Download or read book Contribution la mod lisation des transistors organiques written by Amina Belkhir and published by . This book was released on 2009 with total page 168 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail porte sur l’étude de la modélisation du transistor organique ainsi que son implémentation numérique. L’objectif est la prise en compte des spécificités des matériaux organiques dans le calcul des caractéristiques courant-tension du transistor, de manière à permettre une analyse physique du comportement des transistors, et par suite de pouvoir agir sur les paramètres technologiques de fabrication, et améliorer les performances des composants et des circuits. Dans un premier temps, un modèle semi-analytique 1D a été développé, sur la base du modèle du transistor MOS silicium en prenant en compte un certain nombre d’effets parasites (résistances ohmiques des contacts, injection non linéaire au contact source). L’impact des phénomènes d’injection sur l’extraction des paramètres essentiels du transistor (mobilité effective et tension de seuil) ont pu être clairement soulignés. De plus, l’existence de champs électriques très élevés au contact injectant a été mise en évidence. Ensuite, il est apparu utile de développer un modèle numérique du calcul du courant drain pour prendre en compte d’avantage de spécificités des matériaux organiques (densités d’états, autres modèles d’injection, profils de mobilités, etc.). Ce modèle est basé sur le calcul distribué du potentiel dans le canal. Dans un premier temps, la résolution numérique de l’équation de Poisson a été implémentée pour calculer la charge accumulée. Cela a également permis de souligner clairement les différences entre la tension de seuil effective UT-eff et la tension UONSET. Ce travail préliminaire pose les bases nécessaires à la poursuite de l’analyse physique de la caractéristique courant-tension

Download or read book Contribution au d veloppement de syst mes lectroniques organiques sur support souple written by Mohamed Alioune Sankharé and published by . This book was released on 2016 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse a pour objectif de contribuer à la caractérisation et à la modélisation des transistors organiques en couches minces ou OTFTs (Organic Thin Film Transistors). Elle s'est déroulée en partenariat avec le CEA-LITEN qui dispose d'une technologie imprimée ayant démontré sa fonctionnalité à plusieurs reprises. Le but de ce travail est d'abord de comprendre le fonctionnement des transistors organiques afin de déterminer l'impact des paramètres technologiques sur les caractéristiques électriques. Ceci est fait en utilisant une approche par simulation grâce aux paramètres extraits à partir de la mesure. La dépendance en géométrie et en température des paramètres du transistor est observée et étudiée afin de proposer un modèle valide prenant en compte ces variations. Le modèle doit être intégrable dans les flots de conception classiques de la microélectronique (Cadence, Eldo, ADS, etc...). Des modèles de dispersion sont présentés et par la suite utilisés pour la simulation et la réalisation de circuits analogiques organiques.

Download or read book Mod lisation des ph nom nes de pi geage d pi geage dans les semi conducteurs organiques et d veloppement d un dispositif de caract risation de pi ges dans les transistors organiques written by Ndèye Saly Ndiaye and published by . This book was released on 2019 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le sujet de thèse s'inscrit dans le cadre de l'étude de la fiabilité des transistors organiques. La limitation majeure des transistors organiques est due à la présence de pièges dans le composant. Notre étude porte sur la modélisation des phénomènes de piégeage dans les semi-conducteurs organiques (SCO) et la mise en place d'un dispositif de caractérisation de pièges dans les transistors organiques. Le modèle prend en compte des densités d'états gaussiennes pour les porteurs libres et piégés et a été utilisé avec succès pour rendre compte de mesures de spectroscopie de défauts issues de la littérature. Les résultats obtenus montrent que les énergies d'activation de pièges extraites avec le modèle classique sont sous-estimées, de plus il nous faut moins de contributions de pièges pour rendre compte des mesures. Nous proposons ainsi un nouveau modèle permettant de décrire les niveaux de piège dans les SCO. La seconde partie de nos travaux porte sur la mise en place d'un dispositif de caractérisation de pièges dans les transistors organiques. Nous étudions l'effet du stress électrique sur les performances de transistors à base de P3HT en mesurant des transitoires de courant à partir desquels nous déterminons l'évolution temporelle de la tension de seuil (UT) des transistors. Un modèle utilisant une fonction exponentielle étirée permet de rendre compte de l'évolution de UT et d'obtenir une estimation des paramètres de piège. Nous avons montré que dans un transistor à base de P3HT les trous peuvent être capturés par trois contributions de pièges, confirmées par d'autres auteurs, ce qui montre l'intérêt du dispositif pour l'étude de la fiabilité des transistors organiques.

Download or read book Elaboration caract risation et mod lisation de transistors base de pentac ne written by Ahmad Skaiky and published by . This book was released on 2013 with total page 144 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les objectifs de ce travail de thèse concernent la modélisation de transistors organiques à base de pentacène et la réalisation de circuits électroniques de type inverseur. Dans ce contexte, nous avons étudié les mécanismes de transport de charges dans le pentacène par deux méthodes (I(V) et spectroscopie d‟impédance) et déterminé les propriétés physiques du pentacène (mobilité, densité des pièges, niveau d‟énergie des pièges...). Suite à cela, nous avons réalisé un transistor organique à effet de champ ayant une structure top contact en étudiant l‟influence de la longueur du canal et de l‟épaisseur de la couche active sur les performances de ce dispositif et en comparant les résultats avec ceux issus de la simulation via le logiciel ATLAS. Avec les paramètres extraits de l‟étude des mécanismes de transport nous avons trouvé une bonne concordance entre les caractéristiques de sortie et de transfert expérimentales et simulées. Enfin, nous avons élaboré des inverseurs organiques à charge active saturée (diode-load inverter). L‟optimisation des paramètres tels que la longueur du canal, l‟épaisseur de la couche active et la vitesse de dépôt du pentacène a conduit à un gain en tension significatif en particulier en jouant sur la structure cristalline du pentacène. Un inverseur à charge à déplétion a été aussi caractérisé, en utilisant des isolants différents pour le transistor de charge et le transistor de commande un gain de 7 a été obtenu. Ces résultats ouvrent des perspectives et pourraient être améliorés en fabriquant des inverseurs en technologie O-CMOS.

Download or read book Le Transistor organique transparent written by Virginie Bernical and published by . This book was released on 2008 with total page 189 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'objectif de ce travail est la fabrication de transistors organiques transparents aux longueurs d'onde optiques sur un substrat organique transparent pour des applications ophtalmiques. Après une présentation générale des propriétés électriques et électroniques des matériaux utilisés une étude plus spécifique est dédiée au pentacène. Ce semi-conducteur parmi les plus performant est implémenté lors de la phase expérimentale de ce travail Une recherche bibliographique a été menée sur les transistors à base de pentacène et sur la modélisation des transistors organiques dont le fonctionnement en régime d'accumulation est nécessaire si des courants de fonctionnement significatifs sont recherchés. Dans la partie expérimentale de ce travail, des transistors sont réalisés. La nécessité de mise en œuvre de procédés basses températures est alors mise en évidence. Dans ces conditions des transistors entièrement organiques présentant des mobilités de 6.10-3 cm2.V-1 .s-1 sont obtenus.

Download or read book Contribution la mod lisation et la caract risation des transistors bipolaires de puissance written by Michel Bousquet and published by . This book was released on 1974 with total page 153 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Contribution l tude des transistors effet de champ organiques written by Marc Ternisien and published by . This book was released on 2008 with total page 172 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail s'inscrit dans le cadre de l'étude de composants organiques et moléculaires. Il porte sur le contrôle de l'interface oxyde de grille/semi-conducteur organique à l'aide de Monocouches Auto Assemblées (SAMs) dans les transistors à effet de champ organique (OFETs). Nous avons dans un premier temps travaillé avec des OFETs à couche active de pentacène dont le diélectrique de grille a été modifié par des SAMs de type ơ-π (terminées pyrène ou phenyl) en configuration Top Contact. Après le greffage chimique en trois étapes de SAMs à chaîne alkyle longues et leur caractérisation, nous avons mesuré les paramètres transistors et nous avons démontré une amélioration des mobilités des porteurs de charges, une augmentation du rapport On/Off et une amélioration de la pente sous le seuil. Nous avons interprété ces résultats en terme de structure morphologique de la couche active de pentacène. Dans la deuxième partie de notre thèse, nous nous sommes intéressés aux SAMs à chaîne alkyle plus courte greffées en une unique étape (le pentafluorophenylpropyltrichlorosilane (C9H6F5Cl3Si), le 4-phenylbutyltrichlorosilane (C10H13Cl3Si) et l'octadecyltrichlorosilane (CH18H37SiCl3). La configuration du transistor adoptée pour cette étude est du type Bottom Contact.Nous avons obtenu par ces procédés des OFETs fonctionnant à des valeurs de pentes sous le seuil de 0.6 V/dec, des rapports On/Off de 10 8 et une mobilité de 0.3 cm2/V.s. L'ensemble des résultats est discuté en terme d'interactions entre les porteurs de charges et le semi-conducteur organique (le pentacène) et les dipôles des molécules greffées.

Download or read book Contribution la caract risation et la mod lisation de transistors NMOS submicroniques en haute fr quence written by Christine Raynaud and published by . This book was released on 1988 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Contribution la mod lisation et la caract risation en hautes fr quences des transistors bipolaires h t rojonction Si SiGe written by Bertrand Ardouin and published by . This book was released on 2001 with total page 228 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le regain d'intérêt récent pour les technologies bipolaires, induit par les transistors bipolaires à hétérojonction Silicium Germanium (TBH SiGe) a mis en lumière les problèmes liés à la modélisation compacte (ou électrique) de ces composants. En effet, le gain en performance qu'autorisent ces technologies avancées a accru les possibilités et le champ des applications, mais a dans le même temps rendu critiques les contraintes liées à leur modélisation précise. Ce mémoire développe les points clefs liés à la modélisation des TBH SiGe. En premier lieu, le gain en performance apporté par les TBH SiGe est exprimé et quantifié via une étude physique dont le point de départ est l'ensemble des équations des semi-conducteurs. Les méthodes d'obtention de mesures sous pointes des dispositifs microélectroniques en continu et en hautes fréquences sont alors présentées, ainsi que les moyens de corrections des erreurs. Nous comparons ensuite les modèles électriques de transistors bipolaires existants (Gummel-Poon, VBIC, MEXTRAM et HICUM). Ceci permet de considérer le modèle HICUM comme candidat idéal pour la modélisation des TBH SiGe. Après une étape qui consiste en la réalisation d'une version modifiée en langage comportemental (HDL-A) du modèle HICUM, nous présentons un ensemble de méthodes originales destinées à l'extraction des paramètres de celui-ci.

Download or read book Contribution la r alisation technologique et la caract risation de transistors MISFET organiques written by Olivier Tharaud and published by . This book was released on 1998 with total page 264 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'objectif de ce travail est la realisation et l'etude de transistors misfet organiques avec un polymere conducteur comme couche active. Dans la premiere partie, nous rappelons quelques generalites sur les polymeres conducteurs ainsi que l'etat de l'art sur les transistors organiques. Celui-ci et les differentes applications visees permettent de fixer les deux axes de ce travail decrits dans une deuxieme et troisieme parties. Dans la deuxieme partie, nous presentons le materiau utilise (sexithiophene), les techniques experimentales de realisation et de caracterisation electriques des transistors. Nous etudions alors l'influence de plusieurs parametres des transistors : structure, couche active, isolation des composants, nature et dimensions des contacts source et drain et epaisseur de l'isolant. Nous en deduisons des parametres standard pour la suite de notre etude : depot sur substrat chauffe a 140c, isolation des composants par lift-off, structure empilee inversee, dans la troisieme partie, nous realisons des transistors specifiques obtenus a partir de trois isolants originaux : deux couches monomoleculaires et un film ferroelectrique. Nous decrivons la nature de ces films, la technologie pour les deposer et leurs caracteristiques electriques. Le premier transistor est realise a partir d'une des monocouches (l'ots) qui, greffee sur l'oxyde de grille, permet de modifier les proprietes de l'interface isolant/semi-conducteur. Un etude comparative des performances d'un transistor avec et sans monocouche, montre une amelioration des performances avec la monocouche (tension et pente sous le seuil). La deuxieme monocouche, utilisee directement comme isolant de grille de tres faible epaisseur, permet la realisation de transistors submicroniques (longueur de grille allant de 1m a 50nm).

Download or read book Contribution la mod lisation des transistors haute fr quence written by Thomas Zimmer and published by . This book was released on 1992 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Contribution l tude du transport ambipolaire dans les transistors organiques written by Sébastien Nénon and published by . This book was released on 2010 with total page 165 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'électronique plastique est devenue en une dizaine d'années un domaine actif, tant en recherche fondamentale qu'en application. La compréhension et le contrôle des forces motrices du transport ambipolaire est un objectif clé de la recherche dans le domaine de l'électronique organique, et plus particulièrement des transistors. Après une introduction rappelant les principes des transistors organiques ambipolaires et un état de l'art du domaine, les outils et méthodes utilisés au cours de ce travail ont été présentés. Le premier chapitre présente les résultats obtenus des transistors réalisés par évaporation sous vide de phtalocyanines de cuivre. Dans un premier temps la stabilité et les performances des deux semi-conducteurs isolés ont été caractérisés, puis une étude morphologique, électrique et structurelle a été menée sur des dispositifs en structure bicouche ou interpénétrée. Le deuxième chapitre présente une nouvelle méthode d'élaboration de transistors : le LIFT (LAser Induced Forward Transfer). Les premiers transistors à canal p et n'ont ainsi été réalisés à base de phtalocyanines de cuivre, avant de tenter d'obtenir des dispositifs ambipolaires. Cette méthode récente peut permettre de déposer des films à une très grande cadence menant à des dispositifs microstructurés de grande précision. Le dernier chapitre présente une approche par voie liquide. Des solutions de DH-DS2T et PDIF-CN2 ont été élaborées afin de réaliser des encres par le mélange de ces deux solutions pour être déposées par tournette ou dépôt par goutte. en conclusion, les différentes méthodes sont évaluées et comparées afin de déterminer leur utilité et applicabilité respectives.

Download or read book Contribution a la caracterisation et modelisation de transistors a effet de champ pour la conception des circuits integres monolithiques microondes written by Gilles Montoriol and published by . This book was released on 1988 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Contribution la mod lisation des transistors bipolaires de puissance written by Alain Lucchese and published by . This book was released on 1977 with total page 176 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Contribution au d veloppement de nouveaux instruments pour la mod lisation des transistors hautes fr quences written by Maissa Jaafar-Belhouji and published by . This book was released on 2010 with total page 222 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ces travaux portent sur le développement et l'automatisation d'un banc de mesure permettant la caractérisation des niveaux profonds dans les transitors. Tout d'abord, une série de caractérisations statiques et dynamiques a été réalisée afin de déterminer les limites de fonctionnement et les effets parasites des composants suivants : le MHEMT InA1As/InGaAs et le HEMT InAs/A1Sb. Ensuite un banc de mesure basé sur le principe de relaxation isotherme a été modernisé et automatisé. Il permet à partir de la mesure du courant de drain dans une plage de température, de déterminer la signature des pièges présents. Ce banc a permis la caractérisation et la localisation des pièges dans les deux structures citées précédemment. Une fois caractérisés, les pièges dans le MHEMT InA1As/InGaAs ont été modélisés à l'aide d'un circuit électrique représentant les phénomènes de capture et d'émission d'électrons (ou de trous). Un circuit amplificateur à base du MHEMT incluant le modèle de pièges, a été conçu. En variant le point de polarisation du circuit et la température, on a vu que la présence des pièges entraîne une dégradation du gain et une diminution de la fréquence de coupure qui peuvent atteindre 3,9 dB et 1,5 GHz respectivement.

Download or read book Contribution la mod lisation du transistor bipolaire de puissance et implantation dans le simulateur PSpice written by Abassia Naimi and published by . This book was released on 1993 with total page 192 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Une synthèse des modèles du transistor bipolaire a servi pour l'étude de la zone active de base, des effets de forte injection, de la quasi-saturation, de l'avalanche et a permis d'élaborer des modèles du transistor bipolaire de puissance. Ces modèles ont été implantés dans le simulateur PSpice à l'aide de deux méthodes. La première consiste à intervenir au niveau des équations donnant la description du modèle implanté dans PSpice. Elle a été appliquée à trois approches de modelisation dans la zone active de base. Les résultats de simulation permettent de comparer les différentes approches. La deuxième méthode, appelée modélisation comportementale, est basée sur l'utilisation des sources de courant ou de tension non linéaires permettant la description des dispositifs à l'aide de macro-modèles.

Download or read book Contribution la mod lisation physique et lectrique compacte du transistor nanotube written by Johnny Goguet and published by . This book was released on 2009 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Selon l'ITRS, le transistor à nanotube de carbone est une des alternatives prometteuses au transistor MOS Silicium notamment en termes de taille de composant et d'architectures de circuits innovantes. Cependant, à l'heure actuelle, la maturité des procédés de fabrication de ces technologies ne permet pas de contrôler finement les caractéristiques électriques. C'est pourquoi, nous proposons un modèle compact basé sur les principes physiques qui gouvernent le fonctionnement du transistor à nanotube. Cette modélisation permet de lier les activités technologiques à celles de conception de circuit dans le contexte de prototypage virtuel. Pour peu qu'elle inclut des paramètres reflétant la variation des procédés, il est alors possible d'estimer les performances potentielles des circuits intégrés. Le transistor à nanotube de carbone à modulation de hauteur de barrière (C-CNFET), i.e. « MOS-like », est modélisé analytiquement en supposant le transport balistique des porteurs dans le canal. Le formalisme de Landauer est utilisé pour décrire le courant modulé par le potentiel du canal calculé de façon auto-cohérente avec la charge associée selon le potentiel appliqué sur la grille. Le modèle du transistor à nanotube de carbone double grille, DG-CNFET est basé sur celui du C-CNFET. Ce transistor est de type N ou P selon la polarisation de la grille supplémentaire. Ce transistor est modélisé de manière similaire pour les 3 régions : la partie interne modulée par la grille centrale, et les accès source et drain modulés par la grille arrière. La charge, plus complexe à calculer que celle du C-CNFET, est résolue analytiquement en considérant différentes plages de polarisation et d'énergie. Le modèle du DG-CNFET a été mis en œuvre dans le cadre d'architectures de circuits électroniques innovants : une porte logique à 2 entrées comportant 7 transistors CNFET dont 3 DG-CNFET pouvant, selon la polarisation des 3 entrées de configuration, réaliser 8 fonctions logiques différentes.