Download or read book CONTRIBUTIONS A L ETUDE THEORIQUE DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE ET DE LA SPECTROSCOPIE DANS LES ALLIAGES SEMICONDUCTEURS written by ABDOUL AZIZ.. M'BAYE and published by . This book was released on 1984 with total page 151 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DES EFFETS DU DESORDRE STATISTIQUE D'ALLIAGE SUR LA STRUCTURE ELECTRONIQUE ET SUR LES SPECTRES DES QUASIPARTICULES SPATIALEMENT ETENDUES (QSE) DANS LES ALLIAGES SEMICONDUCTEURS. DEVELOPPEMENT D'UNE THEORIE D'ALLIAGE CAPABLE DE DECRIRE LES EFFETS DU DESORDRE MESURES PAR UNE QSE. DEVELOPPEMENT D'UN SCHEMA D'INTERPOLATION DU POTENTIEL D'ALLIAGE PRENANT EN COMPTE LES EFFETS INTRINSEQUES (STRUCTURAUX OU DE VOLUME) ET EXTRINSEQUES LIES AU DESORDRE

Download or read book Contribution l tude th orique de la structure lectronique de quelques semi conducteurs organiques lin aires antiferromagn tiques written by Michel Dugay and published by . This book was released on 1974 with total page 146 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: FONCTIONS D'ONDE. PROPRIETES MAGNETIQUES: ENERGIE DE RENVERSEMENT D'UN SPIN. PROPRIETES ELECTRIQUES; LARGEUR DE BANDE INTERDITE; STRUCTURE DE BANDE, CONDUCTIVITE ELECTRIQUE. EFFETS ANISOTROPES; FORME DES SIGNAUX DE RPE; EVOLUTION VERS L'ETAT METALLIQUE

Download or read book Contribution l tude th orique de la structure lectronique du fer cobalt et nickel dans les semiconducteurs II VI written by Wafaa Khattou and published by . This book was released on 1996 with total page 188 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJET DE CE TRAVAIL EST L'ETUDE THEORIQUE DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DU FER, COBALT ET NICKEL DANS LES SEMI-CONDUCTEURS II-VI. DANS UN PREMIER TEMPS NOUS AVONS PRESENTE LES MODELES CLASSIQUES BASES SUR L'APPROXIMATION MOLECULAIRE TELS QUE LA THEORIE DU CHAMP CRISTALLIN ET LA THEORIE DU CHAMP DU LIGAND. CES MODELES BIEN QU'ILS ARRIVENT A OBTENIR DES RESULTATS SATISFAISANTS QUANT AUX EXPERIENCES D'ABSORPTION, SONT INCAPABLES DE DECRIRE DANS LEUR ENSEMBLE LES SPECTRES DE PHOTOEMISSION. DANS UN DEUXIEME TEMPS NOUS AVONS EXPLICITE LE MODELE SUR LEQUEL NOUS AVONS BASE NOTRE ETUDE: LE MODELE D'INTERACTION DE CONFIGURATIONS. CE MODELE EST UTILISE EN LIAISON AVEC LE HAMILTONIEN D'IMPURETE D'ANDERSSON. IL TIENT COMPTE DES ETATS EXCITES EN SUPERPOSANT A LA CONFIGURATION DE BASE COMPLETEMENT IONIQUE CELLE DES ETATS DIT DE TRANSFERT DE CHARGE OBTENUS PAR TRANSFERT D'ELECTRONS DES LIGANDS VERS LE METAL DE TRANSITION. DANS NOTRE ETUDE NOUS MODELISONS LE CRISTAL PAR UN CLUSTER CONSTITUE DU METAL DE TRANSITION ENTOURE DE CES QUATRE PREMIERS VOISINS (COORDINATION TETRAEDRIQUE). LES PARAMETRES AJUSTABLES DU MODELE SONT: L'ENERGIE DE TRANSFERT DE CHARGE, LES INTEGRALS DE TRANSFERT, LE PARAMETRE DU CHAMP CRISTALLIN ET L'ENERGIE DE MOTT-HUBBARD. CES PARAMETRES SONT OBTENUS PAR COMPARAISON DES SPECTRES D'ABSORPTION ET PHOTOEMISSION THEORIQUES ET EXPERIMENTAUX. ET ENFIN, NOUS AVONS ETUDIE L'EVOLUTION DES PARAMETRES DU MODELE AVEC LA NATURE DU COMPOSE AINSI QUE LA DETERMINATION DES CONSTANTES D'ECHANGE

Download or read book Contribution l tude th orique de la structure lectronique des tats D dans les semiconducteurs semimagn tiques base de mangan se written by Moncef Boukadoum and published by . This book was released on 1996 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE D ALLIAGES ORDONNES ET DE LEURS COMPOSES D INSERTION ET DE SUBSTITUTION written by EDUARDO.. RODRIGUEZ ALVAREZ and published by . This book was released on 1995 with total page 161 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST UNE CONTRIBUTION A L'ETUDE THEORIQUE PAR DES METHODES AB-INITIO (A.P.W., L.M.T.O.) DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE D'ALLIAGES INTERMETALLIQUES ORDONNES (FEAL, RUAL, OSAL, TI#3AL, ZRCO, ZRNI, TINI) ET LEURS COMPOSES D'INSERTION (TI#3ALC, TI#3ALH, ZRCOH#3, ZRNIH#3, TINIH) OU DE SUBSTITUTION (TI#2ALNB). L'OBJECTIF A ETE D'OBTENIR DES INFORMATIONS SUR LES PROPRIETES A L'ENERGIE DE FERMI, LA NATURE DE LA LIAISON CHIMIQUE ENTRE ELEMENTS CONSTITUTIFS, LA STABILITE, LA RIGIDITE DE CES MATERIAUX POUR LES ALUMINIURES BINAIRES DES ELEMENTS DE TRANSITION DE LA HUITIEME COLONNE DE LA CLASSIFICATION PERIODIQUE, NOUS MONTRONS L'EXISTENCE D'UNE SYSTEMATIQUE DANS L'EVOLUTION DE LA LIAISON CHIMIQUE, DES DENSITES D'ETATS, DE LA TOPOLOGIE DES SURFACES DE FERMI ET DE LA RIGIDITE EN FONCTION DU NUMERO ATOMIQUE DE L'ELEMENT DE TRANSITION. POUR LES ALLIAGES ZRCO, ZRNI ET TINI DONT LES CAPACITES D'ABSORPTION D'HYDROGENE SONT IMPORTANTES, NOUS MONTRONS LES MODIFICATIONS PROFONDES DE LA BANDE DE CONDUCTION DE L'INTERMETALLIQUE DUES A L'ABSORPTION D'HYDROGENE. CES MODIFICATIONS RESULTENT DU GONFLEMENT DE LA MAILLE, DU CHANGEMENT EVENTUEL DE STRUCTURE CRISTALLOGRAPHIQUE ET SURTOUT DE L'INTERACTION METAL HYDROGENE. POUR TI#3AL, NOUS AVONS ETUDIE LES MODIFICATIONS ASSOCIEES A LA FORMATION DES COMPOSES D'INSERTION (TI#3ALC, TI#3ALH) ET DE SUBSTITUTION (TI#2ALNB). POUR L'HYDRURE, NOUS MONTRONS LES FACTEURS CONTROLANT L'OCCUPATION PREFERENTIELLE DES SITES INTERSTITIELS OCTAEDRIQUES DANS LES PLANS DE TITANE ET LA CAPACITE MAXIMUM D'ABSORPTION EN HYDROGENE. POUR LE CARBURE, L'ACCROISSEMENT DE LA RIGIDITE EST ATTRIBUEE A LA LIAISON COVALENTE ENTRE LES ORBITALES P DU CARBONE ET D DU TITANE. LA SUBSTITUTION D'UN TITANE PAR UN NIOBIUM PROVOQUE UNE DIMINUTION DE L'HYBRIDATION ENTRE LES ETATS P DE L'ALUMINIUM ET D DES ELEMENTS DE TRANSITION QUI POURRAIT ETRE RESPONSABLE DES MEILLEURES PROPRIETES MECANIQUES DE TI#2ALNB

Download or read book STRUCTURE ELECTRONIQUE DES ALLIAGES SEMI CONDUCTEURS A SI 1 XSN X ET A SI 1 XGE X written by ILEANA.. ARDELEAN and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DES ALLIAGES SEMICONDUCTEURS A-SISN, A-SIGE: H A ETE ETUDIE PAR SPECTROSCOPIE D'EMISSION ET D'ABSORPTION X ET PAR SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS. DES INFORMATIONS SUR L'EVOLUTION DES ETATS DE VALENCE ET DE CONDUCTION EN FONCTION DE LA COMPOSITION ET DES CONDITIONS DE DEPOT ONT ETE OBTENUS. DANS LE CAS DE L'ALLIAGE A-SISN NOUS MONTRONS QUE LA DIMINUTION DE LA LARGEUR DE LA BANDE INTERDITE LORSQUE LA CONCENTRATION EN SN AUGMENTE RESULTE DU DEPLACEMENT DU BORD DE LA BANDE DE CONDUCTION VERS LE NIVEAU DE FERMI. LA DISTRIBUTION 3P DE VALENCE EST FORTEMENT MODIFIEE PAR RAPPORT A CELLE DU SI PUR ET PRESENTE 2 PICS NETTEMENT SEPARES QUE NOUS ATTRIBUONS A DEUX TYPES D'HYBRIDATION SP#3 ET SP#3D#2. NOUS MONTRONS QUE LA DENSITE D'ETATS LOCALISES PROCHES DES BORDS DE BANDE AUGMENTE, LORSQUE X#S#N CROIT, CE QUI CONTRIBUE A LA DEGRADATION DES PROPRIETES OPTO-ELECTRONIQUES DE CES ALIAGES. POUR L'ALLIAGE A-SIGE: H NOS RESULTATS MONTRENT QUE LA DIMINUTION DE LA LARGEUR DE LA PSEUDO BANDE INTERDITE LORSQUE LE GE EST INCORPORE DANS LE RESEAU DU SI AMORPHE PROVIENT ESSENTIELLEMENT DU DEPLACEMENT DU BORD DE LA BANDE DE VALENCE VERS LE NIVEAU DE FERMI. LA DISTRIBUTION 3P DE VALENCE GARDE SENSIBLEMENT LA MEME FORME QUE DANS LE SI PUR ET LE BORD DE FAIBLE ENERGIE DE LIAISON CONSERVE LA MEME PENTE. NOUS MONTRONS QUE LE BAS DE LA BANDE DE CONDUCTION COMPORTE A LA FOIS LES ETATS VIDES P DU SI ET SD DU GE. LORSQUE X#G#E AUGMENTE, LE BORD DE BANDE RESTE A LA MEME ENERGIE MAIS IL DEVIENT PLUS ETALE: NOUS ATTRIBUONS CET ETALEMENT A UNE AUGMENTATION PROGRESSIVE DU DESORDRE

Download or read book Contribution l tude des spectres optiques des semi conducteurs en pr sence d une impuret substitutionnelle iso lectronique written by Abdelkrim Chetouane and published by . This book was released on 1987 with total page 250 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans ce mémoire nous avons étudié les modifications du spectre optique dues au désordre créé dan s le corps pur par l'introduction d'une impureté subtitutionnelle isoéléctronique de faible concentration. L'intérêt de ce travail est d'avoir accès, d'une part, à des points de symétrie de la zone de Brillouin et d'autre part de donner une interprétation simple et complète des spectres optiques des alliages dilués. En effet, la présence d'impureté induit de nouvelles structures dans le spectre optique par suite de la rupture de la périodicité du réseau. Au départ nous disposons du formalisme de la constante diélectrique de Parlebas et Mills valable dans le cas des métaux et des isolants. Nous avons étendu ce modèle à une étude d'un semi-conducteur binaire à bandes multiples. Cette étude à tout d'abord été testée dans le cas d'une chaine linéaire diatomique. Dans le cas tridimensionnel, nous avons considéré un semi-conducteur de type Nacl à deux bandes indépendantes. L'étude des spectres différentiels a permis de montrer que l'impureté crée des structures supplémentaires et manquantes dues soit à des transitions directes ou des transitions indirectes. Nous avons montré que l'activation de ces transitions trouve son origine dans la structure électronique de l'alliage. De plus, nous avons appliqué le calcul de la constante diélectrique au système "4f" (en prenant une des deux bandes non dispersive) de Terre-rare. Cette étude permet une interprétation qualitative des spectres d'absorption dans des systèmes de Terre-rare, commeSMS, lors de la transition semi-conducteur métallique

Download or read book Contribution l tude des propri t s lectroniques des alliages semi conducteurs Tel xSex en phase liquide written by Jean-Claude Perron and published by . This book was released on 1969 with total page 166 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Contribution l tude des surfaces et interfaces m tal semiconducteur Ag Si Au Si par spectroscopie de pertes d nergies d lectrons lents haute r solution written by Rino Contini and published by . This book was released on 1986 with total page 142 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CONTRIBUTION A L'ETUDE DES EXCITATIONS ELECTRONIQUES DE SURFACE ET INTERFACE METAL/SEMICONDUCTEUR. L'ETUDE EST REALISEE PAR SPECTROMETRIE DE PERTE D'ENERGIE D'ELECTRONS LENTS A HAUTE RESOLUTION, DIFFRACTION ELECTRONIQUE ET SPECTROMETRIE AUGER. ETUDE EXPERIMENTALE ET THEORIQUE DE LA DISPERSION DES PLASMONS D'INTERFACE DU SYSTEME AG/SI. ELABORATION D'UN MODELE DE CROISSANCE DE L'INTERFACE AU/SI, D'APRES L'EVOLUTION DE LA PERTE D'ENERGIE EN FONCTION DE L'EPAISSEUR D'OR

Download or read book Contribution l tude des propri t s de transport lectronique de m taux alliages m talliques et compos s semiconducteurs l tat liquide written by Hamid Halim and published by . This book was released on 1991 with total page 10 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le travail porte sur les mesures de résistivité et de pouvoir thermoélectrique d'alliages métalliques à l'état liquide afin de mettre en évidence les différences propres à trois catégories d'alliages en fonction de la composition et des éléments constitutifs. L'analyse des résultats est conduite à partir des premiers principes relatifs aux équations de transport électronique et à la structure de l'état liquide. Dans le premier chapitre, nous exposons les équations et les approximations qui permettent de résoudre l'équation de Boltzmann lorsque l'on connaît les positions atomiques moyennes des atomes dans le liquide et le champ perturbateur dans lequel évoluent les électrons libres ou semi-libres. Les dispositifs expérimentaux développés dans ce travail sont mis en oeuvre dans les chapitres 2 et 3 : cellule en silice fondue et nacelle en alumine. Les chapitres 4 à 6 sont consacrés respectivement à l'analyse des résultats expérimentaux (résistivité puis pouvoir thermoélectrique) des alliages métalliques ; étain-bismuth, manganèse-indium et des composés semiconducteurs ; silicium-tellure à l'état liquide. Pour l'alliage étain-bismuth, nous avons mis en évidence une importante anomalie dans la dérivée expérimentale de la résistivité en fonction de la température vers une concentration d'environ 60% en bismuth. Ce résultat n'est pas confirmé par la théorie de type Faber-Ziman si l'on admet une distribution atomique de type sphères dures dans l'alliage. Nous nous sommes également intéressés dans le chapitre 5 à un composé representant des caractéristiques semiconductrices à l'état liquide (Si-Te). Nous avons déterminé l'énergie d'activation à partir de la variation de température de la résistivité et du pouvoir thermoélectrique. Dans le chapitre 6, nous avons pu montrer pour l'alliage manganèse-indium que la formule de Faber-Ziman étendue (avec les déphasages) donne de meilleurs résultats [...]

Download or read book Contribution l tude de la structure lectronique des m taux de transition et de leurs alliages written by François Ducastelle and published by . This book was released on 1972 with total page 147 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DE QUELQUES PROPRIETES DES METAUX DE TRANSITION (ENERGIE DE COHESION, STABILITE DES STRUCTURES CRISTALLINES, MODULES ELASTIQUES) PAR UNE METHODE BASEE SUR LE CALCUL DES PREMIERS MOMENTS DE LA DENSITE D'ETAT DANS LE CADRE DE L'APPROXIMATION DES LIAISONS FORTES. BON ACCORD AVEC LES RESULTATS EXPERIMENTAUX. ETUDE DES ALLIAGES DESORDONNES DE METAUX DE TRANSITION A L'AIDE DE GENERALISATIONS DE L'APPROXIMATION DU POTENTIEL COHERENT. ON OBTIENT QUELQUES NOUVELLES APPROXIMATIONS QUE L'ON ETUDIE DANS LES CAS LIMITES: ALLIAGE DILUE, LIMITE DU CRISTAL VIRTUEL, LIMITE ATOMIQUE

Download or read book Contribution l tude de la structure lectronique des alliages dilu s de m taux de transition written by Claude Demangeat and published by . This book was released on 1973 with total page 366 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ON UTILISE UNE THEORIE A UN ELECTRON. CALCUL DES ETATS D'IMPURETE EN TENANT COMPTE DE LA STRUCTURE DE BANDE DE LA MATRICE. INTERPRETATION DE CERTAINS RESULTATS EXPERIMENTAUX (EFFET DE PERIODE, CHALEUR MASSIQUE, PAIRE D'IMPURETES ISOLEES,*). DISCUSSION DES EFFETS LIES A L'EXTENSION DE L'ECRAN POUR DES IMPURETES QUI EXTRAIENT UN ETAT LIE VIRTUEL DES BANDES D. PRESENTATION D'UN CALCUL DE L'ENERGIE D'INTERACTION LACUNE-IMPURETE. CAS DU NICKEL

Download or read book Etude th orique de la structure lectronique des mat riaux quasicristallins written by Guy Trambly de Laissardière (physicien et prêtre).) and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les quasicristaux sont des solides ordonnes presentant une coherence orientationnelle a longue distance sans periodicite de translation. Leurs proprietes electroniques sont spectaculaires. Par exemple, la phase alpdre presente une resistivite de semi-conducteur (> 10 ohm.cm a 4 k), bien que sa densite d'etats au niveau de fermi soit environ 1/10 de celle de l'aluminium pur. Une etude numerique de plusieurs alliages intermetalliques a base d'aluminium et d'approximants realistes de quasicristaux a permis de degager deux caracteristiques essentielles de leur structure electronique: un creusement important de la densite d'etats au niveau de fermi par rapport aux electrons libres, ce qui est attendu pour les alliages de hume-rothery, et une structure tres piquee dans la densite d'etats. Cette derniere propriete, specifique des quasicristaux, a ete correlee avec les proprietes de transport electroniques. Le role des metaux de transition a ete etudie par une generalisation du modele de l'etat lie virtuel en tenant compte de la specificite de ces alliages. Nous presentons, entre autre, une explication de la valence negative apparente des metaux de transition qui est evoquee depuis longtemps dans les intermetalliques. En outre, cette etude montre que les metaux de transition jouent un role important dans le creusement de la densite d'etats au niveau de fermi. Dans le cadre de la theorie de la diffusion, nous analysons la localisation des electrons par un agregat atomique dans une matrice metallique. Cette etude montre l'existence d'etats lies virtuels d'agregats qui peuvent expliquer la structure piquee de la densite d'etats et sont coherents avec la notion d'etats critiques generalement consideres pour decrire le spectre electronique des pavages quasiperiodiques. Cependant, la stabilite des agregats n'est pas due a cette localisation car leur energie de cohesion est la somme d'interactions de paires. Cela renforce l'image des quasicristaux comme des alliages de hume-rothery.

Download or read book Contribution l tude des propri t s de transport lectronique d alliages semiconducteurs liquides Cd Te Zn Te written by Ali Ben Moussa and published by . This book was released on 2000 with total page 26 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Nous nous sommes proposés d'apporter une contribution à l'étude des propriétés de transport électronique d'alliages semiconducteurs liquides (Cd-Te, Zn-Te). Nous avons présenté de nouvelles mesures de la résistivité électrique (ρ) et du pouvoir thermoélectrique absolu (S) du tellure, du cadmium, du zinc liquide ainsi que de leurs alliages liquides (CdxTe1-x et ZnxTe1-x) en fonction de la température. Nous avons mis au point un nouveau dispositif et une nouvelle cellule en silice qui nous a permis d'effectuer des mesures jusqu'à 1350 degrés Celcius. Nos travaux ont porté, dans un premier temps, sur l'étude du tellure liquide qui présente une dépendance en température de ses propriétés électroniques inhabituelle. L'etude du cadmium et du zinc liquide à très hautes températures, nous a permis d'observer le comportement surprenant du PTA, qui augmenté à basse température puis diminué à plus haute température. Pour interpréter les résultats expérimentaux, nous avons utilisé une méthode ab initio du calcul de la résistivité [ρ(E)] et du PTA [S(E)] en fonction de l'énergie. Différents potentiels ont été construits basés sur la théorie de la fonctionnelle de la densite (DFT) qui prend en compte les effets d'échanges et de corrélations entre électrons. Nous nous sommes ensuite intéressés à l'étude des alliages Cd-Te et Zn-Te liquides. En phase solide, les alliages etudiés sont des semiconducteurs. il était intéressant d'examiner si la semiconductibilité persiste à l'état liquide et de considérer la variation de la largeur de la bande interdite (gap). Pour interpréter nos résultats expérimentaux, nous avons introduit le modèle récent d'Enderby et Barnes basé sur les formules de Kubo-Greenwood. D'un point de vue qualitatif et quantitatif, l'accord entre la théorie et nos résultats expérimentaux nous a permis de mettre en évidence le caractère semiconducteur de ces alliages liquides proche de la composition équiatomique et ce bien au-delà de leurs points de fusion respectifs

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE THEORIQUE DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DES ATOMES DANS UN ESPACE A COURBURE CONSTANTE POSITIVE written by Riad Shamseddine and published by . This book was released on 1984 with total page 150 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE THEORIQUE DES EFFETS INDUITS PAR L'INTRODUCTION D'UNE COURBURE DE L'ESPACE DANS LES CALCULS DE STRUCTURE ELECTRONIQUE. EN PARTANT D'UNE FORMULATION COVARIANTE DE L'EQUATION DE DIRAC DANS UN ESPACE A COURBURE CONSTANTE POSITIVE, ETABLISSEMENT DE L'EQUATION DE PAULI CONTENANT LES FORMES "COURBEES" DES TERMES D'INTERACTION ELECTROMAGNETIQUE DE L'HAMILTONIEN DE L'ATOME HYDROGENOIDE. OBTENTION DES ANALOGUES COURBES DU DEVELOPPEMENT MULTIPOLAIRES DU TERME D'INTERACTION BIELECTRONIQUE ET, PAR LA METHODE DES OPERATEURS D'ECHELLE, DES ORBITALES ATOMIQUES (RELATIVISTES OU NON) D'UN MODELE A PARTICULES INDEPENDANTES. APPLICATION AU CALCUL DES ENERGIES ELECTRONIQUES DES ETATS FONDAMENTAUX DE HE ET LI; VARIATION DES NIVEAUX ELECTRONIQUES, FINS ET HYPERFINS EN FONCTION DES NOMBRES QUANTIQUES: LES DEPLACEMENTS SONT PROPORTIONNELS A N**(4) LEVEE DE DEGENERESCENCE EN L DES NIVEAUX DE LA STRUCTURE FINE "PLANE

Download or read book Spectroscopie diff rentielle des semiconducteurs written by Jean Camassel and published by . This book was released on 1974 with total page 190 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: EN COMBINANT DES MESURES DE PIEZOREFLECTANCE ET DE PIEZOTRANSMISSION, ON OBTIENT DES INFORMATIONS NOUVELLES SUR LES NIVEAUX D'IMPURETES DE GASB, CDTE, SNTE ET ZNSE. ON DETERMINE AVEC PRECISION LA VALEUR DU SEUIL FONDAMENTAL DES QUATRE PRINCIPAUX COMPOSES II-VI A 300**(O)K. ETUDE THEORIQUE ET EXPERIMENTALE DE LA VARIATION DE LA BANDE INTERDITE FONDAMENTALE DES SEMICONDUCTEURS CUBIQUES EN FONCTION DE LA TEMPERATURE

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE ET DES PROPRIETES SPECTROSCOPIQUES DE QUELQUES SYSTEMES DE TERRES RARES A VALENCE INSTABLE written by Yahia Hammoud and published by . This book was released on 1986 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE SPECTROSCOPIQUE DES COMPOSES LAPD::(3), CEPD::(3) ET DU CERIUM SOUS PRESSION EN UTILISANT LE MODELE D'ANDERSON DEGENERE DANS LA LIMITE DE GRANDE DEGENERESCENCE DE L'ETAT "F". RELATION ENTRE LA PHOTOABSORPTION L::(3) ET LA PHOTOEMISSION DE COEUR. ANALYSE DU ROLE DES DIFFERENTS ETATS FINAUX DANS LE COMPORTEMENT DES SPECTRES L::(3) ET DE PHOTOEMISSION DE COEUR. ETUDE DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DES ALLIAGES SMSA (A=O, SE, TE...) ET EU::(1)2-::(X)SM::(X)SE (X