Download or read book Contribution la mod lisation et au d veloppement de techniques de test et d analyse dynamiques de circuits int gr s par faisceau laser puls written by Alexandre Douin and published by . This book was released on 2008 with total page 176 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail présente le développement de techniques de test et d’analyse optiques dynamiques des circuits intégrés par faisceau laser impulsionnel. Le contexte de l’étude est présenté par une revue de la littérature des techniques de test et d’analyse optiques utilisées dans le domaine de la microélectronique. Une étude sur l’influence de la durée d’impulsion laser sur la signature photoélectrique a été menée par simulation physique. L’utilisation d’impulsions laser ultracourtes a été ainsi mise en exergue. Deux techniques expérimentales (PULS et TRLS) de test et d’analyse des circuits intégrés par impulsions laser ultracourtes ont été développées et caractérisées. Un large panel de circuits de synchronisation a été étudié pour améliorer la résolution temporelle de la technique TRLS. Les deux techniques PULS et TRLS ont été validées par différentes analyses effectuées sur des circuits numériques.

Download or read book Contribution au d veloppement de techniques de stimulation laser dynamique pour la localisation de d fauts dans les circuits VLSI written by Amjad Deyine and published by . This book was released on 2011 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'objectif principal du projet est d'étudier les techniques d'analyses de défaillances des circuits intégrés VLSI basées sur l'emploi de laser. Les études ont été effectuées sur l'équipement à balayage laser MERIDIAN (DCGSystems) et le testeur Diamond D10 (Credence) disponible au CNES. Les travaux de thèse concernent l'amélioration des techniques dynamiques dites DLS comme « Dynamic Laser Stimulation ». Les techniques DLS consistent à perturber le fonctionnement d'un circuit intégré défaillant par effet photoélectrique ou effet photothermique, en fonctionnement dynamique, à l'aide d'un faisceau laser continu balayant la surface du circuit. Un faisceau laser modulé avec des impulsions supérieures à la nanoseconde et de façon synchrone avec le test électrique à l'aide d'un signal TTL peut être également avantageusement utilisé pour localiser des défauts non accessibles par des techniques purement statiques (OBIRCh, OBIC etc.). L'analyse de la réponse des paramètres électriques à la perturbation laser conduit à une identification de l'origine de la défaillance dynamique. L'optimisation des techniques DLS actuelles permet d'augmenter le taux de succès des analyses de défaillance et d'apporter des informations difficilement accessibles jusqu'alors, qui permettent la détermination de la cause racine de la défaillance.Dans un premier temps, le travail réalisé a consisté en l'amélioration du processus d'analyse des techniques DLS par l'intégration étroite avec le test de façon à observer tout paramètre électrique significatif lors du test DLS. Ainsi, les techniques de « Pass-Fail Mapping » ou encore les techniques paramétriques de localisation de défauts ont été implémentées sur le banc de test constitué du Meridian et du D10. La synchronisation du déroulement du test opéré par le testeur avec le balayage laser a permis par la suite d'établir des méthodologies visant à rajouter une information temporelle aux informations spatiales. En effet, en utilisant un laser modulé nous avons montré que nous étions capable d'identifier avec précision quels sont les vecteurs impliqués dans le comportement défaillant en modulant l'éclairement du faisceau laser en fonction de la partie de la séquence de test déroulée. Ainsi nous somme capable de corréler la fonction défaillante et les structures du CI impliquées. Cette technique utilisant le laser modulé est appelée F-DLS pour « Full Dynamic Laser Stimulation ». A l'inverse, nous pouvons connaitre la séquence de test qui pose problème, et par contre ne pas connaitre les structures du CI impliquées. Dans l'optique de rajouter cette l'information, il a été développé une technique de mesure de courant dynamique. Cette technique s'est avérée efficace pour obtenir des informations sur le comportement interne du CI. A titre d'exemple, prenons le cas des composants « latchés » où les signaux sont resynchronisés avant la sortie du composant. Il est difficile, même avec les techniques DLS actuelles, d'avoir des informations sur une dérive temporelle des signaux. Cependant l'activité interne du composant peut être caractérisée en suivant sur un oscilloscope l'évolution du courant lorsque le circuit est actif, sous la stimulation laser. L'information sur la dérive temporelle peut être extraite par observation de cette activité interne.Enfin, ces techniques de stimulation laser dynamique, ont également prouvé leur efficacité pour l'étude de la fiabilité des CI. La capacité de ces techniques à détecter en avance d'infimes variations des valeurs des paramètres opérationnels permet de mettre en évidence l'évolution des marges de ces paramètres lors d'un processus de vieillissement accéléré. L'étude de l'évolution de la robustesse des CI face aux perturbations externes est un atout majeur qu'apportent les techniques DLS à la fiabilité.Les méthodologies développées dans cette thèse, sont intégrées dans les processus d'analyse et de caractérisation de CI au laboratoire.

Download or read book D veloppement d un outil de pr diction du comportement d un circuit int gr sous impact laser en technologie CMOS written by Catherine Godlewski and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail porte sur l'analyse et l'étude du comportement de circuits intégrés en technologie CMOS soumis à un impact laser. Une méthodologie d'implémentation d'un impact laser a été développée et améliorée. Ainsi, elle est applicable à n'importe quelle description électrique d'un circuit CMOS, qu'il soit digital ou analogique. Ce procédé est conçu pour permettre aux concepteurs de circuits intégrés pouvant être soumis à des attaques laser, de tester leur circuit en simulation avant leur fabrication et de démontrer leur robustesse.Notre étude s'est focalisée sur le développement d'un outil de simulation intégrant un modèle électrique de l'impact laser sur les transistors MOS afin de reproduire de façon qualitative le comportement du circuit face à un impact laser (attaque semi-invasive en face arrière du circuit), et ce quelques soient ses propriétés physiques.Une première partie d'état de l'art est consacrée à la synthèse des différentes attaques sur circuits sécurisées que l'on peut rencontrer dans le domaine de la microélectronique, telles que les attaques semi-invasives, non invasives ou invasives par exemple. Une seconde partie théorique dédiée à l'interaction laser-silicium au niveau physique nous permet d'étudier les différents acteurs mis en jeu (propriétés physiques du laser - puissance, diamètre et profil du faisceau), avant de les importer comme paramètres dans le domaine électrique.Cette étude se poursuit alors par l'élaboration d'un modèle électrique et d'une méthodologie de simulation dont le but est de permettre de reproduire le comportement de n'importe quel circuit impacté par un laser. Le flot de modélisation passe ainsi en revue l'ensemble des paramètres contrôlables en entrée, qu'il s'agisse des propriétés physiques du laser, traduites dans le domaine électrique, ou encore de la réalité géométrique du circuit impacté, quel que soit sa complexité. Par ailleurs, la flexibilité de cette approche permet de s'adapter à toute évolution du modèle de l'impact laser en lui-même. Il est ainsi possible de simuler un impact intégrant ou non tout ou partie des phénomènes parasites déclenchés par le photocourant. Enfin, il couvre aussi bien des analyses de comportement dans le domaine statique, que dans celui temporel, où la durée d'impulsion du laser prend toute son importance.Afin de démontrer la cohérence de cette méthodologie face à nos attentes théoriques, le comportement de transistors NMOS, PMOS et un inverseur CMOS ont été étudiés au niveau simulation. Cette étude préliminaire nous a permis de calibrer et de valider notre modèle et sa méthodologie d'utilisation avec la théorie attendue: création d'un photocourant proportionnel au potentiel appliqué sur la jonction de drain et couplé au potentiel photoélectrique ainsi qu'à la surface impactée, déclenchement des bipolaires parasites latéraux, etc.... L'analyse sur un inverseur CMOS bufférisé ou non nous donne encore plus d'informations quant aux analyses dynamiques ou statiques : un impact sur un état statique (0 ou 1) ne peut entraîner que des fautes fonctionnelles, alors qu'un impact sur une transition ralentit ou accélère le signal en sortie, au risque de générer une faute fonctionnelle.Enfin, l'étude de différents circuits complexes sur silicium face à plusieurs types de faisceau laser nous a permis de confronter notre méthodologie à la mesure. Une chaîne d'inverseurs, une bascule de type D, et un circuit de verrouillage ont ainsi été impactés. Les résultats observés en simulation sont cohérents avec la mesure, notamment du point de vue comportemental et fonctionnel.

Download or read book D veloppement et application de techniques d analyse par stimulation dynamique laser pour la localisation de d fauts et de diagnostic de circuits int gr s written by Kevin Sanchez and published by . This book was released on 2007 with total page 160 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L’utilisation croissante de la microélectronique et ses évolutions technologiques permanentes rendent la fabrication des circuits intégrés de plus en plus difficile, complexe et coûteuse. Le maintien des niveaux de rendement et de qualité passe en partie par la mise en œuvre de laboratoires d’analyses de défaillances performants et adaptés. Le travail présenté s’inscrit dans ce cadre et traite de l’évolution des techniques d’analyses par stimulation laser, utilisées pour injecter au cœur des circuits intégrés une petite quantité d’énergie perturbatrice. Ce travail présente l’évolution et le développement de ces techniques dans le cas de circuits intégrés activés dynamiquement. La mesure de diverses variations électriques en synchronisme avec le balayage laser permet alors d’identifier des zones de sensibilité et d’isoler un grand nombre d’anomalies et de défauts. Les différentes interactions laser – circuit intégré en mode statique et dynamique sont abordées avant d’exposer le développement et l’application de ces techniques au travers de validations expérimentales et d’applications industrielles.

Download or read book D veloppement et applications de techniques laser impulsionnelles pour l analyse de d faillance des circuits int gr s written by Emeric Faraud and published by . This book was released on 2012 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les techniques de localisation de défauts basées sur la stimulation laser restent aujourd'hui les techniques parmi les plus avancées qui existent. Elles permettent la stimulation thermique ou photoélectrique de façon très localisée sans contact physique. Les travaux dans ce mémoire sont consacrés au développement et à l'application de techniques d'analyse par faisceau laser impulsionnelles destinées à l'analyse des circuits intégrés. Le développement matériel et les investigations de méthodologies d'analyse ont été portés par la motivation du projet MADISON (Méthodes d'Analyse de Défaillances Innovantes par Stimulation Optique dyNamique), qui a pour but d'augmenter le taux de succès des analyses des circuits complexes VLSI par stimulation laser. L'utilisation de systèmes optiques très performants comprenant des sources laser impulsionnelles fibrées nous a permis d'explorer les capacités en termes d'analyse par stimulation laser photoélectrique impulsionelle. Une étude originale de l'étude du phénomène Latchup a montré une augmentation de la résolution latérale avec l'utilisation du processus d'absorption non linéaire.

Download or read book Contribution l tude de l interaction entre un faisceau laser et un milieu semiconducteur written by Pascal Fouillat (professeur d'électronique) and published by . This book was released on 1990 with total page 213 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: UNE MODELISATION APPROFONDIE DE L'INTERACTION LASER-SEMICONDUCTEUR PERMET L'ETUDE DE L'INFLUENCE DES PARAMETRES PHYSIQUES ET TECHNOLOGIQUES SUR L'EFFET PHOTOELECTRIQUE INDUIT. LES RESULTATS EXPERIMENTAUX SUR LA LOCALISATION ET LA CARACTERISATION DES STRUCTURES BIPOLAIRES PARASITES INHERENTES A LA TECHNOLOGIE CMOS SONT CONFIRMES SIMULATION ELECTRIQUE. UNE SECONDE APPLICATION DEMONTRE LA FAISABILITE D'UNE ANALYSE D'ETATS LOGIQUES INTERNES SANS CONTACT DANS LES CIRCUITS INTEGRES. LE BANC DE TEST PAR FAISCEAU LASER EST COMPARE AUX AUTRES TECHNIQUES DE TEST SANS CONTACT ET SES PERSPECTIVES D'EVOLUTION SONT EVALUEES

Download or read book Test par faisceau d lectrons et analyse d images written by Jean-Philippe Pierrel and published by . This book was released on 1992 with total page 516 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PORTE SUR L'ETUDE ET LA MISE EN UVRE D'UN SYSTEME INDUSTRIEL D'ANALYSE DE DEFAILLANCES DE CIRCUITS INTEGRES, EN L'ABSENCE DE DONNEES DE CONCEPTION, ET BASE SUR LE TEST PAR FAISCEAU D'ELECTRONS. LE PRINCIPE CONSISTE A COMPARER LES INFORMATIONS ELECTRIQUES (IMAGES STROBOSCOPIQUES ET COURBES) ISSUES DU COMPOSANT DEFAILLANT A CELLES D'UN CIRCUIT DE REFERENCE. LE DEVELOPPEMENT DE CES TECHNIQUES DE TEST A NECESSITE L'AUTOMATISATION DES PROCEDURES D'ACQUISITION. POUR RESOUDRE LE PROBLEME MAJEUR DE LA PROCEDURE DE COMPARAISON, A SAVOIR LE RECYCLAGE SPATIAL, NOUS AVONS MIS EN UVRE DES TECHNIQUES BASEES SUR LA CORRELATION D'IMAGES. CES TRAVAUX ONT DEBOUCHE SUR LA PRESENTATION DU SYSTEME DE DIAGNOSTIC ET DE RESULTATS OBTENUS AU COURS D'ANALYSES

Download or read book Analyse physique et mod lisation de l interaction LASER silicium written by Hervé Lapuyade and published by . This book was released on 1996 with total page 230 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'INTERACTION LASER-SILICIUM EST D'ABORD L'OBJET D'UNE ANALYSE PHYSIQUE: LE TAUX DE GENERATION DE PAIRES ELECTRON-TROU QU'INDUIT L'ONDE LASER DANS LE SILICIUM DES CIRCUITS INTEGRES EST MODELISE. DANS LE CADRE DE LA DIFFUSION AMBIPOLAIRE DES PORTEURS EXCEDENTAIRES EN REGIME DE FAIBLE INJECTION, DISTRIBUTION DES PHOTOPORTEURS ET PHOTOCOURANTS SONT ENSUITE ETABLIS SUR LE PLAN ANALYTIQUE DANS DES STRUCTURES ELEMENTAIRES QU'UN FAISCEAU LASER PHOTO-EXCITE. ENFIN, UNE TECHNIQUE DE CONCEPTION EST PROPOSEE, QUI CONSISTE A INSERER DES CELLULES ACTIVEES PAR FAISCEAU LASER DEDIEES AU TEST INTERNE DES CIRCUITS INTEGRES. LE FONCTIONNEMENT PHYSIQUE ET ELECTRIQUE DE TELLES CELLULES REALISEES EN TECHNOLOGIES CMOS ET BICMOS EST ETUDIE A L'AIDE DE SIMULATIONS PHYSIQUES TRIDIMENSIONNELLES ET MIXTES

Download or read book M thodologie de localisation des d fauts soft dans les circuits int gr s mixtes et analogiques par stimulation par faisceau laser written by Magdalena Sienkiewicz and published by . This book was released on 2010 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse s'inscrit dans le domaine de la localisation de défauts de type «soft» dans les Circuits Intégrés (CI) analogiques et mixtes à l'aide des techniques dynamiques de stimulation laser en faible perturbation. Les résultats obtenus à l'aide de ces techniques sont très complexes à analyser dans le cas des CI analogiques et mixtes. Ce travail porte ainsi particulièrement sur le développement d'une méthodologie facilitant l'analyse des cartographies laser. Cette méthodologie est basée sur la comparaison de résultats de simulations électriques de l'interaction faisceau laser-CI avec des résultats expérimentaux (cartographies laser). L'influence des phénomènes thermique et photoélectrique sur les CI (niveau transistor) a été modélisée et simulée. La méthodologie a été validée tout d'abord sur des structures de tests simples avant d'être utilisée sur des CI complexes que l'on trouve dans le commerce.

Download or read book Contribution l valuation de la technique de g n ration d harmonique par faisceau laser pour la mesure des champs lectriques dans les circuits int gr s EFISHG written by Thomas Fernandez and published by . This book was released on 2009 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail contribue à l'évaluation de la technique de génération de seconde harmonique induite par un champ électrique quasi statique, ou technique EFISHG, appliquée au domaine de la microélectronique. Une description du principe de la technique EFISHG, basé sur l'optique non linéaire, permet d'appréhender l'origine physique de cette méthode. Un état de l'art a permis d'identifier deux champs d'applications liés à la microélectronique : l'analyse de défaillance, via la mesure en temps de réelle des variations de champs électriques internes dans les circuits intégrés, et la fiabilité par l'étude du piégeage de charges à l'interface Si/SiO2 et de la dégradation dite de « Negative Bias Temperature Instability » ou NBTI. Ce manuscrit présente les différentes étapes qui ont permis l'élaboration d'un banc de test en vue de l'évaluation de l'applicabilité de la technique EFISHG à ces problématiques. Les résultats expérimentaux obtenus avec ce montage ont permis de mettre en avant les possibilités qu'offre la technique EFISHG à caractériser et à accélérer le vieillissement NBTI.

Download or read book Contribution au d veloppement et la mise en place de techniques avanc es de localisation de d fauts dans les circuits int gr s en milieu industriel written by Abdellatif Firiti and published by . This book was released on 2007 with total page 304 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse a été effectuée au laboratoire RCCAL de STMicroelectronics Rousset en collaboration avec le CNES et le laboratoire IXL. Le but de ces travaux, réalisés exclusivement sur un site industriel, est de développer et de mettre en place des méthodes optiques de localisation de défaut dans les circuits intégrés (CI) sans contact et non destructives. Les techniques étudiées et développées sont l’émission de lumière, la stimulation thermique laser et la stimulation photoélectrique laser par la face avant et la face arrière des CI. La thématique principale de ces travaux est la localisation des défauts dans les circuits intégrés en milieu industriel. Les principaux sujets de recherche traités dans ce manuscrit sont :-l’état de l’art des techniques de localisation des défauts dans les CI,-le développement des techniques de préparation des échantillons,-le système PHEMOS-1000 (Hamamatsu),-l’interprétation des signatures obtenues par les techniques STL et SPL sur un circuit intégré à l’aide du PHEMOS-1000,-la compréhension et la quantification de l’interaction laser-circuit intégré, -et le développement et la mise en place d’un processus de localisation de défauts résistifs en 3 dimensions dans un CI. Les limitations des techniques de localisation et du PHEMOS-1000 sont établies. Les points d’améliorations encore possibles sur cet équipement sont listés. En perspective aux techniques d’analyses traitées au cours de cette thèse, plusieurs techniques émergente, comme les techniques optiques dynamiques, les techniques magnétiques les techniques dérivées de l'AFM ont été évaluées avec succès et annoncées comme étant un point clé pour l’avenir des laboratoires d’analyses de défaillance.

Download or read book Localisation de d fauts par stimulation thermique laser modul e en intensit written by Antoine Reverdy and published by . This book was released on 2008 with total page 320 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Au cours de ce manuscrit de thèse nous abordons les différentes techniques mises en œuvre dans la localisation de défauts dans la partie interconnexion des circuits microélectroniques avec une attention toute particulière sur la Stimulation Thermique Laser (STL) et ses limitations. Une étude plus théorique sur la modélisation des réponses thermiques de structures élémentaires soumises à un échelon de puissance thermique est ensuite développée. Elle débouche sur un modèle analytique qui va permettre l’identification de paramètres caractéristiques des variations temporelles de la réponse en STL indicielle. Nous démontrons par la suite l’intérêt de cette nouvelle approche sur l’analyse de défaillance des Circuits Intégrés, sur une structure de test non défaillante, caractéristique de la partie d’interconnexion des circuits intégrés. Le troisième chapitre est dédié à l’évolution de la démarche expérimentale, dans le but d’accéder à l’information sur la dynamique de variation du signal de STL modulée, dans un mode image, compatible avec une utilisation au quotidien dans un laboratoire d’analyse de défaillance. Finalement, le dernier chapitre est consacré à l’application de cette nouvelle méthode d’analyse du signal de STL sur des structures de dernière génération, défaillantes, où l’analyse de la dynamique du signal de STL apporte des informations complémentaires indispensables pour la bonne interprétation des signatures.

Download or read book Contribution l tude des m thodes de mod lisation de l immunit lectromagn tique des circuits int gr s written by Ali Alaeldine and published by . This book was released on 2004 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: De nos jours, le développement rapide des systèmes électroniques complexes multiplie les sources de perturbations électromagnétiques, auxquelles un nombre de circuits actuels deviennent de plus en plus susceptibles. Il devient donc indispensable de prédire les comportements des circuits intégrés vis-à-vis de ces perturbations, qu'elles soient conduites ou rayonnées. Cette thèse propose donc une méthodologie de simulation de l'immunité conduite et rayonnée des circuits intégrés dans leur environnement. Les travaux ont été menés sur un circuit intégré multi-cœur précédemment utilisé pour l'étude des techniques de réduction des émissions parasites. Celui-ci a permis, en sus de la méthodologie déjà citée, d'identifier quelques règles de conception en vue d'une meilleure immunité électromagnétique. Le premier chapitre est consacré à l'étude des origines des perturbations électromagnétiques et de leurs influences sur le comportement des circuits intégrés, ainsi que des méthodes de mesure de la susceptibilité en modes conduit et rayonné, en harmonique et en transitoire. Les chapitres 2 et 3 présentent des modèles électriques complets pour la simulation de l'immunité en mode conduit d'un circuit intégré, respectivement en harmonique (DPI - Direct Power Injection) et en transitoire (VF-TLP - Very Fast Transmission Line Pulsing). Les pertes en puissance ainsi que le substrat du circuit intégré ont également été modélisés. Dans le chapitre 4, un modèle de simulation d'injection en champ proche (en mode rayonné) est introduit et validé par des mesures de susceptibilité effectuées sur des circuits en boîtier avec et sans couvercle. Enfin, l'utilisation de diverses techniques de réduction de l'émission parasite des circuits intégrés pour la diminution conjointe de leur susceptibilité en modes conduit et rayonné est étudiée et discutée dans le chapitre 5. Les perspectives de cette thèse couvrent la prédiction avant fonderie de l'immunité des circuits intégrés aux agressions externes ainsi que la fourniture de leurs modèles pour la simulation d'immunité au niveau carte et au niveau système

Download or read book Simulation exp rimentale par impulsions laser ultra courtes des effets des radiations ionisantes sur les circuits int gr s written by Vincent Pouget and published by . This book was released on 2000 with total page 239 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail présente l'élaboration d'un banc expérimental de test des circuits intégrés par faisceau laser impulsionnel ayant pour objectif la simulation des effets des radiations ionisantes sur les composants microélectroniques. Le contexte de l'étude est présenté par une revue de la littérature, et l'interaction ion-silicium est analysée. Un modèle rigoureux de l'interaction impulsion laser-silicium est développé. Les possibilités d'équivalence entre les deux interactions sont explorées et les limitations évoquées. Un modèle électrique de la réponse transitoire d'un transistor MOS à une irradiation est proposé. Un système expérimental de test des circuits intégrés par impulsions laser ultra-courtes est conçu, développé et caractérisé. Son automatisation complète est décrite. Le système est validé par différents types de tests effectués sur dès circuits numériques et analogiques. Le potentiel d'un nouveau type de cartographie des circuits intégrés est évalué.

Download or read book Analyse de d faillance des circuits int gr s par mission de lumi re dynamique written by Mustapha Remmach and published by . This book was released on 2009 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'émission de lumière est une puissante technique de localisation dans le domaine de l'analyse de défaillance des circuits intégrés. Depuis plusieurs années, elle est utilisée comme une technique capable de localiser et d'identifier des défauts émissifs, tels que les courants de fuites, en fonctionnement statique du composant. Cependant, l'augmentation d'intégration et des performances des circuits actuels implique l'apparition d'émissions de défauts dynamiques dus à l'utilisation de fréquences de fonctionnement de plus en plus élevées. Ces contraintes imposent une adaptation de la technique d'émission de lumière qui doit donc évoluer en même temps que l'évolution des circuits intégrés. C'est dans ce contexte que de nouveaux modes de détection, liés à l'émission de lumière, est apparu : PICA et TRE. Ainsi, les photons sont collectés en fonction du temps donnant ainsi une place importante à la technique par émission de lumière dynamique pour le debbug et l'analyse de défaillance en procédant à une caractérisation précise des défauts issus des circuits intégrés actuels. Pour répondre aux exigences dues à l'analyse du comportement dynamique des circuits intégrés, des méthodes ont été identifiées à travers la technique PICA et la technique d'émission en temps résolu connue sous le nom de technique mono-point TRE. Cependant, les techniques PICA et TRE sont exposées à un défi continu lié à la diminution des technologies et donc des tensions d'alimentation. Pour analyser des circuits de technologies futures à faible tension d'alimentation, il est nécessaire de considérer différentes approches afin d'améliorer le rapport signal sur bruit. Deux solutions sont présentées dans ce document : un système de détection optimisé et des méthodes de traitement de signal.

Download or read book Elaboration d une m thodologie de localisation de d fauts sur circuits int gr s logiques par test sous faisceau d lectrons application diff rentes fonctions lectroniques written by François Marc and published by . This book was released on 1994 with total page 190 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: UNE METHODOLOGIE ANALYTIQUE DE LOCALISATION DE DEFAUT PAR TEST SOUS FAISCEAU D'ELECTRONS POUR LES CIRCUITS INTEGRES LOGIQUES, APPLICABLE DANS LES SITUATIONS DE CONNAISSANCE MINIMALE DU CIRCUIT, A ETE DEVELOPPEE. CETTE METHODOLOGIE CONSISTE EN UNE DECOMPOSITION DE CHAQUE OBJECTIF EN OBJECTIFS PLUS SIMPLES, ASSOCIEE A UN CHOIX RIGOUREUX DES TECHNIQUES D'OBSERVATION ET DES SEQUENCES DE TEST EN FONCTION DU CIRCUIT TESTE, DU TESTEUR UTILISE, DES PHENOMENES PHYSIQUES LIMITANT LES PERFORMANCES, ET SURTOUT DE L'OBJECTIF. L'INTERET D'UNE TECHNIQUE DE LOCALISATION RAPIDE DE FONCTIONS INTERNES QUELCONQUES A CONDUIT AU DEVELOPPEMENT DE LA SELECTION DE SIGNAUX, PARTICULIEREMENT PERFORMANTE DANS CE DOMAINE. L'APPLICATION DE LA METHODOLOGIE A DES FAMILLES FONCTIONNELLES COURANTES A ENTRAINE LA CONSTRUCTION DE METHODOLOGIES SPECIFIQUES EXPLOITANT LES PARTICULARITES DE CES CIRCUITS. L'EFFICACITE ET LA RAPIDITE DE LA METHODOLOGIE SONT DEMONTREES PAR DES CAS REELS D'ANALYSES

Download or read book D tection et localisation de d fauts dans les circuits int gr s logiques par test sous faisceau laser written by Bertrand Simonin and published by . This book was released on 1988 with total page 340 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL CONSISTE EN LA RECHERCHE DES POSSIBILITES D'UTILISATION, COMME MOYEN DE TEST DE CIRCUITS INTEGRES, DE L'EFFET PHOTOELECTRIQUE INDUIT PAR UN FAISCEAU LASER. LA PARTIE EXPERIMENTALE COMPORTE LA REALISATION D'UNE STATION DE MESURE, SA MISE AU POINT OPTIQUE, ELECTRONIQUE, AINSI QUE LA CONCEPTION DE SON INFORMATIQUE DE COMMANDE. L'ETUDE ET LA MODELISATION DE L'INTERACTION RAYONNEMENT-SEMICONDUCTEUR A APPORTE DES ELEMENTS D'EXPLICATION AUX REPONSES DES CIRCUITS A L'EXCITATION LUMINEUSE. UNE EVALUATION APPROFONDIE DU COMPORTEMENT DE CIRCUITS DE DIVERSES TECHNOLOGIES A ETE EFFECTUEE POUR DES FONCTIONNEMENTS EN TENSION MARGINALE ET VIS-A-VIS DE L'AUTO-AMORCAGE (LATCH-UP). LES CONCLUSIONS ONT PERMIS DE DEFINIR DES PROCEDURES SIGNIFICATIVES DE TEST.