Download or read book Contribution l tude th orique de la structure lectronique des tats D dans les semiconducteurs semimagn tiques base de mangan se written by Moncef Boukadoum and published by . This book was released on 1996 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Contribution l tude th orique de la structure lectronique du fer cobalt et nickel dans les semiconducteurs II VI written by Wafaa Khattou and published by . This book was released on 1996 with total page 188 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJET DE CE TRAVAIL EST L'ETUDE THEORIQUE DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DU FER, COBALT ET NICKEL DANS LES SEMI-CONDUCTEURS II-VI. DANS UN PREMIER TEMPS NOUS AVONS PRESENTE LES MODELES CLASSIQUES BASES SUR L'APPROXIMATION MOLECULAIRE TELS QUE LA THEORIE DU CHAMP CRISTALLIN ET LA THEORIE DU CHAMP DU LIGAND. CES MODELES BIEN QU'ILS ARRIVENT A OBTENIR DES RESULTATS SATISFAISANTS QUANT AUX EXPERIENCES D'ABSORPTION, SONT INCAPABLES DE DECRIRE DANS LEUR ENSEMBLE LES SPECTRES DE PHOTOEMISSION. DANS UN DEUXIEME TEMPS NOUS AVONS EXPLICITE LE MODELE SUR LEQUEL NOUS AVONS BASE NOTRE ETUDE: LE MODELE D'INTERACTION DE CONFIGURATIONS. CE MODELE EST UTILISE EN LIAISON AVEC LE HAMILTONIEN D'IMPURETE D'ANDERSSON. IL TIENT COMPTE DES ETATS EXCITES EN SUPERPOSANT A LA CONFIGURATION DE BASE COMPLETEMENT IONIQUE CELLE DES ETATS DIT DE TRANSFERT DE CHARGE OBTENUS PAR TRANSFERT D'ELECTRONS DES LIGANDS VERS LE METAL DE TRANSITION. DANS NOTRE ETUDE NOUS MODELISONS LE CRISTAL PAR UN CLUSTER CONSTITUE DU METAL DE TRANSITION ENTOURE DE CES QUATRE PREMIERS VOISINS (COORDINATION TETRAEDRIQUE). LES PARAMETRES AJUSTABLES DU MODELE SONT: L'ENERGIE DE TRANSFERT DE CHARGE, LES INTEGRALS DE TRANSFERT, LE PARAMETRE DU CHAMP CRISTALLIN ET L'ENERGIE DE MOTT-HUBBARD. CES PARAMETRES SONT OBTENUS PAR COMPARAISON DES SPECTRES D'ABSORPTION ET PHOTOEMISSION THEORIQUES ET EXPERIMENTAUX. ET ENFIN, NOUS AVONS ETUDIE L'EVOLUTION DES PARAMETRES DU MODELE AVEC LA NATURE DU COMPOSE AINSI QUE LA DETERMINATION DES CONSTANTES D'ECHANGE

Download or read book CONTRIBUTIONS A L ETUDE THEORIQUE DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE ET DE LA SPECTROSCOPIE DANS LES ALLIAGES SEMICONDUCTEURS written by ABDOUL AZIZ.. M'BAYE and published by . This book was released on 1984 with total page 151 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DES EFFETS DU DESORDRE STATISTIQUE D'ALLIAGE SUR LA STRUCTURE ELECTRONIQUE ET SUR LES SPECTRES DES QUASIPARTICULES SPATIALEMENT ETENDUES (QSE) DANS LES ALLIAGES SEMICONDUCTEURS. DEVELOPPEMENT D'UNE THEORIE D'ALLIAGE CAPABLE DE DECRIRE LES EFFETS DU DESORDRE MESURES PAR UNE QSE. DEVELOPPEMENT D'UN SCHEMA D'INTERPOLATION DU POTENTIEL D'ALLIAGE PRENANT EN COMPTE LES EFFETS INTRINSEQUES (STRUCTURAUX OU DE VOLUME) ET EXTRINSEQUES LIES AU DESORDRE

Download or read book Contribution l tude th orique de la structure lectronique de quelques semi conducteurs organiques lin aires antiferromagn tiques written by Michel Dugay and published by . This book was released on 1974 with total page 146 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: FONCTIONS D'ONDE. PROPRIETES MAGNETIQUES: ENERGIE DE RENVERSEMENT D'UN SPIN. PROPRIETES ELECTRIQUES; LARGEUR DE BANDE INTERDITE; STRUCTURE DE BANDE, CONDUCTIVITE ELECTRIQUE. EFFETS ANISOTROPES; FORME DES SIGNAUX DE RPE; EVOLUTION VERS L'ETAT METALLIQUE

Download or read book LA LIAISON CHIMIQUE DANS LES SOLIDES written by FREDERIC.. LEMOIGNO and published by . This book was released on 1997 with total page 180 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA LIAISON CHIMIQUE EST ANALYSEE DE FACON QUANTITATIVE. L'INFORMATION SUR LA LIAISON CHIMIQUE EST EXTRAITE DE LA DENSITE ELECTRONIQUE, QUI EST UNE OBSERVABLE QUANTIQUE. IL EST AINSI POSSIBLE D'OBTENIR UNE DEFINITION FIABLE DE L'ATOME ET DE LA LIAISON CHIMIQUE. L'ANALYSE TOPOLOGIQUE DE LA DENSITE ELECTRONIQUE PERMET EN OUTRE DE DISCUTER LA NATURE DES LIAISONS OBTENUES. LA CLASSIFICATION DE CES LIAISONS SE FAIT, SUIVANT LA THEORIE DE L'ATOME DANS LA MOLECULE DE BADER, ENTRE LES LIAISONS A COUCHES FERMEES ET LES LIAISONS A ELECTRONS PARTAGES. LE CALCUL DE LA DENSITE ELECTRONIQUE SE FAIT GRACE AU PROGRAMME AB INITIO PERIODIQUE HARTREE-FOCK CRYSTAL 92. CE TYPE DE CALCUL PERMET D'ACCEDER A UNE DENSITE DE CHARGE DE BONNE QUALITE. EN PREMIER LIEU, L'ANALYSE TOPOLOGIQUE DE LA DENSITE ELECTRONIQUE EST UTILISEE SUR LES DICHALCOGENURES DE TITANE ET LEURS INTERCALAIRES AU LITHIUM. UN TRANSFERT ELECTRONIQUE DU LITHIUM VERS LE METAL EST AINSI MIS EN EVIDENCE. CE TRANSFERT SE FAIT PAR L'INTERMEDIAIRE DES CHALCOGENES, CE QUI MONTRE LE ROLE EMINENT DE CES ELEMENTS DANS LE PROCESSUS D'INTERCALATION. DANS UN DEUXIEME TEMPS, L'ETUDE DE L'INTERCALATION EST POURSUIVIE POUR LE DISULFURE DE TITANE ET SON HOMOLOGUE AU LITHIUM, PAR UNE ANALYSE DES PREMIERS NIVEAUX VACANTS, EXPERIMENTALEMENT SONDES PAR LA SPECTROSCOPIE D'ABSORPTION X AU NIVEAU DU SEUIL. L'INFORMATION CONTENUE DANS CES SPECTRES XANES EST EXTRAITE PAR UNE UTILISATION CONJOINTE D'UNE METHODE DE SIMULATION, BASEE SUR LA THEORIE DE LA DIFFUSION MULTIPLE (PROGRAMME CONTINUUM), ET DES CALCULS DE STRUCTURE ELECTRONIQUE PAR UNE METHODE DE FONCTIONNELLE DE LA DENSITE (PROGRAMME LMTO), DECRIVANT BIEN LES BANDES DE CONDUCTIONS. LES EFFETS STRUCTURAUX ET ELECTRONIQUES DE L'INTERCALATION DU LITHIUM ONT AINSI PU ETRE DECOULPES. EN OUTRE, LES CALCULS PAR CES DEUX METHODES DIFFERENTES TENDENT A MONTRER QUE LE DISULFURE DE TITANE EST UN SEMI-METAL. ENFIN, LA SIMULATION DES SPECTRES D'ABSORPTION X ET LEUR COMPARAISON AVEC LES DENSITES D'ETATS CALCULES PAR LE PROGRAMME LMTO SONT UTILISEES POUR ANALYSER PRECISEMENT LES SPECTRES EXPERIMENTAUX D'ABSORPTION X DE PLUSIEURS OXYDES DE MANGANESE. CETTE ETUDE MONTRE L'IMPORTANCE DE L'EFFET DES COUCHES ELOIGNEES DU PHOTOABSORBEUR SUR LES STRUCTURES DES SPECTRES. CET EFFET APPARAIT D'AUTANT PLUS IMPORTANT QUE LA STRUCTURE DU SOLIDE EST REGULIERE.

Download or read book Contribution l tude des propri t s lectroniques et structurales des compos s base de bore et de cuivre written by Fouad El Haj Hassan and published by . This book was released on 2000 with total page 290 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse a pour but de contribuer à la détermination des propriétés structurales (pas du réseau, module de rigidité et pression de transition) et électroniques (structure de bandes, densité de charges et densité d'états) de matériaux à base de bore et de cuivre à liaisons tétraédriques en utilisant la méthode des ondes planes augmentées linearisées (FLAPW). Nous avons étudié, en particulier, les nitrure, phosphure, arseniure et antimoniure de bore, BN, BP, BAs et BSb de la famille des semi-conducteurs III-V, ainsi que les propriétés structurales et l'effet du désordre dans l'alliage Cx(BN)1-x. Nous avons confirmé que ces composés, initialement qui cristallisent dans la structures zinc blende dans les conditions normales, évoluent, sous l'effet de pression hydrostatique élevée, vers la structures NaCl. En ce qui concerne la structure électronique, nous avons montré l'existence présence d'un gap fondamental indirect près de X ([gamma] 15v→[delta] min) pour BP, BAs et BSb, tandis que pour le BN nous avons trouvé un gap fondamental indirect suivant [gamma]15v→X1c. En ce qui concerne les halogénures de cuivre, la méthode FP-LAPW s'avère une des plus précises pour le calcul de la densité de charge et de la densité d'états, compte tenu des difficultés liées à l'hybridation des états 3d du cuivre avec les états p de l'halogène. Nous avons, en outre, étudié les propriétés structurales et électroniques ainsi que le paramètre de désordre (bowing) des alliages ternaires formes à partir des halogénures de cuivre CuCl, CuBr et CuI

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DES DEFAUTS DANS LES METAUX OU COMPOSES INTERMETALLIQUES written by Nikolaos Stefanou and published by . This book was released on 1986 with total page 167 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE D'IMPURETES OU DE DEFAUTS DE SUBSTITUTION DILUES DANS LES METAUX OU COMPOSES INTERMETALLIQUES ORDONNES, A PARTIR DES PREMIERS PRINCIPES. ETUDE PAR LE MODELE DES ELECTRONS LIBRES DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DES IMPURETES 3D DILUEES DANS LE CUIVRE ET DE CELLE DES BERYLLIURES DE LANTHANIDES OU D'ACTINIDES. STRUCTURE ELECTRONIQUE DE DEFAUTS PONCTUELS DANS FEAL, COAL, COGA ET D'IMPURETES DILUEES DANS LE NICKEL FERROMAGNETIQUES. INFLUENCE DE LA RELAXATION DU RESEAU CRISTALLIN AUTOUR D'UNE IMPURETE SUR LE MOMENT MAGNETIQUE ET LA DENSITE D'ETATS LOCALE

Download or read book PROPRIETES ET STRUCTURE ELECTRONIQUE DES FILMS PASSIFS FORMES SUR LES ACIERS INOXYDABLES ET LES ALLIAGES A BASE DE NICKEL DU TYPE INCONEL written by Noureddine Hakiki and published by . This book was released on 1995 with total page 159 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES RECHERCHES DEVELOPPEES DANS LE CADRE DE CE TRAVAIL DE THESE VISENT A ETUDIER LES PROPRIETES DES FILMS PASSIFS FORMES SUR LES ACIERS INOXYDABLES ET LES ALLIAGES INOXYDABLES A BASE DE NICKEL. IL S'AGIT PLUS PRECISEMENT D'ETABLIR LEUR STRUCTURE ELECTRONIQUE A L'AIDE DES TECHNIQUES ET DES CONCEPTS DE L'ELECTROCHIMIE DES SEMI-CONDUCTEURS. L'ETUDE EST CONDUITE SUR DES FILMS MINCES FORMES A TEMPERATURE AMBIANTE EN MILIEU TAMPON DE PH 9,2 ET SUR LES FILMS BEAUCOUP PLUS EPAIS FORMES A TEMPERATURE ELEVEE (350C) EN MILIEU DU TYPE MILIEU PRIMAIRE DES REACTEURS NUCLEAIRES. SUR LE PLAN EXPERIMENTAL, L'ETUDE A FAIT APPEL A DES TECHNIQUES DE CARACTERISATION ANALYTIQUES (SDL ET AUGER) ET STRUCTURALES (MEB, RX RASANTS ET SPECTROSCOPIE RAMAN) AINSI QU'A DES TECHNIQUES ELECTROCHIMIQUES ET PHOTOELECTROCHIMIQUES. LES RESULTATS OBTENUS REVELENT QUE LES ZONES DES FILMS PASSIFS CONSTITUEES PAR DES OXYDES DE CHROME ET DE FER PRESENTENT DES SEMI-CONDUCTIVITES DISTINCTES. LE MODELE DE STRUCTURE ELECTRONIQUE EST CELUI D'UNE HETEROJONCTION DU TYPE P-N. LA SPECIFICITE DE CHAQUE FILM RESIDE DANS LA NATURE DES ESPECES CHIMIQUES RESPONSABLES DES ZONES DE CHARGES D'ESPACE QUI SE DEVELOPPENT AUX INTERFACES METAL-FILM ET FILM-SOLUTION. L'ACTION DU MOLYBDENE SUR LA STRUCTURE ELECTRONIQUE EST EGALEMENT DISCUTEE. CETTE PARTIE DE L'ETUDE S'APPUIE SUR L'ANALYSE THEORIQUE DE LA BARRIERE DE SCHOTTKY DANS LE CAS OU LA CONTRIBUTION DE PLUSIEURS NIVEAUX ELECTRONIQUES LOCALISES DANS LA BANDE INTERDITE EST A PRENDRE EN COMPTE. ENFIN, LE COMPORTEMENT DES SEMI-CONDUCTEURS DEGENERES EST EXAMINE DANS LA STATISTIQUE DE FERMI-DIRAC. LE DEVELOPPEMENT MATHEMATIQUE EFFECTUE DANS CE TRAVAIL CONCERNE LA RESOLUTION DE L'INTEGRALE DE FERMI F#1#/#2. CE DEVELOPPEMENT CONDUIT A UNE RELATION DU TYPE MOTT-SCHOTTKY LAQUELLE EST APPLIQUEE A L'ETUDE DES FILMS PASSIFS TRES FORTEMENT DOPEES FORMES SUR DU FER