Download or read book Contribution la mod lisation du transistor bipolaire de puissance et implantation dans le simulateur PSpice written by Abassia Naimi and published by . This book was released on 1993 with total page 192 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Une synthèse des modèles du transistor bipolaire a servi pour l'étude de la zone active de base, des effets de forte injection, de la quasi-saturation, de l'avalanche et a permis d'élaborer des modèles du transistor bipolaire de puissance. Ces modèles ont été implantés dans le simulateur PSpice à l'aide de deux méthodes. La première consiste à intervenir au niveau des équations donnant la description du modèle implanté dans PSpice. Elle a été appliquée à trois approches de modelisation dans la zone active de base. Les résultats de simulation permettent de comparer les différentes approches. La deuxième méthode, appelée modélisation comportementale, est basée sur l'utilisation des sources de courant ou de tension non linéaires permettant la description des dispositifs à l'aide de macro-modèles.

Download or read book Contribution la mod lisation des transistors bipolaires de puissance written by Alain Lucchese (auteur d'une thèse de sciences.) and published by . This book was released on 1977 with total page 178 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: PRESENTATION D'UN MODELE COMPLET, A LA FOIS STATIQUE ET DYNAMIQUE, DE TRANSISTORS DE PUISSANCE. DEVELOPPEMENT, A PARTIR DU MODELE, D'UN OUTIL NUMERIQUE DE SIMULATION DU COMPORTEMENT DYNAMIQUE "PETITS SIGNAUX". SIMULATION NUMERIQUE DU COMPORTEMENT TRANSITOIRE LARGES SIGNAUX DES TRANSISTORS DE PUISSANCE (ORGANISATION D'UN PROGRAMME DE CALCUL INTEGRANT LE TRAITEMENT DE TOUS LES ELEMENTS, STATIQUE ET DYNAMIQUE, DU MODELE, MISE AU POINT DU PROGRAMME)

Download or read book GRAPHE DE LIENS DU TRANSISTOR BIPOLAIRE DE PUISSANCE EN VUE DE LA SIMULATION DE CIRCUITS written by Bruno Allard and published by . This book was released on 1992 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA CAO EN ELECTRONIQUE DE PUISSANCE EXIGE NOTAMMENT QUE LA SIMULATION D'UN CIRCUIT PREDISE, AVEC PRECISION, LES CONTRAINTES ELECTRIQUES (ET THERMIQUES) ENDUREES PAR LES DISPOSITIFS A SEMICONDUCTEUR, AU COURS DES COMMUTATIONS. LES MODELES LES PLUS UTILISES ACTUELLEMENT (GUMMEL-POON, SPICE) SE MONTRENT INSUFFISANTS POUR DE TELLES SIMULATIONS, A CAUSE DE LA REPRESENTATION TROP EMPIRIQUE DU PHENOMENE DE SATURATION. LA SATURATION EST LA CONSEQUENCE DE LA PRESENCE D'UNE ZONE NEUTRE EN FORTE INJECTION DANS LE COLLECTEUR. POUR MODELISER CORRECTEMENT CE PHENOMENE, LE TRAVAIL PRESENTE FAIT APPEL A DES TECHNIQUES DE L'ANALYSE FONCTIONNELLE (APPROXIMATION INTERNE), ET DE LA THEORIE DES SYSTEMES (VARIABLES D'ETAT, GRAPHES DE LIENS). LE MODELE OBTENU EST UN GRAPHE DE LIENS SUPERPOSABLE A LA STRUCTURE GEOMETRIQUE DU DISPOSITIF, ET SUIT FIDELEMENT LES PHENOMENES PHYSIQUES INTERNES AU COMPOSANT. EN OUTRE, CONTRAIREMENT AU MODELE DE GUMMEL-POON, LES PARAMETRES SONT PEU NOMBREUX, TOUS SIGNIFICATIFS, ET CORRESPONDENT A LA SEULE DESCRIPTION TECHNOLOGIQUE DU DISPOSITIF. ENFIN, LES RESULTATS DE SIMULATION SONT TRES CONFORMES A L'EXPERIENCE, BIEN MEILLEURS QUE CEUX PRODUITS PAR SPICE DANS LE CADRE DE LA SATURATION, AVEC UN COUT DE CALCUL EQUIVALENT