA CROISSANCE EPITAXIALE PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES (MBE) DE COUCHES LAMELLAIRES DE GASE(0001) ET INSE(0001) SUR SUBSTRATS SILICIUM ORIENTE (111) AINSI QUE ZNSE(111) SUR UNE COUCHE TAMPON DE LAMELLAIRE (GASE OU INSE) OU DIRECTEMENT SUR SILICIUM. LES CARACTERISATIONS IN-SITU ONT ETE EFFECTUEES PAR RHEED, XPS, AUXQUELLES SONT ASSOCIEES PRINCIPALEMENT DES MESURES EX-SITU DE DIFFRACTION DES RAYONS X, SPECTROSCOPIE RAMAN, MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A TRANSMISSION ET LA PHOTOLUMINESCENCE. NOUS AVONS DETERMINE LES CONDITIONS DE CROISSANCE OPTIMALES DE LAMELLAIRE (GASE, INSE) SUR SILICIUM QUI PERMETTENT D'AVOIR UNE CROISSANCE EN MONO-DOMAINE DE TAILLE DE 1000A. LA CROISSANCE EPITAXIALE DES LAMELLAIRES GASE ET INSE A ETE REALISEE SUR SUBSTRAT SI(111) AVEC UNE STRUCTURE INITIALE, PASSIVEE H-11, PASSIVEE GA-3X3R30 ET RECONSTRUITE 77. LA PRESENCE DES LIAISONS PENDANTES EN SURFACE DU SUBSTRAT DE SILICIUM N'EMPECHE PAS LA CROISSANCE DES LAMELLAIRES DE STRUCTURE 2D. L'ANALYSE DES INTENSITES DES NIVEAUX DE CUR ASSOCIES AU DEPOT ET AU SUBSTRAT PAR XPS MONTRE QUE LA CROISSANCE SE FAIT SELON UN MODE BIDIMENSIONNEL FEUILLET PAR FEUILLET AVEC UNE INTERFACE ABRUPTE ET SANS REACTIVITE CHIMIQUE APPARENTE ENTRE SI ET SE. L'ETUDE DES INTERFACES DES SYSTEMES GASE/SI ET INSE/SI EN UTILISANT LE RHEED DYNAMIQUE, IN-SITU, A MONTRE QUE LA CROISSANCE DE GASE (OU INSE) DEBUTE PAR UN DEMI-FEUILLET CONTRAINT SUR SILICIUM CE QUI DONNE UNE CROISSANCE PSEUDOMORPHE DE CE DERNIER. PAR CONSEQUENCE, IL NE S'AGIT PAS D'UNE EPITAXIE QUASI VAN DER WAALS (EQVDW). LA CROISSANCE SE POURSUIT ENSUITE PAR UNE CROISSANCE DE TYPE VAN DER WAALS AVEC DES FEUILLETS COMPLETEMENT RELAXES LATERALEMENT A LEUR PROPRE PARAMETRE DE MAILLE. NOUS AVONS ABORDE DANS LA DEUXIEME PARTIE DE CE TRAVAIL, LA CROISSANCE DU MATERIAU TRIDIMENSIONNEL ZNSE SUR UNE COUCHE EPITAXIEE DU MATERIAU ANISOTROPE DU LAMELLAIRE (GASE, INSE) OU DIRECTEMENT SUR SILICIUM. LE FILM DE ZNSE CROIT EN EPITAXIE AVEC LA COUCHE TAMPON DE LAMELLAIRE BIEN QUE LA STRUCTURE DES DEUX MATERIAUX EST DIFFERENTE. L'EXISTENCE DE RELATION D'EPITAXIE ENTRE LE LAMELLAIRE ET LE FILM ZNSE DES LES PREMIERE MONOCOUCHES MONTRE QU'IL EXISTE UNE STRUCTURE D'INTERFACE FAVORABLE A L'ACCOLEMENT D'UN MATERIAU 3D SUR UN MATERIAU 2D.

Download or read book Croissance par pitaxie par jets mol culaires de films de nitrure d aluminium sur substrats de silicium et de carbure de silicium tudi s par microscopie force atomique en mode non contact et par microscopie sonde de kelvin sous ultra vide written by Florian Chaumeton and published by . This book was released on 2015 with total page 168 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse se situe dans le cadre de l'électronique moléculaire qui vise à réaliser une unité de calcul constituée d'une molécule connectée à des électrodes mésoscopiques. La première étape est de choisir une surface qui soit isolante, afin de découpler les états électroniques de la molécule de ceux du substrat et sur laquelle il soit possible de faire croître des îlots métalliques " 2D ", permettant la connexion de la molécule à un réservoir d'électrons, tout en ayant la possibilité de l'imager en NC-AFM. Notre choix s'est porté sur le nitrure d'aluminium (AlN), en raison de sa grande énergie de bande interdite (6,2 eV) et de sa similarité avec le nitrure de gallium (GaN, 3,4 eV) sur lequel il est possible de faire croitre des îlots 2D de magnésium. Le travail de cette thèse porte sur la croissance par épitaxie par jets moléculaire de films minces d'AlN sur substrats de silicium (Si(111)) et de carbure de silicium (SiC(0001)) et leur étude in-situ par NC-AFM et KPFM sous ultra vide. Les études NC-AFM ont permis d'adapter les protocoles de croissance afin de diminuer significativement les défauts de surface des films d'AlN. Des calculs théoriques DFT ont aidé à adapter ces protocoles de croissance afin d'obtenir de façon reproductible la reconstruction de surface (2x2) de l'AlN pour laquelle la surface est terminée par des adatomes d'azote. A l'issu de cette thèse, les films d'AlN obtenus présentent des surfaces adaptées au dépôt de molécules et d'îlots métalliques.

Download or read book Nanofils de Ga AI As sur silicium pour les cellules photovolta ques de 3 me g n ration written by Abdennacer Benali and published by . This book was released on 2017 with total page 173 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les nanofils (NFs) semiconducteurs sont sujets d'un intérêt croissant depuis une vingtaine d'années pour de nombreuses applications potentielles liées à leurs propriétés optoélectroniques spécifiques. Ils présentent ainsi un intérêt particulier pour l'application photovoltaïque. En effet, l'association du fort coefficient d'absorption des semiconducteurs III-V et du bas coût des substrats de silicium permettrait de réaliser des cellules photovoltaïques à bas coût et à haut rendement. C'est dans ce contexte que s'est déroulée cette thèse qui visait deux objectifs : d'une part, la simulation RCWA (Rigorous CoupledWave Analysis) de l'absorption de la lumière dans un réseau ordonné de NFs de GaAs sur un substrat de silicium et d'autre part, la croissance auto-catalysée de NFs de GaAs par Epitaxie par Jets Moléculaires (EJM) en mode Vapeur- Liquide-Solide (VLS). La simulation RCWA a permis de déterminer les paramètres optimaux en termes de diamètre et hauteur des NFs ainsi que de la période du réseau de NFs pour avoir une absorption optimale de la lumière, en prenant en compte les couches de passivation de GaAlAs et d'ITO. L'étude de la croissance auto-catalysée des NFs de GaAs a permis de déterminer les paramètres de croissance (température, flux de Ga, flux d'As, rapport V/III, ...) optimaux pour avoir une densité, un diamètre et une hauteur de NFs verticaux corrélés aux résultats de simulation. Il a aussi été mis en évidence un rapport V/III critique à ne pas dépasser pour conduire à des NFs de structure cristalline pure Zinc-Blende. Des NFs de GaAs à jonction p-n cœur-coquille ont été produits et caractérisés par EBIC et SSRM. Enfin, nous avons démontré la faisabilité de la croissance auto-catalysée de NFs de GaAlAs sur substrat Si par EJM-VLS.